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首页 > 热门关键词 > TOSHIBA二极管
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东芝 TLP291-4 由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291-4 光电耦合器采用非常小巧轻薄的 SO16 封装。由于 TLP291-4 可在较宽的工作温度范围(Ta = -55 至 110°C)内正常工作,因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
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  • TLP187是一款光耦合器,由一个与达林顿晶体管进行光耦合的铟镓砷(InGaAs)红外发光二极管组成。它采用SO6封装,具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压,TLP187适用于可编程控制器的100 VDC输出模块等应用场景
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  • 是一款适合表面贴装的小外形耦合器,由高输出功率红外发射二极管与高速光电二极管-晶体管芯片光耦合而成。采用SO6封装,保证爬电距离≥5.0mm、电气间隙≥5.0mm和绝缘厚度≥0.4mm,符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
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  • TLP290 - 4由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4可在较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C内正常工作,因此适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器
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  • TLP172GM由一个铝镓砷红外发光二极管和一个光MOSFET光耦合而成,采用4引脚SO6封装,适用于表面贴装组装。TLP172GM适用于需要节省空间的电池管理系统。
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  • 由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成,采用SO6封装。光电探测器具有内部法拉第屏蔽,可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度,适用于IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。
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  • 东芝小型扁平耦合器TLP127是一款小外形耦合器,适用于表面贴装组装。TLP127由一个砷化镓红外发光二极管和一个带集成基极 - 发射极电阻的达林顿光电晶体管光耦合而成,其VCEO为300V。
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  • 是一款采用DIP8封装的光电耦合器,由砷化镓红外发光二极管 (LED) 与集成高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽,能保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出,可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
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  • 由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装,具有高隔离电压 (交流:5kVRMS (最小值))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。
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  • TLP240A和TLP240AF光电继电器由与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms,适用于需要加强绝缘的应用
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  • 由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成,采用SO6封装。可在4.5V至30V的电源电压下工作,最高工作温度为110°C。具有低电源电流和低阈值输入电流,有助于设备节能,可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级,具有电流源和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽,保证了±30kV/μs的共模瞬态抗扰度,有缓冲输出,也有反相器输出版本。
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  • TLP290(SE) 由光电晶体管组成,该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管进行光耦合,并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE) 采用非常小巧纤薄的 SO4 封装。由于 TLP290(SE) 保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55 至 110°C)和较高的隔离电压(3750 Vrms),因此适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器和混合集成电路
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  • 由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO8封装,具有图腾柱输出,可吸收和提供电流。有两个LED-感光器对,有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽可保证20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
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  • TLP175A光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用4引脚SO6封装。这款光电继电器需要1mA的LED电流才能导通
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  • TLP290由光电晶体管组成,该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管光耦合,可通过交流输入电流直接工作。由于TLP290保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C以及较高的隔离电压(3750Vrms),因此适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器和混合集成电路。
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  • TLP5701是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器,由一个GaAlAs红外发光二极管(LED)和一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片通过光耦合组成。它能在高达110 °C的温度下保证性能和规格。与采用8引脚DIP封装的产品相比,TLP5701在尺寸上更小/更薄,并且符合加强绝缘的国际安全标准
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  • 由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成。采用SO6封装,输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽,保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。
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  • AC输入型光耦合器,由与两个砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装,具有高抗噪性和高隔离电压。由于尺寸比DIP封装小,适用于高密度表面贴装应用,如混合集成电路。
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      ¥0.5524
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  • TLP293 4由与铟镓砷(InGaAs)红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 4光电耦合器采用超小型薄型SO16封装。由于TLP293 4保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C,且具有较高的隔离电压(3750 Vrms),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
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    • 1+

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      ¥2.13
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  • TLP2745由高输出GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。
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    • 1+

      ¥4.37
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      ¥2.06
  • 有货
  • TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器,由一个 GaAℓAs 红外发光二极管(LED)和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层,可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度
    数据手册
    • 1+

      ¥7.5
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      ¥6.16
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      ¥4.07
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成,采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL),有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动,以实现低输入电流。此外,TLP2361具有内部法拉第屏蔽,可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.89
    • 10+

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      ¥1.86
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      ¥1.75
  • 有货
  • TCD1209DG是一款高灵敏度、低暗电流的2048像元CCD线性图像传感器。该器件包含一排2048像元的光电二极管,在B4尺寸纸张上可实现每毫米8线的分辨率。该器件由5个(此处原文未完整说明5个什么,可能是引脚、电源等,需结合完整原文确定)进行操作
    数据手册
    • 1+

      ¥165.1
    • 30+

      ¥149.51
  • 有货
  • 东芝TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接的光电晶体管光耦合而成,该光电晶体管带有一个集成基极 - 发射极电阻,用于优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料DIP封装,提供两个隔离通道,而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.49
    • 10+

      ¥5.41
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      ¥4.82
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      ¥3.25
  • 有货
  • 是一款DIP8封装的光耦合器,由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽,可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出,可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.98
    • 10+

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    • 30+

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    • 500+

      ¥3.42
    • 1500+

      ¥3.22
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  • TLP172A由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOSFET光耦合组成,采用4引脚SOP封装。这款光电继电器的输出电流额定值比光电晶体管型光电耦合器更高;因此,它适用于大电流的通/断控制。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.52
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      ¥9.28
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  • 是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器,由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄,并且符合加强绝缘的国际安全标准。因此,它为需要安全标准认证的应用提供了更小的占用空间解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。非常适合中小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    • 1+

      ¥3.17
    • 10+

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      ¥2
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  • 东芝TLP2398由两个GaAℓAs发光二极管与一个高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用SO6封装。由于采用两个LED反并联结构,因此它可以处理灌电流和拉电流输入信号
    数据手册
    • 1+

      ¥3.43
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      ¥2.48
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      ¥2.42
  • 有货
  • 由一个非过零光控可控硅和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装,保证爬电距离最小为5.0mm,电气间隙最小为5.0mm,内部隔离厚度最小为0.4mm。因此,该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.51 ¥7.02
    • 10+

      ¥2.344 ¥5.86
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      ¥1.254 ¥4.18
    • 1000+

      ¥1.212 ¥4.04
  • 有货
  • TB62083A 系列和 TB62084A 系列是 8 路 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管
    • 1+

      ¥4.33
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      ¥3.46
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      ¥3.03
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    • 500+

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      ¥2.21
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