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首页 > 热门关键词 > 东芝二极管
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特性:1.2V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω(典型值)@VGS = -1.2V。 -RDS(ON) = 2.3Ω(典型值)@VGS = -1.5V。 -RDS(ON) = 2.0Ω(典型值)@VGS = -1.8V。 -RDS(ON) = 1.5Ω(典型值)@VGS = -2.5V。 -RDS(ON) = 1.1Ω(典型值)@VGS = -4.5V。应用:模拟开关
数据手册
  • 5+

    ¥0.4962
  • 50+

    ¥0.3954
  • 150+

    ¥0.345
  • 500+

    ¥0.3072
  • 2500+

    ¥0.277
  • 5000+

    ¥0.2493
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 小封装(双类型)。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有各种电阻值的晶体管,以适应不同的电路设计。 与RN2901至RN2906互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.5524
    • 50+

      ¥0.4818
    • 150+

      ¥0.4465
    • 500+

      ¥0.42
    • 3000+

      ¥0.3988
    • 6000+

      ¥0.3882
  • 有货
  • 特性:高速:tpH = 7 ns(典型值),VCC = 5V。 低功耗:ICC = 1 μA(最大值),Ta = 25℃。 高抗噪性:VMIN = VNIL = 28% VCC(最小值)。 输出驱动能力:5个LSTTL负载。 对称输出阻抗:|IOH| = |IOL| = 2 mA(最小值)。 平衡传播延迟:tpLH÷tpHL。 宽工作电压范围:VCC = 2 至 6V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5691
    • 50+

      ¥0.4491
    • 150+

      ¥0.3891
    • 500+

      ¥0.3441
  • 有货
  • 2-输入或非门
    • 5+

      ¥0.5698
    • 50+

      ¥0.4958
    • 150+

      ¥0.4588
    • 500+

      ¥0.4311
    • 2500+

      ¥0.4089
  • 有货
  • TC4S584F 是一款在输入端具备施密特触发器功能的单路反相器。也就是说,由于输入波形上升沿和下降沿的电路阈值电平电压不同(V_P、V_N),除了普通反相器应用外,TC4S584F 还可广泛应用于多种场景,包括线路接收器、波形整形电路、无稳态多谐振荡器等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.653
    • 50+

      ¥0.509
    • 150+

      ¥0.437
    • 500+

      ¥0.3829
  • 有货
  • 特性:高速:在VCC = 5V时,tpd = 7ns(典型值)。 低功耗:在Ta = 25℃时,ICC = 1μA(最大值)。 高抗噪性:VNH = VNL = 28%VCC(最小值)。 输出驱动能力:5个低功耗肖特基TTL负载。 对称输出阻抗:|IOH| = |IOL| = 2mA(最小值)。 平衡传播延迟:tpLH ≡ tpH。 宽工作电压范围:VCC = 2至6V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6765
    • 50+

      ¥0.5421
    • 150+

      ¥0.4749
    • 500+

      ¥0.4245
  • 有货
  • 2-输入与非门
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7163
    • 50+

      ¥0.5579
    • 150+

      ¥0.4787
    • 500+

      ¥0.4193
    • 3000+

      ¥0.3717
  • 有货
  • 反相器
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      ¥0.7467
    • 50+

      ¥0.5835
    • 150+

      ¥0.5019
    • 500+

      ¥0.4407
    • 3000+

      ¥0.3917
  • 有货
  • 3-8 线解码器。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 3-8 解码器。它能实现与等效双极肖特基 TTL 相似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗。当设备启用时,3 个二进制选择输入(A、B 和 C)确定输出 Y0(overline)-Y7(overline) 中哪一个将变为低电平
    数据手册
    • 5+

      ¥0.781488 ¥1.4472
    • 50+

      ¥0.506044 ¥1.1501
    • 150+

      ¥0.347752 ¥1.0228
    • 500+

      ¥0.293726 ¥0.8639
    • 2500+

      ¥0.269688 ¥0.7932
    • 5000+

      ¥0.255272 ¥0.7508
  • 有货
  • 特性:低饱和电压:VCE(sat) = -0.5V 最大,IC = -1A。 高速开关时间:tSTG = 1.0 μs(典型值)。 小型扁平封装,PC = 1.0 至 2.0W(安装在陶瓷基板上)。 与2SC2873互补。应用:功率放大器应用。 功率开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9479
    • 50+

