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首页 > 热门关键词 > 东芝二极管
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光电耦合器，红外LED与光电晶体管
型号：TLP292(E 编号：C17292085
封装：SOIC-4-4.55mm
品牌：TOSHIBA(东芝)
TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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    TC74HC4049AF(EL,F)
    型号：TC74HC4049AF(EL,F) 编号：C7421336
    封装：SOP16
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是高速CMOS六缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。能实现与等效LSTTL相似的高速运行，同时保持CMOS低功耗。TC74HC4049AF是反相缓冲器，TC74HC4050AF是非反相缓冲器，内部电路由3级（TC74HC4049AF）或2级（TC74HC4050AF）反相器组成，具有高抗噪性和稳定输出。输入保护电路与其他高速CMOS IC不同，消除了VCC侧的二极管，可实现高达15V的高电平电压到低电平电压的逻辑电平转换。适用于电池备份电路，因为可以在未由VCC偏置的IC上施加输入电压。

    • 1+

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    7通道灌电流型DMos晶体管阵列
    型号：TBD62004AFG(Z,EL) 编号：C5350392
    封装：SOP-16
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TBD62003A 系列和 TBD62004A 系列是 7 路 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的钳位二极管。
    数据手册

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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLPN137(F 编号：C99491
    封装：DIP-8
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    数据手册

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    TLP2761(D4-TP4,E(T
    型号：TLP2761(D4-TP4,E 编号：C24267845
    封装：SO-6L
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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      ￥7.45

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    4通道高电流灌电流型DMOS晶体管阵列
    型号：TBD62064AFG(Z,EL) 编号：C4153830
    封装：HSOP-16-6.4mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TBD62064A系列是四通道DMOS晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

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    TLP2662(F)
    型号：TLP2662(F) 编号：C5346751
    封装：DIP-8
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高强度GaAs红外发光二极管(LED)与高增益、高速感光芯片光耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制能力，可将抗噪性提高至±20kV/μs。
    数据手册

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    3.75kV
    型号：TLP292-4(V4-TP,E 编号：C17588085
    封装：SO-16-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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    TLP293-4(LGB,E(T
    型号：TLP293-4(LGB,E 编号：C37719608
    封装：SO-16
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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    DC 3.75kV
    型号：TLP3905(TPR,E 编号：C5798529
    封装：SOIC-4-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一款采用SO6封装的光耦合器，由一个红外LED和一个光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

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    1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压600V
    型号：TLP170J(F) 编号：C1558915
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由红外发光二极管和光电MOSFET光耦合组成，采用4引脚SOP封装。该光继电器需要1 mA的LED电流来开启，适用于需要节省电力的应用。
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    1 Form A(SPSTNO) 负载DC 负载电压100V
    型号：TLP3109(TP,F 编号：C393897
    封装：SMD-6P
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP3109光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用2.54SOP6封装。
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    ESD 5V截止 峰值浪涌电流：2.5A@8/20us
    型号：DF2B6M5CT,L3F 编号：C6601441
    封装：SOD-882
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    DF2B6M5CT是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2B6M5CT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容性能使其非常适合高速信号应用。DF2B6M5CT采用超紧凑型封装（1.0 mmx0.6 mm），可满足对占用空间要求较小的应用需求。

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    ESD 5.5V截止 峰值浪涌电流：80A@8/20us
    型号：DF2S6P2CTC,L3F 编号：C1972971
    封装：CST-2-C
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    DF2S6P2CTC是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2S6P2CTC实现了高IPP，可保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压（电源启动时）的影响。此外，DF2S6P2CTC采用超紧凑型封装（1.6 mm×0.8 mm），适用于对占用空间要求较小的应用。
    数据手册

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    ESD 5V截止 峰值浪涌电流：2.5A@8/20us
    型号：DF2B6.8M1ACT,L3F 编号：C1974534
    封装：CST-2
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    DF2B6.8M1ACT是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2B6.8M1ACT凭借低动态电阻，能为后端电路提供良好的保护。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B6.8M1ACT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用。
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    光电耦合器，红外LED和光电晶体管
    型号：TLP292(GB-TPL,E 编号：C5331600
    封装：SOIC-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.8986

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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP785(D4-GB,F 编号：C9199
    封装：DIP-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管通过光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。
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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP291(BL,SE 编号：C5121288
    封装：SO-4-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP291(SE)由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了-55°C至110°C的宽工作温度范围和3750 Vrms的高隔离电压，因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器
    数据手册

    • 1+

      ￥3.14

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      ￥2.51

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      ￥2.24
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    DC 5kV
    型号：TLP785(GRH-TP6,F) 编号：C17447197
    封装：SMD-4P
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由与红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料DIP封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000Vrms（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电表面贴装引脚成型类型。

