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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP2309(V4-TPL,E 编号：C2840187

封装：SO-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。采用 SO6 封装，保证在高达 110℃ 的温度下工作，电源电压为 3.3V 和 5V。此外，由于保证爬电/电气间隙距离 ≥ 5.0mm，内部隔离厚度 ≥ 0.4mm，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级。

数据手册

1+
￥3.61
10+
￥2.94
30+
￥2.6
100+
￥2.27
500+
￥1.76
1000+
￥1.66

有货

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AC,DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP2395(TPL,E 编号：C99488

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反并联，因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级，具备拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑缓冲输出，也有反相器输出版本。

数据手册

1+
￥4.76
10+
￥3.94
30+
￥3.53
100+
￥3.12
500+
￥2.6
1000+
￥2.47

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压400V

型号：TLP240GA(TP1,F 编号：C261930

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP240GA和TLP240GAF光电继电器由光MOSFET与红外发光二极管进行光耦合构成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用场景

数据手册

1+
￥6.16
10+
￥4.93
30+
￥4.31
100+
￥3.7
500+
￥3.34

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP250H(F) 编号：C88151

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

数据手册

1+
￥6.56
10+
￥5.46
50+
￥4.44
100+
￥3.76
500+
￥3.46

有货

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AC,DC 3.75kV

型号：TLP292-4(V4GBTPE 编号：C17466350

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

1+
￥7.09
10+
￥6.46
30+
￥6.07
100+
￥5.67
500+
￥5.48
1000+
￥5.4

有货

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AC,DC 3.75kV

型号：TLP292-4(LA-TP,E 编号：C17488870

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

1+
￥9.96
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￥8.36
30+
￥7.36
100+
￥6.34
500+
￥5.88
1000+
￥5.68

有货

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ESD 3.5V截止

型号：DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 编号：C1974863

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF3A5.6LFV 产品仅用于防止静电放电 (ESD)。该产品仅用于防止静电放电 (ESD)，不适用于其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑封装中安装两个设备可以减少零件数量和安装成本。终端电容低：CT = 8.0 pF（典型值）。

数据手册

10+
￥0.4142
100+
￥0.3297
300+
￥0.2874
1000+
￥0.2557

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP385(GB-TPL,E 编号：C165905

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 4 引脚 SO6L 封装，保证高隔离电压（5000 Vrms）。由于与标准 DIP 封装相比，具有体积小、薄的特点，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.0012
50+
￥0.8823
150+
￥0.8313
500+
￥0.6475
3000+
￥0.6192
6000+
￥0.6022

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP383(GR-TPL,E 编号：C150115

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器，由光电晶体管与InGaAs红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压（5000 Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55至125℃）。与标准DIP封装相比，TLP383的封装小巧轻薄，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

5+
￥1.2777
50+
￥0.9954
150+
￥0.8744
500+
￥0.7235
3000+
￥0.6563

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP183(YH-TPL,E 编号：C5370587

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种低输入型光电晶体管耦合器，由一个光电晶体管与一个红外发光二极管光耦合组成，采用 SO6 封装。保证高隔离电压（3750Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55 至 125℃），比 DIP 封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

1+
￥1.93
10+
￥1.67
30+
￥1.56
100+
￥1.42
500+
￥1.36
1000+
￥1.32

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP352(TP1,F) 编号：C99497

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP352 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。TLP352 内部有一个法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

数据手册

1+
￥6.04
10+
￥4.86
30+
￥4.27
100+
￥3.68
500+
￥3.1
1500+
￥2.92

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP105(TPL,F) 编号：C2990748

封装：SOP-5-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个红外发光二极管与一个高增益、高速光电探测器光耦合组成。TLP105 采用 6 引脚 MFSOP 封装。TLP105 采用图腾柱输出，能够吸电流和拉电流。

数据手册

1+
￥6.69
10+
￥5.61
30+
￥5.02
100+
￥4.35
500+
￥4.05
1000+
￥3.91

有货

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3.75kV

型号：TLP292-4(LGBTR,E 编号：C17384709

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

1+
￥7.37
10+
￥6.72
30+
￥6.31
100+
￥5.89
500+
￥5.7
1000+
￥5.62

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):2500V 停产

型号：TLP250(F) 编号：C4078

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAlAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路。

数据手册

1+
￥15.82
10+
￥13.32
50+
￥11.76
100+
￥10.15
500+
￥9.43

有货

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7通道达林顿灌电流驱动器

型号：ULN2003AFWG(C,NEHZA) 编号：C5331613

封装：SOL-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高电压、高电流达林顿驱动器，由七个 NPN 达林顿对组成。所有单元都具有用于开关感性负载的集成钳位二极管。

数据手册

1+
￥3.3
10+
￥2.57
30+
￥2.25
100+
￥1.86
500+
￥1.69
1000+
￥1.58

有货

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3.75kV

型号：TLP292-4(4LGBTRE 编号：C17309043

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

1+
￥7.09
10+
￥6.46
30+
￥6.07
100+
￥5.67
500+
￥5.48

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP291(GR,SE 编号：C5121290

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度（-55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

