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首页 > 热门关键词 > 东芝二极管
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用于直流电机的双桥驱动IC,具有低导通电阻的LD MOS结构输出晶体管。两个输入信号IN1和IN2可以选择四种模式之一,如正转、反转、短路制动和停止模式。PWM驱动系统支持高热效率驱动。
  • 1+

    ¥1.6064 ¥5.02
  • 10+

    ¥0.8998 ¥4.09
  • 30+

    ¥0.4344 ¥3.62
  • 100+

    ¥0.378 ¥3.15
  • 500+

    ¥0.3444 ¥2.87
  • 1000+

    ¥0.3276 ¥2.73
  • 有货
    • 1+

      ¥1.66
    • 10+

      ¥1.43
    • 30+

      ¥1.34
    • 100+

      ¥1.22
    • 500+

      ¥1.17
    • 1000+

      ¥1.14
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥1.76
    • 10+

      ¥1.55
    • 30+

      ¥1.46
    • 100+

      ¥1.35
    • 500+

      ¥1.3
    • 1000+

      ¥1.27
  • 有货
  • TC7W74是一款采用硅栅C²MOS技术制造的高速C²MOS D触发器。它在保持C²MOS低功耗的同时,能实现与等效LSTTL类似的高速运行。在时钟脉冲的上升沿,施加到D输入端的信号电平会传输到Q输出端
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9392
    • 50+

      ¥1.5453
    • 150+

      ¥1.3765
    • 500+

      ¥1.1659
    • 3000+

      ¥1.0722
    • 6000+

      ¥1.0159
  • 有货
  • 高速CMOS双1-2多路复用器/解复用器,适用于USB2.0 (480Mbps)应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0738
    • 50+

      ¥1.6207
    • 150+

      ¥1.4265
    • 500+

      ¥1.1843
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 8.4 mΩ(典型值)(VGS = 10V)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 60V)。 增强模式:VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.15
    • 10+

      ¥1.86
    • 50+

      ¥1.74
    • 100+

      ¥1.59
    • 500+

      ¥1.52
    • 1000+

      ¥1.48
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.28
    • 10+

      ¥1.97
    • 30+

      ¥1.84
    • 100+

      ¥1.68
    • 500+

      ¥1.61
    • 1000+

      ¥1.56
  • 有货
  • TLP265J 由一个非零交叉光三端双向可控硅开关元件组成,并通过光耦合器连接到一个红外 LED。TLP265J 采用SO6 封装,保证爬电距离最小为 5.0 毫米,电气间隙最小为 5.0 毫米,绝缘厚度最小为 0.4 毫米。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.3002 ¥3.71
    • 10+

      ¥1.7004 ¥3.27
    • 30+

      ¥1.2768 ¥3.04
    • 100+

      ¥1.1844 ¥2.82
    • 500+

      ¥1.1298 ¥2.69
    • 1000+

      ¥1.1004 ¥2.62
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.41
    • 10+

      ¥2.12
    • 30+

      ¥1.98
    • 100+

      ¥1.83
    • 500+

      ¥1.75
    • 1000+

      ¥1.7
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.47
    • 10+

      ¥2.2
    • 30+

      ¥2.06
    • 100+

      ¥1.93
    • 500+

      ¥1.66
    • 1000+

      ¥1.62
  • 有货
    • 1+

      ¥2.63
    • 10+

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    • 30+

      ¥1.78
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      ¥1.46
    • 500+

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  • 有货
  • 是超高速9位施密特缓冲器/反相器,采用硅栅CMOS技术制造,结合了CMOS的低功耗和肖特基TTL的速度。输出分为同相和反相类型,所有输入在正负阈值之间具有滞后特性,能够对缓慢变化的输入信号进行整形,并提高抗噪能力。此外,所有输入都有新开发的保护电路,即使电源关闭,输入也能承受高达5V的电压。输入掉电保护功能使其适用于多种应用场景。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.74
    • 10+

      ¥2.14
    • 30+

      ¥1.88
    • 100+

      ¥1.55
  • 有货
  • 高速、低电压驱动的8通道模拟多路复用器/解复用器,使用硅栅CMOS技术。
    • 1+

      ¥2.78
    • 10+

      ¥2.45
    • 30+

      ¥2.29
    • 100+

      ¥2.13
    • 500+

      ¥2.03
    • 1000+

      ¥1.98
  • 有货
  • 由固定正输出、低压差稳压器组成,输出电流为 0.15 A(最大值),输出级采用 V-PNP 晶体管。为了满足消费电子和工业设备对低压和低功耗器件的需求,该系列提供低输出电压器件:1.8 V、2 V、2.5 V、3 V、3.3 V、5 V。
    • 1+

