东芝二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SSM3K318R,LF(B 编号：C29174911

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 145 mΩ（最大值）(VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 107 mΩ（最大值）(VGS = 10V)。应用：负载开关。超高速开关

5+
￥0.6589
50+
￥0.5149
150+
￥0.4429
500+
￥0.3889

有货

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型号：SSM6K504NU,LF 编号：C5331530

封装：UDFN-6B

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26 mΩ (最大值) (VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 19.5 mΩ (最大值) (VGS = 10V)。应用：高速开关

数据手册

5+
￥0.7076
50+
￥0.6131
150+
￥0.5726
500+
￥0.522

有货

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型号：SSM3K324R,LSONYF 编号：C7421330

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥0.7447
50+
￥0.5959
150+
￥0.5215
500+
￥0.4657
3000+
￥0.421

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型号：TC7S00F,LF 编号：C7421337

封装：SOT-25

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速。低功耗。高抗噪性。输出驱动能力。对称输出阻抗：|IOH| = |IO| = 2mA（最小值）。平衡传播延迟：tpLH ≡ tpHL。宽工作电压范围：VCC = 2 至 6V

5+
￥0.9047
50+
￥0.7031
150+
￥0.6167
500+
￥0.5089

有货

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型号：TC7W66FU,LF 编号：C2653273

封装：SM-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS双路双向开关。它由四个独立的高速开关组成，能够控制数字或模拟信号，同时保持CMOS的低功耗特性。提供控制输入 (C) 来控制开关。当C输入为高电平时，开关导通；当C输入为低电平时，开关断开。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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5+
￥0.9166
50+
￥0.7112
150+
￥0.6231

有货

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型号：TC7S04FU,LF 编号：C12322

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7S04是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速C2MOS反相器。它在保持C2MOS低功耗的同时，能实现与等效LSTTL相似的高速运行。内部电路由三级组成，包括缓冲输出，这使其具备高抗噪性和稳定的输出

数据手册

5+
￥1.107884 ￥1.3348
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￥0.774384 ￥1.0608
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￥0.594342 ￥0.9434
500+
￥0.501984 ￥0.7968
3000+
￥0.460908 ￥0.7316
6000+
￥0.436275 ￥0.6925

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型号：74VHC4051AFT 编号：C146324

封装：TSSOP-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

八通道模拟多路复用器/解复用器，低电压驱动，适用于3 V和5 V系统。

数据手册

5+
￥1.3237
50+
￥1.0313
150+
￥0.906
500+
￥0.7496

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型号：TC7MPB9307FT(EL) 编号：C2675018

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压、低功耗8位双电源总线开关，可在不同电压电平的两个节点之间提供接口。可连接到两个独立电源，VCCA支持1.8 V、2.5 V和3.3 V电源，VCCB支持2.5 V、3.3 V和5.0 V电源。通过在An/Bn数据线和VCCA / VCCB电源之间添加外部上拉电阻，可实现双向电平转换，An和Bn数据线的电压大小没有限制，均可上拉到任意电源。输出使能 (OE(overline)) 输入控制VCCA和VCCB两侧两个总线系统的连接或隔离，OE(overline)输入对所有八位数据线是共用的，因此该产品用作单个八位总线开关

数据手册

1+
￥1.4175 ￥1.89
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￥1.2025 ￥1.85
30+
￥1.0065 ￥1.83
100+
￥0.99 ￥1.8

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型号：TLP2301(GB-TPL,E 编号：C2924740

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥1.4331
50+
￥1.2441
150+
￥1.1631
500+
￥1.0621
3000+
￥1.0171
6000+
￥0.9901

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型号：TC4069UBFT(EL,N) 编号：C5348957

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC4069UB六反相器 TC4069UB包含六个反相器电路。由于内部电路由单级反相器组成，因此除用作反相器外，它还适用于CR振荡器电路、晶体振荡器电路和线性放大器等应用。

数据手册

5+
￥1.4387
50+
￥1.1209
150+
￥0.9847
500+
￥0.8147

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型号：SSM3K361R.LF 编号：C2762698

封装：SOT-23-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175°C MOSFET。 4.5V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 65 mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 51 mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

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1+
￥1.5288 ￥2.94
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￥0.9828 ￥2.34
30+
￥0.6688 ￥2.09
100+
￥0.5632 ￥1.76
500+
￥0.5184 ￥1.62
1000+
￥0.4928 ￥1.54

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型号：SSM6J507NU,LF 编号：C146318

封装：UDFNB-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 20mΩ（最大值）（VGS = -10V）。 RDS(ON) = 28mΩ（最大值）（VGS = -4.5V）。 RDS(ON) = 32mΩ（最大值）（VGS = -4.0V）。应用：电源管理开关

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5+
￥1.6265
50+
￥1.2935
150+
￥1.1507

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型号：TC7W14FU(TE12L,F) 编号：C7421349

封装：SM-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速C²MOS施密特触发器，采用硅栅C²MOS技术制造。它在保持C²MOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL相似的高速运行。引脚配置和功能与TC7WU04相同，但输入具有25% VCC的滞后特性，凭借其施密特触发功能，可作为接收慢速输入信号的线路接收器。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

5+
￥1.6749
50+
￥1.3472
150+
￥1.2067

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型号：2SC5108-Y,LF 编号：C7174980

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥1.7112
50+
￥1.3332
150+
￥1.1712
500+
￥0.969

