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描述

价格(含税)

库存

操作

DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP293(GB-TPL,E 编号：C77656

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥0.9896
50+
￥0.7713
150+
￥0.6777
500+
￥0.561
2500+
￥0.5077
5000+
￥0.4766

有货

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1个N沟道耐压:900V

型号：TK7A90E,S4X(S 编号：C5331584

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.6 Ω (典型值)。低漏电流：IDSS = 10 μA (最大值) (VDS = 720 V)。增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.7 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥5.29
10+
￥4.23
50+
￥3.7
100+
￥3.18
500+
￥2.87
1000+
￥2.71

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:6A

型号：SSM3J332R,LF 编号：C146367

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 144mΩ(最大值)(VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 72.0mΩ(最大值)(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 50.0mΩ(最大值)(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 42.0mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用：电源管理开关

数据手册

10+
￥0.3095
100+
￥0.247
300+
￥0.2158
3000+
￥0.1713
6000+
￥0.1525
9000+
￥0.1432

有货

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三态输出串行至串行或并行移位寄存器

型号：74HC595D(BJ) 编号：C431479

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

8- 位移位寄存器/锁存器（三态）。采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速 8 位移位寄存器/锁存器，能实现与等效 LSTTL 类似的高速操作，同时保持 CMOS 的低功耗特性。包含一个 8 位移位寄存器，为一个 8 位存储寄存器提供数据。移位操作在 SCK 输入的上升沿完成，输出寄存器在 RCK 输入的上升沿加载移位寄存器的内容。由于 RCK 和 SCK 信号相互独立，在移位操作期间并行输出可以保持稳定。并且，由于并行输出是三态的，它可以直接连接到 8 位总线。该寄存器可用于串并转换、数据接收器等。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

数据手册

5+
￥1.229
50+
￥0.9619
150+
￥0.8474
500+
￥0.7045
2500+
￥0.6212
5000+
￥0.583

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:9A

型号：SSM3K341R,LF 编号：C2932178

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AFC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 28 mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 43 mΩ（典型值）(@VGS = 4V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

数据手册

5+
￥1.1265
50+
￥0.8745
150+
￥0.7665
500+
￥0.6318
3000+
￥0.5718
6000+
￥0.5358

有货

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1个N沟道耐压:75V

型号：TPH2R608NH,L1Q(M 编号：C5379811

封装：SOP-8-Advance(5x6)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 28 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.1 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 75 V)。增强模式：VDA = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥7.35
10+
￥6.07
30+
￥5.37
100+
￥4.58
500+
￥4.22
1000+
￥4.07

有货

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PWM斩波式双极步进电机驱动IC

型号：TB6560AHQ(O,8) 编号：C19386

封装：HZIP-25-P-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

用于步进电机控制的PWM斩波式双极驱动IC

数据手册

1+
￥21.24
10+
￥17.95
28+
￥17.09
98+
￥15.11
420+
￥14.19
840+
￥13.78

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP2309(TPL,E 编号：C85066

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

1Mbit高速光耦，支持5V和3.3V供电

数据手册

1+
￥3.22
10+
￥2.52
30+
￥2.23
100+
￥1.85
500+
￥1.62
1000+
￥1.52

有货

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BiCD集成硅单片电路，7通道下沉型DMOS晶体管阵列

型号：TBD62003AFWG 编号：C114084

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，ULN2003AFWG升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

数据手册

1+
￥3.97
10+
￥3.22
30+
￥2.9
100+
￥2.5
500+
￥2.32
1000+
￥2.01

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP5754(TP,E 编号：C331357

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

IGBT驱动光耦

数据手册

1+
￥5.49
10+
￥4.58
30+
￥4.13
100+
￥3.68
500+
￥2.87
1500+
￥2.74

有货

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1个N沟道耐压:800V

型号：TK10A80E,S4X(S 编号：C5379814

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 640 V)。增强模式：Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥5.9
10+
￥4.72
50+
￥4.13
100+
￥3.55
500+
￥3.2
1000+
￥3.01

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:214A

型号：TK100E08N1,S1X(S 编号：C396033

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.6 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥10.08
10+
￥8.71
50+
￥7.96
100+
￥7.11
500+
￥6.74
1000+
￥6.57

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP5702(TP,E 编号：C163201

封装：SOP-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

2.5A，IGBT/MOS驱动光耦

数据手册

1+
￥3.88
10+
￥3.14
30+
￥2.78
100+
￥2.42
500+
￥1.96
1500+
￥1.85

有货

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1个N沟道耐压:900V

型号：TK5A90E,S4X(S 编号：C5360505

封装：TO-220SIS-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.5Ω（典型值）。低泄漏电流：IRSS = 10μA（最大值）（VRS = 720V）。增强模式：Vth = 2.5 至 4.0V（VDS = 10V，ID = 0.45mA）。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥4.56
10+
￥3.72
50+
￥3.3
100+
￥2.88
500+
￥2.63
1000+
￥2.5

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:207A

型号：TK100E10N1,S1X(S 编号：C396029

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V，ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥9.65
10+
￥8.24
50+
￥7.07
100+
￥6.2
500+
￥5.81
1000+
￥5.63

