东芝二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SSM3K318R,LF(B 编号：C29174911

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 145 mΩ（最大值）(VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 107 mΩ（最大值）(VGS = 10V)。应用：负载开关。超高速开关

5+
￥0.6589
50+
￥0.5149
150+
￥0.4429
500+
￥0.3889

有货

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型号：SSM3K336R,LF 编号：C5331528

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 95 mΩ (最大值) (@VGS = 10 V)；RDS(ON) = 140 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥0.6589
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￥0.5149
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￥0.4429
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￥0.3889

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型号：TC7S66FU,LF 编号：C261924

封装：SC-74A

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速C²MOS双边开关，采用硅栅C²MOS技术制造。它由一个高速开关组成，能够控制数字或模拟信号，同时保持C²MOS低功耗。提供控制输入 (C) 来控制开关。当C输入为高电平时，开关导通；当C输入为低电平时，开关关断。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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5+
￥0.696
50+
￥0.5568
150+
￥0.4871

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型号：SSM6N44FE,LM 编号：C5274704

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：紧凑型封装，适合高密度安装。低导通电阻：RDS(ON) = 4.0Ω 最大 (VGS = 4V)；RDS(ON) = 7.0Ω 最大 (VGS = 2.5V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

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5+
￥0.7428
50+
￥0.5988
150+
￥0.5268

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型号：HN1B04FE-GR,LF 编号：C150194

封装：SOT-666-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电压和高电流:VCEO = 50V,IC = 150mA(最大值)。高hFE:hFE = 120至400。出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。高电压和高电流:VCEO = -50V,IC = -150mA(最大值)。高hFE:hFE = 120至400。出色的hFE线性度:hFE(IC = -0.1mA) / hFE(IC = -2mA) = 0.95(典型值)。应用：音频通用放大器应用

数据手册

5+
￥1.09072 ￥1.2832
50+
￥0.765825 ￥1.0211
150+
￥0.59072 ￥0.9088
500+
￥0.49959 ￥0.7686
2500+
￥0.45903 ￥0.7062
4000+
￥0.43472 ￥0.6688

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型号：2SC4213-B(TE85L,F) 编号：C516169

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于静音和开关应用。

数据手册

5+
￥1.109
50+
￥0.8826
150+
￥0.7856
500+
￥0.6646

有货

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型号：TLP785(BLL-TP6,F 编号：C2848506

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥1.1525
50+
￥0.9045
150+
￥0.7982
500+
￥0.6656
2000+
￥0.557

有货

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型号：TC7S66F,LF 编号：C6331367

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7S66F/FU是一款高速C2MOS双边开关，采用硅栅C2MOS技术制造。它能够控制数字或模拟信号，并保持低功耗。

5+
￥1.1898
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￥0.9227
150+
￥0.8083
500+
￥0.6655

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型号：TC7WBL3305CFK,L(CT 编号：C2673291

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

低压、低电容双总线开关。

5+
￥1.3322
50+
￥1.1537
150+
￥1.0772
500+
￥0.9818

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型号：74VHC21FT 编号：C4470883

封装：TSSOP-14-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC21FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS四输入与门。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

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￥1.3991
50+
￥1.0866
150+
￥0.9527

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型号：74HC164D(BJ) 编号：C7421253

封装：SOIC14

品牌：TOSHIBA(东芝)

8-位移位寄存器（串行输入，并行输出）。是高速CMOS 8位串行输入并行输出移位寄存器，采用硅栅C2MOS技术制造。能实现与等效LSTTL相似的高速操作，同时保持CMOS低功耗。由一个带CK输入和优先CLR输入的串行输入、并行输出8位移位寄存器组成。提供两个串行数据输入（A，B），以便其中一个可用作数据使能。所有输入均配备有防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

5+
￥1.4047
50+
￥1.2367
150+
￥1.1647
500+
￥1.0748

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型号：2SC5712(TE12L,F) 编号：C5222993

封装：SOT-89

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 400 至 1000（IC = 0.3A）。低集电极-发射极饱和电压：VCE (sat) = 0.14V（最大值）。高速开关：tf = 120 ns（典型值）。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

5+
￥1.5864
50+
￥1.2487
150+
￥1.104

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型号：2SK208-R(TE85L,F) 编号：C17471045

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

通用、阻抗转换器和电容式麦克风应用。

5+
￥1.6667
50+
￥1.3024
150+
￥1.1463
500+
￥0.9515

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型号：TLP293(BLL-TPL,E 编号：C3008594

