TOSHIBA二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：TC7SH86F,LJ(CT 编号：C516177

封装：SOT-23-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

2-输入异或门

数据手册

5+
￥0.87075 ￥1.0125
50+
￥0.696514 ￥0.8099
150+
￥0.62178 ￥0.723
500+
￥0.528642 ￥0.6147
3000+
￥0.487104 ￥0.5664
6000+
￥0.462164 ￥0.5374

有货

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型号：TC7WZ74FK,LJ(CT 编号：C2652815

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

D型触发器,带预置和清除功能

数据手册

5+
￥0.987288 ￥1.0616
50+
￥0.683754 ￥0.8238
150+
￥0.526987 ￥0.7219
500+
￥0.434131 ￥0.5947
3000+
￥0.392813 ￥0.5381
6000+
￥0.367993 ￥0.5041

有货

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型号：74VHC125FT(BJ) 编号：C5331506

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

高速CMOS四总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。74VHC125FT需要将三态控制输入G(overline)设置为高电平，以使输出进入高阻抗状态，而74VHC126FT需要将控制输入G设置为低电平，以使输出进入高阻抗状态。输入保护电路确保可以在不考虑电源电压的情况下向输入引脚施加0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统和双电源系统（如备用电池）的接口。该电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

数据手册

5+
￥1.0177
50+
￥0.7909
150+
￥0.6937
500+
￥0.5725

有货

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型号：2SC6135,LF 编号：C5382755

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：HF = 400 至 1000 (Ic = 0.1A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE (sat) = 0.17V (最大值)。高速开关：tf = 85 ns (典型值)。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

5+
￥1.2244
50+
￥1.0609
150+
￥0.9908
500+
￥0.9034

有货

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型号：TLP183(GB-TPL,E 编号：C2835183

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证了高隔离电压（3750 Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55至125 °C）。与DIP封装相比，TLP183体积更小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

5+
￥1.2387
50+
￥0.9594
150+
￥0.8397
500+
￥0.6903
3000+
￥0.6238
6000+
￥0.5839

有货

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型号：SSM3K2615R,LXGF 编号：C22371361

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 Qualified。 3.3-V gate drive voltage。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 380 mΩ（典型值） (VGS = 3.3V, ID = 0.5A)；RDS(ON) = 330 mΩ（典型值） (VGS = 4.0V, ID = 1.0A)；RDS(ON) = 230 mΩ（典型值） (VGS = 10V, ID = 1.0A)。应用：负载开关。电机驱动器

5+
￥1.2945
50+
￥1.1194
150+
￥1.0443
500+
￥0.9507

有货

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型号：SSM3K339R,LF 编号：C7320719

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 145 mΩ（典型值）(VGS = 8.0V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 155 mΩ（典型值）(VGS = 4.5V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 160 mΩ（典型值）(VGS = 3.6V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 180 mΩ（典型值）(VGS = 2.5V, ID = 0.5A)。RDS(ON) = 220 mΩ（典型值）(VGS = 1.8V, ID = 0.2A)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

5+
￥1.351
50+
￥1.0486
150+
￥0.919
500+
￥0.7573

有货

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型号：SSM3K123TU,LF 编号：C146289

封装：2-2U1A

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动。低导通电阻：RDS(on) = 66mΩ（最大值）(VGS = 1.5V)。RDS(on) = 43mΩ（最大值）(VGS = 1.8V)。RDS(on) = 32mΩ（最大值）(VGS = 2.5V)。RDS(on) = 28mΩ（最大值）(VGS = 4.0V)。应用：电源管理开关应用。高速开关应用

数据手册

5+
￥1.3996
50+
￥1.2127
150+
￥1.1326
500+
￥1.0326

有货

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型号：2SC6100,LF 编号：C5382754

封装：2-2U1A

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 400 至 1000（IC = 0.3 A）。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.14 V（最大值）。高速开关：tf = 120 ns（典型值）。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

5+
￥1.4777
50+
￥1.3167
150+
￥1.2477
500+
￥1.1616

有货

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型号：SSM3K361R.LF 编号：C2762698

封装：SOT-23-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175°C MOSFET。 4.5V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 65 mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 51 mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