有货

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NPN 电流:150mA 电压:50V

型号：2SC2712-GR,LF 编号：C83447

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

用于音频频率的通用放大器应用。具有高电压和高电流、出色的hFE线性度、高hFE、低噪声等特点，采用小封装。

数据手册

20+
￥0.1753
200+
￥0.1429
600+
￥0.1249
3000+
￥0.0925
9000+
￥0.0831
21000+
￥0.078

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4A

型号：SSM3J334R,LF 编号：C396017

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于电源管理开关应用。

数据手册

10+
￥0.4116
100+
￥0.3298
300+
￥0.289
3000+
￥0.2583
6000+
￥0.2338
9000+
￥0.2215

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:3.5A

型号：SSM3K361R,LF 编号：C5444678

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.5V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 65mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 51mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

数据手册

5+
￥1.1233
50+
￥0.8713
150+
￥0.7633
500+
￥0.6286
3000+
￥0.5686
6000+
￥0.5326

有货

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TLP7820(TP4,E(O

型号：TLP7820(TP4,E 编号：C2978064

封装：SOIC-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

隔离放大器用于电子电机驱动器中的电流感应。在典型应用中，电机电流流经外部电阻，产生的模拟电压降由隔离放大器感应。

数据手册

1+
￥25.55
10+
￥22.01
30+
￥19.91
100+
￥15.96
500+
￥14.98
1500+
￥14.54

有货

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NPN 电流:150mA 电压:50V

型号：2SC2712-Y(TE85L,F) 编号：C4153761

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = 50V。高集电极电流：IC = 150mA（最大值）。高hFE：hFE = 70至700。出色的hFE线性度：hFE（IC = 0.1mA）/ hFE（IC = 2mA）= 0.95（典型值）。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。应用：低频放大器。音频通用放大器应用

数据手册

20+
￥0.1284
200+
￥0.0987
600+
￥0.0822
3000+
￥0.0723
9000+
￥0.0637
21000+
￥0.0591

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:9A

型号：SSM3K333R,LF 编号：C395454

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 42mΩ（最大值）(VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 28mΩ（最大值）(VGS = 10V)。应用：电源管理开关应用。高速开关应用

数据手册

10+
￥0.3057
100+
￥0.2395
300+
￥0.2064
3000+
￥0.1816
6000+
￥0.1617
9000+
￥0.1518

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SSM3J328R,LF 编号：C396016

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 88.4mΩ 最大 (VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 56.0mΩ 最大 (VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 39.7mΩ 最大 (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 29.0mΩ 最大 (VGS =-4.5V)。应用：电源管理开关应用

数据手册

10+
￥0.3801
100+
￥0.2985
300+
￥0.2578
3000+
￥0.2188
6000+
￥0.1943
9000+
￥0.182

有货

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CMOS数字集成电路，硅单片双输入与门

型号：TC7SH08FU,LJ(CT 编号：C5156525

封装：USV

品牌：TOSHIBA(东芝)

2输入与门

数据手册

10+
￥0.3926
100+
￥0.3062
300+
￥0.263
3000+
￥0.2306
6000+
￥0.2047
9000+
￥0.1917

有货

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1.5V@100nA

型号：2SK209-GR(TE85L,F) 编号：C61792

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道,10V,0.014A,150mW

数据手册

5+
￥0.8444
50+
￥0.6595
150+
￥0.567
500+
￥0.4977
3000+
￥0.4515
6000+
￥0.4238

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP293(GR-TPL,E 编号：C2832665

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥0.863
50+
￥0.7445
150+
￥0.6937
500+
￥0.6303
2500+
￥0.6202
5000+
￥0.6033

有货

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8通道源极型DMOS晶体管阵列

型号：TBD62783AFG,EL 编号：C97745

封装：SOP-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

ICLOADSWITCH8CH0.5A18SOP

数据手册

1+
￥6.05
10+
￥4.97
30+
￥4.37
100+
￥3.7
500+
￥3.41
1000+
￥3.27

有货

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NPN 电流:15A 电压:230V

型号：2SC5200-O(Q) 编号：C559174

封装：TO-3PL

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高击穿电压：VCEO = 230 V (min)。与2SA1943互补。适用于100W高保真音频放大器的输出级

数据手册

1+
￥11.13
10+
￥9.38
30+
￥8.28
100+
￥6.91
500+
￥6.41
1000+
￥6.19

有货

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CCD线性图像传感器

型号：TCD1304DG(8Z,K) 编号：C5348961

封装：CDIP-22

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高灵敏度、低暗电流的3648像元CCD线性图像传感器，由高灵敏度CCD芯片组成，具有电子快门功能（ICG），该功能可使输出电压不受光强变化影响而保持恒定。

数据手册

1+
￥237.57
30+
￥225

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:4A

型号：SSM3K324R,LF 编号：C395455

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8-V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 56 mΩ（最大值）(@VGS = 4.5 V)。 RDS(ON) = 72 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5 V)。 RDS(ON) = 109 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8 V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

数据手册

10+
￥0.2584
100+
￥0.2254
300+
￥0.2089
3000+
￥0.1965
6000+
￥0.1866
9000+
￥0.1816

有货

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hfe=350~1200 NPN 电流:300mA 电压:20V

型号：2SC3326-B,LF 编号：C27829

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高发射极-基极电压：VEBO = 25 V。高反向hFE。反向hFE = 150（典型值）(VCE = -2V, IC = -4mA)。低导通电阻：RON = 1 Ω（典型值）(IB = 5mA)。高直流电流增益：hFE = 200至1200。应用：静音和开关应用

数据手册

5+
￥0.5767
50+
￥0.4495
150+
￥0.3859
500+
￥0.3382
3000+
￥0.3
6000+
￥0.2809

有货

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品类不断扩充中
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最快4小时发货
严控渠道

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