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关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

四路2输入或非门

型号：74VHC02FT(BJ) 编号：C5331502

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

四2输入或非门。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入或非门，在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。内部电路由包括缓冲输出的三级组成，提供高抗噪性和稳定输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可施加0至5.5V电压，可用于5V至3V系统和双电源系统（如备用电池）的接口，防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件

数据手册

5+
￥1.0523
50+
￥0.8178
150+
￥0.7173
500+
￥0.5919
2500+
￥0.536
5000+
￥0.5025

有货

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N沟道MOS型场效应晶体管高速开关应用

型号：SSM3K09FU,LF 编号：C5331527

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于高速开关应用，小封装，低导通电阻。导通电阻最大值：Rₒₙ = 0.7Ω（VGS = 10V时）；Rₒₙ = 1.2Ω（VGS = 4V时）

数据手册

5+
￥1.0778
50+
￥0.851
150+
￥0.7538
500+
￥0.6326

有货

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CMOS 数字集成电路，双 2 输入与门

型号：TC7WZ08FK,LJ(CT 编号：C6716828

封装：SSOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

双2输入与门

5+
￥1.1283
50+
￥0.8763
150+
￥0.7683
500+
￥0.6336

有货

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带预置和清除功能的D型触发器

型号：TC7WH74FK,LJ(CT 编号：C2652816

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速：fMAX = 170 MHz（典型值），VCC = 5V。低功耗：ICC = 2 μA（最大值），TA = 25℃。高抗噪性：VNI N = VNHL = 28%VCC（最小值）。5.5V 耐受输入。平衡传播延迟：tLH ≃ tPHL。宽工作电压范围：VCC = 2 至 5.5V

数据手册

5+
￥1.1284
50+
￥0.8769
150+
￥0.7692
500+
￥0.6347

有货

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带预置和清除功能的D型触发器

型号：TC7WH74FU,LJ(CT 编号：C150164

封装：SM-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

带预置和清除的D型触发器

数据手册

5+
￥1.1408
50+
￥0.8888
150+
￥0.7808
500+
￥0.6461

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:800mA

型号：SSM6N56FE,LM 编号：C146449

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 235mΩ（最大值）（VGS = 4.5V，ID = 800mA）。RDS(ON) = 300mΩ（最大值）（VGS = 2.5V，ID = 600mA）。RDS(ON) = 480mΩ（最大值）（VGS = 1.8V，ID = 200mA）。RDS(ON) = 840mΩ（最大值）（VGS = 1.5V，ID = 50mA）。应用：高速开关

数据手册

5+
￥1.1416
50+
￥0.9084
150+
￥0.8085
500+
￥0.417118 ￥0.6838
2500+
￥0.383263 ￥0.6283
4000+
￥0.36295 ￥0.595

有货

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用于高速开关和DC-DC转换器应用的硅NPN外延型晶体管

型号：2SC6135,LF 编号：C5382755

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：HF = 400 至 1000 (Ic = 0.1A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE (sat) = 0.17V (最大值)。高速开关：tf = 85 ns (典型值)。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

5+
￥1.2244
50+
￥1.0609
150+
￥0.9908
500+
￥0.9034

有货

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高速C2MOS反相器

型号：TC7W04FU,LF 编号：C5331570

封装：SSOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C²MOS技术制造的高速C5MOS缓冲器。内部电路由包括缓冲输出在内的三级组成，可实现高抗噪性和稳定输出。所有输入均配备防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

数据手册

5+
￥1.2264
50+
￥1.0626
150+
￥0.9924
500+
￥0.9048

有货

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CMOS数字集成电路，八路总线缓冲器

型号：74VHC541FT(BJ) 编号：C261919

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器 74VHC540FT：反相、三态输出 74VHC541FT：同相、三态输出 74VHC540FT/74VHC541FT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速先进 CMOS 八进制总线缓冲器。

数据手册

5+
￥1.2308
50+
￥0.9788
150+
￥0.8708
500+
￥0.7361

有货

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1个N沟道耐压:50V

型号：2SK209-Y(TE85L,F) 编号：C2880444

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高正向传输导纳：|Yfs| = 15 mS（典型值），VDS = 10 V，VGS = 0。高击穿电压：VGD_S =-30 V。低噪声：NF = 1.0 dB（典型值），VDS = 10 V，ID = 0.5 mA，f = 1 kHz，RG = 1 kΩ。高输入阻抗：IGSS =-1 nA（最大值），VGS =-30 V。小封装。应用：音频频率低噪声放大器应用