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型号：2SA2206(TE12L,F) 编号：C5331489

封装：SC-62

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低集电极发射极饱和电压：VCE (sat) =-0.5V 最大 (IC =-1A)。高速开关：tstg = 300 ns（典型值）。与2SC6124互补。应用：功率放大器应用。功率开关应用

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5+
￥1.8338
50+
￥1.4558
150+
￥1.2938
1000+
￥1.0917
2000+
￥1.0017
5000+
￥0.9477

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型号：74HC238D(BJ) 编号：C5379113

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

高速CMOS 3-to-8译码器，具有低功耗和宽工作电压范围。

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2500+
￥1.71
5000+
￥1.68
7500+
￥1.65

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型号：2SC5886A(T6L1.NQ) 编号：C2762776

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 400 至 1000 (IC = 0.5A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.22V (最大值)。高速开关：tr = 95 ns (典型值)。应用：高速开关应用。 DC/DC 转换器应用

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5+
￥2.0536
50+
￥1.6
150+
￥1.4055

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型号：74VHC139FT 编号：C2674460

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC139FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2线至4线译码器/多路分配器。它能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

数据手册

5+
￥2.0917
50+
￥1.6623
150+
￥1.4783
500+
￥1.2487

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型号：TLP293(BLL-TPL,E 编号：C3008594

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥2.3003
50+
￥1.8467
150+
￥1.6523
500+
￥1.3429
2500+
￥1.2349
5000+
￥1.1701

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型号：TPH8R008NH,L1Q(M 编号：C396040

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥2.59
10+
￥2.28
30+
￥2.13
100+
￥1.98
500+
￥1.89

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型号：TLP184(V4BLTL,SE 编号：C25715919

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE是AC输入型光电耦合器，由与两个红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE采用非常小而薄的SO6封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于TLP184(SE比DIP封装小，适用于混合IC等高密度表面贴装应用。

1+
￥2.68
10+
￥2.39
30+
￥2.25
100+
￥2.1
500+
￥2.02
1000+
￥1.97

有货

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型号：TBD62003APG(Z,HZ) 编号：C146373

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，ULN2003APG升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

数据手册

1+
￥2.69
10+
￥2.09
25+
￥1.83
100+
￥1.51
500+
￥1.36

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型号：TLP183(TPL,E 编号：C5331592

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证了高隔离电压（3750 Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55至125 °C）。与DIP封装相比，TLP183体积更小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

1+
￥2.72
10+
￥2.11
30+
￥1.85
100+
￥1.52
500+
￥1.37
1000+
￥1.29

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型号：TLP385(D4GB-TL,E 编号：C17256801

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

1+
￥2.96
10+
￥2.3
30+
￥2.02
100+
￥1.67
500+
￥1.52
1000+
￥1.42

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型号：TLP187(V4-TPL,E 编号：C2987974

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP187是一款光电耦合器，由一个红外LED与一个达林顿晶体管光耦合而成。它采用SO6封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压，TLP187适用于可编程控制器的100 VDC输出模块等应用

数据手册

1+
￥3.35
10+
￥2.67
30+
￥2.38
100+
￥2.02
500+
￥1.58

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型号：TLP266J(TPL,E 编号：C2848501

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅组成，与红外 LED 光耦合。采用 SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0mm，电气间隙最小为 5.0mm，绝缘厚度最小为 0.4mm。因此，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥3.798 ￥12.66
10+
￥2.332 ￥11.66
30+
￥1.103 ￥11.03
100+
￥1.039 ￥10.39
500+
￥1.01 ￥10.1
1000+
￥0.997 ￥9.97

有货

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型号：TLP5754(D4-TP4,E 编号：C38846771

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

1+
￥4.29
10+
￥3.79
30+
￥3.53
100+
￥3.28
500+
￥3.13

有货

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型号：TC74HC165AF(EL,F) 编号：C7121109

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS 8位并行/串行输入、串行输出移位寄存器，采用硅栅C²MOS技术制造。它能实现与等效LSTTL相似的高速操作，同时保持CMOS的低功耗特性。由带门控时钟输入的并行输入或串行输入、串行输出8位移位寄存器组成。当SHIFT/LOAD输入为高电平时，串行数据输入启用，8个触发器随每个时钟脉冲进行串行移位。当SHIFT/LOAD输入为低电平时，并行数据在时钟脉冲的正跳变沿异步加载到寄存器中。CK-INH输入仅在CK输入为高电平时应置为高电平。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

1+
￥5.17
10+
￥4.64
30+
￥4.36
100+
￥4.03
500+
￥3.89

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型号：TB6674FG(Z,8,EL) 编号：C4153826

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款带有MOS输出晶体管的步进电机驱动IC。该IC可以通过双极驱动控制两相步进电机的正反转。包含一个节能电路和一个待机电路。

1+
￥6.69
10+
￥5.5
30+
￥4.85
100+
￥4.11
500+
￥3.78

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型号：TBD62503AFNG(Z,EL) 编号：C5381640

封装：SSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

7通道灌电流型DMOS晶体管阵列是具有7个电路的DMOS晶体管阵列。使用时请留意热条件。

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1+
￥6.73
10+
￥5.46
30+
￥4.83
100+
￥4.2
500+
￥3.82
1000+
￥3.62

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