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首页 > 热门关键词 > TOSHIBA二极管
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TLP3906 是一款采用 SO6 封装的光耦合器,由一个红外发光二极管和一个光电二极管阵列通过光耦合组成。这些光电二极管串联连接,使 TLP3906 适用于 MOS 栅极驱动应用。
数据手册
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    ¥7.27
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    ¥6.09
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    ¥4.22
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 3.0V栅极驱动电压。 内置齐纳二极管和电阻。应用:继电器驱动器
    • 5+

      ¥1.483
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      ¥1.1554
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      ¥0.715
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成,采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI),有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动,以实现低输入电流。此外,它还具有内部法拉第屏蔽,可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥2.85
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      ¥2.02
  • 有货
  • TLP292 4由光电晶体管组成,这些光电晶体管与两个反向并联的InGaAs红外发光二极管进行光耦合,可通过交流输入电流直接工作。TLP292 4采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP292 4保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C以及较高的隔离电压(3750 Vrms),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    数据手册
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  • 有货
  • 由砷化镓发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器光耦合组成,采用SO6L封装。支持高达125℃的工作温度,SO6L封装符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。光电探测器具有内部法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。保证了传播延迟时间和脉冲宽度失真的最小值和最大值,适用于电机控制应用中IPM和控制IC电路之间的隔离接口。
    数据手册
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      ¥5.3
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  • 有货
  • 东芝TLP627、TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接光电晶体管光耦合组成,该光电晶体管集成了基极 - 发射极电阻,以优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料双列直插式封装(DIP),提供两个隔离通道;而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。
    数据手册
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      ¥5.37
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      ¥2.89
    • 1000+

      ¥2.73
  • 有货
  • 由与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成,可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度Ta = -55至125℃和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
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      ¥7.64
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  • 东芝TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓(GaAs)红外发光二极管通过光耦合组成,采用四引脚塑料双列直插式封装(DIP4),具有高隔离电压(交流:5 kVRMS(最小值))。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。
    数据手册
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      ¥0.7873
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      ¥0.3651
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  • TLP627M是一款光耦合器,由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装,具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高,TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用
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      ¥4.09
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    • 1500+

      ¥2.08
  • 有货
  • 由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
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    • 5+

      ¥0.7764
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      ¥0.3854
  • 有货
  • 由与砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装,具有高隔离电压 (AC:5 kVRMS (min))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。
    数据手册
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      ¥0.8558
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      ¥0.39
  • 有货
  • 由基于光电晶体管的高速探测器与GaAs红外发光二极管光耦合组成,采用SO6封装。通过几个kΩ电阻实现了早期开关特性,对应20 kbps的传输速率,填补了通用晶体管耦合器和对应1 Mbps的IC耦合器之间的空白。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6782
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      ¥0.78
  • 有货
  • 东芝小型扁平耦合器TLP124是一种小外形耦合器,适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压:80 V(最小值)
    数据手册
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      ¥6.39
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      ¥3.16
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      ¥2.98
  • 有货
  • TBD62064A系列是四通道DMOS晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥6.63
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      ¥3.59
  • 有货
  • TLP3122由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOS FET光耦合组成,采用塑料SOP封装。TLP3122是一种双向开关,在许多应用中可替代机械继电器。其较高的导通电流最大额定值适用于控制电源线
    数据手册
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      ¥13.96
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      ¥11.69
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      ¥8.17
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      ¥7.89
  • 有货
  • DF2B7AFS是一款TVS二极管(ESD保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,防止静电和噪声干扰。DF2B7AFS利用回滞特性,具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外,它采用超紧凑型封装(1.0 mm×0.6 mm),适用于对占用空间要求较小的应用场景。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2881
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      ¥0.1711
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      ¥0.1524
  • 有货
  • DF2S6M4CT是一款TVS二极管(ESD保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,使其免受静电和噪声影响。DF2S6M4CT利用回滞特性,具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外,其低电容性能使其非常适合高速信号应用。DF2S6M4CT采用超紧凑型封装(1.0 mmx0.6 mm),可满足对占用空间要求较小的应用需求。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4877
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      ¥0.258
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      ¥0.2421
  • 有货
  • TLP291(SE)由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装,是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55至110°C)和较高的隔离电压(3750Vrms),因此适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.207
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      ¥0.96
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      ¥0.8542
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      ¥0.6241
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      ¥0.5653
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      ¥0.53
  • 有货
  • TLP292 是一款高隔离、交流输入型低电平光耦合器,在 SO4 封装中,由光电晶体管与两个反并联的铟镓砷(InGaAs)红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(Ta = -55 至 125 °C),因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4463
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      ¥1.1338
    • 150+

