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首页 > 热门关键词 > 东芝二极管
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      ¥0.1361
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  • 应用:ESD保护
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      ¥0.1677
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  • 2-输入与门
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      ¥0.3998
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      ¥0.3126
    • 300+

      ¥0.269
  • 有货
  • 特性:1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235 mΩ (max) (VGS = 4.5 V)。 -RDS(ON) = 300 mΩ (max) (VGS = 2.5 V)。 -RDS(ON) = 480 mΩ (max) (VGS = 1.8 V)。 -RDS(ON) = 840 mΩ (max) (VGS = 1.5 V)。应用:高速开关
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    • 5+

      ¥0.409392 ¥0.5686
    • 50+

      ¥0.362664 ¥0.5037
    • 150+

      ¥0.339264 ¥0.4712
    • 500+

      ¥0.321696 ¥0.4468
    • 2500+

      ¥0.307728 ¥0.4274
    • 5000+

      ¥0.300672 ¥0.4176
  • 有货
  • 非反相器(开漏)
    • 10+

      ¥0.4203
    • 100+

      ¥0.3243
    • 300+

      ¥0.2763
    • 3000+

      ¥0.2403
    • 6000+

      ¥0.2115
    • 9000+

      ¥0.197
  • 有货
  • 带三态输出的总线缓冲器。
    • 10+

      ¥0.4383
    • 100+

      ¥0.3423
    • 300+

      ¥0.2943
  • 有货
  • 特性:高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻:Rₒₙ = 1.52Ω (最大值) (VGS = 1.5V)。Rₒₙ = 1.14Ω (最大值) (VGS = 1.8V)。Rₒₙ = 0.85Ω (最大值) (VGS = 2.5V)。Rₒₙ = 0.66Ω (最大值) (VGS = 4.5V)。Rₒₙ = 0.63Ω (最大值) (VGS = 5.0V)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4403
    • 100+

      ¥0.3443
    • 300+

      ¥0.2963
    • 1000+

      ¥0.2603
    • 5000+

      ¥0.2315
  • 有货
  • 特性:2.5V驱动,低导通电阻:RDS(ON) = 3.6Ω (最大值)(@ VGS = 4V),RDS(ON) = 6.0Ω (最大值)(@ VGS = 2.5V)
    • 10+

      ¥0.4559
    • 100+

      ¥0.3647
    • 300+

      ¥0.3191
    • 1000+

      ¥0.2849
    • 5000+

      ¥0.2575
    • 8000+

      ¥0.2439
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = -120V。 出色的hFE线性度:hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (典型值)。 高hFE:hFE = 200至700。 低噪声:NF = 1dB (典型值),10dB (最大值)。 与2SC2713互补。应用:音频通用放大器应用
    • 5+

      ¥0.4654
    • 50+

      ¥0.3646
    • 150+

      ¥0.3142
    • 500+

      ¥0.2764
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。高电压:VCEO = -120V。出色的hFE线性度:hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95(典型值)。高hFE:200至700。低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。与2SC2713互补。应用:音频通用放大器应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4904
    • 50+

      ¥0.3823
    • 150+

      ¥0.3282
    • 500+

      ¥0.2877
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高发射极-基极电压:VEBO = 25 V。 高反向hFE。 反向hFE = 150(典型值)(VCE = -2V, IC = -4mA)。 低导通电阻:RON = 1 Ω(典型值)(IB = 5mA)。 高直流电流增益:hFE = 200至1200。应用:静音和开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5873
    • 50+

      ¥0.4601
    • 150+

      ¥0.3965
    • 500+

      ¥0.3488
  • 有货
  • 特性:4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 145 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V);RDS(ON) = 107 mΩ (max) (@VGS = 10 V)。应用:负载开关。 超高速开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6529
    • 50+

      ¥0.5089
    • 150+

      ¥0.4369
    • 500+

      ¥0.3829
    • 3000+

      ¥0.3397
    • 6000+

      ¥0.318
  • 有货
  • 特性:宽工作温度范围:Topr = -40 至 125℃。 高输出电流:在 VCC = 3.0V 时为 ±8.0mA(最小值)。 超高速运行:在 VCC = 3.3V、CL = 15pF 时,tpd = 2.5ns(典型值)。 工作电压范围:VCC = 0.9 至 3.6V。 3.6V 耐受输入。 3.6V 掉电保护输出
    • 5+

      ¥0.6558
    • 50+

      ¥0.5676
    • 150+

      ¥0.5298
    • 500+

      ¥0.4827
  • 有货
  • 特性:1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 150 mΩ(最大值)(@VGS = -1.5V)。RDS(ON) = 100 mΩ(最大值)(@VGS = -1.8V)。RDS(ON) = 75 mΩ(最大值)(@VGS = -2.5V)。RDS(ON) = 55 mΩ(最大值)(@VGS = -4.5V)。应用:电源管理开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6616
    • 50+

      ¥0.5721
    • 150+

      ¥0.5337
    • 500+

      ¥0.427592 ¥0.4859
    • 3000+

      ¥0.408848 ¥0.4646
    • 6000+

      ¥0.397584 ¥0.4518
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 小封装(双类型)。 高电压:VCEO = 50V。 高集电极电流:IC = 150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 120至400。 出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。应用:低频放大器
    • 5+

