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首页 > 热门关键词 > 东芝二极管
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特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.8 mΩ(典型值)(VGS = 10V)。 低漏电流:IDD = 10 μA(最大值)(VDS = 30V)。 增强模式:VHA = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V,ID = 0.5mA)。应用:电源管理开关
数据手册
  • 1+

    ¥2.63
  • 10+

    ¥2.05
  • 30+

    ¥1.8
  • 100+

    ¥1.49
  • 500+

    ¥1.35
  • 1000+

    ¥1.27
  • 有货
    • 1+

      ¥2.7
    • 10+

      ¥2.39
    • 30+

      ¥2.24
    • 100+

      ¥2.09
    • 500+

      ¥2
    • 1000+

      ¥1.95
  • 有货
  • 特性:高集电极电压:VCEO = -160V (min)。 与TTC004B互补。 小集电极输出电容:Cob = 17 pF (typ.)。 高过渡频率:fT = 100 MHz (typ.)。应用:音频放大器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.85
    • 10+

      ¥2.27
    • 30+

      ¥2.03
    • 250+

      ¥1.5
    • 500+

      ¥1.36
    • 1000+

      ¥1.28
  • 有货
  • 是多路复用器,具备选择和混合模拟信号与数字信号的能力。有8通道配置、4通道×2配置和2通道×3配置。控制端子的数字信号可使各通道对应的开关“导通”,大振幅(VDD-VEE)可由小逻辑振幅(VDD-VSS)的控制信号进行切换。例如,在VDD = 5V、VSS = 0V和VEE = -5V的情况下,可通过5V单电源逻辑电路切换 -5V至 +5V之间的信号。由于每个开关的导通电阻较低,可连接到低输入阻抗的电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.89
    • 10+

      ¥2.56
    • 30+

      ¥2.4
    • 100+

      ¥2.13
    • 500+

      ¥2.03
    • 1000+

      ¥1.98
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.35Ω(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 640V)。 增强模式:VtA = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.6 mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.91
    • 10+

      ¥2.56
    • 30+

      ¥2.39
    • 100+

      ¥2.21
    • 500+

      ¥2.11
    • 1000+

      ¥2.05
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 2.6 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 50 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IRSS = 10 μA(最大值)(VDS = 150 V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。应用:高效DC-DC转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥3.62
    • 10+

      ¥3.19
    • 30+

      ¥2.97
    • 100+

      ¥2.76
    • 500+

      ¥2.63
    • 1000+

      ¥2.56
  • 有货
  • 是2输入正逻辑与非门。由于这些门的所有输出均设有反相器作为缓冲器,因此改善了输入/输出特性,并将因负载电容增加而导致的传播延迟时间变化降至最低。
    • 1+

      ¥3.82
    • 10+

      ¥3.04
    • 30+

      ¥2.65
    • 100+

      ¥2.27
    • 500+

      ¥2.04
    • 1000+

      ¥1.92
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 22 nC(典型值)。 小输出电荷:Q_SS = 79 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 3.7 mΩ(典型值)(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_HSS = 10 μA(最大值)(V_DS = 100 V)。 增强模式:V_th = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥3.83
    • 10+

      ¥3.38
    • 30+

      ¥3.16
    • 100+

      ¥2.93
    • 500+

      ¥2.8
    • 1000+

      ¥2.73
  • 有货
  • TLP291 - 4光电耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于其在较宽的工作温度范围(-55至110°C)内性能有保障,因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    数据手册
    • 1+

      ¥3.86
    • 10+

      ¥3.12
    • 30+

      ¥2.75
    • 100+

      ¥2.21
    • 500+

      ¥2
    • 1000+

      ¥1.88
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.43Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:VHA = 3至4V(VDS = 10V,ID = 0.24mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥4.37
    • 10+

      ¥3.91
    • 50+

      ¥3.68
    • 100+

      ¥2.6565 ¥3.45
    • 500+

      ¥2.5564 ¥3.32
    • 1000+

      ¥2.5025 ¥3.25
  • 有货
  • 六施密特反相器 TC74AC14F 是一款采用硅栅和双层金属布线 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 施密特反相器。
    • 1+

      ¥4.53
    • 10+

      ¥3.63
    • 30+

      ¥3.17
    • 100+

      ¥2.72
    • 500+

      ¥2.45
    • 1000+

      ¥2.31
  • 有货
  • N沟道,60V,17A,11.4mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.82
    • 10+

      ¥3.87
    • 30+

      ¥3.4
    • 100+

      ¥2.94
    • 500+

      ¥2.66
    • 1000+

      ¥2.51
  • 有货
  • 由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成,采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%,满足国际安全标准的加强绝缘等级要求,因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出,可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.47
    • 10+

      ¥4.35
    • 30+

      ¥3.8
    • 100+

      ¥3.24
    • 500+

      ¥2.91
    • 1500+

      ¥2.74
  • 有货
  • 是一款采用硅栅C²MOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它在保持CMOS低功耗的同时,实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。引脚配置和功能与TC74VHC04相同,但输入具有迟滞特性,凭借其施密特触发器功能,可作为接收缓慢输入信号的线路接收器。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入引脚可承受0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统(如备用电池)的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.56
    • 10+

