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描述

价格(含税)

库存

操作

600V 50A

型号：GT50JR22(STA1,E,S) 编号：C17638066

封装：SC-65-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。增强模式。高速开关。 -IGBT：tf = 0.05 μs（典型值）(IC = 50A)。 -FWD：trr = 0.35 μs（典型值）(IF = 15A)。应用：电流谐振逆变器开关应用

1+
￥28.45
10+
￥27.83
25+
￥27.42

有货

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4通道高电流达林顿灌电流驱动器

型号：TD62064APG(O,J,S) 编号：C5370523

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TD62064APG/AFG 是高压、大电流达林顿驱动器，由四个 NPN 达林顿对组成。所有单元均内置箝位二极管，用于切换感性负载。应用领域包括继电器、锤击器、灯具和步进电机驱动器

数据手册

1+
￥33.71
10+
￥29.02
25+
￥26.23

有货

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TLP109(TPL,E(O

型号：TLP109(TPL,E 编号：C2931197

封装：SOIC-5-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

小型扁平耦合器，适用于表面贴装组装。由高输出功率红外 LED 与高速光电二极管晶体管芯片光耦合而成。采用 SO6 封装，保证爬电距离 ≥ 5.0 mm、电气间隙 ≥ 5.0 mm 和绝缘厚度 ≥ 0.4 mm。因此，该耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥3.66
10+
￥2.95
30+
￥2.6

有货

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光耦合器，红外LED与光控双向可控硅

型号：TLP266J(V4-TPL,E 编号：C2987243

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控双向可控硅组成，与红外发光二极管光耦合。采用SO6封装，保证爬电距离最小为5.0mm，电气间隙最小为5.0mm，绝缘厚度最小为0.4mm。因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

1+
￥9.44
10+
￥7.94
30+
￥7

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V

型号：TLP3407S(TP,E 编号：C2152160

封装：VSON-4(1.5x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

光MOSFET与红外发光二极管光耦合，采用S-VSON4封装。具有极低的导通电阻，能够实现高达1.0A电流的导通和关断切换，非常适合高速测试仪中的开关应用。

数据手册

1+
￥34.23
10+
￥29.23
30+
￥26.19
100+
￥23.64

订货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP293-4(V4-GB,E 编号：C94261

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293 - 4由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 - 4光电耦合器采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于TLP293 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

数据手册

1+
￥7.82
10+
￥6.48
50+
￥5.74

有货

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DC 3.75kV

型号：TLP3905(TPR,E 编号：C5798529

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光耦合器，由一个红外LED和一个光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

1+
￥14.54
10+
￥12.25
30+
￥10.81
100+
￥9.34
500+
￥8.67
1000+
￥8.39

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ESD 5.5V截止峰值浪涌电流：80A@8/20us

型号：DF2S6P2CTC,L3F 编号：C1972971

封装：CST-2-C

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2S6P2CTC是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2S6P2CTC实现了高IPP，可保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压（电源启动时）的影响。此外，DF2S6P2CTC采用超紧凑型封装（1.6 mm×0.8 mm），适用于对占用空间要求较小的应用。

数据手册

5+
￥0.7915
50+
￥0.7707
150+
￥0.7569
500+
￥0.7431

订货

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ESD 5V截止

型号：DF3A6.8LFU,LF 编号：C1974539

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品仅用于静电放电 (ESD) 保护，不用于任何其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑型封装上安装两个器件可减少零件数量和安装成本。低终端电容：CT = 6.0 pF（典型值）

数据手册

5+
￥0.9427
50+
￥0.7318
150+
￥0.6414
500+
￥0.5286
3000+
￥0.4783
6000+
￥0.4482

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DC 3.75kV

型号：TLX9000(TPL,F 编号：C17181710

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

迷你扁平光电耦合器适用于表面贴装组装。由一个红外发光二极管与一个光电晶体管光耦合而成。该光电耦合器可用于广泛的应用，是通用速度晶体管输出。

1+
￥21.97
10+
￥21.41
30+
￥21.03
100+
￥20.66

订货

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TLP3107(TP,F(O

型号：TLP3107(TP,F 编号：C5258924

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电 MOSFET 组成，采用 2.54SOP6 封装。低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用。

1+
￥35.34
10+
￥30.07
30+
￥26.94
100+
￥23.77
500+
￥22.31
1000+
￥21.65

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP108 编号：C39672

封装：SOP-5-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器光耦合而成。采用6引脚MFSOP封装。具有图腾柱输出，能够吸收和提供电流。具有内部法拉第屏蔽，可保证±10kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有反相输出。

数据手册

1+
￥4.44
10+
￥4.33
30+
￥4.26
100+
￥4.18

订货

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N沟道耐压:600V 电流:15A

型号：TK15A60U(S4PHI,Q) 编号：C3011029

封装：TO-220F-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：无载流子存储效应；卓越的频率和开关特性。坚固耐用，无电流集中现象。电压控制型器件，驱动功率低。易于并联连接。保证雪崩能力，可简化吸收电路。内置二极管性能改善，增强电路设计灵活性。应用：手机。笔记本电脑

数据手册

1+
￥14.51
10+
￥12.4
50+
￥11.08
100+
￥9.73
500+
￥9.12
1000+
￥8.85

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高速光耦合器

型号：TLP2767(E 编号：C6553534

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是50 Mbps高速光耦合器，采用SO6L封装。由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，在工作温度 -40℃至125℃和电源电压2.7 V至5.5 V的条件下具有高速开关性能。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，可保证±25 kV/μs的共模瞬态抗扰度。

