TOSHIBA二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP267J(TPL,E 编号：C393892

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个非过零光控可控硅和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证爬电距离最小为5.0mm，电气间隙最小为5.0mm，内部隔离厚度最小为0.4mm。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥3.0888 ￥7.02
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￥1.9924 ￥5.86
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￥1.0032 ￥4.18
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型号：TLP627M(TP1,E 编号：C39286670

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP627M是一款光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高，TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用

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￥4.21
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￥2.94
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￥2.52
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￥2.27
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￥2.14

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型号：TBD62083AFNG(Z,EL) 编号：C4153827

封装：SSOP-18-225mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB62083A 系列和 TB62084A 系列是 8 路 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

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￥2.25

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型号：TLP627(F) 编号：C96253

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP627、TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接光电晶体管光耦合组成，该光电晶体管集成了基极 - 发射极电阻，以优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料双列直插式封装（DIP），提供两个隔离通道；而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。

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￥5.37
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￥2.89
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￥2.73

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型号：GT50JR22(S1WLD,E,S 编号：C2880445

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。增强模式。高速开关。 -IGBT：tf = 0.05 μs（典型值）(IC = 50A)。 -FWD：trr = 0.35 μs（典型值）(IF = 15A)。应用：电流谐振逆变器开关应用

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￥5.01
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￥4.8

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型号：TLP291(GRL-TP,SE 编号：C248929

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

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￥0.5743
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型号：TLP182(GB-TPL,E 编号：C96457

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP182是一款低交流输入型光电耦合器，采用SO6封装，由光电晶体管与两个反并联的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合而成。由于TLP182保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥1.5566
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￥0.8243
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￥0.6822

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型号：TLP2398(TPL,E 编号：C5370545

封装：SOIC-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP2398由两个GaAℓAs发光二极管与一个高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用SO6封装。由于采用两个LED反并联结构，因此它可以处理灌电流和拉电流输入信号

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￥3.43
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￥2.42

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型号：TLP104(TPL,E 编号：C48236

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装，输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，保证了传播延迟时间、开关速度分散性的最小和最大值以及高共模瞬态抗扰度，适用于电机控制应用中IPM（智能功率模块）之间的隔离接口。

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￥4.69
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￥3.4
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￥2.2

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型号：TLP350(F) 编号：C50232

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥6.76
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￥3.2

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型号：TLP250H(TP1,F) 编号：C3002258

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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￥7.29
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￥4.48
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￥3.96

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型号：TLP172A(TP,F) 编号：C99477

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP172A由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOSFET光耦合组成，采用4引脚SOP封装。这款光电继电器的输出电流额定值比光电晶体管型光电耦合器更高；因此，它适用于大电流的通/断控制。

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￥11.02
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￥8.14
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￥6.26

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型号：TLP265J(TPL,E 编号：C5798515

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥2.49
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￥1.94
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￥1.7
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￥1.19

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型号：TLP124(BV-TPR,F) 编号：C99475

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP124是一种小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压：80 V（最小值）

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￥5.83
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￥2.73

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型号：TLP292-4(GB-TP,E 编号：C95713

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 4由光电晶体管组成，这些光电晶体管与两个反向并联的InGaAs红外发光二极管进行光耦合，可通过交流输入电流直接工作。TLP292 4采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP292 4保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C以及较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥6.03
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￥4.37
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￥3.33

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型号：TLP250(TP1,F) 编号：C2802426

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAlAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路。

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￥15.41
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￥9.35

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型号：TCD1209DG(8Z,K) 编号：C5179035

封装：DIP-22

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCD1209DG是一款高灵敏度、低暗电流的2048像元CCD线性图像传感器。该器件包含一排2048像元的光电二极管，在B4尺寸纸张上可实现每毫米8线的分辨率。该器件由5个（此处原文未完整说明5个什么，可能是引脚、电源等，需结合完整原文确定）进行操作

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1+
￥165.11
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￥149.51

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型号：DF2S6M4CT,L3F 编号：C1976256

封装：CST-2

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2S6M4CT是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2S6M4CT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容性能使其非常适合高速信号应用。DF2S6M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mmx0.6 mm），可满足对占用空间要求较小的应用需求。

