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价格(含税)

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1个N沟道耐压:30V 电流:393A

型号：TPHR6503PL,L1Q(M 编号：C396032

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 30 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 81.3 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.41 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VDM = 1.1 至 2.1 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥4.65
10+
￥4.53
30+
￥4.46
100+
￥4.38

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP5752(TP,E 编号：C2840186

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5752由一个红外LED和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用6引脚SO6L封装。与8引脚DIP封装相比，TLP5752尺寸缩小了50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥4.78
10+
￥3.82
30+
￥3.34
100+
￥2.86
500+
￥2.57

有货

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TLP2345(V4-TPL,E(T

型号：TLP2345(V4-TPL,E 编号：C38084587

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作，最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流和 1.6mA 低阈值输入电流，有助于设备节能，可由微电脑直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±30kV/μs，有缓冲输出，也有反相器输出版本。

1+
￥4.94
10+
￥3.95
30+
￥3.45
100+
￥2.96
500+
￥2.66
1000+
￥2.51

有货

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8位移位寄存器（并行输入，串行输出）

型号：TC74HC165AF(EL,F) 编号：C7121109

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS 8位并行/串行输入、串行输出移位寄存器，采用硅栅C²MOS技术制造。它能实现与等效LSTTL相似的高速操作，同时保持CMOS的低功耗特性。由带门控时钟输入的并行输入或串行输入、串行输出8位移位寄存器组成。当SHIFT/LOAD输入为高电平时，串行数据输入启用，8个触发器随每个时钟脉冲进行串行移位。当SHIFT/LOAD输入为低电平时，并行数据在时钟脉冲的正跳变沿异步加载到寄存器中。CK-INH输入仅在CK输入为高电平时应置为高电平。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

1+
￥5.17
10+
￥4.64
30+
￥4.36
100+
￥4.03
500+
￥3.89

有货

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光耦合器，红外LED与光控双向可控硅

型号：TLP3073(TP1,F 编号：C2693197

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由非过零光控可控硅与红外LED光耦合组成，采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值），因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

1+
￥5.72
10+
￥4.64
30+
￥4.1
100+
￥3.57
500+
￥3.25
1500+
￥3.08

有货

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TLP5754HB(4CNT4E

型号：TLP5754HB(4CNT4E 编号：C49325806

封装：SO6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥5.74
10+
￥4.59
30+
￥4.02
100+
￥3.45
500+
￥3.11
1500+
￥2.93

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:15A

型号：TK15J50D(F) 编号：C5361057

封装：SC-65

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 0.33Ω (典型值)。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.0S (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

数据手册

1+
￥6.47
10+
￥5.81
30+
￥5.45
100+
￥5.03
500+
￥4.85

有货

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1个N沟道耐压:100V

型号：TK34E10N1,S1IX(S 编号：C5307571

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥7.75
10+
￥6.3
50+
￥5.27
100+
￥4.37
500+
￥3.97

有货

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1个N沟道耐压:200V

型号：TK25A20D,S5X 编号：C2990812

封装：ITO-220S-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.047Ω（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 200V)。增强模式：VtA = 1.5 至 3.5V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥8.51
10+
￥7.07
50+
￥6.28
100+
￥5.38

有货

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1个N沟道耐压:900V 电流:9A

型号：TK9J90E,S1E 编号：C695269

封装：TO-3P(N)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 Ω（典型值）。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 720 V)。增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.9 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥8.6
10+
￥7.16
25+
￥6.28
100+
￥5.38

有货

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TK160F10N1L,LXGQ(O

型号：TK160F10N1L,LXGQ 编号：C7470887

封装：DIP

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥9.23
10+
￥8.41
30+
￥7.9
100+
￥7.37

有货

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1.5A 有刷直流电机驱动芯片 45V

型号：TB6569FG,8,EL 编号：C150125

封装：HSOP-16-EP-6.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

全桥直流电机驱动IC

数据手册

1+
￥13.31
10+
￥11.01
30+
￥9.57
100+
￥8.09

有货

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1个N沟道耐压:60V

型号：TK100E06N1,S1X(S 编号：C5361054

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 60V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥13.57
10+
￥12.01
50+
￥11.03
100+
￥10.02
500+
￥9.57

有货

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8通道灌电流型DMoS晶体管阵列

型号：TBD62083APG 编号：C114143

封装：DIP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，ULN2803APG(C5252)升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

数据手册

1+
￥16.57
10+
￥13.94
40+
￥12.29
100+
￥10.6

有货

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TLP3555A(TP1,F

型号：TLP3555A(TP1,F 编号：C5960926

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3555A 和 TLP3555AF 光电继电器由与红外 LED 光耦合的光电 MOSFET 组成。它采用 4 引脚 DIP 封装。TLP3555A 和 TLP3555AF 的低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用

1+
￥19.06
10+
￥16.2
30+
￥14.49
100+
￥12.77

有货

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N沟道耐压:600V 电流:38.8A

型号：TK39N60W,S1VF(S 编号：C2929218

封装：TO-247-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.055Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7至3.7V，VDS = 10V，ID = 1.9mA。应用：开关稳压器

1+
￥24.17
10+
￥20.69
30+
￥18.62
90+
￥16.52

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:38.8A

型号：TK39N60W5,S1VF(S 编号：C396023

封装：TO-247-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：快速反向恢复时间：trr = 150 ns（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.062Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：VDA = 3至4.5V，VDS = 10V，ID = 1.9mA。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥26.14
10+
￥22.37
30+
￥20.13
90+
￥17.87

