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首页 > 热门关键词 > 东芝二极管
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双2输入与门
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    ¥1.1283
  • 50+

    ¥0.8763
  • 150+

    ¥0.7683
  • 500+

    ¥0.6336
  • 有货
  • TC7WH14是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它在保持CMOS低功耗的同时,能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行。引脚配置和功能与TC7SH14相同,但输入具有迟滞特性
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2818
    • 50+

      ¥0.9697
    • 150+

      ¥0.8359
    • 500+

      ¥0.669
  • 有货
  • 特性:4.0V驱动。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 225 mΩ(最大值)(@VGS = -4V);RDS(ON) = 117 mΩ(最大值)(@VGS = -10V)。应用:DC-DC转换器。 高速开关
    • 5+

      ¥1.2986
    • 50+

      ¥1.1243
    • 150+

      ¥1.0496
    • 500+

      ¥0.9564
  • 有货
  • 六反相器74VHCT04AFT 是一种采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速 CMOS 反相器。它在保持 CMOS 低功耗的同时,实现了与等效双极肖特基 TTL 相似的高速操作。输入电压与 TTL 输出电压兼容。该器件可用作 3.3 V 到 5 V 系统之间的电平转换器。输入保护和输出电路确保可以在输入和输出(注释)引脚上施加 0 至 5.5 V 的电压,而不考虑电源电压。这种结构可以防止由于电源和输入/输出电压不匹配(例如电池备份、热插拔等)导致的器件损坏。注:VCC=0 V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4022
    • 50+

      ¥1.0897
    • 150+

      ¥0.9558
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      ¥0.7887
    • 2500+

      ¥0.7143
    • 5000+

      ¥0.6696
  • 有货
  • 低电压六施密特反相器,具有 5V 容限输入和输出。适用于 3.3V 系统,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压(3.3V)VCC 应用而设计,但也可用于与 5V 电源环境的输入接口。引脚配置和功能与 74LCX04FT 相同,但输入具有滞后特性,带有施密特触发功能,可作为线路接收器接收缓慢的输入信号。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    • 5+

      ¥1.4047
    • 50+

      ¥1.2367
    • 150+

      ¥1.1647
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      ¥1.0748
  • 有货
  • 先进的高速CMOS八进制总线缓冲器,采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作,同时保持了CMOS的低功耗特性。是一款反相三态缓冲器,具有两个低电平有效输出使能端。是非反相三态缓冲器,也有两个低电平有效输出使能端。这些器件设计用于三态存储器地址驱动器等。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可以用作3.3V到5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下,可以在输入和输出引脚施加0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配(如电池备用、热板插入等)而导致的器件损坏。
    • 5+

      ¥1.5893
    • 50+

      ¥1.2617
    • 150+

      ¥1.1213
    • 500+

      ¥0.9461
  • 有货
  • 是一款CMOS单运算放大器,内置相位补偿电路。采用低电压和低电流电源设计,与通用双极运算放大器不同。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6238
    • 50+

      ¥1.254
    • 150+

      ¥1.0955
    • 500+

      ¥0.8978
  • 有货
  • 低电压八进制总线缓冲器,输入和输出具有5V容限。是高性能CMOS八进制总线缓冲器,专为3.3V系统设计,在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压(3.3V)VCC应用而设计,但可用于与5V电源环境进行输入和输出接口。是具有两个低电平有效输出使能的非反相三态缓冲器,设计用于与三态存储器地址驱动器等一起使用。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    • 5+

      ¥1.6401
    • 50+

      ¥1.4511
    • 150+

      ¥1.3701
    • 500+

      ¥1.269
  • 有货
  • 特性:出色的开关时间:ton = 14 ns(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 100 mS(最小值),aID =-50 mA。 低导通电阻:RDS(ON) = 1.3 Ω(典型值),aID =-50 mA。 增强模式。 与2SK1062互补。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 1+