      ¥2.95
    • 10+

      ¥2.63
    • 30+

      ¥2.46
    • 100+

      ¥2.3
    • 500+

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  • 有货
    • 1+

      ¥3.69
    • 10+

      ¥2.95
    • 30+

      ¥2.58
    • 100+

      ¥2.22
    • 500+

      ¥2
    • 1500+

      ¥1.88
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(Ω) = 0.95Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 4.0S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 650V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥3.9
    • 10+

      ¥3.15
    • 50+

      ¥2.47
    • 100+

      ¥2.1
    • 500+

      ¥1.87
    • 1000+

      ¥1.75
  • 有货
  • 特性:高集电极电压:V_CBE = -230V (min)。 小集电极输出电容:C_ob = 30 pF (typ.)。 高过渡频率:f_T = 70 MHz (typ.)。 与TTC011B互补。应用:功率放大器。 音频放大器
    • 1+

      ¥4.12
    • 10+

      ¥4.01
    • 30+

      ¥3.93
    • 100+

      ¥3.86
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE = 100 至 200 (IC = 0.1A)。 高集电极击穿电压:VCEO = 800V,VCBO = 900V。 高速开关:Δtr = 0.2μs(典型值),tf = 0.4 μs(典型值)(IC = 0.3A)。应用:高速高压开关。 开关稳压器
    • 1+

      ¥4.24
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥2.94
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.4 mΩ(典型值)(VGS = 10V)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 60V)。 增强模式:VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥4.38
    • 10+

      ¥3.57
    • 50+

      ¥3.17
    • 100+

      ¥2.2714 ¥2.77
    • 500+

      ¥2.0664 ¥2.52
    • 1000+

      ¥1.968 ¥2.4
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.7Ω(典型值)。 高正向转移导纳:|Yfs| = 4.5S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 650V)。 增强模式:Vth = 2.0±0.4V(VDS = 10V,ID = 1mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥4.6
    • 10+

      ¥3.73
    • 50+

      ¥3.3
    • 100+

      ¥2.87
  • 有货
    • 1+

      ¥6.075 ¥8.1
    • 10+

      ¥5.148 ¥7.92
    • 30+

      ¥4.2845 ¥7.79
    • 90+

      ¥4.2185 ¥7.67
  • 有货
  • 特性:7 电路内置。 高电压:VDUT = 50V(最大值)。 高电流:IOUT = 300mA/ch(最大值)。 输入电压(输出开启):TBD62502A 系列 14V(最小值),TBD62503A 系列 2.5V(最小值)。 输入电压(输出关闭):TBD62502A 系列 7.0V(最大值),TBD62503A 系列 0.6V(最大值)。 封装:PG 型 DIP16-P-300-2.54A;FG 型 SOP16-P-225-1.27;FNG 型 SSOP16-P-225-0.65B;FWG 型 P-SOP16-0410-1.27-002
    数据手册
    • 1+

      ¥6.29
    • 10+

      ¥5.11
    • 30+

      ¥4.51
    • 100+

      ¥3.92
    • 500+

      ¥3.57
  • 有货
  • TBD62502A 系列和 TBD62503A 系列是 7 路 DMOS 晶体管阵列。使用时请留意散热条件。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.35
    • 10+

      ¥5.75
    • 30+

      ¥5.42
    • 100+

      ¥5.05
    • 500+

      ¥4.88
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(Ω) = 0.33Ω (典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 8.0S (典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 500V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥6.47
    • 10+

      ¥5.81
    • 30+

      ¥5.45
    • 100+

      ¥5.03
    • 500+

      ¥4.85
  • 有货
    • 1+

      ¥7.5012 ¥7.98
    • 10+

      ¥6.5352 ¥7.78
    • 30+

      ¥5.6536 ¥7.64
    • 100+

      ¥5.5574 ¥7.51
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 11.5 mΩ(典型值)(VGS = 10V)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 100V)。 增强模式:VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.76
    • 10+

      ¥6.42
    • 50+

      ¥5.69
    • 100+

      ¥4.86
  • 有货
    • 1+

      ¥8.26
    • 10+

      ¥8.08
    • 30+

      ¥7.96
    • 100+

      ¥7.85
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.0 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IPASS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)。 增强模式:VTH = 2.5至3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用:汽车。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥13.13
    • 10+

      ¥12.43
    • 30+

      ¥12.01
    • 100+

      ¥11.59
    • 500+

      ¥11.39
    • 1000+

      ¥11.3
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:Qsw = 19 nC (典型值)。 小输出电荷:QBS = 51 nC (典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.9 mΩ (典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IDSS = 10 μA (最大值)(VDS = 60 V)。 增强模式:Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用:高效DC-DC转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥13.94
    • 10+

      ¥11.69
    • 30+

      ¥10.29
    • 100+

      ¥8.85
  • 有货
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