TOSHIBA二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：TBD62084AFG(Z,EL) 编号：C5370541

封装：SOP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB62083A 系列和 TB62084A 系列是 8 路 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

数据手册

1+
￥7.97
10+
￥6.69
30+
￥6
100+
￥5.21
500+
￥4.86

有货

立即购买

型号：TLP715(D4-TP,F) 编号：C914619

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外发射二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，为6引脚SDIP，比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。探测器有图腾柱输出级，提供源极和漏极驱动，探测器IC有内部屏蔽，保证共模瞬态抗扰度，为缓冲逻辑类型。

数据手册

1+
￥8.26
10+
￥6.85
30+
￥6.07
100+
￥5.2

有货

立即购买

型号：TLP293-4(4LGBTRE 编号：C7495070

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

1+
￥10.83
10+
￥9.14
30+
￥8.08
100+
￥7

有货

立即购买

型号：TLP250(TP1,F) 编号：C2802426

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAlAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路。

数据手册

1+
￥14.31
10+
￥12.05
30+
￥10.64

有货

立即购买

型号：TLP191B(U,C,F) 编号：C150137

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

小型扁平耦合器适用于表面贴装组装，由砷化镓红外发光二极管和与分流电阻串联的光电二极管阵列光耦合而成，适用于MOS FET栅极驱动。

数据手册

1+
￥32.55
10+
￥27.81
30+
￥24.93

有货

立即购买

型号：DF2B7ASL,L3F 编号：C5668383

封装：0201

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B7ASL是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，防止静电和噪声干扰。DF2B7ASL利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，DF2B7ASL采用超紧凑型封装（0.62 mm×0.32 mm），适用于对占用空间要求较小的应用。

20+
￥0.215
200+
￥0.1687
600+
￥0.1456

有货

立即购买

型号：TLP291(V4GLTR,SE 编号：C5370578

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管与砷化镓红外发射二极管光耦合而成。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

数据手册

1+
￥3.07
10+
￥2.71
30+
￥2.53
100+
￥2.35
500+
￥2.24
1000+
￥2.18

有货

立即购买

型号：TLP104(TPL,E 编号：C48236

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装，输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，保证了传播延迟时间、开关速度分散性的最小和最大值以及高共模瞬态抗扰度，适用于电机控制应用中IPM（智能功率模块）之间的隔离接口。

数据手册

1+
￥4.69
10+
￥3.83
30+
￥3.4

有货

立即购买

型号：TLP2748(D4-TP,E 编号：C725711

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用厚度为2.3mm（最大值）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA，低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，适用于低输入电流。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs。采用反相器输出，另有缓冲输出版本。

数据手册

1+
￥4.94
10+
￥3.91
30+
￥3.39
100+
￥2.88
500+
￥2.58

有货

立即购买

型号：TLP351(F) 编号：C150126

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路，尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。

数据手册

1+
￥5.03
10+
￥4.01
50+
￥3.5
100+
￥3
500+
￥2.7
1000+
￥2.54

有货

立即购买

型号：TLP2761(D4-TP,E 编号：C5798523

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

1+
￥5.56
10+
￥4.44
30+
￥3.87
100+
￥3.32
500+
￥2.98
1500+
￥2.81

有货

立即购买

型号：TLP525G-2(F) 编号：C141569

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光控三端双向可控硅组成。TLP525G-2 在八引脚塑料双列直插式封装中提供两个隔离通道，而 TLP525G-4 在十六引脚塑料双列直插式封装中提供四个隔离通道。

数据手册

1+
￥7.46
10+
￥6.25
50+
￥5.59
100+
￥4.84
500+
￥4.51

有货

立即购买

型号：TLP719(TP,F) 编号：C393902

封装：SDIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP719由GaAℓAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该单元是6引脚SDIP。TLP719比8引脚DIP小50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥12.28
10+
￥10.24
30+
￥8.95
100+
￥7.64
500+
￥7.05

有货

立即购买

型号：TLP2270(TP4,E 编号：C5943071

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2270由一个高输出红外LED和一个高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。它采用厚度最大为2.35 mm的薄型SO8L封装。

