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首页 > 热门关键词 > 东芝二极管
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特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.0Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 3.0S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 600V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
  • 1+

    ¥2.36
  • 10+

    ¥2.08
  • 50+

    ¥1.94
  • 100+

    ¥1.8
  • 500+

    ¥1.72
  • 1000+

    ¥1.68
  • 有货
  • TLP265J 由一个非零交叉光三端双向可控硅开关元件组成,并通过光耦合器连接到一个红外 LED。TLP265J 采用SO6 封装,保证爬电距离最小为 5.0 毫米,电气间隙最小为 5.0 毫米,绝缘厚度最小为 0.4 毫米。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.8911 ¥4.19
    • 10+

      ¥2.2066 ¥3.74
    • 30+

      ¥1.7248 ¥3.52
    • 100+

      ¥1.617 ¥3.3
    • 500+

      ¥1.5533 ¥3.17
    • 1000+

      ¥1.519 ¥3.1
  • 有货
  • TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成,采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压(5000 Vrms)和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。与标准DIP封装相比,TLP383的封装小巧轻薄,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    • 1+

      ¥3.27
    • 10+

      ¥2.53
    • 30+

      ¥2.22
    • 100+

      ¥1.83
    • 500+

      ¥1.65
    • 1000+

      ¥1.55
  • 有货
  • 是先进的高速CMOS八进制总线收发器,采用硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造。能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗。用于数据总线之间的双向异步通信,数据传输方向由DIR输入电平决定。使能输入 (G(overline)) 可用于禁用设备,使总线有效隔离。所有输入均配备防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.35
    • 10+

      ¥2.99
    • 30+

      ¥2.81
    • 100+

      ¥2.63
    • 500+

      ¥2.52
    • 1000+

      ¥2.47
  • 有货
  • 特性:最适合用于 TTL/CMOS 电源。 无需外部零件。 内置过热保护。 内置过流保护。 最大输出电流为 150 mA(结温 = 25℃)。 采用 PW-mini(SOT-89)封装
    数据手册
    • 1+

      ¥3.44
    • 10+

      ¥2.74
    • 30+

      ¥2.39
    • 100+

      ¥1.7748 ¥2.04
    • 500+

      ¥1.5921 ¥1.83
    • 1000+

      ¥1.4964 ¥1.72
  • 有货
  • 特性:小型、薄型封装。 高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 9.4 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 11.3 mΩ(典型值) (V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_HSS = 10 μA(最大值) (V_DS = 100 V)。 增强模式:V_th = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥3.63
    • 10+

      ¥2.9
    • 30+

      ¥2.53
    • 100+

      ¥2.16
    • 500+

      ¥1.95
    • 1000+

      ¥1.83
  • 有货
    • 1+

      ¥3.81
    • 10+

      ¥2.8
    • 30+

      ¥2.36
    • 100+

      ¥1.82
    • 500+

      ¥1.58
    • 1000+

      ¥1.43
  • 有货
  • TC74HCT7007A 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 CMOS 缓冲器。它在保持 CMOS 低功耗的同时,能实现与等效 LSTTL 类似的高速运行。该器件可用作电平转换器,用于 TTL 或 NMOS 与高速 CMOS 的接口连接
    • 1+

      ¥3.81
    • 10+

      ¥3.36
    • 30+

      ¥3.13
    • 100+

      ¥2.91
    • 500+

      ¥2.77
    • 1000+

      ¥2.7
  • 有货
    • 1+

      ¥3.98
    • 10+

      ¥3.23
    • 30+

      ¥2.86
    • 100+

      ¥2.48
    • 500+

      ¥2.26
    • 1000+

      ¥2.15
  • 有货
  • 新产品,超小体积,ULN2803升级品,场效应管作输出管,管压降更低,芯片发热更少,驱动性能更佳。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.24
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.51
    • 500+

      ¥2.26
  • 有货
  • N沟道,600V,9.7A,0.38Ω@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.6269 ¥8.73
    • 10+

      ¥3.4615 ¥8.05
    • 30+

      ¥2.5146 ¥7.62
    • 100+

      ¥2.3694 ¥7.18
    • 500+

      ¥2.3034 ¥6.98
    • 1000+

      ¥2.277 ¥6.9
  • 有货
  • TC74VHC595是一款采用硅栅C²MOS技术制造的先进高速8位移位寄存器/锁存器。它在保持CMOS低功耗的同时,能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。TC74VHC595包含一个8位静态移位寄存器,该寄存器为一个8位存储寄存器提供数据
    数据手册
    • 1+

      ¥4.98
    • 10+

      ¥3.99
    • 30+

      ¥3.49
    • 100+

      ¥3
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      ¥2.56
    • 1000+

      ¥2.41
  • 有货
    • 1+

      ¥5.71
    • 10+

      ¥4.59
    • 50+

      ¥3.87
    • 100+

      ¥3.31
    • 500+

      ¥2.98
    • 1000+

      ¥2.8
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 18 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 77 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.3 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 80 V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.07
    • 10+

      ¥5.45
    • 30+

      ¥5.11
    • 100+

      ¥4.73
    • 500+

      ¥4.56
    • 1000+

      ¥4.49
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:使用超级结结构DTMOS,RDS(ON) = 0.43Ω(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强模式:VtA = 3至4V,VDS = 10V,ID = 0.24mA。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥7.97
    • 10+

