东芝二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP2662(TP1,F) 编号：C5381897

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2662/TLP2662F由高强度GaAℓAs红外发光二极管（LED）与高增益、高速感光芯片光耦合组成。TLP2662/TLP2662F可保证在最高125 °C的温度下，以及2.7 V至5 V的电源电压下工作。

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型号：TLP2367(E 编号：C6285469

封装：11-4L1S

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2367是一款采用小型SO6封装的50 Mbps高速光电耦合器。TLP2367由高输出GaAlAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，可在-40°C至125°C的工作温度范围以及2.7 V至5.5 V的电源电压下实现高速开关性能。

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型号：TLP291(GR-TP,SE 编号：C5331599

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

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型号：DF2B6M4BSL,L3F 编号：C5623488

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B6M4BSL是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护电子设备天线和高速接口端口中的半导体元件免受静电和噪声影响。该产品具有超低电容特性，能够抑制天线和高速信号线中令人担忧的信号质量下降问题。此外，DF2B6M4BSL在施加静电放电时可提供较低的峰值电压，具备出色的保护性能

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￥0.9032
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型号：TLP290(GR-TP,SE 编号：C695252

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE)由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。TLP290(SE)采用非常小巧轻薄的SO4封装。由于TLP290(SE)保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C以及较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

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型号：TLP293(BL,E 编号：C435820

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由光电晶体管与红外发光二极管光耦合而成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms），且工作温度范围宽（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TLP292(TPL,E 编号：C3008596

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TLP2962(F) 编号：C146458

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。可保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。采用DIP8封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为20kV/μs。

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型号：TLP525G-2(F) 编号：C141569

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光控三端双向可控硅组成。TLP525G-2 在八引脚塑料双列直插式封装中提供两个隔离通道，而 TLP525G-4 在十六引脚塑料双列直插式封装中提供四个隔离通道。

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型号：TBD62064AFG(Z,EL) 编号：C4153830

封装：HSOP-16-6.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62064A系列是四通道DMOS晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

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型号：DF2S6M4CT,L3F(B 编号：C2847408

封装：SOD-882

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2S6M4CT是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2S6M4CT利用回滞特性，具有低动态电阻和出色的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2S6M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用。

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型号：DF2B7ACT,L3F 编号：C1976591

封装：X1-DFN1006-2

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B7ACT是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2B7ACT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B7ACT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），满足对空间要求苛刻的应用需求。

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型号：TLP2309(TPL,E 编号：C7527971

封装：SOIC-6-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。采用 SO6 封装，保证在高达 110℃ 的温度下工作，电源电压为 3.3V 和 5V。此外，由于保证爬电/电气间隙距离 ≥ 5.0mm，内部隔离厚度 ≥ 0.4mm，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级。

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型号：TLP2962F(TP4,F) 编号：C4153773

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。满足8mm的PC板间距要求。

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型号：TLP719(D4-TP,F) 编号：C393901

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs高输出发光二极管和高速探测器组成。这是一款6引脚SDIP封装产品，比8引脚DIP小50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可减少安装面积。在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽层，可有效抗共模噪声瞬变，适用于嘈杂的环境条件。

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型号：TBD62183AFNG(Z,EL) 编号：C5381639

封装：SSOP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

8 通道灌电流型 DMOS 晶体管阵列是 DMOS 晶体管阵列，具有 8 个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。使用时请注意热条件。

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型号：TLP170J(F) 编号：C1558915

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外发光二极管和光电MOSFET光耦合组成，采用4引脚SOP封装。该光继电器需要1 mA的LED电流来开启，适用于需要节省电力的应用。

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型号：DF5A6.2LJE,LM 编号：C1973668

封装：SOT-553

品牌：TOSHIBA(东芝)

本产品仅用于静电放电（ESD）防护，不用于任何其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑型封装中安装四个器件，可减少零件数量和安装成本。

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型号：TLP785(D4-GB,F 编号：C9199

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管通过光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。

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型号：TLP2703(D4-TP,E 编号：C6342363

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2703由一个高输出红外LED和一个高速光电二极管晶体管芯片耦合而成。它采用薄型SO6L封装，厚度最大为2.3 mm。

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型号：TBD62783APG 编号：C146380

封装：DIP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。

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型号：TLP2361(E 编号：C6285467

封装：SO-6,5LEAD

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，TLP2361具有内部法拉第屏蔽，可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。

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型号：TLPN137(F 编号：C99491

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：TLP627M(D4-TP5,E 编号：C17497898

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP627M是一款光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高，TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用

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型号：TLP292-4(V4-TP,E 编号：C17588085

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP292-4(4LGBTP,E 编号：C5348963

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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