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首页 > 热门关键词 > TOSHIBA二极管
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TLP3555A 和 TLP3555AF 光电继电器由与红外 LED 光耦合的光电 MOSFET 组成。它采用 4 引脚 DIP 封装。TLP3555A 和 TLP3555AF 的低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用
  • 1+

    ¥19.06
  • 10+

    ¥16.2
  • 30+

    ¥14.49
  • 100+

    ¥12.77
  • 有货
  • 特性:快速反向恢复时间:trr = 150 ns(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.062Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:VDA = 3至4.5V,VDS = 10V,ID = 1.9mA。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥35.1
    • 10+

      ¥31.33
    • 30+

      ¥29.09
    • 90+

      ¥26.82
  • 有货
  • 42V/4.5A大电流步进电机驱动IC
    数据手册
    • 1+

      ¥60.78
    • 10+

      ¥51.9
    • 28+

      ¥45.45
    • 98+

      ¥40.92
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = 50V。 高集电极电流:IC = 150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 70至700。 出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。应用:低频放大器。 音频通用放大器应用
    • 20+

      ¥0.1528
    • 200+

      ¥0.1177
    • 600+

      ¥0.0982
    • 3000+

      ¥0.0865
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = -50V。 高集电极电流:IC = -150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 70至400。 出色的hFE线性度:hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95(典型值)。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。应用:低频放大器。 音频通用放大器应用
    • 20+

      ¥0.2207
    • 200+

      ¥0.1727
    • 600+

      ¥0.1487
  • 有货
  • 应用:ESD保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3169
    • 100+

      ¥0.2535
    • 300+

      ¥0.2218
    • 1000+

      ¥0.198
    • 5000+

      ¥0.179
  • 有货
  • 特性:高电压:VCEO = 120V。出色的hFE线性度:hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95(典型值)。高hFE:hFE = 200至700。低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。与2SA1163互补。小封装
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3693
    • 100+

      ¥0.2893
    • 300+

      ¥0.2494
  • 有货
  • 特性:2.5V驱动。 低导通电阻:RDS(ON) = 3.6Ω (max) (VGS = 4V);RDS(ON) = 6.0Ω (max) (VGS = 2.5V)。应用:负载开关应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.372
    • 100+

      ¥0.2899
    • 300+

      ¥0.2489
  • 有货
  • N-CH 60V 0.17A
    数据手册
    • 1+

      ¥0.41613 ¥1.6005
    • 10+

      ¥0.36699 ¥1.4115
    • 30+

      ¥0.34593 ¥1.3305
    • 100+

      ¥0.31967 ¥1.2295
    • 500+

      ¥0.30797 ¥1.1845
    • 1000+

      ¥0.30095 ¥1.1575
  • 有货
  • TC75S54F/TC75S54FU/TC75S54FE 是一款集成了相位补偿电路的 CMOS 单运算放大器。它专为低压、低电流电源应用而设计,这使其有别于传统的通用双极型运算放大器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.517041 ¥1.7829
    • 50+

      ¥0.410379 ¥1.4151
    • 150+

      ¥0.364646 ¥1.2574
    • 500+

      ¥0.307603 ¥1.0607
    • 3000+

      ¥0.282199 ¥0.9731
    • 6000+

      ¥0.266974 ¥0.9206
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE = 200 至 500 (IC =-0.5A)。 低集电极发射极饱和电压:VCE(sat) =-0.2V max。 高速开关:tf = 90 ns (典型值)。应用:高速开关应用。 DC-DC转换器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥0.517536 ¥1.4376
    • 10+

      ¥0.456408 ¥1.2678
    • 30+

      ¥0.430236 ¥1.1951
    • 100+

      ¥0.397548 ¥1.1043
    • 500+

      ¥0.383004 ¥1.0639
    • 1000+

      ¥0.374256 ¥1.0396
  • 有货
  • N沟道 20V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.549
    • 50+

      ¥0.429
    • 150+

      ¥0.369
    • 500+

      ¥0.324
  • 有货
  • 特性:4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:ΔRDS(ON) = 95 mΩ (最大值) (@VGS = 10 V);RDS(ON) = 140 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。应用:电源管理开关。 DC-DC 转换器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6589
    • 50+

      ¥0.5149
    • 150+

      ¥0.4429
    • 500+

      ¥0.3889
  • 有货
  • 是高速C²MOS双边开关,采用硅栅C²MOS技术制造。它由一个高速开关组成,能够控制数字或模拟信号,同时保持C²MOS低功耗。提供控制输入 (C) 来控制开关。当C输入为高电平时,开关导通;当C输入为低电平时,开关关断。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.696
    • 50+

      ¥0.5568
    • 150+

      ¥0.4871
  • 有货
  • 特性:紧凑型封装,适合高密度安装。 低导通电阻:RDS(ON) = 4.0Ω 最大 (VGS = 4V);RDS(ON) = 7.0Ω 最大 (VGS = 2.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7428
    • 50+