      ¥6.6
    • 30+

      ¥5.85
    • 100+

      ¥5
    • 500+

      ¥4.62
    • 1000+

      ¥4.45
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 23 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 85.4 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.65 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)。 增强模式:Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥8.08
    • 10+

      ¥7.36
    • 30+

      ¥6.92
    • 100+

      ¥6.46
    • 500+

      ¥6.25
    • 1000+

      ¥6.16
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.23Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:VtA = 3至4V(VDS = 10V,ID = 0.45mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.9096 ¥10.36
    • 10+

      ¥7.258 ¥9.55
    • 30+

      ¥5.9664 ¥9.04
    • 100+

      ¥5.6232 ¥8.52
    • 500+

      ¥5.4648 ¥8.28
    • 1000+

      ¥5.3988 ¥8.18
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 21 nC(典型值)。 小输出电荷:Q_SS = 56 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 0.85 mΩ(典型值)(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_HSS = 10 μA(最大值)(V_DS = 40 V)。 增强模式:V_th = 2.0 至 3.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.5 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥10.68
    • 10+

      ¥8.98
    • 30+

      ¥7.92
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.073Ω(典型值),采用超级结结构:DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.7 至 3.7V,VDS = 10V,ID = 1.5mA。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥12.0197 ¥15.61
    • 10+

      ¥11.0803 ¥14.39
    • 50+

      ¥10.4874 ¥13.62
    • 100+

      ¥9.8868 ¥12.84
    • 500+

      ¥9.6096 ¥12.48
    • 1000+

      ¥9.4941 ¥12.33
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.073Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.7至3.7V,VDS = 10V,ID = 1.5mA。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥13.61
    • 10+

      ¥12.45
    • 50+

      ¥11.18
    • 100+

      ¥10.44
    • 500+

      ¥10.1
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.0 Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 7.0 S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 100 μA(最大值)(VDS = 720 V)。 增强型模式:Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥14.76
    • 10+

      ¥12.65
    • 25+

      ¥11.33
    • 100+

      ¥9.98
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101认证。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.4 mΩ(典型值)。 低漏电流:IDSS = -10 μA(最大值)(VDS = -40V)。 增强模式:VDM = -1.0 至 -2.0V (VDS = -10V, ID = -1mA)。应用:汽车。 电机驱动器
    • 1+

      ¥15.34
    • 10+

      ¥12.83
    • 30+

      ¥11.26
    • 100+

      ¥9.65
  • 有货
  • TCB001HQ 是一款用于汽车音响应用的四通道 BTL 功率放大器。该集成电路具有纯互补 P 沟道和 N 沟道 DMOS 输出级,最大输出功率(POUT MAX)可达 45W。它包含一个待机开关、静音功能和多种保护特性。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.93
    • 10+

      ¥13.52
    • 30+

      ¥12.01
    • 100+

      ¥10.47
  • 有货
  • 特性:1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 235 mΩ(最大值)(@VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 300 mΩ(最大值)(@VGS = 2.5V)。RDS(ON) = 480 mΩ(最大值)(@VGS = 1.8V)。RDS(ON) = 840 mΩ(最大值)(@VGS = 1.5V)。应用:高速开关
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.1484 / 个
    特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN2301至RN2306互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 10+

      ¥0.3295
    • 100+

      ¥0.2575
    • 300+

      ¥0.2215
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101认证。 高电压:VCEO = -50V。 高集电极电流:IC = -150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 70至400。 出色的hFE线性度:hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95(典型值)。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。应用:低频放大器。 音频通用放大器应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3355
    • 100+

      ¥0.2683
    • 300+

      ¥0.2347
  • 有货
  • 总线缓冲器,具有三态输出
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3887
    • 100+

      ¥0.3109
    • 300+

      ¥0.2721
  • 有货
  • 特性:1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235 mΩ (max) (VGS = 4.5 V)。 -RDS(ON) = 300 mΩ (max) (VGS = 2.5 V)。 -RDS(ON) = 480 mΩ (max) (VGS = 1.8 V)。 -RDS(ON) = 840 mΩ (max) (VGS = 1.5 V)。应用:高速开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.409392 ¥0.5686
    • 50+

      ¥0.362664 ¥0.5037
    • 150+

      ¥0.339264 ¥0.4712
    • 500+

      ¥0.321696 ¥0.4468
    • 2500+

      ¥0.307728 ¥0.4274
    • 5000+

      ¥0.300672 ¥0.4176
  • 有货
  • 特性:适合高密度安装,封装紧凑。 高漏源电压。 高速开关。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.418209 ¥0.6061
    • 50+

      ¥0.279837 ¥0.4743
    • 150+

      ¥0.200067 ¥0.4083
    • 500+

      ¥0.175861 ¥0.3589
    • 3000+

      ¥0.156457 ¥0.3193
    • 6000+

      ¥0.146755 ¥0.2995
  • 有货
  • 特性:1.2V驱动低导通电阻:Ron = 20Ω(最大值)(VGS = 1.2V);Ron = 8Ω(最大值)(VGS = 1.5V);Ron = 4Ω(最大值)(VGS = 2.5V);Ron = 3Ω(最大值)(VGS = 4.0V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 10+

      ¥0.4353
    • 100+

      ¥0.3393
    • 300+

      ¥0.2913
    • 1000+

      ¥0.2553
  • 有货
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