TOSHIBA二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SO-4-175mil

由光电晶体管组成，与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合，可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO4封装，保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合IC。

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￥1.9729
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型号：TLP184(V4GBTL,SE 编号：C2929221

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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型号：TBD62783AFWG,EL 编号：C146353

封装：SOIC-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是DMOS晶体管阵列，具有8个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。

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￥5.18
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型号：TLP176GA(TP,F) 编号：C516859

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP176GA由一个红外发光二极管和一个光电MOSFET通过光耦合组成，采用SOP封装，适用于表面贴装组装。TLP176GA适用于需要节省空间的调制解调器应用。

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型号：TBD62064AFAG(Z,EHZ) 编号：C5370554

封装：P-SSOP24

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62064AFAG 是一款四通道 DMOS 晶体管阵列。其每个输出端都内置了用于切换感性负载的钳位二极管。

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型号：TLP291(GR-TP,SE 编号：C58160

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此它适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

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型号：TLP2358(TPL,E 编号：C99486

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度，有反相器输出。

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￥3.78
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型号：TLP560J(C,F) 编号：C516862

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光控三端双向可控硅与红外发光二极管光耦合，采用六引脚塑料DIP封装。

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型号：TLP2161(TP,F) 编号：C516860

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2161由一个高输出红外LED与一个高速光电二极管 - 晶体管芯片耦合而成。它采用SO8封装。单个SO8封装内集成了两个电路，可减小安装面积

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型号：TLP350(F) 编号：C50232

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥7.11
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型号：TLP124(BV-TPL,F) 编号：C7083

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP124是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压：最小80 V

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型号：TLP748J(D4,F) 编号：C150192

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP748J由一个光电晶闸管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用六引脚塑料DIP封装。

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型号：TLP5214A(TP,E 编号：C396025

封装：SOP-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高度集成的 4.0 A 输出电流 IGBT 栅极驱动光耦合器，采用长爬电距离和电气间隙的 SO16L 封装。智能栅极驱动光耦合器，具备 IGBT 欠饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT 软关断、有源米勒钳位和欠压锁定 (UVLO) 功能。此外，该光耦合器具有欠饱和前沿消隐时间、滤波时间，并优化了软关断性能，以确保应用的安全运行。适用于驱动逆变器应用中使用的 IGBT 和功率 MOSFET。由两个 GaAtAs 红外发光二极管 (LED) 和两个高增益、高速 IC 组成，可实现大电流、高速输出控制和输出故障状态反馈。

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￥16.8
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型号：DF2B20M4SL,L3F 编号：C1973643

封装：0201

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B20M4SL是一款具有高反向工作电压（VRWM为18.5V）的双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护高速线路或差分信号线免受静电放电（ESD）和其他瞬态电压的损害。该TVS二极管凭借低动态电阻可很好地保护后端电路，凭借高静电放电抗扰度（VESD）性能提升系统可靠性。因其低电容特性，非常适合用于近场通信（NFC）等天线应用。此外，其小封装尺寸（0.62mm×0.32mm）适用于高密度贴装。

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￥0.341
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￥0.297
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型号：TLP785(BL,F 编号：C115022

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管通过光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。

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￥1.2886
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￥0.8542
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￥0.6003

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型号：TLP265J(TPL,E 编号：C5798515

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥1.4284
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￥1.2352
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￥1.1524
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型号：TLP2309(V4-TPL,E 编号：C2840187

封装：SO-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。采用 SO6 封装，保证在高达 110℃ 的温度下工作，电源电压为 3.3V 和 5V。此外，由于保证爬电/电气间隙距离 ≥ 5.0mm，内部隔离厚度 ≥ 0.4mm，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级。

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￥3.61
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￥2.94
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￥2.6
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￥2.27
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￥1.76
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￥1.66

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型号：TLP292-4(V4GBTPE 编号：C17466350

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥7.09
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￥6.46
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￥6.07
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￥5.67
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￥5.48
1000+
￥5.4

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型号：TLP292-4(LA-TP,E 编号：C17488870

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥9.96
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￥8.36
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￥7.36
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￥5.88
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￥5.68

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型号：TLP197A(TP,F) 编号：C5155294

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP197A由一个铝镓砷化物红外发光二极管和一个光电MOS FET光耦合组成，采用SOP封装，适用于表面贴装组装。TLP197A适用于许多需要节省空间的应用场景中，以替代机械继电器。

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￥27.89
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￥23.87
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￥21.48
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￥19.06
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￥17.95
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￥17.45

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型号：DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 编号：C1974863

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF3A5.6LFV 产品仅用于防止静电放电 (ESD)。该产品仅用于防止静电放电 (ESD)，不适用于其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑封装中安装两个设备可以减少零件数量和安装成本。终端电容低：CT = 8.0 pF（典型值）。

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10+
￥0.4142
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￥0.3297
300+
￥0.2874
1000+
￥0.2557

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型号：TLP385(GB-TPL,E 编号：C165905

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 4 引脚 SO6L 封装，保证高隔离电压（5000 Vrms）。由于与标准 DIP 封装相比，具有体积小、薄的特点，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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5+
￥1.0012
50+
￥0.8823
150+
￥0.8313
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￥0.6475
3000+
￥0.6192
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￥0.6022

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型号：TLP383(GR-TPL,E 编号：C150115

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器，由光电晶体管与InGaAs红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压（5000 Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55至125℃）。与标准DIP封装相比，TLP383的封装小巧轻薄，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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5+
￥1.2777
50+
￥0.9954
150+
￥0.8744
500+
￥0.7235
3000+
￥0.6563

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型号：TLP183(YH-TPL,E 编号：C5370587

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种低输入型光电晶体管耦合器，由一个光电晶体管与一个红外发光二极管光耦合组成，采用 SO6 封装。保证高隔离电压（3750Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55 至 125℃），比 DIP 封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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1+
￥1.93
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￥1.67
30+
￥1.56
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￥1.42
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￥1.36
1000+
￥1.32

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型号：TLP2395(TPL,E 编号：C99488

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反并联，因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级，具备拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑缓冲输出，也有反相器输出版本。

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1+
￥4.76
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￥3.94
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￥3.53
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￥3.12
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￥2.6
1000+
￥2.47

有货

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型号：TLP352(TP1,F) 编号：C99497

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP352 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。TLP352 内部有一个法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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1+
￥6.04
10+
￥4.86
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￥4.27
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￥3.68
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￥3.1
1500+
￥2.92

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型号：TLP240GA(TP1,F 编号：C261930

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP240GA和TLP240GAF光电继电器由光MOSFET与红外发光二极管进行光耦合构成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用场景

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1+
￥6.16
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￥4.93
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￥4.31
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￥3.7
500+
￥3.34

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型号：TLP250H(F) 编号：C88151

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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1+
￥6.56
10+
￥5.46
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￥4.44

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型号：TLP105(TPL,F) 编号：C2990748

封装：SOP-5-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个红外发光二极管与一个高增益、高速光电探测器光耦合组成。TLP105 采用 6 引脚 MFSOP 封装。TLP105 采用图腾柱输出，能够吸电流和拉电流。

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1+
￥6.69
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￥5.61
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￥5.02
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￥4.35
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￥4.05
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￥3.91

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型号：TLP292-4(LGBTR,E 编号：C17384709

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥7.37
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￥6.72
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