数据手册

1+
￥1.7346 ￥2.94
10+
￥1.1466 ￥2.34
30+
￥0.8151 ￥2.09
100+
￥0.6864 ￥1.76
500+
￥0.6318 ￥1.62
1000+
￥0.6006 ￥1.54

有货

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型号：TK5A50D(STA4,X,S) 编号：C2917544

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.3Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 3.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值） (VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.4-4.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器应用

1+
￥1.7408 ￥5.12
10+
￥1.5878 ￥4.67
50+
￥1.5028 ￥4.42
100+
￥1.411 ￥4.15
500+
￥1.3668 ￥4.02
1000+
￥1.3464 ￥3.96

有货

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型号：74LCX08FT 编号：C4470442

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压四通道 2 输入与门，具有 5V 容限输入和输出。专为 3.3V 系统设计，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压 (3.3V) VCC 应用而设计，但可用于与 5V 电源环境的输入接口。所有输入均配备防静电放电保护电路。

5+
￥1.7558
50+
￥1.3762
150+
￥1.1683
500+
￥0.9654

有货

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型号：TC7SH126FU,LJ(CT 编号：C150186

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

总线缓冲器，具有三态输出

数据手册

1+
￥1.7755 ￥2.65
10+
￥1.3338 ￥2.34
30+
￥1.034 ￥2.2
100+
￥0.9541 ￥2.03
500+
￥0.9212 ￥1.96
1000+
￥0.8977 ￥1.91

有货

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型号：74VHC164FT 编号：C5916341

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

8 位移位寄存器（串行输入，并行输出）。采用硅栅 C3MOS 技术制造的先进高速 CMOS 8 位串行输入并行输出移位寄存器。实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行，同时保持了 CMOS 的低功耗。由带时钟输入和优先清除输入的串行输入、并行输出 8 位移位寄存器组成。提供两个串行数据输入（A、B），以便其中一个可用作数据使能。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，可向输入引脚施加 0 至 5.5V 的电压。该器件可用于连接 5 至 3V 系统和双电源系统，如备用电池。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏

5+
￥1.864
50+
￥1.4621
150+
￥1.2899
500+
￥1.075

有货

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型号：SSM6J414TU,LF 编号：C5379821

封装：SOT-363F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 54 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V)。 -RDS(ON) = 26 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V)。 -RDS(ON) = 22.5 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。应用：电源管理开关

1+
￥1.9
10+
￥1.64
30+
￥1.54
100+
￥1.4
500+
￥1.34
1000+
￥1.3

有货

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型号：TC7WBL3306CFK,L(CT 编号：C2673290

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7WBL3305CFK和TC7WBL3306CFK是低电压/低电容CMOS 2位总线开关。该开关的低导通电阻允许以最小的传播延迟时间进行连接

5+
￥2.0084
50+
￥1.5548
150+
￥1.3604
500+
￥1.1179
3000+
￥1.0099
6000+
￥0.945

有货

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型号：2SC5886A(T6L1.NQ) 编号：C2762776

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 400 至 1000 (IC = 0.5A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.22V (最大值)。高速开关：tr = 95 ns (典型值)。应用：高速开关应用。 DC/DC 转换器应用

数据手册

5+
￥2.0538
50+
￥1.6001
150+
￥1.4056
500+
￥1.1631

有货

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型号：TK40E06N1,S1X(S 编号：C5360503

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 8.4 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 60V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥2.15
10+
￥1.86
50+
￥1.74
100+
￥1.59
500+
￥1.52
1000+
￥1.48

有货

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型号：TLP293(BL-TPL,E 编号：C3002261

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

1+
￥2.58
10+
￥2.03
30+
￥1.79
100+
￥1.49
500+
￥1.36
1000+
￥1.28

有货

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型号：TPC6113,LF(CM 编号：C5370546

封装：VS6-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小而薄的封装，占用空间小。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 38 mΩ（典型值）(VGS =-4.5V)。低泄漏电流：IDSS =-10 μA(最大值)(VDS =-20 V)。增强模式：Vth =-0.5 至-1.2V(VDS =-10 V, ID =-0.2 mA)。应用：锂离子电池应用。电源管理开关应用