有货

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PWM斩波型双极步进电机驱动IC

型号：THB6064AH 编号：C19935

封装：HZIP-25-P-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

42V/4.5A大电流步进电机驱动IC

数据手册

1+
￥60.78
10+
￥51.9
28+
￥45.45
98+
￥40.92

有货

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PNP 电流:150mA 电压:50V

型号：2SA1832-Y,LF 编号：C24014

封装：SC-75(SOT-523)

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频通用放大器应用。具有高电压和高电流特性，VCEO =-50V，IC =-150mA（最大值）。hFE线性优异，hFE (IC =-0.1mA) / hFE (IC =-2mA) = 0.95（典型值），hFE为70~400，与2SC4738互补，采用小封装。

数据手册

10+
￥0.176579 ￥0.3757
100+
￥0.111259 ￥0.3007
300+
￥0.071037 ￥0.2631
3000+
￥0.06345 ￥0.235
6000+
￥0.057375 ￥0.2125
9000+
￥0.054324 ￥0.2012

有货

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PNP 150mA 50V

型号：2SA1162-GR(TE85LF 编号：C27228437

封装：S-Mini

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = -50V。高集电极电流：IC = -150mA（最大值）。高hFE：hFE = 70至400。出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95（典型值）。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。应用：低频放大器。音频通用放大器应用

20+
￥0.2207
200+
￥0.1727
600+
￥0.1487

有货

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ESD 12V截止

型号：DF2S16FS,L3M 编号：C1972990

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：ESD保护

数据手册

10+
￥0.3169
100+
￥0.2535
300+
￥0.2218
1000+
￥0.198
5000+
￥0.179

有货

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NPN 电流:150mA 电压:50V

型号：TBC847B,LM 编号：C150169

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：低频放大器

数据手册

10+
￥0.3514
100+
￥0.2753
300+
￥0.2373

有货

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NPN 电流:100mA 电压:120V

型号：2SC2713-GR,LF 编号：C2762675

封装：TO-236-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电压：VCEO = 120V。出色的hFE线性度：hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95（典型值）。高hFE：hFE = 200至700。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。与2SA1163互补。小封装

数据手册

10+
￥0.3693
100+
￥0.2893
300+
￥0.2494

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100mA

型号：SSM3K15AFU,LF 编号：C146302

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：2.5V驱动。低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω (max) (VGS = 4V)；RDS(ON) = 6.0Ω (max) (VGS = 2.5V)。应用：负载开关应用

数据手册

10+
￥0.372
100+
￥0.2899
300+
￥0.2489

有货

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NPN+PNP

型号：RN4906,LXGF 编号：C7421327

封装：SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。 US6封装中包含两个器件（6引脚超小型）。集成偏置电阻，减少外部元件数量，可减小系统尺寸并缩短组装时间。应用：开关。逆变器电路

10+
￥0.4054
100+
￥0.3118
300+
￥0.265

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:170mA

型号：SSM3K7002CFU,LF 编号：C396059

封装：USM

品牌：TOSHIBA(东芝)

N-CH 60V 0.17A

数据手册

1+
￥0.41613 ￥1.6005
10+
￥0.36699 ￥1.4115
30+
￥0.34593 ￥1.3305
100+
￥0.31967 ￥1.2295
500+
￥0.30797 ￥1.1845
1000+
￥0.30095 ￥1.1575

有货

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单通道CMOS运算放大器

型号：TC75S54FU(TE85L,F) 编号：C90957

封装：SSOP-5-1.25mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC75S54F/TC75S54FU/TC75S54FE 是一款集成了相位补偿电路的 CMOS 单运算放大器。它专为低压、低电流电源应用而设计，这使其有别于传统的通用双极型运算放大器。

数据手册

5+
￥0.517041 ￥1.7829
50+
￥0.410379 ￥1.4151
150+
￥0.364646 ￥1.2574
500+
￥0.307603 ￥1.0607
3000+
￥0.282199 ￥0.9731
6000+
￥0.266974 ￥0.9206

有货

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适用于DC-DC转换器和频闪应用的高速开关晶体管

型号：2SA2056(TE85L.F) 编号：C2762672

封装：SC-61

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 200 至 500 (IC =-0.5A)。低集电极发射极饱和电压：VCE(sat) =-0.2V max。高速开关：tf = 90 ns (典型值)。应用：高速开关应用。 DC-DC转换器应用

数据手册

1+
￥0.517536 ￥1.4376
10+
￥0.456408 ￥1.2678
30+
￥0.430236 ￥1.1951
100+
￥0.397548 ￥1.1043
500+
￥0.383004 ￥1.0639
1000+
￥0.374256 ￥1.0396

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:180mA

型号：SSM3K35CT,L3F 编号：C396056

封装：CST-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道 20V

数据手册

5+
￥0.549
50+
￥0.429
150+
￥0.369
500+
￥0.324

有货

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ESD 5V截止

型号：DF5A6.8JE,LM 编号：C1976558

封装：SOT-553-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品仅用于静电放电（ESD）防护。在超紧凑型封装中安装四个器件，可减少零件数量和安装成本。

数据手册

5+
￥0.5863
50+
￥0.4685
150+
￥0.4096
500+
￥0.3654
2500+
￥0.3153

有货

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