TOSHIBA二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：ITO-220S-3

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.047Ω（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 200V)。增强模式：VtA = 1.5 至 3.5V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器

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1+
￥8.11
10+
￥6.67
50+
￥5.88
100+
￥4.98

有货

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型号：TK290P65Y,RQ 编号：C146274

封装：TO-252(DPAK)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.23Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：VtA = 3至4V（VDS = 10V，ID = 0.45mA）。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥8.1844 ￥10.36
10+
￥6.5895 ￥9.55
30+
￥5.3336 ￥9.04
100+
￥5.0268 ￥8.52
500+
￥4.8852 ￥8.28
1000+
￥4.8262 ￥8.18

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型号：TK100E10NE,S1Q(S 编号：C396034

封装：TO-220AB

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥8.75
10+
￥7.31
50+
￥6.28
100+
￥5.38
500+
￥4.99
1000+
￥4.81

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型号：TLP700F(ABB-TP,F) 编号：C50214854

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥9.02
10+
￥7.4
30+
￥6.51
100+
￥5.5
500+
￥5.06

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型号：TK160F10N1L,LXGQ 编号：C7470887

封装：DIP

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥9.23
10+
￥8.41
30+
￥7.9
100+
￥7.37

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型号：TLP590B(C,F) 编号：C6718105

封装：DIP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥13.36
10+
￥11.25
50+
￥9.93
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￥8.58
500+
￥7.97
1000+
￥7.7

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型号：TK31A60W,S4VX 编号：C5155293

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.073Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7至3.7V，VDS = 10V，ID = 1.5mA。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥13.61
10+
￥12.45
50+
￥11.18
100+
￥10.44
500+
￥10.1

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型号：TK31J60W,S1VE(S 编号：C5361058

封装：TO-3P(N)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.073Ω（典型值），采用超级结结构：DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7 至 3.7V，VDS = 10V，ID = 1.5mA。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥15.61
10+
￥14.39
50+
￥13.62
100+
￥9.8868 ￥12.84
500+
￥9.6096 ￥12.48
1000+
￥9.4941 ￥12.33

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型号：TK25A60X,S5X(M 编号：C25715837

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON)= 0.105Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。具有较低电容的高速开关特性。增强模式：Vth = 2.5 至 3.5V，VDS = 10V，ID = 1.2mA。应用：开关稳压器

1+
￥16.84
10+
￥14.43
50+
￥12.92
100+
￥11.37
500+
￥10.68
1000+
￥10.37

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型号：TMBT3904,LM 编号：C145154

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

音频通用放大器应用高压大电流：VCEO = 50 V，IC = 150 mA（最大值）与TMBT3906互补

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20+
￥0.1278
200+
￥0.098
600+
￥0.0815
3000+
￥0.0716

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型号：DF2S24FS,L3M 编号：C1974735

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：ESD保护

数据手册

10+
￥0.1711
100+
￥0.1491
300+
￥0.1381
1000+
￥0.1298
5000+
￥0.1232

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型号：SSM3K56MFV,L3F 编号：C146288

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235 mΩ (max) (VGS = 4.5 V)。 -RDS(ON) = 300 mΩ (max) (VGS = 2.5 V)。 -RDS(ON) = 480 mΩ (max) (VGS = 1.8 V)。 -RDS(ON) = 840 mΩ (max) (VGS = 1.5 V)。应用：高速开关

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20+
￥0.2217
200+
￥0.1737
600+
￥0.1497
2000+
￥0.1317

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型号：2SC2712-BL,LF 编号：C2762674

封装：TO-236-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频通用放大应用

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10+
￥0.2643
100+
￥0.2065
300+
￥0.1777
3000+
￥0.156

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型号：SSM3K56ACT,L3F 编号：C146308

封装：SOT-883-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 235 mΩ（最大值）(@VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 300 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5V)。RDS(ON) = 480 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8V)。RDS(ON) = 840 mΩ（最大值）(@VGS = 1.5V)。应用：高速开关

数据手册

10+
￥0.2909
100+
￥0.228
300+
￥0.1966
1000+
￥0.173

有货

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型号：SSM3K37FS,LF 编号：C150189

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道,20V,0.2A,2.2Ω@4.5V

数据手册

10+
￥0.3454
100+
￥0.2782
300+
￥0.2446
3000+
￥0.2095

有货

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型号：2SC4117-GR,LF 编号：C3002937