      ¥0.9999
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      ¥0.8328
    • 2500+

      ¥0.7147
    • 5000+

      ¥0.6701
  • 有货
  • TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管
    • 1+

      ¥4.43
    • 10+

      ¥3.53
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      ¥3.08
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      ¥2.63
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      ¥2.36
    • 1000+

      ¥2.22
  • 有货
  • 是小型扁平耦合器,适用于表面贴装组件。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光控三端双向可控硅开关组成。零电压交叉导通,峰值关态电压:600 V (min),触发LED电流:10 mA (max),导通状态电流:70 mA (max),隔离电压:2500 Vrms (min),UL认证:UL1577,文件编号E67349
    数据手册
    • 1+

      ¥4.47
    • 10+

      ¥3.56
    • 30+

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      ¥2.66
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      ¥2.39
    • 1000+

      ¥2.25
  • 有货
  • DMOS晶体管阵列有8个电路。每个输出端内置了用于切换感性负载的钳位二极管。使用时请注意热条件。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.35
    • 10+

      ¥4.27
    • 30+

      ¥3.73
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      ¥3.2
    • 500+

      ¥2.88
    • 1000+

      ¥2.72
  • 有货
  • DF2B5M4SL是一款TVS二极管(ESD保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,可防止静电和噪声干扰。DF2B5M4SL利用回滞特性,具有低动态电阻和卓越的保护性能。此外,其低电容性能使其非常适合高速信号应用。DF2B5M4SL采用超紧凑型封装(0.32 mm×0.62 mm),可满足对占用空间要求较小的应用需求。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6219
    • 50+

      ¥0.4847
    • 150+

      ¥0.4161
    • 500+

      ¥0.3647
    • 2500+

      ¥0.3235
    • 5000+

      ¥0.303
  • 有货
  • TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器,采用SO6封装,由与铟镓砷(InGaAs)红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.998656 ¥2.2712
    • 50+

      ¥1.378494 ¥1.7673
    • 150+

      ¥1.054884 ¥1.5513
    • 500+

      ¥0.871692 ¥1.2819
    • 3000+

      ¥0.790092 ¥1.1619
    • 6000+

      ¥0.741132 ¥1.0899
  • 有货
  • 是小型扁平耦合器,适用于表面贴装组装。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。比DIP封装小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.55
    • 10+

      ¥3.72
    • 30+

      ¥3.3
    • 100+

      ¥2.89
    • 500+

      ¥2.64
    • 1000+

      ¥2.51
  • 有货
  • 东芝小型扁平耦合器TLP126是一款小外形耦合器,适用于表面贴装组装。TLP126由一个光电晶体管和一个反并联连接的砷化镓红外发光二极管光耦合而成,在低交流输入电流下可提供高电流传输比(CTR)。集电极 - 发射极电压:80 V(最小值)
    数据手册
    • 1+

      ¥5.72
    • 10+

      ¥4.55
    • 30+

      ¥3.97
    • 100+

      ¥3.39
    • 500+

      ¥3.05
    • 1000+

      ¥2.87
  • 有货
  • TLP351H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器,由一个 GaAℓAs 红外发光二极管(LED)和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125°C 的温度下保证性能和规格。TLP351H 内置法拉第屏蔽层,可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度
    数据手册
    • 1+

      ¥5.93
    • 10+

      ¥4.85
    • 30+

      ¥4.26
    • 100+

      ¥3.59
    • 500+

      ¥3.29
    • 1500+

      ¥3.15
  • 有货
  • 特性:6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。 增强模式。 高速开关。 -IGBT:tf = 0.05 μs(典型值)(IC = 50A)。 -FWD:trr = 0.35 μs(典型值)(IF = 15A)。应用:电流谐振逆变器开关应用
    • 1+

      ¥10.21
    • 10+

      ¥8.53
    • 25+

      ¥6.48
    • 100+

      ¥5.44
    • 500+

      ¥4.98
  • 有货
  • 适用于表面贴装组装,由与串联光电二极管阵列光耦合的GaAs红外发光二极管组成,适用于MOSFET栅极驱动器。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.89
    • 10+

      ¥15.21
    • 30+

      ¥13.61
    • 100+

      ¥12
    • 500+

      ¥11.25
    • 1000+

      ¥10.92
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE = 2000(最小值)(VCE = 2V, IC = 1A)。 集电极和基极之间包含齐纳二极管。应用:电磁阀驱动应用。 电机驱动应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1481
    • 50+

      ¥1.0158
    • 150+

      ¥0.9591
    • 500+

      ¥0.8883
    • 3000+

      ¥0.8568
    • 6000+

      ¥0.8379
  • 有货
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