    • 1+

      ￥5.24

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      ￥5.1

    • 30+

      ￥5.01
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    7通道灌电流型DMos晶体管阵列
    型号：TBD62004AFNG(Z,EL) 编号：C7495063
    封装：SSOP-16
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TBD62003A系列和TBD62004A系列是带有7个电路的DMOS晶体管阵列。每个输出都内置有用于切换感性负载的箝位二极管。使用时应注意热条件。特点：- 内置7个电路- 高电压：VOUT = 50 V（最大值）- 高电流：Iout = 500 mA/通道（最大值）- 输入电压（输出开启）：- TBD62003A系列：2.5 V（最小值）- TBD62004A系列：7.0 V（最小值）- 输入电压（输出关闭）：- TBD62003A系列：0.6 V（最大值）- TBD62004A系列：1.0 V（最大值）- 封装选项：- PG型 DIP16-P-300-2.54A- FG型 SOP16-P-225-1.27- FNG型 SSOP16-P-225-0.65B- FWG型 P-SOP16-0410-1.27-002重量：- DIP16-P-300-2.54A：1.11 g（典型值）- SOP16-P-225-1.27：0.16 g（典型值）- SSOP16-P-225-0.65B：0.07 g（典型值）- P-SOP16-0410-1.27-002：0.15 g（典型值）提供了引脚连接和说明，以及每个驱动器的等效电路图。指定了绝对最大额定值和工作范围，包括功率耗散和温度条件。测试电路和时序图涵盖了各种参数，如输出漏电流、输入电流和开通/关断延迟。使用IC时需要注意外部保护电路以防止过流或过压，并考虑散热设计和反电动势。

    • 1+

      ￥9.44

    • 10+

      ￥7.94

    • 30+

      ￥7
  • 有货
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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：TLP160J(TPL.U.C.F) 编号：C2762665
    封装：SMD-4P
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是小型外形耦合器，适用于表面贴装组件。由一个光控三端双向可控硅开关元件和一个红外发光二极管光耦合而成。
    数据手册

    • 1+

      ￥10.8

    • 10+

      ￥9.24

    • 30+

      ￥8.27
  • 有货
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    TVS 3.6V截止 峰值浪涌电流：2A@8/20us
    型号：DF2B5M4ASL,L3F 编号：C1849654
    封装：SMD
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    DF2B5M4ASL是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，可抵御静电和噪声。DF2B5M4ASL利用回滞特性，具备低动态电阻和出色的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B5M4ASL采用超紧凑型封装（0.62 mm×0.32 mm），满足对小尺寸有要求的应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.37

    • 10+

      ￥1.34

    • 30+

      ￥1.31
  • 有货
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    耐压:60V 电流:650mA
    型号：SSM6N357R,LF 编号：C17435978
    封装：TSOP-6F
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101 合格。 3.0V 栅极驱动电压。 内置齐纳二极管和电阻器。应用：继电器驱动器

    • 1+

      ￥2.3

    • 10+

      ￥2.25

    • 30+

      ￥2.21
  • 有货
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP108 编号：C39672
    封装：SOP-5-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器光耦合而成。采用6引脚MFSOP封装。具有图腾柱输出，能够吸收和提供电流。具有内部法拉第屏蔽，可保证±10kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有反相输出。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.82

    • 10+

      ￥4.71

    • 30+

      ￥4.64
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    TLP2361(E
    型号：TLP2361(E 编号：C6285467
    封装：SO-6,5LEAD
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，TLP2361具有内部法拉第屏蔽，可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。

    • 1+

      ￥6.67

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      ￥5.43

    • 30+

      ￥4.8
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    AC,DC 3.75kV
    型号：TLP292-4(V4LATRE 编号：C17695540
    封装：SO-16-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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    8通道灌电流型DMoS晶体管阵列
    型号：TBD62084AFNG(Z,EL) 编号：C5370570
    封装：SOP-18
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TB62083A 系列和 TB62084A 系列是 8 路 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。
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    AC,DC 3.75kV
    型号：TLP292-4(LA-TR,E 编号：C5348964
    封装：SO-16-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
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    1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V
    型号：TLP3407SRL(TP,E 编号：C1880963
    封装：VSON-4(1.5x2)
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP3407SRL光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用S-VSON4T封装。TLP3407SRL的特点是导通电阻极小，能够实现高达1 A电流的通/断切换，非常适合高速测试仪中的开关应用
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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP184(SE 编号：C17382881
    封装：SOIC-4-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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