5+
￥1.2721
50+
￥0.9641
150+
￥0.8321
500+
￥0.6674

有货

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耐压:60V 电流:2A

型号：SSM3K2615R,LXGF 编号：C22371361

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 Qualified。 3.3-V gate drive voltage。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 380 mΩ（典型值） (VGS = 3.3V, ID = 0.5A)；RDS(ON) = 330 mΩ（典型值） (VGS = 4.0V, ID = 1.0A)；RDS(ON) = 230 mΩ（典型值） (VGS = 10V, ID = 1.0A)。应用：负载开关。电机驱动器

5+
￥1.2945
50+
￥1.1194
150+
￥1.0443
500+
￥0.9507

有货

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400mV@100nA

型号：2SK208-Y(TE85L,F) 编号：C112988

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

通用、阻抗转换器和电容式麦克风应用。

数据手册

5+
￥1.3075
50+
￥1.0299
150+
￥0.9109
500+
￥0.7624
3000+
￥0.6236

有货

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低压、低电容双路总线开关

型号：TC7WBL3305CFK,L(CT 编号：C2673291

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

低压、低电容双总线开关。

5+
￥1.3322
50+
￥1.1537
150+
￥1.0772
500+
￥0.9818

有货

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CMOS数字集成电路，8位移位寄存器（串行输入，并行输出）

型号：74HC164D(BJ) 编号：C7421253

封装：SOIC14

品牌：TOSHIBA(东芝)

8-位移位寄存器（串行输入，并行输出）。是高速CMOS 8位串行输入并行输出移位寄存器，采用硅栅C2MOS技术制造。能实现与等效LSTTL相似的高速操作，同时保持CMOS低功耗。由一个带CK输入和优先CLR输入的串行输入、并行输出8位移位寄存器组成。提供两个串行数据输入（A，B），以便其中一个可用作数据使能。所有输入均配备有防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

5+
￥1.4579
50+
￥1.2899
150+
￥1.2179
500+
￥1.128

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP385(GR-TPL,E 编号：C17383409

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

5+
￥1.4795
50+
￥1.28
150+
￥1.1945
500+
￥1.0878
3000+
￥1.0403

有货

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74VHC4066AFT CMOS双边开关

型号：74VHC4066AFT 编号：C2673192

封装：TSSOPB-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC4066AFT是一款高速、低电压驱动的四通道双边开关，采用C2MOS技术。适用于3V和5V系统，具有高操作速度和低功耗的特点。

数据手册

5+
￥1.5835
50+
￥1.2301
150+
￥1.0786
500+
￥0.8897

有货

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CMOS数字集成电路八进制总线缓冲器

型号：74VHCT244AFT 编号：C5188726

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进的高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗特性。是一款反相三态缓冲器，具有两个低电平有效输出使能端。是非反相三态缓冲器，也有两个低电平有效输出使能端。这些器件设计用于三态存储器地址驱动器等。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可以用作3.3V到5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可以在输入和输出引脚施加0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备用、热板插入等）而导致的器件损坏。

5+
￥1.6
50+
￥1.2724
150+
￥1.132
500+
￥0.9569

有货

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CMOS数字集成电路，八路总线缓冲器

型号：74VHC540FT 编号：C2675516

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器，反相、三态输出。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线缓冲器，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。当G1(overline)或G2(overline)为高电平时，终端输出处于高阻态。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可施加0至5.5V的电压，该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如电池备用）的接口，此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。

数据手册

5+
￥1.6392
50+
￥1.3116
150+
￥1.1712
500+
￥0.957

有货

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低电压低功耗单运放

型号：TC75S51FUTE85LF 编号：C2058714

封装：SSOP-5-1.25mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款CMOS单运算放大器，内置相位补偿电路。采用低电压和低电流电源设计，与通用双极运算放大器不同。

数据手册

5+
￥1.7434
50+
￥1.3906
150+
￥1.2394
500+
￥1.0508

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP183(BLL-TPL,E 编号：C5346749

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种低输入型光电晶体管耦合器，由一个光电晶体管与一个红外 LED 光耦合组成，采用 SO6 封装。保证高隔离电压（3750 Vrms）和宽工作温度范围（-55℃至 125℃），比 DIP 封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.8566
50+
￥1.4534
150+
￥1.2806
500+
￥1.0649
3000+
￥0.9689

有货

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8位并行/串行输入、串行输出移位寄存器

型号：74VHC165FT 编号：C5349732

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

8 位移位寄存器（并行输入，串行输出）。采用硅栅 C3MOS 技术制造的先进高速 CMOS 8 位并行/串行输入、串行输出移位寄存器。它能实现与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持 CMOS 的低功耗。它由一个带门控时钟输入的并行输入或串行输入、串行输出 8 位移位寄存器组成

