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描述

价格(含税)

库存

操作

高速C2MOS施密特反相器

型号：TC7W14FU(TE12L,F) 编号：C7421349

封装：SM-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速C²MOS施密特触发器，采用硅栅C²MOS技术制造。它在保持C²MOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL相似的高速运行。引脚配置和功能与TC7WU04相同，但输入具有25% VCC的滞后特性，凭借其施密特触发功能，可作为接收慢速输入信号的线路接收器。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

5+
￥1.6135
50+
￥1.2858
150+
￥1.1454
500+
￥0.9702

有货

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具有5V容限输入和输出的低压四路2输入与门

型号：74LCX08FT 编号：C4470442

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压四通道 2 输入与门，具有 5V 容限输入和输出。专为 3.3V 系统设计，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压 (3.3V) VCC 应用而设计，但可用于与 5V 电源环境的输入接口。所有输入均配备防静电放电保护电路。

5+
￥1.7558
50+
￥1.3762
150+
￥1.1683
500+
￥0.9654

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:4A

型号：SSM6N58NU,LF 编号：C262142

封装：UDFN-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8-V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 84mΩ (最大值)（@VGS = 4.5V）；RDS(ON) = 117mΩ (最大值)（@VGS = 2.5V）；RDS(ON) = 180mΩ (最大值)（@VGS = 1.8V）。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

5+
￥1.764
50+
￥1.3709
150+
￥1.2024
500+
￥0.9922
3000+
￥0.8986
6000+
￥0.8424

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP293(GRL-TPL,E 编号：C5156046

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是低输入和高隔离型光耦合器，由一个光电晶体管和一个红外 LED 光耦合在 SO4 封装中组成。保证高隔离电压 (3750 Vrms) 和宽工作温度 (-55 至 125℃)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

数据手册

1+
￥1.79
10+
￥1.55
30+
￥1.44
100+
￥1.31
500+
￥1.25
1000+
￥1.22

有货

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5V 150mA 15V

型号：TAR5S50TE85LF 编号：C146354

封装：SSOP-5-1.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TAR5Sxx 系列由通用双极型单电源器件组成，这些器件包含一个控制引脚，可用于开启/关闭器件。器件的输出电路内置了过温保护和过流保护电路。

数据手册

5+
￥1.915636 ￥2.1524
50+
￥1.511932 ￥1.6988
150+
￥1.338916 ￥1.5044
500+
￥1.123091 ￥1.2619
3000+
￥1.026971 ￥1.1539
6000+
￥0.96921 ￥1.089

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP183(BL-TPL,E 编号：C5362375

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证了高隔离电压（3750 Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55至125 °C）。与DIP封装相比，TLP183体积更小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

5+
￥2.0791
50+
￥1.6305
150+
￥1.4383
500+
￥1.1204

有货

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1个N沟道耐压:60V

型号：TK40E06N1,S1X(S 编号：C5360503

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 8.4 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 60V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥2.15
10+
￥1.86
50+
￥1.74
100+
￥1.59
500+
￥1.52
1000+
￥1.48

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:2A

型号：2SK2615(TE12L.F) 编号：C2762693

封装：SOT-89

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.23Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 2.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 60V)。增强模式：Vth = 0.8 至 2.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：DC-DC转换器。继电器驱动

数据手册

1+
￥2.31
10+
￥1.8
30+
￥1.58
100+
￥1.31
500+
￥1.19

有货

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CMOS数字集成电路，四路总线缓冲器

型号：74VHCT125AFT 编号：C146429

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHCT125AFT和74VHCT126AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它们能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

数据手册

1+
￥2.3162 ￥3.13
10+
￥1.8574 ￥2.51
30+
￥1.6576 ￥2.24
100+
￥1.4134 ￥1.91
500+
￥1.3024 ￥1.76
1000+
￥1.2358 ￥1.67

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP184(V4BLTL,SE 编号：C25715919

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE是AC输入型光电耦合器，由与两个红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE采用非常小而薄的SO6封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于TLP184(SE比DIP封装小，适用于混合IC等高密度表面贴装应用。

1+
￥2.68
10+
￥2.39
30+
￥2.25
100+
￥2.1
500+
￥2.02
1000+
￥1.97

有货

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CMOS 数字集成电路单片硅 TC74VHC4051.4052.4053AF/FK

型号：TC74VHC4051AF(EK,F 编号：C6916292

封装：SOP-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

高速、低电压驱动的8通道模拟多路复用器/解复用器，使用硅栅CMOS技术。

1+
￥2.78
10+
￥2.45
30+
￥2.29
100+
￥2.13
500+
￥2.03
1000+
￥1.98

有货

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硅N沟道MOS管

型号：TPN3300ANH,LQ(S 编号：C22456024

封装：TSON-8(3.3x3.3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小而薄的封装。高速开关。小栅极电荷：QSW = 4.5 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 28 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥2.78
10+
￥2.17
30+
￥1.91
100+
￥1.58
500+
￥1.43
1000+
￥1.34