      ¥0.7608
    • 150+

      ¥0.6673
    • 1000+

      ¥0.5207
    • 2000+

      ¥0.4646
  • 有货
  • 特性:高速。 低功耗。 高抗噪性。 输出驱动能力。 对称输出阻抗:|IOH| = |IO| = 2mA(最小值)。 平衡传播延迟:tₚLH ≡ tₚHL。 宽工作电压范围:VCC = 2 至 6V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9844
    • 50+

      ¥0.7674
    • 150+

      ¥0.6745
    • 500+

      ¥0.5584
  • 有货
  • 八进制总线缓冲器 74VHC240FT:反相三态输出 74VHC244FT:同相三态输出 74VHC240FT 和 74VHC244FT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。
    • 5+

      ¥1.2329
    • 50+

      ¥0.9557
    • 150+

      ¥0.8369
    • 500+

      ¥0.6887
    • 2500+

      ¥0.6227
  • 有货
  • 低电压六缓冲器,输入和输出(开漏)具有 5V 容限。专为 3.3V 系统和 5V 系统设计,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。具有高性能 MOS N 沟道晶体管(开漏输出)。该器件专为低电压(3.3V)VCC 应用而设计,但可用于与 5V 电源环境的输入接口。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2682
    • 50+

      ¥1.105
    • 150+

      ¥1.035
    • 500+

      ¥0.9011
  • 有货
  • 是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS双路双向开关。它由四个独立的高速开关组成,能够控制数字或模拟信号,同时保持CMOS低功耗特性。提供控制输入(C)来控制开关,C输入为高电平时开关导通,为低电平时开关关断。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4934
    • 50+

      ¥1.1597
    • 150+

      ¥1.0167
    • 500+

      ¥0.8382
    • 3000+

      ¥0.7588
    • 6000+

      ¥0.7111
  • 有货
  • 八进制 D 型触发器,具有三态输出。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制触发器。实现了与等效双极肖特基 TTL 相似的高速运行,同时保持了 CMOS 的低功耗。该 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时,八个输出处于高阻态。输入电压与 TTL 输出电压兼容。该器件可用作 3.3V 至 5.5V 系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下,可将 0 至 5.5V 的电压施加到输入和输出引脚上。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配(如电池备份、热板插入等)而导致器件损坏
    数据手册
    • 5+

      ¥1.56
    • 50+

      ¥1.3605
    • 150+

      ¥1.275
    • 500+

      ¥1.1683
  • 有货
  • 74LCX541FT 是一款高性能 CMOS 八进制总线缓冲器。它专为 3.3 V 系统设计,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6089
    • 50+

      ¥1.2861
    • 150+

      ¥1.1477
    • 500+

      ¥0.975
  • 有货
  • 双单稳态多谐振荡器 74VHC123AFT:可重触发;74VHC221AFT:不可重触发。74VHC123A/221AFT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速 CMOS 单稳态多谐振荡器。
    • 5+

      ¥1.7439
    • 50+

      ¥1.362
    • 150+

      ¥1.1984
    • 500+

      ¥0.9942
  • 有货
  • 是先进的高速CMOS HEX D型触发器,采用硅栅CMOS技术制造。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行,同时保持CMOS低功耗。施加到D输入的信息信号在时钟脉冲的正沿传输到Q输出。当CLR输入保持低电平时,Q输出处于低逻辑电平,与其他输入无关。输入保护电路确保可在不考虑电源电压的情况下向输入引脚施加0至5.5V的电压。该器件可用于连接5V至3V系统和双电源系统,如备用电池。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。
    • 5+

      ¥1.83
    • 50+

      ¥1.62
    • 150+

      ¥1.53
    • 500+

      ¥1.41
    • 2500+

      ¥1.36
    • 5000+

      ¥1.33
  • 有货
  • TC4069UB六反相器 TC4069UB包含六个反相器电路。由于内部电路由单级反相器组成,因此除用作反相器外,它还适用于CR振荡器电路、晶体振荡器电路和线性放大器等应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8901
    • 50+

      ¥1.5171
    • 150+

      ¥1.3573
    • 500+

      ¥1.1578
  • 有货
  • TC7WT125FU是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS双总线缓冲器。它在保持CMOS低功耗的同时,能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。其输入阈值电平与TTL输出电压兼容
    • 1+

