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首页 > 热门关键词 > 东芝二极管
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描述
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操作
特性:低饱和电压:VCE(sat) = -0.5V 最大,IC = -1A。 高速开关时间:tSTG = 1.0 μs(典型值)。 小型扁平封装,PC = 1.0 至 2.0W(安装在陶瓷基板上)。 与2SC2873互补。应用:功率放大器应用。 功率开关应用
数据手册
  • 5+

    ¥0.9392
  • 50+

    ¥0.7523
  • 150+

    ¥0.6589
  • 1000+

    ¥0.5125
  • 有货
  • 八进制总线缓冲器 74VHC540FT:反相、三态输出 74VHC541FT:同相、三态输出 74VHC540FT/74VHC541FT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速先进 CMOS 八进制总线缓冲器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1208
    • 50+

      ¥0.8688
    • 150+

      ¥0.7608
    • 500+

      ¥0.6261
  • 有货
  • 同步可预置4位计数器 74VHC161FT:二进制、异步清零;74VHC163FT:二进制、同步清零。74VHC161FT和74VHC163FT是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS同步可预置4位二进制计数器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.211067 ¥1.2233
    • 50+

      ¥0.959242 ¥1.0778
    • 150+

      ¥0.802245 ¥1.0155
    • 500+

      ¥0.740783 ¥0.9377
    • 2500+

      ¥0.713449 ¥0.9031
    • 5000+

      ¥0.697017 ¥0.8823
  • 有货
  • 八进制 D 型触发器,具有三态输出。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制触发器。实现了与等效双极肖特基 TTL 相似的高速运行,同时保持了 CMOS 的低功耗。该 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时,八个输出处于高阻态。输入电压与 TTL 输出电压兼容。该器件可用作 3.3V 至 5.5V 系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下,可将 0 至 5.5V 的电压施加到输入和输出引脚上。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配(如电池备份、热板插入等)而导致器件损坏
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5712
    • 50+

      ¥1.3716
    • 150+

      ¥1.2861
    • 500+

      ¥1.1794
  • 有货
  • 适用于通用放大器应用,具有高电压和高电流特性,VCEO = 50V,IC = 150mA(最大值),hFE线性良好,hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值),hFE为120至400,与2SA2154MFV互补。
    • 5+

      ¥1.58
    • 50+

      ¥1.37
    • 150+

      ¥1.28
    • 500+

      ¥1.16
    • 2500+

      ¥1.11
    • 5000+

      ¥1.08
  • 有货
  • 低电压八进制总线缓冲器,具有 5V 容限输入和输出。专为 3.3V 系统设计,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压(3.3V)VCC 应用而设计,但可用于输入和输出均为 5V 电源环境的接口。是一个非反相三态缓冲器,有两个低电平有效输出使能端。当 OE1 或 OE2 为高电平时,终端输出处于高阻抗状态。设计用于三态内存地址驱动器等。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    • 5+

      ¥1.6207
    • 50+

      ¥1.4308
    • 150+

      ¥1.3494
    • 500+

      ¥1.2479
    • 2500+

      ¥1.2027
    • 5000+

      ¥1.1755
  • 有货
  • TC7WT125FU是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS双总线缓冲器。它在保持CMOS低功耗的同时,能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。其输入阈值电平与TTL输出电压兼容
    • 1+

      ¥2.03
    • 10+

      ¥1.76
    • 30+

      ¥1.64
    • 100+

      ¥1.5
    • 500+

      ¥1.43
    • 1000+

      ¥1.39
  • 有货
  • 特性:低源极-源极导通电阻:ΔRSS(ON) = 2.2 mΩ(典型值)(@VGS = 3.8 V);ΔRSS(ON) = 2.1 mΩ(典型值)(@VGS = 4.5 V)。 符合RoHS标准。 无卤。应用:电池保护电路
    数据手册
    • 1+

      ¥2.05
    • 10+

      ¥1.78
    • 30+

      ¥1.66
    • 100+

      ¥1.51
    • 500+

      ¥1.44
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.3Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 3.0S(典型值)。 低漏电流:IDSS = 10μA(最大值) (VDS = 500V)。 增强模式:Vth = 2.4-4.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥2.1184 ¥3.31
    • 10+

