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首页 > 热门关键词 > 东芝二极管
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CMOS 数字集成电路双二进制计数器
型号：74VHC393FT(BJ) 编号：C5331508
封装：TSSOP-14B
品牌：TOSHIBA(东芝)
是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS 4位二进制计数器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持CMOS的低功耗特性。该器件在一个封装中包含两个独立的计数器电路，使用一个IC即可实现8位二进制的计数或分频。该器件在CK(overline)脉冲的负向转换时改变状态。无论其他输入如何，通过CLR输入的高电平可将计数器复位为“0”（QA至QD = “L”）。输入保护电路确保无论电源电压如何，都可向输入引脚施加0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统以及电池备用等双电源系统的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。
数据手册

  • 5+

    ￥1.8173

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    ￥1.2413
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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP385(GB-TPR,E 编号：C17283607
    封装：SO-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

    • 1+

      ￥2.02

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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP385(D4GB-TR,E 编号：C38234628
    封装：SOP-4-300mil-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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    四路异或门
    型号：74VHC86FT 编号：C5351363
    封装：TSSOP-14
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    74VHC86FT 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 四异或门。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行，同时保持 CMOS 的低功耗特性。
    数据手册

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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP385(D4BL-TR,E 编号：C17585820
    封装：SO-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

    • 1+

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    TC74HC04AF(EL,F)
    型号：TC74HC04AF(EL,F) 编号：C5381646
    封装：SOIC-14-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 CMOS 反相器。它在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了与等效 LSTTL 相似的高速运行。内部电路由三级组成，包括缓冲输出，提供高抗噪性和稳定输出。所有输入均配备防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册

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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP293(TPL,E 编号：C970960
    封装：SO-4-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是低输入和高隔离型光耦合器，由一个光电晶体管与一个红外 LED 光耦合组成，采用 SO4 封装。保证了高隔离电压 (3750 Vrms) 和较宽的工作温度 (-55 至 125℃)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。
    数据手册

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      ￥2.4267

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    光耦合器，红外LED与光控双向可控硅
    型号：TLP265J(TPR,E 编号：C2844516
    封装：SO-4-4.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP265J 由一个非零交叉光三端双向可控硅开关元件组成，并通过光耦合器连接到一个红外 LED。TLP265J 采用SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0 毫米，电气间隙最小为 5.0 毫米，绝缘厚度最小为 0.4 毫米。
    数据手册

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      ￥2.49

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    TPH8R008NH,L1Q(M
    型号：TPH8R008NH,L1Q(M 编号：C396040
    封装：SOP-8
    品牌：TOSHIBA(东芝)

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      ￥2.59

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    7通道灌电流型DMos晶体管阵列
    型号：TBD62003APG(Z,HZ) 编号：C146373
    封装：DIP-16
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    新产品，ULN2003APG升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。
    数据手册

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    DC 5kV
    型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C7421359
    封装：SO-6L
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

    • 1+

      ￥2.84

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    CMOS数字集成电路六施密特反相器
    型号：TC74AC14FT(EL) 编号：C5381643
    封装：TSSOP-14
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    六施密特反相器 TC74AC14FT 是一款采用硅栅和双层金属布线 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 施密特反相器。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.0537 ￥3.51

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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP387(TPL,E 编号：C7495072
    封装：SOIC-4-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一种光耦合器，由红外 LED 与达林顿晶体管光耦合组成。采用 SO6L（4 引脚）封装，具有高抗噪性和高绝缘性。集电极和发射极之间具有高击穿电压，适用于可编程控制器的 100VDC 输出模块等应用。

    • 1+

      ￥3.48

    • 10+

      ￥2.84

    • 30+

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    • 100+

      ￥2.19

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      ￥2

    • 1000+

      ￥1.9
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:9A
    型号：TK6A65D(STA4,X,M) 编号：C2840181
    封装：SC-67-3
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 0.95Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 4.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 650V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册

    • 1+

      ￥3.9

    • 10+

      ￥3.15

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      ￥2.47

    • 100+

      ￥2.1

    • 500+

      ￥1.87

    • 1000+

      ￥1.75
  • 有货
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    场效应晶体管 音频低噪声放大器应用
    型号：2SK2145-GR(TE85L,F 编号：C5367351
    封装：SOT-23-5
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    适用于音频低噪声放大器应用，在一个 SM5（超小型 5 引脚）封装中包含两个器件。

    • 1+

      ￥4.45

    • 10+

      ￥3.55

    • 30+

      ￥3.1
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
    型号：TK8A65D(STA4,Q,M) 编号：C2990817
    封装：TO-220SIS
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7Ω（典型值）。 高正向转移导纳：|Yfs| = 4.5S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 650V）。 增强模式：Vth = 2.0±0.4V（VDS = 10V，ID = 1mA）
    数据手册

    • 1+

      ￥4.6

    • 10+

      ￥3.73

    • 50+

      ￥3.3

    • 100+

      ￥2.87
  • 有货
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    AC,DC输入 隔离电压(rms):2500V
    型号：TLP290-4(V4GBTPE 编号：C2961982
    封装：SOP-16-4.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP290 - 4由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4保证能在较宽的工作温度范围ΔTa = -55至110 °C内正常工作，因此它适用于诸如可编程控制器等高密度表面贴装应用
    数据手册

