TOSHIBA二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8-2.54mm

TLP351H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125°C 的温度下保证性能和规格。TLP351H 内置法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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型号：TLPN137(TP1,F) 编号：C99492

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：TLP176GA(TP,F) 编号：C516859

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP176GA由一个红外发光二极管和一个光电MOSFET通过光耦合组成，采用SOP封装，适用于表面贴装组装。TLP176GA适用于需要节省空间的调制解调器应用。

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型号：TLP292-4(V4GBTPE 编号：C17466350

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP715(TP,F) 编号：C45216

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，是一款6引脚SDIP。比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。探测器具有图腾柱输出级，可提供源极和漏极驱动。探测器IC有一个内部屏蔽层，可保证10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：TLP293-4(V4GBTPE 编号：C2983151

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 编号：C1974863

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF3A5.6LFV 产品仅用于防止静电放电 (ESD)。该产品仅用于防止静电放电 (ESD)，不适用于其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑封装中安装两个设备可以减少零件数量和安装成本。终端电容低：CT = 8.0 pF（典型值）。

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型号：TLP383(GR-TPL,E 编号：C150115

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器，由光电晶体管与InGaAs红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压（5000 Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55至125℃）。与标准DIP封装相比，TLP383的封装小巧轻薄，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP620(GB,F) 编号：C96252

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP620, -2 和 -1 由一个光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管光耦合组成。TLP620-2 在八引脚塑料 DIP 中提供两个隔离通道，而 TLP620-4 在十六引脚塑料 DIP 中提供四个隔离通道。

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型号：TLP560J(C,F) 编号：C516862

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光控三端双向可控硅与红外发光二极管光耦合，采用六引脚塑料DIP封装。

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型号：TLP2748(D4-TP,E 编号：C725711

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用厚度为2.3mm（最大值）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA，低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，适用于低输入电流。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs。采用反相器输出，另有缓冲输出版本。

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型号：TBD62783AFNG,EL 编号：C2653777

封装：SSOP-18-225mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。

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型号：TLP715(D4-TP,F) 编号：C914619

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外发射二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，为6引脚SDIP，比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。探测器有图腾柱输出级，提供源极和漏极驱动，探测器IC有内部屏蔽，保证共模瞬态抗扰度，为缓冲逻辑类型。

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型号：TLP3052A(TP1,F 编号：C7068807

封装：SO-6,5LEAD

品牌：TOSHIBA(东芝)

光耦合器由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值）。因此，该光耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：TLP3109(TP,F 编号：C393897

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3109光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用2.54SOP6封装。

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型号：TLP197G(TP,F) 编号：C5985834

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

迷你扁平光继电器TLP197G是一种小型表面贴装光继电器，适用于表面贴装组装。TLP197G由一个红外发光二极管和一个光电MOSFET在六引脚2.1毫米高度的封装中光学耦合而成，这使其能够应用于卡片调制解调器。它是一个双向开关，可以替代传真机和调制解调器等设备中的机械继电器。 SOP 6引脚(2.54SOP6): 1-形式-A 最大关断状态电压: 350 V (最小) 触发LED电流: 3 mA (最大) 导通状态电流: 120 mA (最大) (A连接) 导通状态电阻: 35 Ω (最大) 绝缘电压: 1500 Vrms (最小) UL认证: UL 1577, 文件号E67349 cUL认证: CSA组件接受服务编号5A, 文件号E67349重量: 0.13g (典型值)

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￥23.65
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型号：TLP197A(TP,F) 编号：C5155294

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP197A由一个铝镓砷化物红外发光二极管和一个光电MOS FET光耦合组成，采用SOP封装，适用于表面贴装组装。TLP197A适用于许多需要节省空间的应用场景中，以替代机械继电器。

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型号：TLP2368(TPL,E 编号：C99487

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。可保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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型号：TLP185(GR-TPR,E 编号：C393884

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组装。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：TLP240GA(TP1,F 编号：C261930

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP240GA和TLP240GAF光电继电器由光MOSFET与红外发光二极管进行光耦合构成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用场景

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型号：TLP227GA-2(F 编号：C99481

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP227GA系列由一个砷化镓红外发光二极管与一个光电MOSFET光耦合而成，采用4引脚DIP或8引脚DIP封装，其峰值关态电压为400V。

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型号：TLP719(TP,F) 编号：C393902

封装：SDIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP719由GaAℓAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该单元是6引脚SDIP。TLP719比8引脚DIP小50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥13.21
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型号：GT40QR21(STA1,E,D 编号：C4153791

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：第6.5代。 RC-IGBT由一个在IGBT芯片中单片集成的续流二极管组成。增强模式。高速开关 IGBT：tf = 0.20 μs（典型值）（IC = 40 A） FWD：trr = 0.60 μs（典型值）（IF = 15 A）。低饱和电压：VCE(sat) = 1.9V（典型值）（IC = 40A）。高结温：TJ = 175℃（最大值）。应用：专用于电压谐振逆变器开关应用

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￥19.9
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￥16.96
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型号：TLP2270(TP4,E 编号：C5943071

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2270由一个高输出红外LED和一个高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。它采用厚度最大为2.35 mm的薄型SO8L封装。

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￥20.89
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型号：TLP781(D4-GB,F) 编号：C2840182

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (AC: 5kVRMS (min))。

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￥2.392801
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￥2.126933
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￥1.736996
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型号：TLP184(TPL,SE 编号：C3008590

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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￥2.29
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型号：TLP291(GR,SE 编号：C5121290

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度（-55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

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型号：TLP268J(TPL,E 编号：C71643

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥3.7696 ￥5.89
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￥2.5866 ￥4.79
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型号：TLP183(GRL-TPL,E 编号：C192587

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

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型号：TLP719F(D4-TP,F) 编号：C2987248

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP719F由GaAAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该器件为6引脚SDIP。TLP719F比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。因此，在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。TLP719F在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽，以提供有效的共模噪声瞬态抗扰度。因此，该产品适用于嘈杂的环境条件。

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