东芝二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：TB67H450FNG,EL 编号：C545417

封装：HSOP-8-EP

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67H450FNG是一款PWM斩波式直流有刷电机驱动器，内置一个电机输出通道。该器件采用BiCD工艺制造，额定输出电压为50 V，最大电流为3。

数据手册

1+
￥3.77
10+
￥3.01
30+
￥2.63
100+
￥2.25
500+
￥2.02
1000+
￥1.9

有货

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型号：TB6612FNG,C,8,EL 编号：C141517

封装：SSOP-24

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB6612FNG 是一款直流电机驱动 IC，其输出晶体管采用低导通电阻的 LD MOS 结构。两个输入信号 IN1 和 IN2 可选择四种模式之一，如正转、反转、短路制动和停止模式。

数据手册

1+
￥6.83
10+
￥5.96
30+
￥5.14
100+
￥4.43
500+
￥4.18
1000+
￥4.06

有货

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型号：T2N7002BK,LM 编号：C146372

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：ESD(HBM) 等级：2 kV。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1.05Ω（典型值）(@ VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 1.15Ω（典型值）(@ VGS = 5.0V)。 -RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）(@ VGS = 4.5V)。应用：高速开关

数据手册

50+
￥0.1072
500+
￥0.0829
3000+
￥0.0694
6000+
￥0.0613
24000+
￥0.0543
51000+
￥0.0505

有货

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型号：74HC595D(BJ) 编号：C431479

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

8- 位移位寄存器/锁存器（三态）。采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速 8 位移位寄存器/锁存器，能实现与等效 LSTTL 类似的高速操作，同时保持 CMOS 的低功耗特性。包含一个 8 位移位寄存器，为一个 8 位存储寄存器提供数据。移位操作在 SCK 输入的上升沿完成，输出寄存器在 RCK 输入的上升沿加载移位寄存器的内容。由于 RCK 和 SCK 信号相互独立，在移位操作期间并行输出可以保持稳定。并且，由于并行输出是三态的，它可以直接连接到 8 位总线。该寄存器可用于串并转换、数据接收器等。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

数据手册

5+
￥1.0987
50+
￥0.876
150+
￥0.7805
500+
￥0.6614
2500+
￥0.5919
5000+
￥0.56

有货

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型号：TK7A90E,S4X(S 编号：C5331584

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.6 Ω (典型值)。低漏电流：IDSS = 10 μA (最大值) (VDS = 720 V)。增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.7 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥5.54
10+
￥4.42
50+
￥3.86
100+
￥3.3
500+
￥2.97
1000+
￥2.79

有货

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型号：TK10A80E,S4X(S 编号：C5379814

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 640 V)。增强模式：Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥5.55
10+
￥4.44
50+
￥3.88
100+
￥3.33
500+
￥3
1000+
￥2.83

有货

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型号：SSM3J332R,LF 编号：C146367

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 144mΩ(最大值)(VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 72.0mΩ(最大值)(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 50.0mΩ(最大值)(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 42.0mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用：电源管理开关

数据手册

10+
￥0.283
100+
￥0.2254
300+
￥0.1966
3000+
￥0.1556
6000+
￥0.1383
9000+
￥0.1296

有货

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型号：SSM3J328R,LF 编号：C396016

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 88.4mΩ 最大 (VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 56.0mΩ 最大 (VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 39.7mΩ 最大 (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 29.0mΩ 最大 (VGS =-4.5V)。应用：电源管理开关应用

数据手册

10+
￥0.3801
100+
￥0.2985
300+
￥0.2578
3000+
￥0.2188
6000+
￥0.1943
9000+
￥0.182

有货

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型号：TLP5754(TP,E 编号：C331357

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

IGBT驱动光耦

数据手册

1+
￥5.34
10+
￥4.34
30+
￥3.85
100+
￥3.35
500+
￥2.47
1500+
￥2.32

有货

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型号：TPH2R608NH,L1Q(M 编号：C5379811

封装：SOP-8-Advance(5x6)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 28 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.1 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 75 V)。增强模式：VDA = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥8.1
10+
￥6.66
30+
￥5.87
100+
￥4.98
500+
￥4.58
1000+
￥4.4

有货

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型号：SSM3K333R,LF 编号：C395454

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 42mΩ（最大值）(VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 28mΩ（最大值）(VGS = 10V)。应用：电源管理开关应用。高速开关应用

数据手册

10+
￥0.3033
100+
￥0.2371
300+
￥0.2039
3000+
￥0.179
6000+
￥0.1592
9000+
￥0.1492

有货

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型号：TBD62003AFWG 编号：C114084

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，ULN2003AFWG升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

数据手册

1+
￥4.54
10+
￥3.46
30+
￥3
100+
￥2.43
500+
￥2.17
1000+
￥1.71

有货

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型号：TB6600HG 编号：C66042

封装：HZIP-25-P-1mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

大功率、高细分，两相混合式步进电机驱动芯片

数据手册

1+
￥24.9
10+
￥21.14
34+
￥18.9
102+
￥16.63
493+
￥15.59
1020+
￥15.12

有货

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型号：TLP293(GR-TPL,E 编号：C2832665

