东芝二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP240GA(TP1,F 编号：C261930

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP240GA和TLP240GAF光电继电器由光MOSFET与红外发光二极管进行光耦合构成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用场景

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型号：TLP3052A(TP1,F 编号：C7068807

封装：SO-6,5LEAD

品牌：TOSHIBA(东芝)

光耦合器由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值）。因此，该光耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：GT40QR21(STA1,E,D 编号：C4153791

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：第6.5代。 RC-IGBT由一个在IGBT芯片中单片集成的续流二极管组成。增强模式。高速开关 IGBT：tf = 0.20 μs（典型值）（IC = 40 A） FWD：trr = 0.60 μs（典型值）（IF = 15 A）。低饱和电压：VCE(sat) = 1.9V（典型值）（IC = 40A）。高结温：TJ = 175℃（最大值）。应用：专用于电压谐振逆变器开关应用

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型号：TLP781(D4-GB,F) 编号：C2840182

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (AC: 5kVRMS (min))。

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型号：TLP184(TPL,SE 编号：C3008590

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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型号：TLP291(GR,SE 编号：C5121290

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度（-55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

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型号：TLP183(GRL-TPL,E 编号：C192587

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

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型号：TLP719F(D4-TP,F) 编号：C2987248

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP719F由GaAAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该器件为6引脚SDIP。TLP719F比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。因此，在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。TLP719F在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽，以提供有效的共模噪声瞬态抗扰度。因此，该产品适用于嘈杂的环境条件。

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型号：TLP2366(TPL,E 编号：C150130

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。采用SO6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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型号：TLP105(TPL,F) 编号：C2990748

封装：SOP-5-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个红外发光二极管与一个高增益、高速光电探测器光耦合组成。TLP105 采用 6 引脚 MFSOP 封装。TLP105 采用图腾柱输出，能够吸电流和拉电流。

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型号：TLP292-4(LA-TP,E 编号：C17488870

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP2270(TP4,E 编号：C5943071

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2270由一个高输出红外LED和一个高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。它采用厚度最大为2.35 mm的薄型SO8L封装。

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型号：SSM6N7002CFU,LF 编号：C262138

封装：US6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：栅源二极管用于保护。低漏源导通电阻：2.8Ω（典型值）@VGS = 10V，ID = 100mA；3.1Ω（典型值）@VGS = 5V，ID = 100mA；3.2Ω（典型值）@VGS = 4.5V，ID = 100mA。应用：高速开关

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型号：DF5A6.8LF,LF 编号：C1976553

封装：SOT-23-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

本产品仅用于静电放电（ESD）防护，不用于任何其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑型封装中安装四个器件，可减少零件数量和安装成本。

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型号：TLP183(YH-TPL,E 编号：C5370587

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种低输入型光电晶体管耦合器，由一个光电晶体管与一个红外发光二极管光耦合组成，采用 SO6 封装。保证高隔离电压（3750Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55 至 125℃），比 DIP 封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TLP268J(TPL,E 编号：C71643

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：TLP2768A(D4-TP,E 编号：C5370532

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。采用2.3mm（最大）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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型号：TD62783APG(O.J.S) 编号：C2762706

封装：DIP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

是 DMOS 晶体管阵列，有 8 个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。使用时请留意热条件。

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型号：TBD62084AFG(Z,EL) 编号：C5370541

封装：SOP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB62083A 系列和 TB62084A 系列是 8 路 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

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型号：TLP293-4(GB,E 编号：C3018643

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125℃和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：TLP291(GRH-TP,SE 编号：C192426

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

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型号：TLP293(Y-TPL,E 编号：C194122

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由一个与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（-55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TLP385(GRH-TPL,E 编号：C396052

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP385是一款高隔离型光电耦合器，采用4引脚SO6L封装，由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP385保证具有高隔离电压（5000 Vrms）。

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型号：TLP184(V4GRTL,SE) 编号：C3003190

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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型号：TLP291(V4GLTR,SE 编号：C5370578

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管与砷化镓红外发射二极管光耦合而成。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

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型号：TLP5772(TP,E 编号：C396037

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5772由一个镓铝砷（GaAℓAs）红外发光二极管以及一个集成的高增益、高速光电探测器组成，采用6引脚SO6L封装。与8引脚DIP封装相比，TLP5772的尺寸缩小了50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：TLP151A(TPR,E) 编号：C143953

封装：SOIC-5-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管（LED）与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可提供有保证的共模瞬态抗扰度。适用于小容量IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

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型号：TLP250(F) 编号：C4078

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAlAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路。

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型号：DF2B26M4SL,L3F 编号：C1974529

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B26M4SL是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2B26M4SL利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B26M4SL采用超紧凑封装（0.62 mm×0.32 mm），满足对空间要求较小的应用需求。

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型号：TLP293(GRH-TPL,E 编号：C5370538

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是低输入和高隔离型光耦合器，由一个光电晶体管与一个红外发光二极管在SO4封装中光耦合而成。保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（-55至125℃），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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