TOSHIBA二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-8

TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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型号：TLP172GM(TPL,E 编号：C261926

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP172GM由一个铝镓砷红外发光二极管和一个光MOSFET光耦合而成，采用4引脚SO6封装，适用于表面贴装组装。TLP172GM适用于需要节省空间的电池管理系统。

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型号：TLP2362(TPL,E 编号：C37658

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2362由一个高输出GaAlAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。TLP2362可保证在高达125°C的温度下工作，且工作电源电压范围为2.7 V至5 V。

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型号：TLP240A(TP1,F 编号：C146360

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP240A和TLP240AF光电继电器由与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用

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型号：TLP187(TPL,E 编号：C393886

封装：SO-4-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP187是一款光耦合器，由一个与达林顿晶体管进行光耦合的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管组成。它采用SO6封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压，TLP187适用于可编程控制器的100 VDC输出模块等应用场景

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型号：TLP350(TP1,F) 编号：C5003

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用DIP8封装的光电耦合器，由砷化镓红外发光二极管 (LED) 与集成高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，能保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TLP127(TPL,U,F) 编号：C5001

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP127是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP127由一个砷化镓红外发光二极管和一个带集成基极 - 发射极电阻的达林顿光电晶体管光耦合而成，其VCEO为300V。

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型号：TLP785(GB-TP6,F 编号：C45445

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (交流：5kVRMS (最小值))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。

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型号：TLP175A(TPL,E 编号：C141522

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP175A光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用4引脚SO6封装。这款光电继电器需要1mA的LED电流才能导通

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型号：TLP2160(TP,F) 编号：C393887

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO8封装，具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。有两个LED-感光器对，有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽可保证20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：TLP155E(TPL,E 编号：C56499

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，适用于IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

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型号：TLP118(TPL,E) 编号：C89721

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成。采用SO6封装，输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：TLP2345(TPL,E 编号：C99484

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用SO6封装。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110°C。具有低电源电流和低阈值输入电流，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±30kV/μs的共模瞬态抗扰度，有缓冲输出，也有反相器输出版本。

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型号：TLP185(GR-TPL,SE 编号：C128776

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TLP785(GB,F 编号：C193694

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管通过光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5 kVRMS（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。

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型号：TLP290(GR-TP,SE 编号：C99494

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE) 由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管进行光耦合，并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE) 采用非常小巧纤薄的 SO4 封装。由于 TLP290(SE) 保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55 至 110°C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

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型号：TLP290(GB-TP,SE 编号：C73839

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管光耦合，可通过交流输入电流直接工作。由于TLP290保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C以及较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路。

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型号：TLP184(GB-TPL,SE 编号：C49659

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

AC输入型光耦合器，由与两个砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于尺寸比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如混合集成电路。

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型号：TLP5701(TP,E 编号：C74960

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5701是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由一个GaAlAs红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片通过光耦合组成。它能在高达110 °C的温度下保证性能和规格。与采用8引脚DIP封装的产品相比，TLP5701在尺寸上更小/更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准

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型号：TLP3906(TPL,E 编号：C146278

封装：SOP-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3906 是一款采用 SO6 封装的光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电二极管阵列通过光耦合组成。这些光电二极管串联连接，使 TLP3906 适用于 MOS 栅极驱动应用。

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型号：TLP291(GR-TP,SE 编号：C58160

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此它适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

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型号：TLP2745(TP,E 编号：C146330

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2745由高输出GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。

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型号：TLP627(TP1,F) 编号：C30336

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接的光电晶体管光耦合而成，该光电晶体管带有一个集成基极 - 发射极电阻，用于优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料DIP封装，提供两个隔离通道，而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。

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型号：TLP2301(TPL,E 编号：C261927

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由基于光电晶体管的高速探测器与GaAs红外发光二极管光耦合组成，采用SO6封装。通过几个kΩ电阻实现了早期开关特性，对应20 kbps的传输速率，填补了通用晶体管耦合器和对应1 Mbps的IC耦合器之间的空白。

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型号：TLP2358(TPL,E 编号：C99486

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度，有反相器输出。

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￥3.84
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型号：TLP293-4(GB-TP,E 编号：C112623

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293 4由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 4光电耦合器采用超小型薄型SO16封装。由于TLP293 4保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C，且具有较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP290-4(GB-TP,E 编号：C39031

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290 - 4由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4可在较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C内正常工作，因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

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型号：TBD62783AFNG(Z,EL) 编号：C4153829

封装：SSOP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。

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型号：TLP5214A(TP,E 编号：C396025

封装：SOP-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高度集成的 4.0 A 输出电流 IGBT 栅极驱动光耦合器，采用长爬电距离和电气间隙的 SO16L 封装。智能栅极驱动光耦合器，具备 IGBT 欠饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT 软关断、有源米勒钳位和欠压锁定 (UVLO) 功能。此外，该光耦合器具有欠饱和前沿消隐时间、滤波时间，并优化了软关断性能，以确保应用的安全运行。适用于驱动逆变器应用中使用的 IGBT 和功率 MOSFET。由两个 GaAtAs 红外发光二极管 (LED) 和两个高增益、高速 IC 组成，可实现大电流、高速输出控制和输出故障状态反馈。

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型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153768

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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