数据手册

1+
￥3
10+
￥2.39
30+
￥2.13
175+
￥1.57
525+
￥1.42
1050+
￥1.34

有货

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TLP719F(D4-TP,F)

型号：TLP719F(D4-TP,F) 编号：C2987248

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP719F由GaAAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该器件为6引脚SDIP。TLP719F比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。因此，在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。TLP719F在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽，以提供有效的共模噪声瞬态抗扰度。因此，该产品适用于嘈杂的环境条件。

数据手册

1+
￥5.57
10+
￥5.04
30+
￥4.75
100+
￥4.42
500+
￥3.79
1000+
￥3.72

有货

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8通道源型DMos晶体管阵列

型号：TD62783APG(O.J.S) 编号：C2762706

封装：DIP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

是 DMOS 晶体管阵列，有 8 个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。使用时请留意热条件。

数据手册

1+
￥6.56
10+
￥5.48
40+
￥4.71
100+
￥4.04
500+
￥3.74

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP151A(TPR,E) 编号：C143953

封装：SOIC-5-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管（LED）与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可提供有保证的共模瞬态抗扰度。适用于小容量IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

数据手册

1+
￥8.22
10+
￥6.75
30+
￥5.95
100+
￥5.03
500+
￥4.53
1000+
￥4.34

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP293-4(V4GBTPE 编号：C2983151

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

数据手册

1+
￥9.95
10+
￥8.22
30+
￥7.26
100+
￥6.19
500+
￥5.42
1000+
￥5.2

有货

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TLP2766F(D4-TP,F)

型号：TLP2766F(D4-TP,F) 编号：C22385525

封装：SDIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度下以及2.7V至5.5V的电源下工作。采用SDIP6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

1+
￥16.29
10+
￥13.88
30+
￥12.37
100+
￥10.82
500+
￥10.13

有货

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TLP197G(TP,F)

型号：TLP197G(TP,F) 编号：C5985834

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

迷你扁平光继电器TLP197G是一种小型表面贴装光继电器，适用于表面贴装组装。TLP197G由一个红外发光二极管和一个光电MOSFET在六引脚2.1毫米高度的封装中光学耦合而成，这使其能够应用于卡片调制解调器。它是一个双向开关，可以替代传真机和调制解调器等设备中的机械继电器。 SOP 6引脚(2.54SOP6): 1-形式-A 最大关断状态电压: 350 V (最小) 触发LED电流: 3 mA (最大) 导通状态电流: 120 mA (最大) (A连接) 导通状态电阻: 35 Ω (最大) 绝缘电压: 1500 Vrms (最小) UL认证: UL 1577, 文件号E67349 cUL认证: CSA组件接受服务编号5A, 文件号E67349重量: 0.13g (典型值)

1+
￥23.65
10+
￥22.5
30+
￥21.79
100+
￥21.2

有货

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ESD 5V截止

型号：DF5A6.8LF,LF 编号：C1976553

封装：SOT-23-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

本产品仅用于静电放电（ESD）防护，不用于任何其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑型封装中安装四个器件，可减少零件数量和安装成本。

数据手册

5+
￥0.6447
50+
￥0.5586
150+
￥0.5217
500+
￥0.4756

有货

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TVS 5.5V截止峰值浪涌电流：80A@8/20us

型号：DF2S6P2FU,H3F 编号：C1974448

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2S6P2FU是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。为保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压（电源启动时）的影响，DF2S6P2FU实现了高脉冲峰值电流（Ipp）。

数据手册

5+
￥1.0944
50+
￥0.8382
150+
￥0.7284
500+
￥0.5915

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP293(Y-TPL,E 编号：C194122

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由一个与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（-55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.9399
50+
￥1.5114
150+
￥1.3277
500+
￥1.0986

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP385(GRH-TPL,E 编号：C396052

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP385是一款高隔离型光电耦合器，采用4引脚SO6L封装，由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP385保证具有高隔离电压（5000 Vrms）。

数据手册

1+
￥2.3218 ￥2.47
10+
￥1.8312 ￥2.18
30+
￥1.517 ￥2.05
100+
￥1.3986 ￥1.89
500+
￥1.3468 ￥1.82
1000+
￥1.3172 ￥1.78

有货

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AC,DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP620(GB,F) 编号：C96252

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP620, -2 和 -1 由一个光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管光耦合组成。TLP620-2 在八引脚塑料 DIP 中提供两个隔离通道，而 TLP620-4 在十六引脚塑料 DIP 中提供四个隔离通道。

数据手册

5+
￥2.4808
50+
￥1.9516
200+
￥1.5736
500+
￥1.2907

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP184(V4GRTL,SE) 编号：C3003190

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

数据手册

1+
￥3.3098 ￥8.71
10+
￥2.2456 ￥8.02
30+
￥1.3644 ￥7.58
100+
￥1.2852 ￥7.14
500+
￥1.2492 ￥6.94
1000+
￥1.2348 ￥6.86

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP2368(TPL,E 编号：C99487

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。可保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

数据手册

1+
￥4.29
10+
￥3.43
30+
￥2.99
100+
￥2.57
500+
￥2.31
1000+
￥2.18

有货

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海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

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降低成本

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