有货

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PNP 1.5A 160V

型号：TTA004B,Q(S 编号：C5155086

封装：TO-126N

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高集电极电压：VCEO = -160V (min)。与TTC004B互补。小集电极输出电容：Cob = 17 pF (typ.)。高过渡频率：fT = 100 MHz (typ.)。应用：音频放大器

数据手册

1+
￥3.61
10+
￥2.88
30+
￥2.56
250+
￥1.88

有货

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TLP5754(D4-TP4,E(T

型号：TLP5754(D4-TP4,E 编号：C38846771

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

1+
￥4.29
10+
￥3.79
30+
￥3.53
100+
￥3.28
500+
￥3.13

有货

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TK8A50D(STA4,X,S)

型号：TK8A50D(STA4,X,S) 编号：C2990816

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥4.29
10+
￥3.84
50+
￥3.62
100+
￥3.39
500+
￥3.26

有货

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1个N沟道耐压:800V

型号：TK5A80E,S4X(S 编号：C5370564

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9Ω（典型值）。低泄漏电流：IRS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。增强模式：Vth = 2.5至4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥4.3
10+
￥3.83
50+
￥3.6
100+
￥3.37
500+
￥3.23
1000+
￥3.15

有货

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八路总线缓冲器

型号：TC74AC541FT(EL) 编号：C7421335

封装：TSSOP20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器具有反相、三态输出和同相、三态输出两种类型。采用硅栅和双层金属布线C²MOS技术制造，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗。反相类型和同相类型可供选择，当G1(overline)或G2(overline)为高电平时，终端输出处于高阻态，所有输入均配备抗静电放电或瞬态过电压保护电路。

1+
￥4.43
10+
￥3.98
30+
￥3.76
100+
￥3.53

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:393A

型号：TPHR6503PL,L1Q(M 编号：C396032

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 30 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 81.3 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.41 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VDM = 1.1 至 2.1 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥4.65
10+
￥4.53
30+
￥4.46
100+
￥4.38

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP5752(TP,E 编号：C2840186

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5752由一个红外LED和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用6引脚SO6L封装。与8引脚DIP封装相比，TLP5752尺寸缩小了50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥4.78
10+
￥3.82
30+
￥3.34
100+
￥2.86
500+
￥2.57

有货

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光耦合器，红外LED与光控双向可控硅

型号：TLP3073(TP1,F 编号：C2693197

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由非过零光控可控硅与红外LED光耦合组成，采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值），因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

1+
￥5.72
10+
￥4.64
30+
￥4.1
100+
￥3.57
500+
￥3.25
1500+
￥3.08

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:15A

型号：TK15J50D(F) 编号：C5361057

封装：SC-65

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 0.33Ω (典型值)。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.0S (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

数据手册

1+
￥6.47
10+
￥5.81
30+
￥5.45
100+
￥5.03
500+
￥4.85

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:13.7A

型号：TK14E65W 编号：C5361055

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.22Ω（典型值），采用超结结构：DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.5至3.5V，VDS = 10V，ID = 0.69mA。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥7.7
10+
￥7
50+
￥6.62
100+
￥6.18
500+
￥5.99

有货

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1个N沟道耐压:650V

型号：TK14E65W,S1X(S 编号：C5361056

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.22Ω（典型值），采用超结结构：DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.5至3.5V，VDS = 10V，ID = 0.69mA。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥7.7
10+
￥7
50+
￥6.62
100+
￥6.18
500+
￥5.99

有货

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1个N沟道耐压:100V

型号：TK34E10N1,S1IX(S 编号：C5307571

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥7.75
10+
￥6.3
50+
￥5.27
100+
￥4.37
500+
￥3.97

有货

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1个N沟道耐压:200V

型号：TK25A20D,S5X 编号：C2990812

封装：ITO-220S-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.047Ω（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 200V)。增强模式：VtA = 1.5 至 3.5V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥8.51
10+
￥7.07
50+
￥6.28
100+
￥5.38

有货

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1个N沟道耐压:900V 电流:9A

型号：TK9J90E,S1E 编号：C695269

封装：TO-3P(N)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 Ω（典型值）。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 720 V)。增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.9 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥8.6
10+
￥7.16
25+
￥6.28
100+
￥5.38

有货

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TK160F10N1L,LXGQ(O

型号：TK160F10N1L,LXGQ 编号：C7470887

封装：DIP

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥9.23
10+
￥8.41
30+
￥7.9
100+
￥7.37

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:11.5A

型号：TK290P65Y,RQ 编号：C146274

封装：TO-252(DPAK)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.23Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：VtA = 3至4V（VDS = 10V，ID = 0.45mA）。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥10.36
10+
￥9.55
30+
￥9.04
100+
￥8.52
500+
￥8.28

有货

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1个N沟道耐压:60V

型号：TK100E06N1,S1X(S 编号：C5361054

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 60V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥13.57
10+
￥12.01
50+
￥11.03
100+
￥10.02
500+
￥9.57

有货

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TPD2007F

型号：TPD2007F(EL,F) 编号：C114443

封装：SOP-24

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥15.08
10+
￥12.66
30+
￥11.15

有货

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