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥2.1113
50+
￥1.6577
150+
￥1.4633
500+
￥1.1539
2500+
￥1.0459
5000+
￥0.9811

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型号：TLP185(GB-TPR,SE 编号：C75766

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

与TLP185(GB-TPL,SE(T包装方式不一样，其他性能一致，详细区别请查阅链接：http://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=4pin%20SO6&lang=zh_cn

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1+
￥2.36
10+
￥1.84
30+
￥1.61
100+
￥1.33

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型号：TK11S10N1L,LQ 编号：C5340739

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 23 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。应用：汽车。电机驱动器

1+
￥2.37
10+
￥2.09
30+
￥1.95
100+
￥1.81
500+
￥1.73

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型号：TK8P25DA,RQ(S 编号：C2929220

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥2.652 ￥6.63
10+
￥2.412 ￥6.03
30+
￥2.28 ￥5.7
100+
￥2.128 ￥5.32
500+
￥2.064 ￥5.16
1000+
￥2.032 ￥5.08

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型号：TA48L033F(TE12L,F) 编号：C22385524

封装：SOT-89

品牌：TOSHIBA(东芝)

由固定正输出、低压差稳压器组成，输出电流为 0.15 A（最大值），输出级采用 V-PNP 晶体管。为了满足消费电子和工业设备对低压和低功耗器件的需求，该系列提供低输出电压器件：1.8 V、2 V、2.5 V、3 V、3.3 V、5 V。

1+
￥2.9
10+
￥2.58
30+
￥2.42
100+
￥2.26
500+
￥2.16

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型号：TLP5701(D4-TP,E 编号：C2892104

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，它在物理尺寸上更小/更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

1+
￥3.61
10+
￥2.87
30+
￥2.5
100+
￥2.14
500+
￥1.92

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型号：TK11A65W,S5X(M 编号：C396036

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：使用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.33Ω（典型值）。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.5至3.5V，VDS = 10V，ID = 0.45mA。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥4.0685 ￥5.15
10+
￥3.2292 ￥4.68
50+
￥2.6137 ￥4.43
100+
￥2.4426 ￥4.14
500+
￥2.3659 ￥4.01
1000+
￥2.3305 ￥3.95

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型号：TC4011BF(EL,N,F) 编号：C66920

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC4011B 分别为 2 输入正逻辑与非门。由于这些门电路的所有输出端均配备反相器作为缓冲器，因此改善了输入/输出特性，并将负载电容增加导致的传播延迟时间变化降至最低。

1+
￥4.21
10+
￥3.37
30+
￥2.95
100+
￥2.53

有货

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型号：2SC5198-O(Q) 编号：C4153789

封装：TO-3PN

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥6.19
10+
￥4.9
30+
￥4.25
100+
￥3.61

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型号：TBD62502AFNG,EL 编号：C2150132

封装：SSOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62502A 系列和 TBD62503A 系列是 7 路 DMOS 晶体管阵列。使用时请留意散热条件。

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1+
￥6.35
10+
￥5.75
30+
￥5.42
100+
￥5.05
500+
￥4.88

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型号：TBD62503AFNG(Z,EL) 编号：C5381640

封装：SSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

7通道灌电流型DMOS晶体管阵列是具有7个电路的DMOS晶体管阵列。使用时请留意热条件。

数据手册

1+
￥7.02
10+
￥5.75
30+
￥5.12
100+
￥4.49
500+
￥4.11
1000+
￥3.92

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型号：TMP89FM42UG(C,JZ) 编号：C412446

封装：LQFP-44(10x10)

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥7.5872 ￥47.42
10+
￥6.5472 ￥40.92
30+
￥5.912 ￥36.95
100+
￥5.3808 ￥33.63

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型号：2SA1943-O(S1,F,S) 编号：C2929212

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥10.95
10+
￥9.3
25+
￥8.26
100+
￥7.2

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型号：TLP5214(TP,E 编号：C17414166

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5214是一款高度集成的输出电流为4.0A的IGBT栅极驱动光耦，采用长爬电距离和电气间隙的SO16L封装。TLP5214是一款智能栅极驱动光耦，具备IGBT去饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT软关断、有源米勒钳位以及欠压锁定（UVLO）等功能。

1+
￥11.88
10+
￥10.81
30+
￥10.14
100+
￥9.46
500+
￥9.15

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型号：TK160F10N1L,LQ 编号：C5370535

封装：TO-220SM(W)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VTH = 2.5至3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：汽车。开关稳压器

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