东芝二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-247

特性：快速反向恢复时间：trr = 150 ns（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.062Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：VDA = 3至4.5V，VDS = 10V，ID = 1.9mA。应用：开关稳压器

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￥23.69
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￥20.16
30+
￥18.06
90+
￥15.93

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型号：74VHC574FT(BJ) 编号：C5331511

封装：TSSOP-20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制 D 型触发器，带三态输出。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制触发器。实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行，同时保持了 CMOS 的低功耗。该 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时，八个输出处于高阻态。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，可将 0 至 5.5V 电压施加到输入引脚。该器件可用于 5V 至 3V 系统以及双电源系统（如备用电池）的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏

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5+
￥1.3688
50+
￥1.0638
150+
￥0.933
500+
￥0.7699

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型号：SSM3K339R,LF 编号：C7320719

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 145 mΩ（典型值）(VGS = 8.0V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 155 mΩ（典型值）(VGS = 4.5V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 160 mΩ（典型值）(VGS = 3.6V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 180 mΩ（典型值）(VGS = 2.5V, ID = 0.5A)。RDS(ON) = 220 mΩ（典型值）(VGS = 1.8V, ID = 0.2A)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

5+
￥1.369
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￥1.0666
150+
￥0.937
500+
￥0.7753

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型号：SSM3K123TU,LF 编号：C146289

封装：2-2U1A

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动。低导通电阻：RDS(on) = 66mΩ（最大值）(VGS = 1.5V)。RDS(on) = 43mΩ（最大值）(VGS = 1.8V)。RDS(on) = 32mΩ（最大值）(VGS = 2.5V)。RDS(on) = 28mΩ（最大值）(VGS = 4.0V)。应用：电源管理开关应用。高速开关应用

数据手册

5+
￥1.3996
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￥1.2127
150+
￥1.1326
500+
￥1.0326

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型号：74VHC245FT(BE) 编号：C8096

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC245 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线收发器。它在保持 CMOS 低功耗的同时，能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行

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5+
￥1.5026
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￥1.2595
150+
￥1.1553
500+
￥1.0253

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型号：TAR5S50TE85LF 编号：C146354

封装：SSOP-5-1.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TAR5Sxx 系列由通用双极型单电源器件组成，这些器件包含一个控制引脚，可用于开启/关闭器件。器件的输出电路内置了过温保护和过流保护电路。

数据手册

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￥1.592776 ￥2.1524
50+
￥1.087232 ￥1.6988
150+
￥0.812376 ￥1.5044
500+
￥0.681426 ￥1.2619
3000+
￥0.623106 ￥1.1539
6000+
￥0.58806 ￥1.089

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型号：SSM6N58NU,LF 编号：C262142

封装：UDFN-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8-V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 84mΩ (最大值)（@VGS = 4.5V）；RDS(ON) = 117mΩ (最大值)（@VGS = 2.5V）；RDS(ON) = 180mΩ (最大值)（@VGS = 1.8V）。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

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￥1.764
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￥1.3709
150+
￥1.2024
500+
￥0.9922
3000+
￥0.8986
6000+
￥0.8424

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型号：74HC594D(BJ) 编号：C7421254

封装：SOIC16

品牌：TOSHIBA(东芝)

8位带输出寄存器的移位寄存器。采用硅栅CMOS技术制造的高速8位带输出寄存器的移位寄存器，能实现类似于等效LSTTL的高速操作，同时保持CMOS的低功耗。包含一个8位静态移位寄存器，该寄存器为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成。输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容。由于RCK和SCK信号相互独立，因此在移位操作期间并行输出可以保持稳定。并且在移位寄存器和存储寄存器上都提供了直接覆盖清除（SCLR和RCLR）功能。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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￥1.9975
50+
￥1.5464
150+
￥1.3531
500+
￥1.1119

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型号：74VHCT125AFT 编号：C146429

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHCT125AFT和74VHCT126AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它们能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

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1+
￥2.0345 ￥3.13
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￥1.3805 ￥2.51
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￥1.008 ￥2.24
100+
￥0.8595 ￥1.91
500+
￥0.792 ￥1.76
1000+
￥0.7515 ￥1.67

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型号：TC7SH126FU,LJ(CT 编号：C150186

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

总线缓冲器，具有三态输出

数据手册

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￥2.1712 ￥3.68
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￥1.4357 ￥2.93
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￥1.014 ￥2.6
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￥0.858 ￥2.2
500+
￥0.7878 ￥2.02
1000+
￥0.7449 ￥1.91

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型号：TC74HC595AF(EL,F) 编号：C146328

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74HC595A是一款采用硅栅极C²MOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器。它能实现与等效LSTTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

数据手册

1+
￥2.7403 ￥4.09
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￥2.0862 ￥3.66
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￥1.6215 ￥3.45
100+
￥1.5181 ￥3.23
500+
￥1.457 ￥3.1
1000+
￥1.4288 ￥3.04

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型号：TK58E06N1,S1X 编号：C7362295

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.4 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 60V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用：开关稳压器

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￥2.94
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￥2.6
50+
￥2.42
100+
￥2.25
500+
￥2.15
1000+
￥2.1

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型号：TLP187(V4-TPL,E 编号：C2987974

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP187是一款光电耦合器，由一个红外LED与一个达林顿晶体管光耦合而成。它采用SO6封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压，TLP187适用于可编程控制器的100 VDC输出模块等应用

