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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP715(TP,F) 编号：C45216

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，是一款6引脚SDIP。比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。探测器具有图腾柱输出级，可提供源极和漏极驱动。探测器IC有一个内部屏蔽层，可保证10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

数据手册

1+
￥7.16
10+
￥5.73
30+
￥5.02
100+
￥4.32
500+
￥3.89
1500+
￥3.68

有货

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1.2kV 40A

型号：GT40QR21(STA1,E,D 编号：C4153791

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：第6.5代。 RC-IGBT由一个在IGBT芯片中单片集成的续流二极管组成。增强模式。高速开关 IGBT：tf = 0.20 μs（典型值）（IC = 40 A） FWD：trr = 0.60 μs（典型值）（IF = 15 A）。低饱和电压：VCE(sat) = 1.9V（典型值）（IC = 40A）。高结温：TJ = 175℃（最大值）。应用：专用于电压谐振逆变器开关应用

1+
￥19.24
10+
￥16.3
25+
￥14.46
100+
￥12.57

有货

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21V 14A@8/20us

型号：DF2S23P2FU,H3F 编号：C1973790

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种TVS二极管（ESD保护二极管），可保护移动设备接口和其他应用中使用的半导体器件，免受静电和噪声影响。为保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压（电源激活时）影响，实现了高IPP。此外，采用标准封装（2.5mm×1.25mm），可用于各种应用。

数据手册

5+
￥1.1379
50+
￥0.8865
150+
￥0.7788
500+
￥0.6444

有货

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停产 DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP781(D4-GB,F) 编号：C2840182

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (AC: 5kVRMS (min))。

数据手册

5+
￥1.489
50+
￥1.1866
200+
￥1.057
500+
￥0.8953

有货

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停产 DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP781(GB,F) 编号：C84603

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料DIP封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。

数据手册

1+
￥1.489
10+
￥1.1866
30+
￥1.057

有货

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光电耦合器，GaAs红外LED与光电IC

型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153769

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其保证了1mA的低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 的低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。TLP2761具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

1+
￥2.89
10+
￥2.55
30+
￥2.38
100+
￥2.21
500+
￥2.11
1500+
￥2.06

有货

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TLP2303(TPL,E(T

型号：TLP2303(TPL,E 编号：C4153842

封装：SO-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合组成，采用 SO6 封装。使用高速、高增益检测元件，电流传输比在 -40 至 125℃ 范围内最小为 900%（IF = 0.5 mA），适用于需要低输入电流和高速数据传输的应用。传输速率为 100 kbps，填补了通用晶体管耦合器和对应 1 Mbps 的 IC 耦合器之间的空白。

1+
￥3.22
10+
￥2.57
30+
￥2.25
100+
￥1.93
500+
￥1.73
1000+
￥1.63

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLPN137(TP1,F) 编号：C99492

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。

数据手册

1+
￥4.4
10+
￥3.87
30+
￥3.61
100+
￥3.36

有货

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TLP2768A(D4TP4,E(T

型号：TLP2768A(D4TP4,E 编号：C5370563

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。采用2.3mm（最大）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。保证在高达125℃的温度下以及2.7V至5.5V的电源下工作。具有内部法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

1+
￥5.42
10+
￥4.3
30+
￥3.74
100+
￥3.19
500+
￥2.86

有货

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3.75kV

型号：TLP293-4(LGBTP,E 编号：C17443862

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

1+
￥5.79
10+
￥5.2
30+
￥4.88
100+
￥4.51

有货

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AC,DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP2398(TPL,E 编号：C393891

封装：SOP-5-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反向并联方式，因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级，具有拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑反相器输出。

数据手册

1+
￥9.08
10+
￥7.58
30+
￥6.76
100+
￥5.83
500+
￥5.41
1000+
￥5.22

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP2405(TP,F) 编号：C99489

封装：SOIC-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用8引脚SO8封装。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±15 kV/μs的共模瞬态抗扰度，有逻辑缓冲输出，也有反相器输出版本。

数据手册

1+
￥9.96
10+
￥8.45
30+
￥7.51
100+
￥6.54
500+
￥6.11

有货

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DC 3.75kV

型号：TLP3905(TPL,E 编号：C5985865

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光耦合器，由一个红外LED和一个光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

1+
￥18.92
10+
￥16.14
30+
￥14.41

有货

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TVS 3.6V截止峰值浪涌电流：2A@8/20us

型号：DF2S5M4CT,L3F 编号：C556302

封装：DFN1006-2L

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2S5M4CT是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，防止静电和噪声干扰。DF2S5M4CT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2S5M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用场景。

5+
￥0.3307
50+
￥0.3225
150+
￥0.3171
500+
￥0.3116

有货

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ESD 5V截止

型号：DF5A6.8CFU(TE85L,F 编号：C1975493

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品仅用于静电放电（ESD）保护，不用于其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑型封装上安装四个器件，可减少零件数量和安装成本。低端子电容（阴极和阳极之间）：Cτ = 23 pF（典型值）

数据手册

5+
￥0.8016
50+
￥0.6264
150+
￥0.5388
500+
￥0.4731

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP292(BL-TPL,E 编号：C17569086

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

5+
￥2.2608
50+
￥1.757
150+
￥1.5411
500+
￥1.2717
2500+
￥1.1517
5000+
￥1.0797

有货

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TLP2662(D4-TP1,F)