      ¥0.5988
    • 150+

      ¥0.5268
  • 有货
  • 特性:低饱和电压:VCE(sat)最大0.5V(IC = 1A)。 高速开关时间:tSTG典型值为1.0μs。 小型扁平封装,PC = 1.0至2.0W(安装在陶瓷基板上)。 与2SA1213互补。应用:功率放大器应用。 功率开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8967
    • 50+

      ¥0.6951
    • 150+

      ¥0.6087
  • 有货
  • 特性:高速:td = 3.8ns(典型值),VCC = 5V,CL = 15pF。 低功耗:ICC = 2μA(最大值),Ta = 25℃。 高抗噪性:VNI_H = VNI_L = 28%VCC(最小值)。 5.5V 耐受输入。 宽工作电压范围:VCC = 2 至 5.5V。 引脚分配和功能与 TC7W04 相同
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1333
    • 50+

      ¥0.8813
    • 150+

      ¥0.7733
    • 500+

      ¥0.6386
  • 有货
    • 5+

      ¥1.1525
    • 50+

      ¥0.9045
    • 150+

      ¥0.7982
    • 500+

      ¥0.6656
  • 有货
  • TC7S66F/FU是一款高速C2MOS双边开关,采用硅栅C2MOS技术制造。它能够控制数字或模拟信号,并保持低功耗。
    • 5+

      ¥1.1898
    • 50+

      ¥0.9227
    • 150+

      ¥0.8083
    • 500+

      ¥0.6655
  • 有货
  • 低压、低电容双总线开关。
    • 5+

      ¥1.3322
    • 50+

      ¥1.1537
    • 150+

      ¥1.0772
    • 500+

      ¥0.9818
  • 有货
  • 74VHC21FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS四输入与门。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。
    • 5+

      ¥1.3991
    • 50+

      ¥1.0866
    • 150+

      ¥0.9527
  • 有货
  • 8-位移位寄存器(串行输入,并行输出)。是高速CMOS 8位串行输入并行输出移位寄存器,采用硅栅C2MOS技术制造。能实现与等效LSTTL相似的高速操作,同时保持CMOS低功耗。由一个带CK输入和优先CLR输入的串行输入、并行输出8位移位寄存器组成。提供两个串行数据输入(A,B),以便其中一个可用作数据使能。所有输入均配备有防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    • 5+

      ¥1.4047
    • 50+

      ¥1.2367
    • 150+

      ¥1.1647
    • 500+

      ¥1.0748
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 1.5-V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:ΔRDS(ON) = 99.6 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V);RDS(ON) = 67.8 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V);RDS(ON) = 51.4 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V);RDS(ON) = 42.7 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。应用:电源管理开关
    • 5+

      ¥1.4168
    • 50+

      ¥1.1248
    • 150+

      ¥0.9996
    • 500+

      ¥0.8434
    • 3000+

      ¥0.7739
  • 有货
  • 带预置和清零功能的D型触发器。
    • 5+

      ¥1.4952
    • 50+

      ¥1.1575
    • 150+

      ¥1.0128
    • 500+

      ¥0.8322
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE = 400 至 1000(IC = 0.3A)。 低集电极-发射极饱和电压:VCE (sat) = 0.14V(最大值)。 高速开关:tf = 120 ns(典型值)。应用:高速开关应用。 DC-DC 转换器应用
    • 5+

      ¥1.5864
    • 50+

      ¥1.2487
    • 150+

      ¥1.104
  • 有货
  • 通用、阻抗转换器和电容式麦克风应用。
    • 5+

      ¥1.6665
    • 50+

      ¥1.3023
    • 150+

      ¥1.1461
    • 500+

      ¥0.9513
  • 有货
  • TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器,采用SO4封装,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1113
    • 50+

      ¥1.6577
    • 150+

      ¥1.4633
    • 500+

      ¥1.1539
    • 2500+

      ¥1.0459
    • 5000+

      ¥0.9811
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.3
    • 10+

      ¥2
    • 30+

      ¥1.87
    • 100+

      ¥1.7
    • 500+

      ¥1.63
    • 1000+

      ¥1.58
  • 有货
  • 与TLP185(GB-TPL,SE(T包装方式不一样,其他性能一致,详细区别请查阅链接:http://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=4pin%20SO6&lang=zh_cn
    数据手册
    • 1+

      ¥2.36
    • 10+

      ¥1.84
    • 30+

      ¥1.61
    • 100+

      ¥1.33
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101 合格。低漏源导通电阻:RDS(ON) = 23 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)。增强模式:VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。应用:汽车。电机驱动器
    • 1+

      ¥2.37
    • 10+

      ¥2.09
    • 30+

      ¥1.95
    • 100+

      ¥1.81
    • 500+

      ¥1.73
  • 有货
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