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光电耦合器，GaAs红外LED与光电IC

型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153769

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其保证了1mA的低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 的低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。TLP2761具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

1+
￥2.89
10+
￥2.55
30+
￥2.38
100+
￥2.21
500+
￥2.11
1500+
￥2.06

有货

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光电耦合器（GaAlAs红外LED与光电IC）

型号：TLP2761(D4-TP,E 编号：C5798523

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

1+
￥4.61
10+
￥4.14
30+
￥3.9
100+
￥3.67
500+
￥3.53
1500+
￥3.46

有货

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光电耦合器，GaAs红外LED与光电IC

型号：TLP2662(D4-TP1,F) 编号：C5370567

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高强度GaAs红外发光二极管 (LED) 与高增益、高速感光芯片光耦合组成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制能力，可将抗噪能力提高至±20kV/μs。

数据手册

1+
￥5.3
10+
￥4.76
30+
￥4.46
100+
￥4.12
500+
￥3.97

有货

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光电耦合器，GaAlAs红外LED与光电IC

型号：TLP2748(TP,E 编号：C2848502

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2748由高输出GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。

数据手册

1+
￥5.39
10+
￥4.27
30+
￥3.71
100+
￥3.15
500+
￥2.82

有货

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3.75kV

型号：TLP292-4(4LGBTRE 编号：C17309043

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

1+
￥9.44
10+
￥7.94
30+
￥7
100+
￥6.03

有货

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DC 3.75kV

型号：TLP293-4(4LGBTRE 编号：C7495070

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

1+
￥10.6
10+
￥8.91
30+
￥7.85
100+
￥6.77
500+
￥6.28

有货

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DC 2.5kV

型号：TLP190B(TPL,U,C,F) 编号：C4153841

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

迷你扁平光耦合器适用于表面贴装组装。由一个红外发光二极管与一个串联的光电二极管阵列光耦合而成，适用于MOSFET栅极驱动器。

1+
￥17.52
10+
￥14.87
30+
￥13.21
100+
￥11.51

有货

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TVS 3.6V截止峰值浪涌电流：2A@8/20us

型号：DF2S5M4CT,L3F 编号：C556302

封装：DFN1006-2L

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2S5M4CT是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，防止静电和噪声干扰。DF2S5M4CT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2S5M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用场景。

5+
￥0.6267
50+
￥0.491
150+
￥0.4231

有货

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AC,DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP184(GR-TPL,SE 编号：C393882

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个光电晶体管和两个砷化镓红外发光二极管光耦合而成。TLP184(SE) 采用非常小巧纤薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

数据手册

5+
￥1.2721
50+
￥0.9861
150+
￥0.8635
500+
￥0.7106
3000+
￥0.6425
6000+
￥0.6016

有货

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硅NPN外延型达林顿功率晶体管

型号：2SD2686(TE12L,ZC) 编号：C7421251

封装：SC-62

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 2000（最小值）（VCE = 2 V，IC = 1.0 A）。集电极和基极之间包含齐纳二极管。应用：电磁阀驱动应用。电机驱动应用

5+
￥1.3586
50+
￥1.0814
150+
￥0.9626
1000+
￥0.8006

有货

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AC,DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP2398(TPL,E 编号：C393891

封装：SOP-5-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反向并联方式，因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级，具有拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑反相器输出。

数据手册

1+
￥4.9032 ￥9.08
10+
￥3.3352 ￥7.58
30+
￥2.2984 ￥6.76
100+
￥1.9822 ￥5.83
500+
￥1.8394 ￥5.41
1000+
￥1.7748 ￥5.22

有货

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DC 3.75kV

型号：TLP293-4(LGBTR,E 编号：C17639925

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

1+
￥5.69
10+
￥5.16
30+
￥4.87

有货

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单向可控硅无过零电路 1通道

型号：tlp548j 编号：C165888

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶闸管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用六引脚塑料DIP封装。

数据手册

1+
￥8.8236 ￥20.52
10+
￥5.7783 ￥17.51
50+
￥3.5949 ￥15.63
100+
￥3.151 ￥13.7
500+
￥2.9509 ￥12.83
1000+
￥2.8635 ￥12.45

有货

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光电耦合器，GaAtAs红外LED与光电IC

型号：TLP2766F(D4-TP,F) 编号：C22385525

封装：SDIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度下以及2.7V至5.5V的电源下工作。采用SDIP6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

1+
￥17.17
10+
￥14.76
30+
￥13.25
100+
￥11.7
500+
￥11.01

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V 停产

型号：TLP117(TPL,F 编号：C99473

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成

数据手册

1+
￥18.67
10+
￥15.72
30+
￥13.96

有货

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DC 3.75kV

型号：TLP3905(TPL,E 编号：C5985865

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光耦合器，由一个红外LED和一个光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