    • 1+

      ￥4.83

    • 10+

      ￥3.89

    • 30+

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    • 100+

      ￥2.94

    • 500+

      ￥2.28
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    用于开关稳压器应用的硅N沟道MOS型（T-MOSVII）场效应晶体管
    型号：TK13A60D(STA4,X,M) 编号：C471288
    封装：TO-220
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.33Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 6.5S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.0±0.4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

    • 1+

      ￥4.87

    • 10+

      ￥4.41

    • 50+

      ￥4.16

    • 100+

      ￥3.88
  • 有货
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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP387(D4-TPL,E 编号：C17474491
    封装：SO-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一种光耦合器，由红外 LED 与达林顿晶体管光耦合组成。采用 SO6L（4 引脚）封装，具有高抗噪性和高绝缘性。集电极和发射极之间具有高击穿电压，适用于可编程控制器的 100VDC 输出模块等应用。

    • 1+

      ￥5.27

    • 10+

      ￥4.19

    • 30+

      ￥3.65

    • 100+

      ￥3.12

    • 500+

      ￥2.79
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:650V
    型号：TK5A65D(STA4,Q,M) 编号：C435819
    封装：TO-220SIS
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 1.2Ω (典型值)。 高正向传输导纳：|Yfs| = 2.6S (典型值)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 650V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册

    • 1+

      ￥5.676 ￥9.46

    • 10+

      ￥3.955 ￥7.91

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      ￥2.824 ￥7.06

    • 100+

      ￥2.44 ￥6.1

    • 500+

      ￥2.268 ￥5.67

    • 1000+

      ￥2.192 ￥5.48
  • 有货
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    7通道灌电流型DMos晶体管阵列
    型号：TBD62503APG 编号：C1556736
    封装：DIP-16
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：7 电路内置。 高电压：VDUT = 50V（最大值）。 高电流：IOUT = 300mA/ch（最大值）。 输入电压（输出开启）：TBD62502A 系列 14V（最小值），TBD62503A 系列 2.5V（最小值）。 输入电压（输出关闭）：TBD62502A 系列 7.0V（最大值），TBD62503A 系列 0.6V（最大值）。 封装：PG 型 DIP16-P-300-2.54A；FG 型 SOP16-P-225-1.27；FNG 型 SSOP16-P-225-0.65B；FWG 型 P-SOP16-0410-1.27-002
    数据手册

    • 1+

      ￥6.29

    • 10+

      ￥5.11

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      ￥3.57
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    TB6674FG(Z,8,EL)
    型号：TB6674FG(Z,8,EL) 编号：C4153826
    封装：SOP-16
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一款带有MOS输出晶体管的步进电机驱动IC。该IC可以通过双极驱动控制两相步进电机的正反转。包含一个节能电路和一个待机电路。

    • 1+

      ￥7.45

    • 10+

      ￥6.26

    • 30+

      ￥5.61

    • 100+

      ￥4.87

    • 500+

      ￥4.54
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    TLP3052A(F(O
    型号：TLP3052A(F 编号：C22413501
    封装：插件
    品牌：TOSHIBA(东芝)

    • 1+

      ￥7.69

    • 10+

      ￥6.43

    • 50+

      ￥5.73

    • 100+

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      ￥4.6

    • 1000+

      ￥4.45
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    1个N沟道 耐压:600V
    型号：TK15A60D(STA4,X,M) 编号：C5198102
    封装：TO-220-3
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.31Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 8.5S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.0 ± 0.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册

    • 1+

      ￥7.74

    • 10+

      ￥6.43

    • 50+

      ￥5.71

    • 100+

      ￥4.9
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:207A
    型号：TK100E10N1,S1X(S 编号：C396029
    封装：TO-220
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V，ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器
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    1.5A 有刷直流电机驱动芯片 5.5V
    型号：TB9102FNG,EL 编号：C2150484
    封装：SSOP-24-208mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TB9102FNG是一款集成了输出驱动器的电机控制IC，专为直接驱动汽车用有刷小型直流电机而设计。它可用作3通道H桥驱动器或6通道半桥驱动器。电机控制信号通过SPI接口从外部MCU输入
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    NPN 15A 230V
    型号：2SC5200N(S1,E,S) 编号：C5362566
    封装：TO-3P(N)
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：高集电极电压：ΔVCEO = 230 V（最小值）。 与2SA1943N互补。 推荐用于100W高保真音频放大器输出级。应用：功率放大器

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    1个N沟道 耐压:100V
    型号：TK160F10N1,LQ 编号：C5379818
    封装：TO-220SM
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：ILSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：汽车。 开关稳压器

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    TLP7820(B-TP4,E(O
    型号：TLP7820(B-TP4,E 编号：C2936835
    封装：SOP-8L
    品牌：TOSHIBA(东芝)

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    1个P沟道 耐压:40V 电流:100A
    型号：XPH3R114MC,L1XHQ 编号：C6336945
    封装：SOP-8
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101合格。 小型、薄型封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.4 mΩ（典型值）(VGS = -10V)。 低泄漏电流：IHSS = -10μA(最大值)(VDS = -40V)。 增强模式：Vth = -1.0至-2.1V(VDS = -10V ID = -1.0mA)。应用：汽车。 开关稳压器

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