数据手册

1+
￥2.64
10+
￥1.99
30+
￥1.67
100+
￥1.35
500+
￥1.15
1000+
￥1.05

有货

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型号：TLP290(BL-TP,SE 编号：C3008592

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥2.65
10+
￥2.05
30+
￥1.8
100+
￥1.48
500+
￥1.34
1000+
￥1.26

有货

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型号：TLP183(TPL,E 编号：C5331592

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证了高隔离电压（3750 Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55至125 °C）。与DIP封装相比，TLP183体积更小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

1+
￥2.72
10+
￥2.11
30+
￥1.85
100+
￥1.52
500+
￥1.37
1000+
￥1.29

有货

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型号：TPN3300ANH,LQ(S 编号：C22456024

封装：TSON-8(3.3x3.3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小而薄的封装。高速开关。小栅极电荷：QSW = 4.5 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 28 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥2.78
10+
￥2.17
30+
￥1.91
100+
￥1.58
500+
￥1.43
1000+
￥1.34

有货

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型号：TLP266J(TPL,E 编号：C2848501

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅组成，与红外 LED 光耦合。采用 SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0mm，电气间隙最小为 5.0mm，绝缘厚度最小为 0.4mm。因此，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥2.9118 ￥12.66
10+
￥2.6818 ￥11.66
30+
￥2.5369 ￥11.03
100+
￥2.3897 ￥10.39
500+
￥2.323 ￥10.1
1000+
￥2.2931 ￥9.97

有货

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型号：TA78L12F(TE12L.F) 编号：C2762681

封装：HSOP-3-1.5mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：最适合用于 TTL/CMOS 电源。无需外部零件。内置过热保护。内置过流保护。最大输出电流为 150mA（Tj = 25℃）。采用 PW-mini（SOT-89）封装

数据手册

1+
￥3.7
10+
￥2.99
30+
￥2.69
100+
￥2.31
500+
￥1.94

有货

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型号：TK8A65D(STA4,X,M) 编号：C2929219

封装：ITO-220S-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 4.5S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 650V)。增强模式：Vth = 2.0 ± 0.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)

1+
￥4.16
10+
￥3.38
50+
￥2.74
100+
￥2.35
500+
￥2.12

有货

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型号：TC74AC541FT(EL) 编号：C7421335

封装：TSSOP20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器具有反相、三态输出和同相、三态输出两种类型。采用硅栅和双层金属布线C²MOS技术制造，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗。反相类型和同相类型可供选择，当G1(overline)或G2(overline)为高电平时，终端输出处于高阻态，所有输入均配备抗静电放电或瞬态过电压保护电路。

1+
￥4.43
10+
￥3.98
30+
￥3.76
100+
￥3.53

有货

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型号：TK12E60W,S1VX(S 编号：C5374700

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：使用超结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.265Ω（典型值）。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7至3.7V（VDS = 10V，ID = 0.6mA）。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥5.14
10+
￥4.61
50+
￥4.32
100+
￥3.99
500+
￥3.84

有货

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型号：TC74HC165AF(EL,F) 编号：C7121109

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS 8位并行/串行输入、串行输出移位寄存器，采用硅栅C²MOS技术制造。它能实现与等效LSTTL相似的高速操作，同时保持CMOS的低功耗特性。由带门控时钟输入的并行输入或串行输入、串行输出8位移位寄存器组成。当SHIFT/LOAD输入为高电平时，串行数据输入启用，8个触发器随每个时钟脉冲进行串行移位。当SHIFT/LOAD输入为低电平时，并行数据在时钟脉冲的正跳变沿异步加载到寄存器中。CK-INH输入仅在CK输入为高电平时应置为高电平。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

1+
￥5.17
10+
￥4.64
30+
￥4.36
100+
￥4.03
500+
￥3.89

有货

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型号：TLP2348(TPL,E 编号：C2974572

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作，最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流 (I₍CCl₎) 和 1.6mA 低阈值输入电流 (I₍FHL₎)，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证 ±30kV/μs 的共模瞬态抗扰度，具有反相器输出。

数据手册

1+
￥5.22
10+
￥4.18
30+
￥3.66
100+
￥3.15
500+
￥2.84
1000+
￥2.68

有货

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海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

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提示