      ¥1.593 ¥2.95
    • 50+

      ¥1.2188 ¥2.77
    • 100+

      ¥1.1396 ¥2.59
    • 500+

      ¥1.0912 ¥2.48
    • 1000+

      ¥1.0648 ¥2.42
  • 有货
  • 八进制总线缓冲器 74VHC240FT:反相三态输出 74VHC244FT:同相三态输出 74VHC240FT 和 74VHC244FT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.16
    • 10+

      ¥1.88
    • 30+

      ¥1.76
    • 100+

      ¥1.52
    • 500+

      ¥1.46
    • 1000+

      ¥1.41
  • 有货
  • 特性:1.5V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 99.6mΩ(最大值) (VG S =-1.5V)。RDS(ON) = 67.8mΩ(最大值) (VG S =-1.8V)。RDS(ON) = 51.4mΩ(最大值) (VG S =-2.5V)。RDS(ON) = 42.7mΩ(最大值) (VG S =-4.5V)
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1699
    • 50+

      ¥1.6864
    • 150+

      ¥1.4791
    • 500+

      ¥1.2205
  • 有货
  • RF用途,N沟道,10V,0.5A
    数据手册
    • 1+

      ¥2.39
    • 10+

      ¥1.86
    • 30+

      ¥1.63
    • 100+

      ¥1.35
    • 500+

      ¥1.23
    • 1000+

      ¥1.15
  • 有货
  • TC7W240FU是采用硅栅C²MOS技术制造的高速C2MOS双总线缓冲器。它在保持C2MOS低功耗的同时,能实现与等效LSTTL类似的高速运行。这是一款反相三态缓冲器,具备两个低电平有效输出使能端
    • 1+

      ¥2.84
    • 10+

      ¥2.21
    • 30+

      ¥1.94
    • 100+

      ¥1.61
    • 500+

      ¥1.46
    • 1000+

      ¥1.37
  • 有货
    • 1+

      ¥3.03
    • 10+

      ¥2.35
    • 30+

      ¥2.06
    • 100+

      ¥1.7
    • 500+

      ¥1.54
    • 1000+

      ¥1.44
  • 有货
  • TB67H451AFNG 是一款 PWM 斩波式直流有刷电机驱动器,内置一个电机输出通道。该器件采用 BiCD 工艺制造,额定输出电压为 50 V,最大电流为 3 A。
    • 1+

      ¥3.25
    • 10+

      ¥2.6
    • 30+

      ¥2.27
    • 100+

      ¥1.95
    • 500+

      ¥1.76
    • 1000+

      ¥1.66
  • 有货
  • 是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器,由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄,符合加强绝缘的国际安全标准,因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    • 1+

      ¥3.33
    • 10+

      ¥2.65
    • 30+

      ¥2.32
    • 100+

      ¥1.99
    • 500+

      ¥1.79
    • 1500+

      ¥1.68
  • 有货
  • TLP188由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP188采用非常小巧纤薄的SO6(4引脚)封装,可保证在高温环境下工作(最高环境温度Ta = 110 °C)。集电极 - 发射极间具有高击穿电压(VCEO = 350 V),TLP188适用于可编程逻辑控制器(PLC)和家用电器,包括空调
    • 1+

      ¥3.47
    • 10+

      ¥2.76
    • 30+

      ¥2.41
    • 100+

      ¥2.06
    • 500+

      ¥1.85
    • 1000+

      ¥1.74
  • 有货
  • TC78H621FNG是一款双桥驱动IC,其输出晶体管采用了DMOS。该芯片能够驱动2个有刷直流电机或1个步进电机。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.65
    • 10+

      ¥2.92
    • 30+

      ¥2.55
    • 100+

      ¥2.19
    • 500+

      ¥1.97
    • 1000+

      ¥1.86
  • 有货
  • 是2输入正逻辑与非门。由于这些门的所有输出均设有反相器作为缓冲器,因此改善了输入/输出特性,并将因负载电容增加而导致的传播延迟时间变化降至最低。
    • 1+

