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首页 > 热门关键词 > 东芝二极管
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特性:AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.05Ω(典型值)(@ VGS = 10V);RDS(ON) = 1.15Ω(典型值)(@ VGS = 5.0V);RDS(ON) = 1.2Ω(典型值)(@ VGS = 4.5V)。应用:高速开关
  • 5+

    ¥0.9793
  • 50+

    ¥0.763
  • 150+

    ¥0.6703
  • 500+

    ¥0.5546
  • 3000+

    ¥0.5031
  • 有货
  • 特性:4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 26 mΩ (最大值) (VGS = 4.5V);RDS(ON) = 19.5 mΩ (最大值) (VGS = 10V)。应用:高速开关
    数据手册
    • 1+

      ¥0.9917 ¥2.11
    • 10+

      ¥0.8789 ¥1.87
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      ¥0.8319 ¥1.77
    • 100+

      ¥0.7708 ¥1.64
    • 500+

      ¥0.7426 ¥1.58
    • 1000+

      ¥0.7238 ¥1.54
  • 有货
  • TC7S32是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速C2MOS二输入或门。它在保持C2MOS低功耗的同时,能实现与等效LSTTL类似的高速运行。内部电路由两级组成,包含缓冲输出,具备高抗噪能力和稳定的输出
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9956
    • 50+

      ¥0.8041
    • 150+

      ¥0.7083
    • 500+

      ¥0.6365
  • 有货
  • 适用于高速开关应用,小封装,低导通电阻。导通电阻最大值:Rₒₙ = 0.7Ω(VGS = 10V时);Rₒₙ = 1.2Ω(VGS = 4V时)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0181
    • 50+

      ¥0.7913
    • 150+

      ¥0.6941
    • 500+

      ¥0.5728
  • 有货
  • 特性:高速:td = 3.8ns(典型值),VCC = 5V,CL = 15pF。 低功耗:ICC = 2μA(最大值),Ta = 25℃。 高抗噪性:VNI_H = VNI_L = 28%VCC(最小值)。 5.5V 耐受输入。 宽工作电压范围:VCC = 2 至 5.5V。 引脚分配和功能与 TC7W04 相同
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1333
    • 50+

      ¥0.8813
    • 150+

      ¥0.7733
    • 500+

      ¥0.6386
  • 有货
  • 74VHC245FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它能实现与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2558
    • 50+

      ¥1.0038
    • 150+

      ¥0.8958
    • 500+

      ¥0.7611
  • 有货
  • 八通道模拟多路复用器/解复用器,低电压驱动,适用于3 V和5 V系统。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3258
    • 50+

      ¥1.0329
    • 150+

      ¥0.9074
    • 500+

      ¥0.7508
  • 有货
  • 低电压/低电容CMOS双位总线开关。具有低导通电阻和快速响应时间。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.379437 ¥1.4221
    • 50+

      ¥1.088544 ¥1.2512
    • 150+

      ¥0.906983 ¥1.1779
    • 500+

      ¥0.836605 ¥1.0865
    • 3000+

      ¥0.805266 ¥1.0458
    • 6000+

      ¥0.786478 ¥1.0214
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 1.5-V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:ΔRDS(ON) = 99.6 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V);RDS(ON) = 67.8 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V);RDS(ON) = 51.4 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V);RDS(ON) = 42.7 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。应用:电源管理开关
    • 5+

      ¥1.4299
    • 50+

      ¥1.1378
    • 150+

      ¥1.0127
    • 500+

      ¥0.8565
    • 3000+

      ¥0.787
  • 有货
  • 带预置和清零功能的D型触发器。
    • 5+

      ¥1.5086
    • 50+

      ¥1.1709
    • 150+

      ¥1.0262
    • 500+

      ¥0.8456
  • 有货
  • 特性:最适合为TTL/CMOS供电。 无需外部组件。 内置过热保护。 内置过流保护。 最大输出电流为150mA(Tj = 25℃)。 采用PW-mini(SOT-89)封装
    • 5+

      ¥1.5386
    • 50+

      ¥1.2261
    • 150+

      ¥1.0922
    • 1000+

      ¥0.9251
  • 有货
  • 是高速C²MOS施密特触发器,采用硅栅C²MOS技术制造。它在保持C²MOS低功耗的同时,实现了与等效LSTTL相似的高速运行。引脚配置和功能与TC7WU04相同,但输入具有25% VCC的滞后特性,凭借其施密特触发功能,可作为接收慢速输入信号的线路接收器。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    • 5+

      ¥1.6135
    • 50+

      ¥1.2858
    • 150+

      ¥1.1454
    • 500+

      ¥0.9702
  • 有货
  • 低电压四通道 2 输入与门,具有 5V 容限输入和输出。专为 3.3V 系统设计,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压 (3.3V) VCC 应用而设计,但可用于与 5V 电源环境的输入接口。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    • 5+

      ¥1.7558
    • 50+

      ¥1.3762
    • 150+

      ¥1.1683
    • 500+

      ¥0.9654
  • 有货
  • 特性:1.8-V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:ΔRDS(ON) = 84mΩ (最大值)(@VGS = 4.5V);RDS(ON) = 117mΩ (最大值)(@VGS = 2.5V);RDS(ON) = 180mΩ (最大值)(@VGS = 1.8V)。应用:电源管理开关。 DC-DC 转换器
    • 5+