数据手册

5+
￥1.9883
50+
￥1.5599
150+
￥1.3763
500+
￥1.1473

有货

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210MHz 12位二进制计数器

型号：74VHC4040FT 编号：C2649406

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款先进的高速CMOS 12级二进制计数器/分频器，采用硅栅C2MOS技术制造。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。将CLR置为高电平可将计数器复位为低电平。CK输入的负跳变会使计数器加1。该计数器提供所有分频输出级，在Q12端将输出1/4096分频的频率。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可承受0至5.5V的电压。此器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如备用电池）的接口。该电路可防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。

数据手册

5+
￥2.0534
50+
￥1.5998
150+
￥1.4054
500+
￥1.1629

有货

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5V 150mA 35V

型号：TA78L05F(TE12L.F) 编号：C2762680

封装：HSOP-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：最适合用于 TTL/CMOS 电源。无需外部零件。内置过热保护。内置过流保护。最大输出电流为 150 mA（结温 = 25℃）。采用 PW-mini（SOT-89）封装

数据手册

1+
￥2.0625 ￥3.75
10+
￥1.3725 ￥3.05
30+
￥0.9415 ￥2.69
100+
￥0.8225 ￥2.35
500+
￥0.749 ￥2.14
1000+
￥0.7105 ￥2.03

有货

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四路2输入施密特与非门

型号：TC74HC132AF(EL,F) 编号：C6342365

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款高速CMOS 2输入与非施密特触发器门电路，采用硅栅C²MOS技术制造。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL类似的高速运行。引脚配置和功能与TC74HC00A相同，但输入具有25% VCC的滞后特性，其施密特触发输入可作为慢速输入信号的线路接收器。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

1+
￥2.54
10+
￥2.01
30+
￥1.78
100+
￥1.32 ￥1.5
500+
￥1.2056 ￥1.37
1000+
￥1.1352 ￥1.29

有货

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八进制通用施密特缓冲器，带三态输出

型号：74VHC9541FT 编号：C2675622

封装：TSSOP-20-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC9541FT是一款采用硅栅CMOS技术制造的超高速八进制施密特缓冲器。74VHC9541FT将CMOS的低功耗特性与肖特基TTL的速度相结合。

数据手册

1+
￥2.92
10+
￥2.27
30+
￥1.99
100+
￥1.63
500+
￥1.48

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP383(D4BLLTL,E 编号：C3002263

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是低输入、高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压 (5000 Vrms) 和宽工作温度 (-55 至 125℃)。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

1+
￥2.99
10+
￥2.33
30+
￥2.05
100+
￥1.7
500+
￥1.54
1000+
￥1.45

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:9.7A

型号：TK380P60Y,RQ 编号：C150118

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道,600V,9.7A,0.38Ω@10V

数据手册

1+
￥4.0158 ￥8.73
10+
￥2.898 ￥8.05
30+
￥1.9812 ￥7.62
100+
￥1.8668 ￥7.18
500+
￥1.8148 ￥6.98
1000+
￥1.794 ￥6.9

有货

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1个N沟道耐压:800V

型号：TK5A80E,S4X(S 编号：C5370564

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9Ω（典型值）。低泄漏电流：IRS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。增强模式：Vth = 2.5至4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥4.3
10+
￥3.83
50+
￥3.6
100+
￥3.37
500+
￥3.23
1000+
￥3.15

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP5752(TP,E 编号：C2840186

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5752由一个红外LED和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用6引脚SO6L封装。与8引脚DIP封装相比，TLP5752尺寸缩小了50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥4.85
10+
￥3.89
30+
￥3.41
100+
￥2.94
500+
￥2.65
1500+
￥2.5

有货

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光电耦合器（红外LED与光电IC）

型号：TLP2719(D4-TP4,E 编号：C7124355

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6L 封装。该产品可安装在与东芝 SDIP6 封装相同的焊盘图案上。此外，SO6L 封装的最大高度为 2.3mm，比传统 SDIP6 封装薄约 45%。其低矮的封装有助于减小系统尺寸，并且可以放置在对高度有限制的位置，如电路板背面。此外，由于该产品保证了 5kVrms（最小值）的高隔离电压，因此符合国际安全标准的加强绝缘等级。

1+
￥5.35
10+
￥4.27
30+
￥3.73
100+
￥3.19
500+
￥2.87
1500+
￥2.7

有货

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