东芝二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.58Ω (典型值)。高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

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型号：TPCA8120,L1Q(CM 编号：C5370566

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：由于采用小型薄型封装，占用空间小。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.4mΩ（典型值）(VGS = -10V)。低泄漏电流：IRSS = -10μA（最大值）(VDS = -30V)。增强模式：VDA = -0.8 至 -2.0V (VDS = -10V，ID = -1mA)。应用：锂离子二次电池电源管理开关

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型号：TC4053BF(EL,N,F) 编号：C5331541

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC4051B、TC4052B和TC4053B是具备模拟信号和数字信号选择与混合功能的多路复用器。TC4051B为8通道配置，TC4052B为4通道×2配置，TC4053B为2通道×3配置。

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型号：TK16A60W,S4VX 编号：C3011030

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.16Ω (典型值)，采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7 至 3.7V，VDS = 10V，ID = 0.79mA。应用：开关稳压器

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型号：TC74VHC595FT(EL) 编号：C39351897

封装：TSSOP-P-0044-0.65

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品是采用硅栅C2MOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器（三态）。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行。该产品包含一个8位静态移位寄存器，为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成，输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容

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型号：TC4052BF(EL,N,F) 编号：C5331540

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是多路复用器，具备选择和混合模拟信号与数字信号的能力。有不同的通道配置。控制终端的数字信号可使各通道的相应开关“导通”，大振幅 (VDD-VEE) 可由小逻辑振幅 (VDD-VSS) 的控制信号切换。例如，在 VDD = 5V、VSS = 0V 和 VEE = -5V 的情况下，-5V 至 +5V 之间的信号可由 5V 单电源逻辑电路切换。由于每个开关的导通电阻较低，可连接到低输入阻抗的电路。

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型号：TK65A10N1,S4X(S 编号：C2990814

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.0 mΩ (典型值) (VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 100V)。增强模式：VtG = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

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型号：TC74HC541AF(EL,F) 编号：C146313

封装：SOIC-20-208mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74HC540A/TC74HC541A是采用硅栅C²MOS技术制造的高速CMOS八进制总线缓冲器。它们能实现与等效LSTTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。TC74HC540A为反相类型，TC74HC541A为同相类型

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型号：TK20A60W5,S5VX 编号：C5350395

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：快速反向恢复时间：trr = 110 ns（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.15Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：VCu = 3至4.5V，VDS = 10V，ID = 1mA。应用：开关稳压器

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型号：TB6569FG,8,EL 编号：C150125

封装：HSOP-16-EP-6.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

全桥直流电机驱动IC

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型号：TPD2005F(EL,F) 编号：C386786

封装：SSOP-24-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

高侧电源开关阵列（8通道）适用于电机、电磁阀和灯驱动器TPD2005F 是一种用于垂直功率MOSFET输出的8通道高侧开关阵列。作为单片功率IC，它可以由CMOS或TTL逻辑电路（如MPU）直接驱动功率负载。它提供过流和过温保护功能。该高侧开关阵列集成了N沟道功率MOSFET（最大1.2 Ω）和8通道电荷泵。可以直接从微处理器驱动功率负载。内置过温和过流保护。8通道访问设计有助于节省空间。高工作电源电压：40 V。低导通电阻：最大1.2 Ω (VDD = 12 V, IO = 0.5 A（每通道）)。支持并行操作。低电源电流：最大5 mA (VDD = 40 V, VIN = 0 V)。采用SSOP-24封装（300 mil），带压纹带包装。

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型号：TLP7820(D4-TP4,E 编号：C2991191

封装：SO-8L

品牌：TOSHIBA(东芝)

隔离放大器用于电子电机驱动器中的电流感应。在典型应用中，电机电流流经外部电阻，产生的模拟电压降由隔离放大器感应。

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型号：TK065U65Z,RQ 编号：C5986392

封装：TOLL-8L

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.051 Ω（典型值）。具有较低电容的高速开关特性。增强模式：Vth = 3 至 4V（VDS = 10V，ID = 1.69mA）。应用：开关电源

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型号：TLP191B(TPL,U,C,F) 编号：C43686865

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：2SC4116-GR(TE85L,F 编号：C2880443

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：SSM3K324R,LF(B 编号：C29268018

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 56mΩ（最大值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 72mΩ（最大值）(@VGS = 2.5V)。 -RDS(ON) = 109mΩ（最大值）(@VGS = 1.8V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