      ¥4.43
    • 30+

      ¥3.86
    • 100+

      ¥3.3
    • 500+

      ¥2.96
    • 1000+

      ¥2.79
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.9Ω (典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 640V)。 增强模式:VTH = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥6.11
    • 10+

      ¥5
    • 30+

      ¥4.39
    • 100+

      ¥3.71
    • 500+

      ¥3.4
    • 1000+

      ¥3.26
  • 有货
  • 特性:7 个电路内置。 高电压:VOUT = 50V(最大值)。 高电流:IOUT = 300mA/ch(最大值)。 输入电压(输出开启):TBD62502A 系列 14V(最小值),TBD62503A 系列 2.5V(最小值)。 输入电压(输出关闭):TBD62502A 系列 7.0V(最大值),TBD62503A 系列 0.6V(最大值)。 封装:PG 型 DIP16-P-300-2.54A;FG 型 SOP16-P-225-1.27;FNG 型 SSOP16-P-225-0.65B;FWG 型 P-SOP16-0410-1.27-002
    • 1+

      ¥7.43
    • 10+

      ¥6.04
    • 30+

      ¥5.28
    • 100+

      ¥4.42
    • 500+

      ¥4.04
    • 1000+

      ¥3.86
  • 有货
  • TLP241A和TLP241AF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms,适用于需要加强绝缘的应用
    数据手册
    • 1+

      ¥8.95
    • 10+

      ¥7.44
    • 30+

      ¥6.61
    • 100+

      ¥5.67
    • 500+

      ¥4.77
  • 有货
  • 适用于功率放大器应用,适用于70W高保真音频放大器的输出级。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.13
    • 10+

      ¥7.97
    • 25+

      ¥6.77
    • 100+

      ¥6.05
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.7Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|γfs| = 2.6S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 100μA(最大值)(VDS = 720V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关稳压器应用
    • 1+

      ¥10.21
    • 10+

      ¥8.48
    • 50+

      ¥7.53
    • 100+

      ¥6.46
    • 500+

      ¥5.98
    • 1000+

      ¥5.77
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 8.2 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 24 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 200 V)。 增强模式:VDA = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥10.6
    • 10+

      ¥8.94
    • 30+

      ¥7.9
    • 100+

      ¥6.83
    • 500+

      ¥6.35
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.35mΩ(典型值)(VGS = -4.5V)。 低泄漏电流:IRSS = -10μA(最大值)(VDS = -20V)。 增强模式:VDA = -0.5 至 -1.2V (VDS = -10V, ID = -1.0 mA)。应用:锂离子二次电池电源管理开关
    数据手册
    • 1+

      ¥11.08
    • 10+

      ¥9.3
    • 30+

      ¥8.19
    • 100+

      ¥7.04
    • 500+

      ¥6.53
    • 1000+

      ¥6.3
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 22 nC(典型值)。 小输出电荷:Q_SS = 67 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 1 mΩ(典型值)(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_HSS = 10 μA(最大值)(V_DS = 45 V)。 增强模式:V_th = 1.4 至 2.4 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.5 mA)。应用:高效DC-DC转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥11.2
    • 10+

      ¥9.41
    • 30+

      ¥8.29
    • 100+

      ¥7.15
    • 500+

      ¥6.63
    • 1000+

      ¥6.41
  • 有货
    • 1+

      ¥19.59
    • 10+

      ¥16.91
    • 30+

      ¥15.31
    • 100+

      ¥13.7
    • 500+

      ¥12.96
  • 有货
    • 10+

      ¥0.2126
    • 100+

      ¥0.1851
    • 300+

      ¥0.1713
    • 1000+

      ¥0.161
    • 5000+

      ¥0.1527
    • 10000+

      ¥0.1486
  • 有货
    • 20+

      ¥0.2425
    • 200+

      ¥0.1911
    • 600+

      ¥0.1625
    • 3000+

      ¥0.1454
  • 有货
  • 适用于通用放大器应用,具有高电压和高电流特性,hFE线性度出色,hFE值高。
    • 5+

      ¥0.3399
    • 50+

      ¥0.2959
    • 150+

      ¥0.2739
    • 500+

      ¥0.2574
    • 2500+

      ¥0.2442
    • 5000+

      ¥0.2376
  • 有货
  • 特性:高电压:VCEO = 120V。出色的hFE线性度:hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95(典型值)。高hFE:hFE = 200至700。低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。与2SA1163互补。小封装
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3658
    • 100+

      ¥0.2865
    • 300+

      ¥0.2469
    • 3000+

      ¥0.2172
    • 6000+

      ¥0.1935
  • 有货
    • 10+

      ¥0.3844
    • 100+

      ¥0.3076
    • 300+

      ¥0.2692
    • 1000+

      ¥0.2404
    • 5000+

      ¥0.2173
    • 10000+

      ¥0.2058
  • 有货
  • 适用于音频频率低功率放大器应用、驱动级放大器应用和开关应用,具有出色的hFE线性度。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4512
    • 50+

      ¥0.346
    • 150+

      ¥0.2935
    • 500+

      ¥0.2541
    • 3000+

      ¥0.205
    • 6000+

      ¥0.1892
  • 有货
  • 磁性传感器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4718
    • 50+

      ¥0.371
    • 150+

      ¥0.3206
    • 500+

      ¥0.2828
    • 3000+

      ¥0.2526
    • 6000+

      ¥0.2375
  • 有货
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