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￥0.4788
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￥0.3732
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￥0.3204
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￥0.2808
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￥0.2332

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型号：SSM3K357R,LF 编号：C7369997

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 3.0V栅极驱动电压。内置齐纳二极管和电阻。应用：继电器驱动器

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￥1.035
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￥0.8985
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￥0.84
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￥0.767
3000+
￥0.7345
6000+
￥0.715

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型号：TLP292(GB-TPL,E 编号：C74225

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流输入型低电平光耦合器，在 SO4 封装中，由光电晶体管与两个反并联的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55 至 125 °C），因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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5+
￥1.4583
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￥1.1458
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￥1.0118
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￥0.8448
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￥0.7267
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￥0.6821

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型号：TLP5702(D4-TP,E 编号：C2929223

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小的占用空间解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。非常适合中小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥3.17
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￥2.83
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￥2.66
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￥2.49
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￥2.05
1500+
￥2

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型号：TLP2704(TP,E 编号：C393893

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由砷化镓发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器光耦合组成，采用SO6L封装。支持高达125℃的工作温度，SO6L封装符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。保证了传播延迟时间和脉冲宽度失真的最小值和最大值，适用于电机控制应用中IPM和控制IC电路之间的隔离接口。

数据手册

1+
￥5.3
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￥4.2
30+
￥3.64
100+
￥3.09
500+
￥2.57
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￥2.4

有货

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型号：TLP126(TPL,F) 编号：C23649

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP126是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP126由一个光电晶体管和一个反并联连接的砷化镓红外发光二极管光耦合而成，在低交流输入电流下可提供高电流传输比（CTR）。集电极 - 发射极电压：80 V（最小值）

数据手册

1+
￥5.3
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￥4.22
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￥3.68
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￥3.14
500+
￥2.82
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￥2.66

有货

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型号：TLP293-4(TP,E 编号：C3002262

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

数据手册

1+
￥7.91
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￥6.51
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￥5.74
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￥4.87
500+
￥4.48
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￥4.3

有货

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型号：TLP3122(TP,F) 编号：C393898

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3122由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOS FET光耦合组成，采用塑料SOP封装。TLP3122是一种双向开关，在许多应用中可替代机械继电器。其较高的导通电流最大额定值适用于控制电源线

数据手册

1+
￥14.31
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￥12.05
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￥10.64
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￥9.19
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￥8.54
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￥8.26

有货

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型号：TLP190B(TPR,U,C,F) 编号：C141614

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于表面贴装组装，由与串联光电二极管阵列光耦合的GaAs红外发光二极管组成，适用于MOSFET栅极驱动器。

数据手册

1+
￥28.72
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￥24.43
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￥21.89
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￥19.31
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￥18.12
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￥17.59

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型号：TBD62783AFWG,EL 编号：C146353

封装：SOIC-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是DMOS晶体管阵列，具有8个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。

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1+
￥5.18
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￥4.14
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￥3.63
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￥3.11
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￥2.8
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￥2.64

有货

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型号：TLP2309(V4-TPL,E 编号：C2840187

封装：SO-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。采用 SO6 封装，保证在高达 110℃ 的温度下工作，电源电压为 3.3V 和 5V。此外，由于保证爬电/电气间隙距离 ≥ 5.0mm，内部隔离厚度 ≥ 0.4mm，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级。

数据手册

1+
￥3.61
10+
￥2.94
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￥2.6
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￥2.27
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￥1.76
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￥1.66

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型号：TLP161J(TPL,U,C,F) 编号：C48237

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组件。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光控三端双向可控硅开关组成。零电压交叉导通，峰值关态电压：600 V (min)，触发LED电流：10 mA (max)，导通状态电流：70 mA (max)，隔离电压：2500 Vrms (min)，UL认证：UL1577，文件编号E67349

数据手册

1+
￥4.91
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￥4
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￥3.55
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￥2.69

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型号：DF2B7AFS,L3M 编号：C1972965

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B7AFS是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，防止静电和噪声干扰。DF2B7AFS利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，它采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用场景。

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