1+
￥30.9
10+
￥26.61
30+
￥24.06
125+
￥21.48
500+
￥20.29
1000+
￥19.76

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP183(GB-TPL,E 编号：C96456

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

数据手册

5+
￥1.4637
50+
￥1.138
150+
￥0.9984
500+
￥0.8242
3000+
￥0.7466
6000+
￥0.7

订货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：TLP265J(TPL,E 编号：C146365

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP265J由一个非过零光控三端双向可控硅开关元件组成，该元件与砷化镓红外发光二极管进行光耦合。TLP265J采用SO6封装，保证爬电距离为5.0mm（最小值），电气间隙为5.0 毫米，绝缘厚度最小为 0.4 毫米。

数据手册

2000+
￥1.284
4000+
￥1.19626

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光电耦合器，红外LED和光电晶体管

型号：TLP292(GB-TPL,E 编号：C5331600

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.8986
50+
￥1.4755
150+
￥1.2942
500+
￥1.0679
2500+
￥0.9672
5000+
￥0.9067

订货

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光电耦合器，GaAs红外LED与光电IC

型号：TLP2395(TPL,E 编号：C695251

封装：SO-5-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反并联，因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级，具备拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑缓冲输出，也有反相器输出版本。

1+
￥4.14
10+
￥3.31
30+
￥2.9
100+
￥2.49
500+
￥2.25
1000+
￥2.13

订货

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AC,DC 3.75kV

型号：TLP292-4(GB-TP,E 编号：C17455879

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

100+
￥3.3
500+
￥3.08
2000+
￥3.025

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双光电耦合器数字逻辑隔离

型号：TLP2531TP1F 编号：C22454495

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一对红外发射二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装。通过分离光电二极管偏置和输出晶体管集电极的连接，减少基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。

1+
￥19.12
200+
￥7.82
500+
￥7.57

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP185(GB-TPL,SE 编号：C7240

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

与TLP185(GB-TPR,SE(T包装方式不一样，其他性能一致

数据手册

5+
￥0.7017
50+
￥0.5568
150+
￥0.4822
500+
￥0.4209
3000+
￥0.4023
6000+
￥0.3878

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP152(TPL,E 编号：C150122

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

高速光电探测器，贴片5个脚

数据手册

1+
￥3.09
10+
￥2.39
30+
￥2.05
100+
￥1.74
500+
￥1.63
1000+
￥1.58

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP2361(TPL,E 编号：C107626

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

高速光电探测器

数据手册

1+
￥3.18
10+
￥2.48
30+
￥2.14
100+
￥1.84
500+
￥1.58
1000+
￥1.53

有货

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8通道灌电流型DMoS晶体管阵列

型号：TBD62083AFWG(Z,EHZ 编号：C108880

封装：SOP-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，ULN2803升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

数据手册

1+
￥5.64
10+
￥4.74
30+
￥4.1
100+
￥3.57
500+
￥3.4
1000+
￥3.3

有货

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PWM斩波式直流有刷电机驱动器

型号：TB67H450FNG,EL 编号：C545417

封装：HSOP-8-EP

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67H450FNG是一款PWM斩波式直流有刷电机驱动器，内置一个电机输出通道。该器件采用BiCD工艺制造，额定输出电压为50 V，最大电流为3。

数据手册

1+
￥3.45
10+
￥2.87
30+
￥2.46
100+
￥2.12
500+
￥2.02
1000+
￥1.95

有货

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1A 有刷直流电机驱动芯片 5.5V

型号：TB6612FNG,C,8,EL 编号：C141517

封装：SSOP-24

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB6612FNG 是一款直流电机驱动 IC，其输出晶体管采用低导通电阻的 LD MOS 结构。两个输入信号 IN1 和 IN2 可选择四种模式之一，如正转、反转、短路制动和停止模式。

数据手册

1+
￥6.96
10+
￥6.09
30+
￥5.27
100+
￥4.56
500+
￥4.31
1000+
￥4.18

有货

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双直流电机驱动IC

型号：TB6612FNG(O,C,8,EL 编号：C88224

封装：SSOP-24-208mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

双直流电机驱动器集成电路

数据手册

1+
￥6.98
10+
￥6.11
30+
￥5.28
100+
￥4.67
500+
￥4.31
1000+
￥4.19

有货

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时钟控制双极步进电机驱动器

型号：TB67S109AFTG 编号：C92125

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TOSHIBA(东芝)

时钟控制双极性步进电机驱动器

数据手册

1+
￥8.4
10+
￥6.92
30+
￥6.11
100+
￥5.19
500+
￥4.7
1000+
￥4.52

有货

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4.5A 42V电机驱动芯片

型号：TB6600HG 编号：C66042

封装：HZIP-25-P-1mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

大功率、高细分，两相混合式步进电机驱动芯片

数据手册

1+
￥25.31
10+
￥21.54
34+
￥19.29
102+
￥17.02
493+
￥15.98
1020+
￥15.5

有货

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N沟道耐压:60V 电流:400mA

型号：T2N7002BK,LM 编号：C146372

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：ESD(HBM) 等级：2 kV。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1.05Ω（典型值）(@ VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 1.15Ω（典型值）(@ VGS = 5.0V)。 -RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）(@ VGS = 4.5V)。应用：高速开关

数据手册

50+
￥0.1072
500+
￥0.0829
3000+
￥0.0694
6000+
￥0.0613
24000+
￥0.0543
51000+
￥0.0505

有货

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70万种现货SKU

品类不断扩充中
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科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

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