      ¥1.95
    • 10+

      ¥1.72
    • 30+

      ¥1.62
    • 100+

      ¥1.5
    • 500+

      ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.41
  • 有货
  • 8 位移位寄存器(并行输入,串行输出)。采用硅栅 C3MOS 技术制造的先进高速 CMOS 8 位并行/串行输入、串行输出移位寄存器。它能实现与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作,同时保持 CMOS 的低功耗。它由一个带门控时钟输入的并行输入或串行输入、串行输出 8 位移位寄存器组成
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9698
    • 50+

      ¥1.5414
    • 150+

      ¥1.3578
    • 500+

      ¥1.1287
    • 2500+

      ¥1.0267
  • 有货
  • 特性:高电压:VcBO = -300V。 低饱和电压:VCE(sat) = -0.5V (max)。 小集电极输出电容:Cob = 5.5 pF (typ.)。 与2SC4497互补。应用:等离子显示器高压控制应用。 数码管驱动应用
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0066
    • 50+

      ¥1.5559
    • 150+

      ¥1.3628
    • 500+

      ¥1.1218
  • 有货
  • 由通用双极单电源器件组成,包含一个可用于开启/关闭的控制引脚。输出电路内置过温、过流保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0234
    • 50+

      ¥1.5698
    • 150+

      ¥1.3754
    • 500+

      ¥1.1329
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101 合格。低漏源导通电阻:RDS(ON) = 23 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)。增强模式:VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。应用:汽车。电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.1372 ¥2.74
    • 10+

      ¥1.911 ¥2.45
    • 30+

      ¥1.8018 ¥2.31
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      ¥1.6926 ¥2.17
    • 500+

      ¥1.6224 ¥2.08
    • 1000+

      ¥1.5912 ¥2.04
  • 有货
  • TC74HC74A是一款采用硅栅C²MOS技术制造的高速CMOS D触发器。它在保持CMOS低功耗特性的同时,能实现与等效LSTTL类似的高速运行。在时钟脉冲的上升沿期间,施加到D输入端的信号电平会传输到Q输出端
    • 1+

      ¥2.37
    • 10+

      ¥2.1
    • 30+

      ¥1.98
    • 100+

      ¥1.84
    • 500+

      ¥1.77
    • 1000+

      ¥1.73
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.7Ω(典型值)。 低漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 720V)。 增强模式:VTH = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.2mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.12
    • 10+

      ¥2.38
    • 30+

      ¥2.07
    • 100+

      ¥1.68
    • 500+

      ¥1.48
    • 1000+

      ¥1.37
  • 有货
  • 双总线缓冲器,具有三态输出
    • 1+

      ¥3.22
    • 10+

      ¥2.58
    • 30+

      ¥2.25
    • 100+

      ¥1.93
    • 500+

      ¥1.74
    • 1000+

      ¥1.64
  • 有货
  • 由通用双极单电源设备组成,包含一个可用于开启/关闭的控制引脚。过温保护和过流保护电路内置在设备的输出电路中。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.54
    • 10+

      ¥2.81
    • 30+

      ¥2.5
    • 100+

      ¥2.11
    • 500+

      ¥1.93
    • 1000+

      ¥1.83
  • 有货
  • TB67H450FNG是一款PWM斩波型直流有刷电机驱动器,内置一个通道的电机输出模块。该器件采用BiCD工艺制造,额定输出电压为50V,最大电流为3.5A。
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.19
    • 30+

      ¥2.78
    • 100+

      ¥2.39
    • 500+

      ¥2.15
    • 1000+

      ¥2.03
  • 有货
  • 74VHC32FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS二输入或门。它能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。
    • 1+

      ¥4.18
    • 10+

      ¥3.73
    • 30+

      ¥3.51
    • 100+

      ¥3.28
    • 500+

      ¥3.15
    • 1000+

      ¥3.08
  • 有货
  • TC74VHC595是一款采用硅栅C²MOS技术制造的先进高速8位移位寄存器/锁存器。它在保持CMOS低功耗的同时,能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。TC74VHC595包含一个8位静态移位寄存器,该寄存器为一个8位存储寄存器提供数据
    数据手册
    • 1+