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型号：2SA1163-GR,LF 编号：C5495906

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = -120V。出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (典型值)。高hFE：hFE = 200至700。低噪声：NF = 1dB (典型值)，10dB (最大值)。与2SC2713互补。应用：音频通用放大器应用

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型号：RN1302,LF 编号：C17321655

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻值的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2301至RN2306互补。应用：开关。逆变器电路

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￥0.5491
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型号：SSM6N7002BFE,LM 编号：C17461588

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。低导通电阻：RDS(ON) = 3.3Ω (max)(VGS = 4.5V)。低导通电阻：RDS(ON) = 2.6Ω (max)(VGS = 5V)。低导通电阻：RDS(ON) = 2.1Ω (max)(VGS = 10V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

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￥0.5609
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型号：RN4903,LF(CT 编号：C7421326

封装：SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。采用US6封装（超小型6引脚），包含两个器件。集成偏置电阻，减少所需外部部件数量，可减小系统尺寸和组装时间。应用：开关。逆变器电路

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￥0.6149
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型号：RN2903,LXGF 编号：C23066030

封装：US6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。小封装（双类型）。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN1901至RN1906互补。应用：开关。逆变器电路

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￥0.629
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￥0.545
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￥0.509
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型号：SSM6N44FE,LM 编号：C5274704

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：紧凑型封装，适合高密度安装。低导通电阻：RDS(ON) = 4.0Ω 最大 (VGS = 4V)；RDS(ON) = 7.0Ω 最大 (VGS = 2.5V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

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￥0.7378
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￥0.5218
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￥0.4678
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￥0.4066
4000+
￥0.385

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型号：TC7SZ08FU(TE85L,JF 编号：C23541264

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

2-输入与门

5+
￥0.7582
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￥0.5902
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￥0.5062
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￥0.4432

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型号：TPN6R303NC,LQ(S 编号：C396051

封装：TSON-8(3.1x3.1)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小而薄的封装。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.2mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IRSS = 10μA（最大值）(VDS = 30V)。增强模式：VDA = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V, ID = 0.2mA)。应用：锂离子二次电池电源管理开关

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￥0.7313
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型号：2SA1362-GR,LF 编号：C258011

封装：TO-236-MOD

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于低频功率放大器应用和功率开关应用。

数据手册

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￥0.9429
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￥0.7377
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￥0.6497
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￥0.54

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型号：TC4S584F,LF 编号：C4153812

封装：SOT-25-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款在输入端具有施密特触发功能的单电路反相器。由于输入波形上升沿和下降沿的电路阈值电压不同 (VP、VN)，除了普通反相器功能外，还可用于广泛的应用领域。

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￥0.9496
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￥0.6725
500+
￥0.6032

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型号：TC7WZ34FU,LJ(CT 编号：C7421353

封装：SOT-505

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：宽工作温度范围：Topr = -40 至 125℃。高输出电流：在 VCC = 3.0V 时为 ±24mA（最小值）。超高速运行：在 VCC = 5.0V、CL = 50pF 时，tpd = 2.4ns（典型值）。工作电压范围：VCC = 1.65 至 5.5V。 5.5V 容限输入。 5.5V 掉电保护输出。在 3.3VVCC 下运行时，性能与 TC74LCX 系列相匹配

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￥1.0607
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￥0.8957
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￥0.834
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￥0.7115
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￥0.695

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型号：TC7WZ126FK,LXGJ(CT 编号：C7421351

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

双总线缓冲器，具有三态输出

5+
￥1.1405
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￥0.9872
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￥0.9215
500+
￥0.8395

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型号：TC7WH14FU,LXGJ(CT 编号：C7421350

封装：SM8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：宽工作温度范围：Topr = -40 至 125℃。高速运行：tsp = 5.5 ns（典型值）(VCC = 5.0 V, CL = 15 pF)。低功耗：ICC = 2.0 μA（最大值）(Ta = 25℃)。高抗噪性：VNI H = VNI L = 28%VCC（最小值）。 5.5V 耐受输入。平衡传播延迟：tPLH = tPHL。宽工作电压范围：VCC = 2.0 至 5.5V。引脚分配和功能与 TC7w14 相同

5+
￥1.1943
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￥1.0368
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￥0.9693
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￥0.885

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型号：TC7WZ14FU,LJ(CT 编号：C7421352

封装：SOT-505

品牌：TOSHIBA(东芝)

三态施密特反相器

5+
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￥1.1852
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￥1.1069
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