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价格(含税)

库存

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1个N沟道耐压:100V

型号：TK160F10N1L,LQ 编号：C5370535

封装：TO-220SM(W)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VTH = 2.5至3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：汽车。开关稳压器

数据手册

1+
￥13.13
10+
￥12.43
30+
￥12.01
100+
￥11.59
500+
￥11.39
1000+
￥11.3

有货

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8通道灌电流型DMoS晶体管阵列

型号：TBD62083APG 编号：C114143

封装：DIP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，ULN2803APG(C5252)升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

数据手册

1+
￥16.57
10+
￥13.94
40+
￥12.29

有货

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DC 3.75kV

型号：TLX9188(GBTPL,F 编号：C17336323

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLX9188由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLX9188采用非常小巧轻薄的SO6（4引脚）封装，可保证在高温环境下工作（最高环境温度Ta = 125 °C）。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高（VCEO = 200 V），TLX9188适用于电池管理系统

1+
￥28.51
10+
￥24.26
30+
￥21.73
100+
￥19.17

有货

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耐压:30V 电流:100mA

型号：SSM3K15AFS,LF 编号：C150117

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道,30V,0.1A,3.6Ω@4V

数据手册

10+
￥0.2652
100+
￥0.2074
300+
￥0.1785

有货

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双极晶体管硅NPN外延型（带内置偏置电阻）

型号：RN1105MFV,L3F(CT 编号：C7421319

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。超小型封装，适合高密度安装。集成偏置电阻，减少外部部件数量，可减小系统尺寸并缩短组装时间。提供多种电阻值选择，以适应各种电路设计。与RN2101MFV至RN2106MFV互补。应用：开关。逆变器电路

10+
￥0.331
100+
￥0.259
300+
￥0.223

有货

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PNP 电流:100mA 电压:120V

型号：2SA1587-GR,LF 编号：C5331485

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。高电压：VCEO =-120V。出色的hFE线性度：hFE (IC =-0.1mA) / hFE (IC =-2mA) = 0.95（典型值）。高hFE：hFE = 200至700。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。与2SC4117互补。应用：音频通用放大器

数据手册

10+
￥0.338
100+
￥0.2636
300+
￥0.2264
3000+
￥0.1985
6000+
￥0.1762
9000+
￥0.165

有货

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NPN 电流:150mA 电压:50V

型号：2SC4116-BL(TE85L,F 编号：C27695127

封装：USM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = 50V。高集电极电流：IC = 150mA（最大值）。高hFE：hFE = 70至700。出色的hFE线性度：hFE（IC = 0.1mA）/ hFE（IC = 2mA） = 0.95（典型值）。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。应用：低频放大器。音频通用放大器应用

10+
￥0.4079
100+
￥0.3263
300+
￥0.2855

有货

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NPN 电流:100mA 电压:120V

型号：2SC2713-BL,LF 编号：C2880441

封装：TO-236-MOD

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频通用放大应用。

数据手册

10+
￥0.4353
100+
￥0.3393
300+
￥0.2913

有货

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CMOS数字集成电路单片硅TC7S66F/FU双边开关

型号：TC7S66FU,LF 编号：C6284096

封装：SSOP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7S66F/FU是一款高速C2MOS双边开关，采用硅栅C2MOS技术制造。它能够控制数字或模拟信号，并保持低功耗。

5+
￥0.4481
50+
￥0.3901
150+
￥0.3611
500+
￥0.3393
3000+
￥0.3219

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:2A

型号：SSM3J325F,LF 编号：C146364

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 311mΩ(最大值)(VGS = 1.5V)。 RDS(ON) = 231mΩ(最大值)(VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 179mΩ(最大值)(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 150mΩ(最大值)(VGS = 4.5V)

数据手册

5+
￥0.452745 ￥1.0061
50+
￥0.360315 ￥0.8007
150+
￥0.32067 ￥0.7126
500+
￥0.271215 ￥0.6027
3000+
￥0.24921 ￥0.5538
6000+
￥0.23598 ￥0.5244

有货

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PNP 电流:500mA 电压:50V

型号：2SA1313-Y,LF 编号：C5184237

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：出色的hPE线性度：在VCE = -6 V，IC = -400 mA时，hPE(μ) = 25（最小值）。高电压：VCEO = -50 V（最小值）。与2SC3325互补。小封装。应用：音频低功率放大器应用。驱动级放大器应用