1+
￥18.92
10+
￥16.14
30+
￥14.41

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V

型号：TLP3407SRH(TP,E 编号：C1880964

封装：VSON-4(1.5x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3407SRH光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用S-VSON4T封装。TLP3407SRH的特点是导通电阻非常小，导通/关断时的电流高达1 A，非常适合高速测试仪中的开关应用

数据手册

1+
￥43.98
10+
￥37.52
30+
￥33.58

有货

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ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：2.5A@8/20us

型号：DF2B5M5CT,L3F 编号：C5623482

封装：SOD-882

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B5M5CT是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2B5M5CT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B5M5CT采用超紧凑型封装（1.0 mmx0.6 mm），可满足对占用空间要求较小的应用需求。

5+
￥0.6647
50+
￥0.6483
150+
￥0.6373
500+
￥0.6264

有货

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5.5V 2A@8/20us

型号：DF2B6M4SL,L3F 编号：C1973332

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

TVS二极管（ESD保护二极管）可保护移动设备接口和其他应用中使用的半导体器件，免受静电和噪声影响。利用回滞特性，提供低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容性能使其非常适合高速信号应用。采用超紧凑封装（0.32×0.62mm），以满足对占用空间要求小的应用。

数据手册

5+
￥0.7313
50+
￥0.5729
150+
￥0.4937

有货

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ESD 5V截止

型号：DF5A6.8CFU(TE85L,F 编号：C1975493

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品仅用于静电放电（ESD）保护，不用于其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑型封装上安装四个器件，可减少零件数量和安装成本。低端子电容（阴极和阳极之间）：Cτ = 23 pF（典型值）

数据手册

5+
￥0.8016
50+
￥0.6264
150+
￥0.5388
500+
￥0.4731

有货

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21V 14A@8/20us

型号：DF2S23P2FU,H3F 编号：C1973790

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种TVS二极管（ESD保护二极管），可保护移动设备接口和其他应用中使用的半导体器件，免受静电和噪声影响。为保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压（电源激活时）影响，实现了高IPP。此外，采用标准封装（2.5mm×1.25mm），可用于各种应用。

数据手册

5+
￥1.1379
50+
￥0.8865
150+
￥0.7788
500+
￥0.6444

有货

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光电耦合器，红外LED和光电晶体管

型号：TLP292(GR-TPR,E 编号：C5331601

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

1+
￥2.16
10+
￥1.88
30+
￥1.75
100+
￥1.024 ￥1.6
500+
￥0.9856 ￥1.54
1000+
￥0.9536 ￥1.49

有货

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TLP2303(TPL,E(T

型号：TLP2303(TPL,E 编号：C4153842

封装：SO-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合组成，采用 SO6 封装。使用高速、高增益检测元件，电流传输比在 -40 至 125℃ 范围内最小为 900%（IF = 0.5 mA），适用于需要低输入电流和高速数据传输的应用。传输速率为 100 kbps，填补了通用晶体管耦合器和对应 1 Mbps 的 IC 耦合器之间的空白。

1+
￥3.24
10+
￥2.59
30+
￥2.27
100+
￥1.95
500+
￥1.76
1000+
￥1.66

有货

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TLP2768A(D4TP4,E(T

型号：TLP2768A(D4TP4,E 编号：C5370563

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。采用2.3mm（最大）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。保证在高达125℃的温度下以及2.7V至5.5V的电源下工作。具有内部法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

1+
￥5.32
10+
￥4.3
30+
￥3.79
100+
￥3.29
500+
￥2.99

有货

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TLP2761(TP4,E(T

型号：TLP2761(TP4,E 编号：C20613155

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

1+
￥5.75
10+
￥4.66
30+
￥4.12
100+
￥3.58
500+
￥3.26

有货

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光耦合器，红外LED与光控双向可控硅

型号：TLP3052A(D4TP1,F 编号：C28260533

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

光耦合器由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值）。因此，该光耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

1+
￥5.87
10+
￥5.32
30+
￥5.01
100+
￥4.67

有货

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DC 3.75kV

型号：TLP293-4(4LGBTPE 编号：C17297808

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

1+
￥6.38
10+
￥5.73
30+
￥5.37
100+
￥4.96
500+
￥4.78

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：TLP3083(TP1,F 编号：C146363

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值），因此符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥6.545 ￥8.5
10+
￥5.2394 ￥7.82
30+
￥4.218 ￥7.4
100+
￥3.9729 ￥6.97
500+
￥3.8646 ￥6.78
1500+
￥3.8133 ￥6.69

有货

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3.75kV

型号：TLP293-4(LGBTP,E 编号：C17443862

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

1+
￥7.93
10+
￥6.5
30+
￥5.72

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP2405(TP,F) 编号：C99489

封装：SOIC-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用8引脚SO8封装。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±15 kV/μs的共模瞬态抗扰度，有逻辑缓冲输出，也有反相器输出版本。

数据手册

1+
￥9.96
10+
￥8.45
30+
￥7.51
100+
￥6.54
500+
￥6.11

有货

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