1+
￥13.79
10+
￥11.61
30+
￥10.25
100+
￥8.85

有货

立即购买

型号：SSM6N7002CFU,LF 编号：C262138

封装：US6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：栅源二极管用于保护。低漏源导通电阻：2.8Ω（典型值）@VGS = 10V，ID = 100mA；3.1Ω（典型值）@VGS = 5V，ID = 100mA；3.2Ω（典型值）@VGS = 4.5V，ID = 100mA。应用：高速开关

10+
￥0.3549
100+
￥0.2781
300+
￥0.2396

有货

立即购买

型号：TLP785(GR,F) 编号：C2840180

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。

数据手册

5+
￥0.9371
50+
￥0.7547
200+
￥0.6445
500+
￥0.5761
2000+
￥0.5214
4000+
￥0.494

有货

立即购买

型号：TLP291(GRH-TP,SE 编号：C192426

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

数据手册

5+
￥1.2245
50+
￥0.9516
150+
￥0.8347
500+
￥0.6888
2500+
￥0.6238
5000+
￥0.5848

有货

立即购买

型号：TLP184(GR-TPL,SE 编号：C393882

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个光电晶体管和两个砷化镓红外发光二极管光耦合而成。TLP184(SE) 采用非常小巧纤薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

数据手册

5+
￥1.2721
50+
￥0.9861
150+
￥0.8635
500+
￥0.7106
3000+
￥0.6425
6000+
￥0.6016

有货

立即购买

型号：TLP2768A(D4-TP,E 编号：C5370532

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。采用2.3mm（最大）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

数据手册

1+
￥4.39
10+
￥3.5
30+
￥3.05
100+
￥2.61

有货

立即购买

型号：TLP2748(TP,E 编号：C2848502

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2748由高输出GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。

数据手册

1+
￥5.36
10+
￥4.29
30+
￥3.75
100+
￥3.22
500+
￥2.9

有货

立即购买

型号：TLP293-4(4LGBTPE 编号：C17297808

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

1+
￥6.38
10+
￥5.73
30+
￥5.37
100+
￥4.96
500+
￥4.78

有货

立即购买

型号：TLP715(TP,F) 编号：C45216

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，是一款6引脚SDIP。比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。探测器具有图腾柱输出级，可提供源极和漏极驱动。探测器IC有一个内部屏蔽层，可保证10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

数据手册

1+
￥7.16
10+
￥5.73
30+
￥5.02
100+
￥4.32
500+
￥3.89
1500+
￥3.68

有货

立即购买

型号：GT40QR21(STA1,E,D 编号：C4153791

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：第6.5代。 RC-IGBT由一个在IGBT芯片中单片集成的续流二极管组成。增强模式。高速开关 IGBT：tf = 0.20 μs（典型值）（IC = 40 A） FWD：trr = 0.60 μs（典型值）（IF = 15 A）。低饱和电压：VCE(sat) = 1.9V（典型值）（IC = 40A）。高结温：TJ = 175℃（最大值）。应用：专用于电压谐振逆变器开关应用

1+
￥19.24
10+
￥16.3
25+
￥14.46
100+
￥12.57

有货

立即购买

型号：DF2S23P2FU,H3F 编号：C1973790

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种TVS二极管（ESD保护二极管），可保护移动设备接口和其他应用中使用的半导体器件，免受静电和噪声影响。为保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压（电源激活时）影响，实现了高IPP。此外，采用标准封装（2.5mm×1.25mm），可用于各种应用。

数据手册

5+
￥1.1379
50+
￥0.8865
150+
￥0.7788
500+
￥0.6444

有货

立即购买

型号：TLP781(D4-GB,F) 编号：C2840182

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (AC: 5kVRMS (min))。

数据手册

5+
￥1.489
50+
￥1.1866
200+
￥1.057

有货

立即购买

型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153769

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其保证了1mA的低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 的低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。TLP2761具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

1+
￥2.89
10+
￥2.55
30+
￥2.38
100+
￥2.21
500+
￥2.11
1500+
￥2.06

有货

立即购买

型号：TLP2303(TPL,E 编号：C4153842

封装：SO-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合组成，采用 SO6 封装。使用高速、高增益检测元件，电流传输比在 -40 至 125℃ 范围内最小为 900%（IF = 0.5 mA），适用于需要低输入电流和高速数据传输的应用。传输速率为 100 kbps，填补了通用晶体管耦合器和对应 1 Mbps 的 IC 耦合器之间的空白。