5+
￥0.6041
50+
￥0.4841
150+
￥0.4241

有货

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TC7SZ14FU,LJ(CT

型号：TC7SZ14FU,LJ(CT 编号：C7066984

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q100 (Rev. H)。宽工作温度范围:Topr = -40 至 125°C。高输出电流:在 VCC = 3.0V 时为 ±24mA(最小值)。超高速运行:在 VCC = 5.0V、CL = 50pF 时,tpd = 3.7ns(典型值)。工作电压范围:VCC = 1.65 至 5.5V。5.5V 耐受输入。5.5V 掉电保护输出。在 3.3VVCC 下运行时,性能与 TC74LCX 系列匹配

5+
￥0.6192
50+
￥0.4848
150+
￥0.4176
500+
￥0.3672

有货

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4.5V 200mA 5.5V

型号：TCR2EF45,LM(CT 编号：C5981497

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

CMOS单输出电压调节器，带有开/关控制输入，具有低压降、低输出噪声电压和快速负载瞬态响应的特点。这些电压调节器提供1.0V至5.0V的固定输出电压，能够驱动高达200mA的电流。它们具有过流保护和自动放电功能。该系列在2.5V输出、I_OUT = 150mA时具有180mV的低压降，2.5V输出时输出噪声电压低至35μV_rms，负载瞬态响应仅为ΔV_OUT = ±60mV（I_OUT = 1mA⇔150mA，C_OUT = 1.0μF）。因此，适用于模拟和射频等敏感电源应用。

5+
￥0.6247
50+
￥0.4903
150+
￥0.4231
500+
￥0.3727

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:100mA

型号：SSM3K16FU,LF 编号：C7018610

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：适合高密度安装，封装紧凑。低导通电阻：Ron = 3.0Ω 最大 (@VGS = 4V)；Ron = 4.0Ω 最大 (@VGS = 2.5V)；Ron = 15Ω 最大 (@VGS = 1.5V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

5+
￥0.6619
50+
￥0.5179
150+
￥0.4459
500+
￥0.3919

有货

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二输入与门

型号：TC7SZ08FE,LJ(CT 编号：C7121131

封装：SOT-553

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥0.676
50+
￥0.532
150+
￥0.46
500+
￥0.406

有货

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CMOS数字集成电路，八路总线缓冲器

型号：74VHC244FT(BJ) 编号：C7421283

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器 74VHC240FT：反相三态输出 74VHC244FT：同相三态输出 74VHC240FT 和 74VHC244FT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。

5+
￥0.7685
50+
￥0.7527
150+
￥0.7421

有货

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1.5V@100nA

型号：2SK880-Y(TE85L,F) 编号：C17489141

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频低噪声放大器应用

5+
￥0.8483
50+
￥0.7328
150+
￥0.6833
500+
￥0.6215

有货

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1个N沟道 200mV@0.1uA

型号：2SK880-GR(TE85L,F) 编号：C7469759

封装：SOT-323-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

2SK880是一款低噪声音频频率放大器用N沟道结型场效应管。具有高输入阻抗、低噪声和高栅漏击穿电压等特性。

5+
￥0.9927
50+
￥0.7911
150+
￥0.7047
500+
￥0.5969

有货

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TC7WH04FK,LJ(CT

型号：TC7WH04FK,LJ(CT 编号：C97669

封装：SSOP-8-2.3mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

ICINVERTER8-SSOP

数据手册

5+
￥1.0531
50+
￥0.8913
150+
￥0.8219

有货

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PNP 电流:3A 电压:50V

型号：2SA1736(TE12L,ZC) 编号：C5331486

封装：SOT-89

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低饱和电压：VCE (sat) =-0.5V (最大值) (IC =-1.5A)。高速开关时间：tSTG = 0.2 μs (典型值)。小型扁平封装。 PC = 1.0 至 2.0 W (安装在陶瓷基板上)。与2SC4541互补。应用：功率放大器应用。功率开关应用

数据手册

5+
￥1.1122
50+
￥0.883
150+
￥0.7847

有货

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用于高速开关和DC-DC转换器应用的硅NPN外延型晶体管