      ¥4.98
    • 10+

      ¥3.99
    • 30+

      ¥3.49
    • 100+

      ¥3
    • 500+

      ¥2.56
    • 1000+

      ¥2.41
  • 有货
  • 由高输出红外 LED 与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。保证在高达 125℃ 的温度和 2.7-5.5V 的电源下工作。采用 SO6 封装。具有内部法拉第屏蔽,可保证 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.69
    • 10+

      ¥4.55
    • 30+

      ¥3.98
    • 100+

      ¥3.42
    • 500+

      ¥3.08
    • 1000+

      ¥2.91
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 26 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.9 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IPASS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)。 增强模式:VDM = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.73
    • 10+

      ¥4.7
    • 30+

      ¥4.18
    • 100+

      ¥3.66
    • 500+

      ¥3.36
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 26 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.9 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IPASS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)。 增强模式:VDM = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥5.89
    • 10+

      ¥4.7
    • 30+

      ¥4.1
    • 100+

      ¥3.51
    • 500+

      ¥3.16
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.22Ω(典型值),采用超结结构:DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.5至3.5V,VDS = 10V,ID = 0.69mA。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.929 ¥7.7
    • 10+

      ¥5.39 ¥7
    • 50+

      ¥5.0974 ¥6.62
    • 100+

      ¥4.7586 ¥6.18
    • 500+

      ¥4.6123 ¥5.99
    • 1000+

      ¥4.5507 ¥5.91
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.22Ω(典型值),采用超结结构:DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.5至3.5V,VDS = 10V,ID = 0.69mA。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.929 ¥7.7
    • 10+

      ¥5.39 ¥7
    • 50+

      ¥5.0974 ¥6.62
    • 100+

      ¥4.7586 ¥6.18
    • 500+

      ¥4.6123 ¥5.99
    • 1000+

      ¥4.5507 ¥5.91
  • 有货
  • 由一个红外LED与一个集成的高增益、高速光电探测器光耦合组成,采用SO6L封装。支持高达125℃的工作温度。SO6L封装符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。光电探测器有一个内部法拉第屏蔽,可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。保证了传播延迟时间和脉冲宽度失真的最小值和最大值,因此适用于电机控制应用中IPM和控制IC电路之间的隔离接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.2025 ¥8.27
    • 10+

      ¥4.485 ¥6.9
    • 30+

      ¥3.3825 ¥6.15
    • 100+

      ¥2.915 ¥5.3
    • 500+

      ¥2.7115 ¥4.93
    • 1500+

      ¥2.618 ¥4.76
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.0 mΩ(典型值)(VGS = -10V)。 低泄漏电流:IRSS = -10μA(最大值)(VDS = -40V)。 增强模式:VDD = -2.0 至 -3.0V (VDS = -10V, ID = -1mA)。应用:汽车。 电机驱动器
    • 1+

      ¥6.88
    • 10+

      ¥5.63
    • 30+

      ¥4.94
    • 100+

      ¥4.16
    • 500+

      ¥3.82
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 8.2 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 24 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 200 V)。 增强模式:VDA = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥8.05
    • 10+

      ¥7.35
    • 30+

      ¥6.92
    • 100+

      ¥6.47
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.0 Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 7.0 S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 100 μA(最大值)(VDS = 720 V)。 增强型模式:Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥14.76
    • 10+

      ¥12.65
    • 25+

      ¥11.33
    • 100+

      ¥9.98
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.051 Ω(典型值)。 具有较低电容的高速开关特性。 增强模式:Vth = 3 至 4V(VDS = 10V,ID = 1.69mA)。应用:开关电源
    • 1+

      ¥33.66
    • 10+

      ¥32.79
    • 30+

      ¥32.22
    • 100+

      ¥31.64
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