      ¥0.6718
    • 50+

      ¥0.5374
    • 150+

      ¥0.4702
    • 500+

      ¥0.4198
  • 有货
  • 74VHC00FT 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 二输入与非门。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗特性。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7687
    • 50+

      ¥0.6007
    • 150+

      ¥0.5167
    • 500+

      ¥0.4537
  • 有货
  • 四 2 输入与门。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 2 输入与门。在保持 CMOS 低功耗的同时,实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行。内部电路由包括缓冲输出的 4 级组成,具有高抗噪性和稳定输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入引脚可施加 0 至 5.5V 的电压。该器件可用于 5V 至 3V 系统以及电池备份等双电源系统的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。
    • 5+

      ¥0.8562
    • 50+

      ¥0.6882
    • 150+

      ¥0.6042
    • 500+

      ¥0.5412
  • 有货
  • 74VHC245FT是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它能实现与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。
    • 5+

      ¥1.0535
    • 50+

      ¥0.9275
    • 150+

      ¥0.8735
    • 500+

      ¥0.8061
    • 2500+

      ¥0.7761
    • 5000+

      ¥0.7581
  • 有货
  • 四2输入或门 74VHCT32AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入或门。
    • 5+

      ¥1.0535
    • 50+

      ¥0.9275
    • 150+

      ¥0.8735
    • 500+

      ¥0.8061
  • 有货
  • 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 C²MOS 施密特触发器。它在保持 C²MOS 低功耗的同时,实现了与等效 LSTTL 相似的高速运行。引脚配置和功能与 TC7SU04F 相同,但输入具有 25% VCC 的滞后特性,凭借其施密特触发功能,可作为接收缓慢输入信号的线路接收器。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路,输出电流是 TC74HC 系列型号的 1/2。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0596
    • 50+

      ¥0.9336
    • 150+

      ¥0.8796
    • 500+

      ¥0.8122
  • 有货
  • TC4069UB六反相器 TC4069UB包含六个反相器电路。由于内部电路由单级反相器组成,因此除用作反相器外,它还适用于CR振荡器电路、晶体振荡器电路和线性放大器等应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0774
    • 50+

      ¥0.945
    • 150+

      ¥0.8883
    • 500+

      ¥0.8175
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格(请参阅可订购的零件编号列表)。 4.0V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 71mΩ(最大值)(@VGS =-10V);RDS(ON) = 105mΩ(最大值)(@VGS =-4.5V);RDS(ON) = 136mΩ(最大值)(@VGS =-4.0V)。应用:电源管理开关
    • 5+

      ¥1.099
    • 50+

      ¥0.8725
    • 150+

      ¥0.7754
    • 500+

      ¥0.6543
  • 有货
  • 特性:高速:fMAX = 170 MHz(典型值),VCC = 5V。低功耗:ICC = 2 μA(最大值),TA = 25℃。高抗噪性:VNI N = VNHL = 28%VCC(最小值)。5.5V 耐受输入。平衡传播延迟:tLH ≃ tPHL。宽工作电压范围:VCC = 2 至 5.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1284
    • 50+

      ¥0.8769
    • 150+

      ¥0.7692
    • 500+

      ¥0.6347
  • 有货
  • 带预置和清除的D型触发器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1408
    • 50+

      ¥0.8888
    • 150+

      ¥0.7808
    • 500+

      ¥0.6461
  • 有货
  • 是一款采用硅栅C²MOS技术制造的高速C5MOS缓冲器。内部电路由包括缓冲输出在内的三级组成,可实现高抗噪性和稳定输出。所有输入均配备防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2264
    • 50+

      ¥1.0626
    • 150+

      ¥0.9924
    • 500+

      ¥0.9048
  • 有货
  • 双单稳态多谐振荡器 74VHC123AFT:可重触发;74VHC221AFT:不可重触发。74VHC123A/221AFT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速 CMOS 单稳态多谐振荡器。
    • 5+

      ¥1.3209
    • 50+

      ¥1.0226
    • 150+

      ¥0.8947
    • 500+

      ¥0.7352
  • 有货
  • 8位带输出寄存器的移位寄存器。采用硅栅CMOS技术制造的高速8位带输出寄存器的移位寄存器,能实现类似于等效LSTTL的高速操作,同时保持CMOS的低功耗。包含一个8位静态移位寄存器,该寄存器为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成。输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容。由于RCK和SCK信号相互独立,因此在移位操作期间并行输出可以保持稳定。并且在移位寄存器和存储寄存器上都提供了直接覆盖清除(SCLR和RCLR)功能。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    • 5+

      ¥1.3806
    • 50+

      ¥1.1927
    • 150+

      ¥1.1121
    • 500+

      ¥1.0116
  • 有货
  • TC4069UB六反相器 TC4069UB包含六个反相器电路。由于内部电路由单级反相器组成,因此除用作反相器外,它还适用于CR振荡器电路、晶体振荡器电路和线性放大器等应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4509
    • 50+

      ¥1.2746
    • 150+

      ¥1.199
    • 500+

      ¥1.1047
  • 有货
  • 特性:高电压:VCEO = 120V。 高过渡频率:fr = 120MHz(典型值)。 小型扁平封装。 PC = 1.0 至 2.0W(安装在陶瓷基板上)。 与2SA1201互补。应用:电压放大器应用。 功率放大器应用
    • 5+

      ¥1.4671
    • 50+

      ¥1.1647
    • 150+

      ¥1.0351
    • 1000+

      ¥0.8734
  • 有货
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