型号：2SC5810(TE12L,F) 编号：C5340732

封装：SC-62

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE 在 400 至 1000 之间（IC = 0.1A）。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.17V（最大值）。高速开关：tf = 85 ns（典型值）。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

5+
￥1.3448
50+
￥1.0676
150+
￥0.9488
1000+
￥0.8006
2000+
￥0.7346
5000+
￥0.695

有货

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双路1选4 FET多路复用器/解复用器

型号：TC7MBL3253CFT(EL) 编号：C146350

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是低电压/低电容CMOS 2位4选1复用器/解复用器。开关的低导通电阻允许以最小的传播延迟时间进行连接。该器件由两个独立的四输入复用器/解复用器组成，具有公共选择输入 (S1, S0) 和输出使能 (OE(overline))。A输入根据选择输入 (S1, S0) 和输出使能 (OE(overline)) 的组合连接到B1至B4输出。当输出使能 (OE(overline)) 输入保持在 “H” 电平时，无论选择输入的状态如何，开关均断开，并且开关之间存在高阻抗状态。所有输入均配备有防静电放电保护电路。

数据手册

1+
￥1.467 ￥3.26
10+
￥1.314 ￥2.92
30+
￥1.233 ￥2.74
100+
￥1.1565 ￥2.57
500+
￥1.1115 ￥2.47
1000+
￥1.089 ￥2.42

有货

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硅NPN外延型（PCT工艺）内置偏置电阻晶体管

型号：RN1427(TE85L,F) 编号：C2880446

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于开关、逆变器电路、接口电路和驱动电路应用。

1+
￥1.4806
10+
￥1.1782
30+
￥1.0486
100+
￥0.8869
500+
￥0.8149

有货

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低电压、低电容双总线开关

型号：TC7WBL3305CFK,LF 编号：C2652447

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7WBL3305CFK 和 TC7WBL3306CFK 是低电压/低电容 CMOS 2位总线开关。低导通电阻允许连接具有最小传播延迟时间。

数据手册

5+
￥1.4925
50+
￥1.314
150+
￥1.2375
500+
￥1.142
3000+
￥1.0995
6000+
￥1.074

有货

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NPN 3A 50V

型号：2SC4541(TE12L,ZC) 编号：C7421248

封装：SC-62

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低饱和电压：VCE(saq) = 0.5V 最大 (I = 1.5A)。高速开关时间：tSTG = 0.5 μs（典型值）。小型扁平封装。 PC = 1.0 至 2.0W（安装在陶瓷基板上）。与 2SA1736 互补。应用：功率放大器应用。功率开关应用

5+
￥1.5069
50+
￥1.2045
150+
￥1.0749

有货

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用于高速开关和DC-DC转换器应用的硅NPN外延型晶体管

型号：2SC5810(TE12L,ZF) 编号：C7421249

封装：SC-62

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE 在 400 至 1000 之间（IC = 0.1A）。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.17V（最大值）。高速开关：tf = 85 ns（典型值）。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

5+
￥1.5831
50+
￥1.2303
150+
￥1.0791

有货

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TLP185(BL-TPL,SE(T

型号：TLP185(BL-TPL,SE 编号：C393883

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥1.5845
50+
￥1.2601
150+
￥1.1211
500+
￥0.9476
3000+
￥0.8703
6000+
￥0.824

有货

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1个N沟道 400mV@0.1uA

型号：2SK208-R(TE85L,F) 编号：C17471045

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

通用、阻抗转换器和电容式麦克风应用。

5+
￥1.6667
50+
￥1.3024
150+
￥1.1463
500+
￥0.9515

有货

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双总线缓冲器

型号：TC7W125FU,LF 编号：C5331571

封装：SSOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7W125FU 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 C²MOS 双总线缓冲器。它在保持 C²MOS 低功耗的同时，能实现与等效 LSTTL 类似的高速运行。该器件需要将三态控制输入 G(上划线)设置为高电平，以使输出进入高阻态

数据手册

5+
￥1.7398
50+
￥1.3517
150+
￥1.1854
500+
￥0.9779
3000+
￥0.8855
6000+
￥0.83

有货

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TLP183(V4BLLTL,E(T

型号：TLP183(V4BLLTL,E 编号：C5370537

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥1.75
10+
￥1.51
30+
￥1.42
100+
￥1.29
500+
￥1.24
1000+
￥1.2

有货

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