TOSHIBA二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SO-16-175mil

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥7.46
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￥6.79
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￥6.38
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￥5.95
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￥5.68

有货

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型号：TLP2270(TP4,E 编号：C5943071

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2270由一个高输出红外LED和一个高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。它采用厚度最大为2.35 mm的薄型SO8L封装。

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￥20.89
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￥14.01
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￥13.14

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型号：SSM6N7002CFU,LF 编号：C262138

封装：US6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：栅源二极管用于保护。低漏源导通电阻：2.8Ω（典型值）@VGS = 10V，ID = 100mA；3.1Ω（典型值）@VGS = 5V，ID = 100mA；3.2Ω（典型值）@VGS = 4.5V，ID = 100mA。应用：高速开关

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￥0.3838
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￥0.307
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￥0.2686
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￥0.2398

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型号：DF5A6.8LF,LF 编号：C1976553

封装：SOT-23-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

本产品仅用于静电放电（ESD）防护，不用于任何其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑型封装中安装四个器件，可减少零件数量和安装成本。

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￥0.6447
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￥0.5586
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￥0.5217
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￥0.4756

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型号：TLP183(YH-TPL,E 编号：C5370587

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种低输入型光电晶体管耦合器，由一个光电晶体管与一个红外发光二极管光耦合组成，采用 SO6 封装。保证高隔离电压（3750Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55 至 125℃），比 DIP 封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

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￥1.67
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￥1.56
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￥1.32

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型号：TLP268J(TPL,E 编号：C71643

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

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￥3.7696 ￥5.89
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￥2.5866 ￥4.79
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￥1.8656 ￥4.24
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￥1.628 ￥3.7
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￥1.408 ￥3.2

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型号：TLP2768A(D4-TP,E 编号：C5370532

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。采用2.3mm（最大）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

数据手册

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￥4.67
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￥3.77
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￥3.31
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￥2.86
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￥2.59

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型号：TD62783APG(O.J.S) 编号：C2762706

封装：DIP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

是 DMOS 晶体管阵列，有 8 个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。使用时请留意热条件。

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￥6.56
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￥5.48
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￥4.71
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￥4.04

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型号：TBD62084AFG(Z,EL) 编号：C5370541

封装：SOP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB62083A 系列和 TB62084A 系列是 8 路 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

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￥7.97
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￥6
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￥5.21
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￥4.86

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型号：TLP293-4(GB,E 编号：C3018643

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125℃和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥9.12
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￥6.17
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￥5.27

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型号：TLP785(GR,F) 编号：C2840180

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。

数据手册

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￥0.6707
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￥0.5605
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￥0.4101

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型号：TLP291(GRH-TP,SE 编号：C192426

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

数据手册

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￥1.2119
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￥0.9448
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￥0.8303
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￥0.6875
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￥0.5857

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型号：TLP293(Y-TPL,E 编号：C194122

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由一个与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（-55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

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￥2.1142
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￥1.6404
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￥1.4374
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￥1.1841

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型号：TLP385(GRH-TPL,E 编号：C396052

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP385是一款高隔离型光电耦合器，采用4引脚SO6L封装，由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP385保证具有高隔离电压（5000 Vrms）。

数据手册

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￥2.1489 ￥2.47
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￥1.6786 ￥2.18
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￥1.3735 ￥2.05
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￥1.1926 ￥1.78

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型号：TLP184(V4GRTL,SE) 编号：C3003190

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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￥2.7001 ￥8.71
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￥1.6842 ￥8.02
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￥0.8338 ￥7.58
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￥0.7854 ￥7.14
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￥0.7634 ￥6.94
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￥0.7546 ￥6.86

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型号：TLP291(V4GLTR,SE 编号：C5370578

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管与砷化镓红外发射二极管光耦合而成。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

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￥3.07
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￥2.71
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￥2.53
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￥2.35
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￥2.24
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￥2.18

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型号：TLP5772(TP,E 编号：C396037

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5772由一个镓铝砷（GaAℓAs）红外发光二极管以及一个集成的高增益、高速光电探测器组成，采用6引脚SO6L封装。与8引脚DIP封装相比，TLP5772的尺寸缩小了50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥6.14
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￥4.98
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￥4.39
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￥3.81
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￥3.05

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型号：TLP151A(TPR,E) 编号：C143953

封装：SOIC-5-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管（LED）与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可提供有保证的共模瞬态抗扰度。适用于小容量IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

数据手册

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￥8.22
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￥6.75
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￥4.34

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型号：TLP250(F) 编号：C4078

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAlAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路。

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￥16.17
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￥13.61
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￥12.02

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型号：DF2B26M4SL,L3F 编号：C1974529

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B26M4SL是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2B26M4SL利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B26M4SL采用超紧凑封装（0.62 mm×0.32 mm），满足对空间要求较小的应用需求。

数据手册

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￥0.314712 ￥0.3384
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￥0.274896 ￥0.3312
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￥0.238272 ￥0.3264
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￥0.234768 ￥0.3216

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型号：TLP781(GR-TP6,F) 编号：C58371

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP781由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。

数据手册

5+
￥1.3808
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￥1.0784
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￥0.9488
500+
￥0.7872

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型号：TLP293(GRH-TPL,E 编号：C5370538

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是低输入和高隔离型光耦合器，由一个光电晶体管与一个红外发光二极管在SO4封装中光耦合而成。保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（-55至125℃），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

数据手册

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￥1.9772
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￥1.5731
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￥1.4
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￥1.1839

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型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153769

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其保证了1mA的低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 的低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。TLP2761具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥2.89
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￥2.55
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￥2.38
100+
￥2.21
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￥2.11
1500+
￥2.06

有货

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型号：TLP2761(D4-TP,E 编号：C5798523

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥4.61
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￥4.14
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￥3.9
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￥3.53
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￥3.46

有货

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型号：TLP2662(D4-TP1,F) 编号：C5370567

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高强度GaAs红外发光二极管 (LED) 与高增益、高速感光芯片光耦合组成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制能力，可将抗噪能力提高至±20kV/μs。

数据手册

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￥5.3
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￥3.97

有货

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型号：TLP2748(TP,E 编号：C2848502

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2748由高输出GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。

数据手册

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￥5.39
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￥2.82

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型号：TLP292-4(4LGBTRE 编号：C17309043

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥9.44
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￥7.94
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￥7
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￥6.03

有货

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型号：TLP293-4(4LGBTRE 编号：C7495070

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：TLP190B(TPL,U,C,F) 编号：C4153841

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

迷你扁平光耦合器适用于表面贴装组装。由一个红外发光二极管与一个串联的光电二极管阵列光耦合而成，适用于MOSFET栅极驱动器。

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￥13.21
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￥11.51

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型号：DF2S5M4CT,L3F 编号：C556302

封装：DFN1006-2L

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2S5M4CT是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，防止静电和噪声干扰。DF2S5M4CT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2S5M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用场景。

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