      ¥2.03
    • 10+

      ¥1.76
    • 30+

      ¥1.64
    • 100+

      ¥1.5
    • 500+

      ¥1.43
    • 1000+

      ¥1.39
  • 有货
    • 1+

      ¥2.1
    • 10+

      ¥1.82
    • 30+

      ¥1.7
    • 100+

      ¥1.55
    • 500+

      ¥1.48
    • 1000+

      ¥1.44
  • 有货
  • 是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS四异或门。它在保持CMOS低功耗的同时,实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速运行。内部电路包括一个输出缓冲器,可提供高抗噪性和稳定的输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,0至5.5V的电压可施加到输入引脚。该器件可用于5V至3V系统的接口以及双电源系统,如电池备份。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。
    • 1+

      ¥2.29
    • 10+

      ¥2.01
    • 30+

      ¥1.9
    • 100+

      ¥1.75
    • 500+

      ¥1.69
    • 1000+

      ¥1.65
  • 有货
  • 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的先进高速 CMOS 2 输入或非门。它能实现与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗特性。内部电路由三级组成,包括缓冲输出,提供高抗噪性和稳定输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入引脚可施加 0 至 5.5V 的电压。该器件可用于 5V 至 3V 系统以及双电源系统(如备用电池)的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。
    • 1+

      ¥2.55
    • 10+

      ¥2.25
    • 30+

      ¥2.12
    • 100+

      ¥1.95
    • 500+

      ¥1.88
    • 1000+

      ¥1.84
  • 有货
  • TC7W240FU是采用硅栅C²MOS技术制造的高速C2MOS双总线缓冲器。它在保持C2MOS低功耗的同时,能实现与等效LSTTL类似的高速运行。这是一款反相三态缓冲器,具备两个低电平有效输出使能端
    • 1+

      ¥2.84
    • 10+

      ¥2.21
    • 30+

      ¥1.94
    • 100+

      ¥1.61
    • 500+

      ¥1.46
    • 1000+

      ¥1.37
  • 有货
  • TC74HC02A 是采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 CMOS 2 输入或非门。它在保持 CMOS 低功耗的同时,实现了与等效 LSTTL 类似的高速运行
    数据手册
    • 1+

      ¥2.86
    • 10+

      ¥2.29
    • 30+

      ¥2.04
    • 100+

      ¥1.73
    • 500+

      ¥1.59
    • 1000+

      ¥1.51
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 28mΩ(典型值)(@ VGS = 10V);RDS(ON) = 36mΩ(典型值)(@ VGS = 4.5V);RDS(ON) = 43mΩ(典型值)(@ VGS = 4V)。应用:电源管理开关。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥3.52
    • 10+

      ¥2.81
    • 30+

      ¥2.45
    • 100+

      ¥2.1
    • 500+

      ¥1.89
    • 1000+

      ¥1.78
  • 有货
  • 是一种光耦合器,由红外 LED 与达林顿晶体管光耦合组成。采用 SO6L(4 引脚)封装,具有高抗噪性和高绝缘性。集电极和发射极之间具有高击穿电压,适用于可编程控制器的 100VDC 输出模块等应用。
    • 1+

      ¥3.63
    • 10+

      ¥2.91
    • 30+

      ¥2.54
    • 100+

      ¥2.18
    • 500+

      ¥1.97
    • 1000+

      ¥1.86
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 2.6 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 50 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IRSS = 10 μA(最大值)(VDS = 150 V)。 增强模式:VTM = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥4.15
    • 10+

      ¥3.65
    • 30+

      ¥3.4
    • 100+

      ¥3.16
    • 500+

      ¥3.01
    • 1000+

      ¥2.93
  • 有货
    • 1+

      ¥4.51
    • 10+

      ¥3.81
    • 50+

      ¥3.46
    • 100+

      ¥3.11
    • 500+

      ¥2.91
    • 1000+

      ¥2.8
  • 有货
  • 是一款高速CMOS 8通道多路复用器,采用硅栅C²MOS技术制造。它在保持CMOS低功耗的同时,实现了与等效LSTTL相似的高速运行。通过对三位地址输入(A、B、C)进行解码,从八个数据输入信号(D0-D7)中选择一个。所选数据出现在两个输出端:同相(Y)和反相(W)。选通输入提供两种输出条件;选通输入为低电平时,将所选数据传输到输出端。选通输入为高电平时,无论数据或选择输入条件如何,Y输出为低电平,W输出为高电平。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    • 1+

      ¥4.52
    • 10+

      ¥4.03
    • 30+

      ¥3.79
    • 100+

      ¥3.55
    • 500+

      ¥3.4
    • 1000+

      ¥3.33
  • 有货
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