      ¥3.85
    • 10+

      ¥3.07
    • 30+

      ¥2.68
    • 100+

      ¥2.3
    • 500+

      ¥2.07
    • 1000+

      ¥1.95
  • 有货
  • 特性:小而薄的封装。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 12.4 mΩ(典型值)(VGS = -10 V)。 低泄漏电流:IRSS = -10 μA(最大值)(VDS = -30 V)。 增强模式:VDA = -0.8 至 -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -0.2 mA)。应用:锂离子二次电池电源管理开关
    • 1+

      ¥4.01
    • 10+

      ¥3.58
    • 30+

      ¥3.37
    • 100+

      ¥3.15
    • 500+

      ¥3.02
    • 1000+

      ¥2.96
  • 有货
  • 应用:VHF和UHF频段放大器应用。电信设备的高频功率放大器
    数据手册
    • 1+

      ¥4.12
    • 10+

      ¥3.34
    • 30+

      ¥2.96
    • 100+

      ¥2.57
    • 500+

      ¥2.34
    • 1000+

      ¥2.22
  • 有货
  • 是一款高速CMOS 8通道多路复用器,采用硅栅C²MOS技术制造。它在保持CMOS低功耗的同时,实现了与等效LSTTL相似的高速运行。通过对三位地址输入(A、B、C)进行解码,从八个数据输入信号(D0-D7)中选择一个。所选数据出现在两个输出端:同相(Y)和反相(W)。选通输入提供两种输出条件;选通输入为低电平时,将所选数据传输到输出端。选通输入为高电平时,无论数据或选择输入条件如何,Y输出为低电平,W输出为高电平。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    • 1+

      ¥4.52
    • 10+

      ¥4.03
    • 30+

      ¥3.79
    • 100+

      ¥3.55
    • 500+

      ¥3.4
    • 1000+

      ¥3.33
  • 有货
  • N沟道,60V,17A,11.4mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.78
    • 10+

      ¥3.84
    • 30+

      ¥3.37
    • 100+

      ¥2.9
    • 500+

      ¥2.62
    • 1000+

      ¥2.47
  • 有货
  • TLP387是一款光电耦合器,由一个红外LED与一个达林顿晶体管光耦合而成。它采用SO6L(4引脚)封装,具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压,TLP387适用于可编程控制器的100VDC输出模块等应用
    数据手册
    • 1+

      ¥5.03
    • 10+

      ¥4.01
    • 30+

      ¥3.5
    • 100+

      ¥3
    • 500+

      ¥2.7
    • 1000+

      ¥2.54
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 10.6 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 50 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.2 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)。 增强模式:VTH = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用:高效DC-DC转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.03
    • 10+

      ¥4.08
    • 30+

      ¥3.61
    • 100+

      ¥3.14
    • 500+

      ¥2.86
  • 有货
  • TC4051B、TC4052B和TC4053B是具备模拟信号和数字信号选择与混合功能的多路复用器。TC4051B为8通道配置,TC4052B为4通道×2配置,TC4053B为2通道×3配置。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.1
    • 10+

      ¥4.06
    • 30+

      ¥3.54
    • 100+

      ¥3.03
    • 500+

      ¥2.72
    • 1000+

      ¥2.56
  • 有货
  • 新产品,超小体积,ULN2003升级品,场效应管作输出管,管压降更低,芯片发热更少,驱动性能更佳。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.26
    • 10+

      ¥4.27
    • 30+

      ¥3.77
    • 100+

      ¥3.28
    • 500+

      ¥2.99
    • 1000+

      ¥2.84
  • 有货
  • 适用于70W高保真音频放大器输出级。
    • 1+

      ¥5.74
    • 10+

      ¥4.58
    • 30+

      ¥4
    • 100+

      ¥3.43
    • 500+

      ¥3.08
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.16Ω (典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.7 至 3.7V,VDS = 10V,ID = 0.79mA。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.02
    • 10+

      ¥5.41
    • 50+

      ¥4.99
    • 100+

      ¥4.61
    • 500+

      ¥4.44
  • 有货
  • 该产品是采用硅栅C2MOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器(三态)。它在保持CMOS低功耗的同时,实现了与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行。该产品包含一个8位静态移位寄存器,为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成,输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容
    • 1+

      ¥6.03
    • 10+

      ¥5.46
    • 30+

      ¥5.15
    • 100+

      ¥4.8
    • 500+

      ¥4.64
    • 1000+

      ¥4.57
  • 有货
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