型号：TLP2662(D4-TP1,F) 编号：C5370567

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高强度GaAs红外发光二极管 (LED) 与高增益、高速感光芯片光耦合组成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制能力，可将抗噪能力提高至±20kV/μs。

数据手册

1+
￥5.3
10+
￥4.76
30+
￥4.46
100+
￥4.12
500+
￥3.97

有货

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单向可控硅无过零电路 1通道

型号：TLP548J(TP1,F) 编号：C393900

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光电晶闸管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用六引脚塑料双列直插式封装。

数据手册

1+
￥5.97
10+
￥5.82
30+
￥5.72

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：TLP3083(TP1,F 编号：C146363

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值），因此符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥7.14 ￥8.5
10+
￥5.7868 ￥7.82
30+
￥4.736 ￥7.4
100+
￥4.4608 ￥6.97
500+
￥4.3392 ￥6.78
1500+
￥4.2816 ￥6.69

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V

型号：TLP3407SRH(TP,E 编号：C1880964

封装：VSON-4(1.5x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3407SRH光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用S-VSON4T封装。TLP3407SRH的特点是导通电阻非常小，导通/关断时的电流高达1 A，非常适合高速测试仪中的开关应用

数据手册

1+
￥46.3
10+
￥39.52
30+
￥35.39

有货

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ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：2.5A@8/20us

型号：DF2B5M5CT,L3F 编号：C5623482

封装：SOD-882

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B5M5CT是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2B5M5CT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B5M5CT采用超紧凑型封装（1.0 mmx0.6 mm），可满足对占用空间要求较小的应用需求。

5+
￥0.6647
50+
￥0.6483
150+
￥0.6373
500+
￥0.6264

有货

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5.5V 2A@8/20us

型号：DF2B6M4SL,L3F 编号：C1973332

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

TVS二极管（ESD保护二极管）可保护移动设备接口和其他应用中使用的半导体器件，免受静电和噪声影响。利用回滞特性，提供低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容性能使其非常适合高速信号应用。采用超紧凑封装（0.32×0.62mm），以满足对占用空间要求小的应用。

数据手册

5+
￥0.7313
50+
￥0.5729
150+
￥0.4937

有货

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光电耦合器，红外LED和光电晶体管

型号：TLP291(GR-TP,SE 编号：C5331599

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

数据手册

2+
￥0.8341
20+
￥0.6517
60+
￥0.5605
200+
￥0.4921
1000+
￥0.4374
2500+
￥0.41

有货

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ESD 5.5V截止峰值浪涌电流：2A@8/20us

型号：DF2B6M4BSL,L3F 编号：C5623488

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B6M4BSL是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护电子设备天线和高速接口端口中的半导体元件免受静电和噪声影响。该产品具有超低电容特性，能够抑制天线和高速信号线中令人担忧的信号质量下降问题。此外，DF2B6M4BSL在施加静电放电时可提供较低的峰值电压，具备出色的保护性能

5+
￥0.9032
50+
￥0.7227
150+
￥0.6325
500+
￥0.5648

有货

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光电耦合器，红外LED和光电晶体管

型号：TLP292(GR-TPR,E 编号：C5331601

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

1+
￥1.3824 ￥2.16
10+
￥1.2032 ￥1.88
30+
￥1.12 ￥1.75
100+
￥1.024 ￥1.6
500+
￥0.9856 ￥1.54
1000+
￥0.9536 ￥1.49

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP292(TPL,E 编号：C3008596

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

1+
￥3.25
10+
￥2.6
30+
￥2.27
100+
￥1.95

有货

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DC 3.75kV

型号：TLP2309(TPL,E 编号：C7527971

封装：SOIC-6-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。采用 SO6 封装，保证在高达 110℃ 的温度下工作，电源电压为 3.3V 和 5V。此外，由于保证爬电/电气间隙距离 ≥ 5.0mm，内部隔离厚度 ≥ 0.4mm，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级。

1+
￥3.56
10+
￥2.76
30+
￥2.42

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP183(GRL-TPL,E 编号：C192587

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

数据手册

1+
￥4.17
10+
￥3.16
30+
￥2.66
100+
￥1.7496 ￥2.16
500+
￥1.5066 ￥1.86
1000+
￥1.377 ￥1.7

有货

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N沟道耐压:600V 电流:15A

型号：TK15A60U(S4PHI,Q) 编号：C3011029

封装：TO-220F-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：无载流子存储效应；卓越的频率和开关特性。坚固耐用，无电流集中现象。电压控制型器件，驱动功率低。易于并联连接。保证雪崩能力，可简化吸收电路。内置二极管性能改善，增强电路设计灵活性。应用：手机。笔记本电脑

数据手册

1+
￥5.6589 ￥14.51
10+
￥3.596 ￥12.4
50+
￥2.1052 ￥11.08
100+
￥1.8487 ￥9.73
500+
￥1.7328 ￥9.12
1000+
￥1.6815 ￥8.85

有货

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8通道源型DMOS晶体管阵列

型号：TBD62783APG 编号：C146380

封装：DIP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。

数据手册

1+
￥6.38
10+
￥5.3
40+
￥4.71
100+
￥4.04

有货

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