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥0.863
50+
￥0.7445
150+
￥0.6937
500+
￥0.6303
2500+
￥0.6202
5000+
￥0.6033

有货

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型号：TLP5702(TP,E 编号：C163201

封装：SOP-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

2.5A，IGBT/MOS驱动光耦

数据手册

1+
￥3.84
10+
￥3.11
30+
￥2.75
100+
￥2.38
500+
￥1.93
1500+
￥1.82

有货

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型号：TK100E08N1,S1X(S 编号：C396033

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.6 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥7.25
10+
￥5.99
50+
￥5.29
100+
￥4.51
500+
￥4.16
1000+
￥4

有货

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型号：2SC2712-GR,LF 编号：C83447

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

用于音频频率的通用放大器应用。具有高电压和高电流、出色的hFE线性度、高hFE、低噪声等特点，采用小封装。

数据手册

20+
￥0.1844
200+
￥0.1446
600+
￥0.1225
3000+
￥0.0825
9000+
￥0.071

有货

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型号：SSM3K324R,LF 编号：C395455

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8-V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 56 mΩ（最大值）(@VGS = 4.5 V)。 RDS(ON) = 72 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5 V)。 RDS(ON) = 109 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8 V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

数据手册

10+
￥0.3481
100+
￥0.2713
300+
￥0.2329
3000+
￥0.2041
6000+
￥0.1811
9000+
￥0.1696

有货

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型号：TC7WH157FU,LJ(CT 编号：C128633

封装：SSOP-8-3mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

双通道多路复用器。

数据手册

5+
￥0.805896 ￥1.1193
50+
￥0.692496 ￥0.9618
150+
￥0.643896 ￥0.8943
500+
￥0.5832 ￥0.81
3000+
￥0.5562 ￥0.7725
6000+
￥0.54 ￥0.75

有货

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型号：SSM3K361R,LF 编号：C5444678

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.5V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 65mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 51mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

数据手册

5+
￥1.1233
50+
￥0.8713
150+
￥0.7633
500+
￥0.6286
3000+
￥0.5686
6000+
￥0.5326

有货

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型号：TPH1R403NL 编号：C83440

封装：DFN-8(5x6)

品牌：TOSHIBA(东芝)

N-MOS管 30V150A

数据手册

1+
￥3.29
10+
￥2.63
30+
￥2.3
100+
￥1.97
500+
￥1.77
1000+
￥1.67

有货

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型号：TK6A80E,S4X(S 编号：C22413233

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35Ω（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。增强模式：VtA = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.6 mA)。应用：开关稳压器

1+
￥4.04
10+
￥3.23
50+
￥2.82
100+
￥2.42
500+
￥2.18
1000+
￥2.05

有货

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型号：TPN2R703NL,L1Q(M 编号：C5307666

封装：TSON-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 5.2 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥4.28
10+
￥3.42
30+
￥2.99
100+
￥2.56
500+
￥2.31
1000+
￥2.18

有货

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型号：TCD1304DG(8Z,K) 编号：C5348961

封装：CDIP-22

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高灵敏度、低暗电流的3648像元CCD线性图像传感器，由高灵敏度CCD芯片组成，具有电子快门功能（ICG），该功能可使输出电压不受光强变化影响而保持恒定。

数据手册

1+
￥309
30+
￥293.22

有货

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型号：RN1106MFV,L3F 编号：C5349733

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格（请参阅可订购的零件编号列表）。超小型封装，适合非常高密度的安装。集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量，从而有可能减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有各种电阻值的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2101MFV至RN2106MFV互补。应用：开关。逆变器电路

数据手册

10+
￥0.3989
100+
￥0.3125
300+
￥0.2693
1000+
￥0.2369
5000+
￥0.211
8000+
￥0.198

有货

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型号：2SK209-GR(TE85L,F) 编号：C61792

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道,10V,0.014A,150mW

数据手册

5+
￥0.8491
50+
￥0.664
150+
￥0.5715
500+
￥0.502
3000+
￥0.4558
6000+
￥0.4281

有货

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型号：SSM3K341R,LF 编号：C2932178

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AFC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 28 mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 43 mΩ（典型值）(@VGS = 4V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

数据手册

5+
￥1.128
50+
￥0.8757
150+
￥0.7675
500+
￥0.6326
3000+
￥0.5725
6000+
￥0.5365

有货

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型号：74VHC74FT(BJ) 编号：C7421300

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

双 D 型触发器，具有预置和清除功能。采用硅栅 C2MOS 技术制造，实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持了 CMOS 的低功耗特性。在 CK 脉冲的正跳变期间，施加到 D 输入的信号电平被传输到 Q 输出。CLR 和 PR 独立于 CK，通过将相应输入设置为低电平来完成操作。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，0 至 5.5V 可以施加到输入引脚。该器件可用于 5V 至 3V 系统和双电源系统（如备用电池）的接口，防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。