封装：SC-70-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 合格。高电压：VCEO = 120V。出色的 hFE 线性度：hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95（典型值）。高 hFE：hFE = 200 至 700。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。与 2SA1587 互补。应用：音频通用放大器应用

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10+
￥0.347501 ￥0.4513
100+
￥0.241937 ￥0.3611
300+
￥0.18012 ￥0.316
3000+
￥0.160854 ￥0.2822
6000+
￥0.145407 ￥0.2551
9000+
￥0.137712 ￥0.2416

有货

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型号：TC7SZ125FU,LJ(CT 编号：C128636

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

总线缓冲器，具有三态输出

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10+
￥0.359
100+
￥0.2813
300+
￥0.2424

有货

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型号：DF3A6.8LFV,L3F 编号：C1974393

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品仅用于静电放电（ESD）防护。在超紧凑型封装中安装两个器件可减少零件数量并降低安装成本。

数据手册

10+
￥0.3779
100+
￥0.2952
300+
￥0.2539
1000+
￥0.2229
5000+
￥0.1982
8000+
￥0.1858

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型号：SSM3K7002CFU,LF 编号：C396059

封装：USM

品牌：TOSHIBA(东芝)

N-CH 60V 0.17A

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10+
￥0.3818
100+
￥0.3055
300+
￥0.2674
3000+
￥0.2387
6000+
￥0.2159

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型号：SSM3K35MFV,L3F 编号：C7421331

封装：VESM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动低导通电阻：Ron = 20Ω（最大值）(VGS = 1.2V)；Ron = 8Ω（最大值）(VGS = 1.5V)；Ron = 4Ω（最大值）(VGS = 2.5V)；Ron = 3Ω（最大值）(VGS = 4.0V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

10+
￥0.4353
100+
￥0.3393
300+
￥0.2913
1000+
￥0.2553

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型号：SSM3J56ACT,L3F 编号：C146297

封装：SOT-883-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(@VGS = -4.5V)。 -RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(@VGS = -2.5V)。 -RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(@VGS = -1.8V)。 -RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(@VGS = -1.5V)。 -RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(@VGS = -1.2V)。应用：高速开关

数据手册

5+
￥0.44308 ￥0.836
50+
￥0.317039 ￥0.7373
150+
￥0.22935 ￥0.695
500+
￥0.211926 ￥0.6422
2500+
￥0.204171 ￥0.6187
5000+
￥0.199518 ￥0.6046

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型号：TC7PZ17FU,LJ(CT 编号：C146298

封装：SOT-23-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高输出电流：±24mA (min) at VCC = 3V。超高速运行：Ind = 3.7ns (typ.) at VCC = 5V, 50pF。工作电压范围：VCC = 1.65 to 5.5V。 5.5V 耐受输入。 5.5V 掉电保护输出

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5+
￥0.5576
50+
￥0.4376
150+
￥0.3776
500+
￥0.3326

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型号：TC7SET17FU,LJ(CT 编号：C2652145

封装：SOT-353-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

施密特缓冲器

数据手册

5+
￥0.6127
50+
￥0.4879
150+
￥0.4255
500+
￥0.3787
2500+
￥0.3413

有货

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型号：TC7SET32FU,LJ(CT 编号：C7360615

封装：SSOP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

2输入或门

5+
￥0.6619
50+
￥0.5179
150+
￥0.4459
500+
￥0.3919

有货

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型号：TC7S02F,LF 编号：C7121121

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速：在VCC = 5V时，tpd = 7ns（典型值）。低功耗：在Ta = 25℃时，ICC = 1μA（最大值）。高抗噪性：VNI H = VNI L = 28%VCC（最小值）。输出驱动能力：5个LSTTL负载。对称输出阻抗：|IOH| = |IOL| = 2mA（最小值）。平衡传播延迟：tpLH ≡ tpHL。宽工作电压范围：VCC = 2至6V

5+
￥0.7437
50+
￥0.645
150+
￥0.6027
500+
￥0.5499

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型号：74VHC03FT(BJ) 编号：C7437584

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

四2输入与非门（漏极开路）。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入与非门，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。引脚配置和功能与74VHC00FT相同，但74VHC03FT的输出为高性能MOS N沟道晶体管（漏极开路输出），因此，通过合适的上拉电阻，可用于线与、LED驱动等应用。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可施加0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如电池备份）的接口，防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。