数据手册

1+
￥3.35
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￥2.67
30+
￥2.38
100+
￥2.02
500+
￥1.58

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型号：TLP188(GB-TPL,E 编号：C4153840

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥3.47
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￥2.69
30+
￥2.36
100+
￥1.94
500+
￥1.76
1000+
￥1.64

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型号：TK11A65W,S5X(M 编号：C396036

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：使用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.33Ω（典型值）。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.5至3.5V，VDS = 10V，ID = 0.45mA。应用：开关稳压器

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1+
￥3.7595 ￥5.15
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￥2.9484 ￥4.68
50+
￥2.3479 ￥4.43
100+
￥2.1942 ￥4.14
500+
￥2.1253 ￥4.01
1000+
￥2.0935 ￥3.95

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型号：TLP5754HB(4CNT4E 编号：C49325806

封装：SO6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥5.69
10+
￥4.54
30+
￥3.96
100+
￥3.39
500+
￥3.05
1500+
￥2.88

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型号：TLP2362(TPR,E 编号：C5156050

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。保证在高达 125℃ 的温度和 2.7-5.5V 的电源下工作。采用 SO6 封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。

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1+
￥5.69
10+
￥4.55
30+
￥3.98

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型号：TK9A90E,S4X(S 编号：C5347247

封装：TO-220F

品牌：TOSHIBA(东芝)

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1+
￥7.28
10+
￥6.09
50+
￥5.43
100+
￥4.69

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型号：TK15A60D(STA4,X,M) 编号：C5198102

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.31Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.5S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0 ± 0.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)

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1+
￥8.21
10+
￥6.9
50+
￥6.18
100+
￥5.37

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型号：TB6559FG(O,8,EL) 编号：C845531

封装：HSOP-16-EP-6.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB6559FG是一款带有LDMOS输出晶体管的全桥直流电机驱动IC。可通过IN1和IN2选择四种操作模式：顺时针（CW）、逆时针（CCW）、短制动和停止。

数据手册

1+
￥8.65
10+
￥7.08
30+
￥6.22
100+
￥5.25
500+
￥4.82

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型号：TLP759(TP1,J,F) 编号：C516181

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥13.69
10+
￥11.55
30+
￥10.21
100+
￥8.84
500+
￥8.22

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型号：TMP89FM42UG(C,JZ) 编号：C412446

封装：LQFP-44(10x10)

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥17.5454 ￥47.42
10+
￥11.0484 ￥40.92
30+
￥6.2815 ￥36.95
100+
￥5.7171 ￥33.63

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型号：RFM01U7P(TE12L,F) 编号：C17561258

封装：TO-243AA

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥18.49
10+
￥15.56
30+
￥13.72
100+
￥11.84

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型号：TMPM372FWUG 编号：C4153831

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：ARM Cortex-M3微处理器核心。通过使用Thumb -2指令实现了更高的代码效率。新的16位Thumb指令用于改进程序流程，新的32位Thumb指令用于提高性能，新的Thumb混合16/32位指令集可生成更快、更高效的代码。实现了高性能和低功耗。高性能方面，32位乘法(32×32 = 32bit)可在一个时钟内执行，除法根据被除数和除数需要2到12个周期；低功耗方面，采用低功耗库进行优化设计，具备停止微控制器核心操作的待机功能。具有适合实时控制的高速中断响应，有可中断的长指令，硬件自动处理堆栈推送。片上程序存储器和数据存储器：片上RAM为6Kbyte，片上FlashROM为128Kbyte。16位定时器(TMRB)：8个通道，具有16位间隔定时器模式、16位事件计数器模式、输入捕获功能、外部触发PPG输出

1+
￥24.24
10+
￥20.6
30+
￥18.45
90+
￥16.26

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型号：TLP3107A(TP,F 编号：C1857558

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外 LED 光耦合的光电 MOSFET 组成，采用 2.54SOP6 封装。低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用。

数据手册

1+
￥24.87
10+
￥21.1
30+
￥18.86
100+
￥16.59

有货

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型号：TLP3451(TP,F 编号：C2152050

封装：VSON-4(1.5x2.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3451是非常小外形的非引线光电继电器，适用于表面贴装组装。TLP3451由与光电MOSFET光耦合的红外LED组成，采用VSON 4引脚封装。TLP3451具有低输出电容CoFF，因此可实现高频信号的快速开关，非常适合高速测试仪中的开关应用。

数据手册

1+
￥26.34
10+
￥22.59
30+
￥20.36
100+
￥18.1

有货

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型号：TLP620-4GB 编号：C9202

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥28.98
10+
￥24.56
25+
￥21.93
100+
￥19.27

有货

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型号：DF2S16FS,L3M 编号：C1972990

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：ESD保护

数据手册

10+
￥0.2927
100+
￥0.2293
300+
￥0.1976
1000+
￥0.1738
5000+
￥0.1548

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型号：2SC4117-GR.LF 编号：C2762686

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

用于音频频率的通用放大器应用。

数据手册

10+
￥0.3839
100+
￥0.3071
300+
￥0.2687

有货

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型号：2SC4116-BL(TE85L,F 编号：C27695127

封装：USM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = 50V。高集电极电流：IC = 150mA（最大值）。高hFE：hFE = 70至700。出色的hFE线性度：hFE（IC = 0.1mA）/ hFE（IC = 2mA） = 0.95（典型值）。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。应用：低频放大器。音频通用放大器应用

10+
￥0.4079
100+
￥0.3263
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￥0.2855

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