      ¥1.764
    • 50+

      ¥1.3709
    • 150+

      ¥1.2024
    • 500+

      ¥0.9922
    • 3000+

      ¥0.8986
    • 6000+

      ¥0.8424
  • 有货
  • 是低输入和高隔离型光耦合器,由一个光电晶体管和一个红外 LED 光耦合在 SO4 封装中组成。保证高隔离电压 (3750 Vrms) 和宽工作温度 (-55 至 125℃),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.79
    • 10+

      ¥1.55
    • 30+

      ¥1.44
    • 100+

      ¥1.31
    • 500+

      ¥1.25
    • 1000+

      ¥1.22
  • 有货
  • TAR5Sxx 系列由通用双极型单电源器件组成,这些器件包含一个控制引脚,可用于开启/关闭器件。器件的输出电路内置了过温保护和过流保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.915636 ¥2.1524
    • 50+

      ¥1.511932 ¥1.6988
    • 150+

      ¥1.338916 ¥1.5044
    • 500+

      ¥1.123091 ¥1.2619
    • 3000+

      ¥1.026971 ¥1.1539
    • 6000+

      ¥0.96921 ¥1.089
  • 有货
  • TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器,采用SO6封装,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证了高隔离电压(3750 Vrms)和宽工作温度范围(Ta = -55至125 °C)。与DIP封装相比,TLP183体积更小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0946
    • 50+

      ¥1.6462
    • 150+

      ¥1.454
    • 500+

      ¥1.1362
  • 有货
    • 1+

      ¥2.23
    • 10+

      ¥1.97
    • 30+

      ¥1.85
    • 100+

      ¥1.71
    • 500+

      ¥1.65
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.3
    • 10+

      ¥2
    • 30+

      ¥1.87
    • 100+

      ¥1.7
    • 500+

      ¥1.63
    • 1000+

      ¥1.58
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.23Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 2.0S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 100μA(最大值)(VDS = 60V)。 增强模式:Vth = 0.8 至 2.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:DC-DC转换器。 继电器驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥2.31
    • 10+

      ¥1.8
    • 30+

      ¥1.58
    • 100+

      ¥1.31
    • 500+

      ¥1.19
  • 有货
  • 74VHCT125AFT和74VHCT126AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它们能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.3162 ¥3.13
    • 10+

      ¥1.8574 ¥2.51
    • 30+

      ¥1.6576 ¥2.24
    • 100+

      ¥1.4134 ¥1.91
    • 500+

      ¥1.3024 ¥1.76
    • 1000+

      ¥1.2358 ¥1.67
  • 有货
    • 1+

      ¥2.3598 ¥5.13
    • 10+

      ¥1.6812 ¥4.67
    • 50+

      ¥1.1466 ¥4.41
    • 100+

      ¥1.0712 ¥4.12
    • 500+

      ¥1.04 ¥4
    • 1000+

      ¥1.0244 ¥3.94
  • 有货
  • TLP184(SE是AC输入型光电耦合器,由与两个红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE采用非常小而薄的SO6封装,具有高抗噪性和高隔离电压。由于TLP184(SE比DIP封装小,适用于混合IC等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.68
    • 10+

      ¥2.39
    • 30+

      ¥2.25
    • 100+

      ¥2.1
    • 500+

      ¥2.02
    • 1000+

      ¥1.97
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.4 mΩ(典型值)(VGS = 10V)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 60V)。 增强模式:VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥2.94
    • 10+

      ¥2.6
    • 50+

      ¥2.42
    • 100+

      ¥2.25
    • 500+

      ¥2.15
    • 1000+

      ¥2.1
  • 有货
  • 是高速CMOS 2输入与门,采用硅栅C²MOS技术制造。能实现与等效LSTTL相似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗。内部电路由两级组成,包括缓冲输出,具有高抗噪性和稳定的输出。所有输入均配备防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.48
    • 10+

      ¥2.84
    • 30+

      ¥2.51
    • 100+

      ¥2.19
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 8.1 nC(典型值)。 小输出电荷:Q_SS = 20.2 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 3.0 mΩ(典型值) (V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_KSS = 10 μA(最大值) (V_DS = 40 V)。 增强模式:V_th = 1.4 至 2.4 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.2 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥4.2
    • 10+

      ¥3.36
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.52
  • 有货
  • 由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成,采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%,满足国际安全标准的加强绝缘等级要求,可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出,可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。
    • 1+

      ¥4.29
    • 10+

      ¥3.79
    • 30+

      ¥3.53
    • 100+

      ¥3.28
    • 500+

      ¥3.13
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.9Ω(典型值)。 低泄漏电流:IRS = 10μA(最大值)(VDS = 640V)。 增强模式:Vth = 2.5至4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥4.3
    • 10+

      ¥3.83
    • 50+

      ¥3.6
    • 100+

      ¥3.37
    • 500+

      ¥3.23
    • 1000+

      ¥3.15
  • 有货
  • 八进制总线缓冲器具有反相、三态输出和同相、三态输出两种类型。采用硅栅和双层金属布线C²MOS技术制造,能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗。反相类型和同相类型可供选择,当G1(overline)或G2(overline)为高电平时,终端输出处于高阻态,所有输入均配备抗静电放电或瞬态过电压保护电路。
    • 1+

      ¥4.43
    • 10+

      ¥3.98
    • 30+

      ¥3.76
    • 100+

      ¥3.53
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.45Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 6.0S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 500V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关调节器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.59
    • 10+

      ¥3.6
    • 50+

      ¥2.96
    • 100+

      ¥2.47
    • 500+

      ¥2.18
    • 1000+

      ¥2.02
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