东芝二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP184(V4GBTL,SE 编号：C2929221

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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￥2.641 ￥6.95
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￥1.7696 ￥6.32
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￥0.9576 ￥5.32

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型号：TLP2395(TPL,E 编号：C99488

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反并联，因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级，具备拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑缓冲输出，也有反相器输出版本。

数据手册

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￥5.23
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￥4.25
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￥3.76
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￥3.27
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￥2.65
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￥2.5

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型号：DF2B5M4SL,L3F 编号：C1973305

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B5M4SL是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，可防止静电和噪声干扰。DF2B5M4SL利用回滞特性，具有低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容性能使其非常适合高速信号应用。DF2B5M4SL采用超紧凑型封装（0.32 mm×0.62 mm），可满足对占用空间要求较小的应用需求。

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￥0.6238
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￥0.4866
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￥0.418
500+
￥0.3666
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￥0.3254

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型号：DF2S6P2FU,H3F 编号：C1974448

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2S6P2FU是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。为保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压（电源启动时）的影响，DF2S6P2FU实现了高脉冲峰值电流（Ipp）。

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￥1.097
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￥0.8402
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￥0.7302
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￥0.5929

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型号：TLP2745(D4-TP,E 编号：C5125644

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用最大厚度为2.3mm的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA和低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和吸收能力。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs，有缓冲输出。

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￥4.03
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￥3.23
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￥2.83
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￥2.44
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￥2.2
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￥2.08

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型号：TLP560G(F) 编号：C2848505

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光控三端双向可控硅和一个红外发光二极管组成，采用六引脚塑料双列直插式封装。

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￥4.55
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￥3.31
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￥2.91
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￥2.66
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￥2.54

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型号：TLP352(TP1,F) 编号：C99497

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP352 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。TLP352 内部有一个法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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￥5.89
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￥4.74
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￥4.16
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￥3.59
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￥3.02
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￥2.85

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型号：TLP292-4(LGBTR,E 编号：C17384709

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥7.37
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￥5.7
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￥5.62

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型号：TLP748J(D4,F) 编号：C150192

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP748J由一个光电晶闸管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用六引脚塑料DIP封装。

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￥9.8
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￥8.23
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￥7.25
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￥6.24
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￥5.59

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型号：DF2B20M4SL,L3F 编号：C1973643

封装：0201

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B20M4SL是一款具有高反向工作电压（VRWM为18.5V）的双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护高速线路或差分信号线免受静电放电（ESD）和其他瞬态电压的损害。该TVS二极管凭借低动态电阻可很好地保护后端电路，凭借高静电放电抗扰度（VESD）性能提升系统可靠性。因其低电容特性，非常适合用于近场通信（NFC）等天线应用。此外，其小封装尺寸（0.62mm×0.32mm）适用于高密度贴装。

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￥0.341
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￥0.297
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￥0.275
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￥0.2585
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￥0.2453
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￥0.2387

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型号：TLP385(GB-TPL,E 编号：C165905

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 4 引脚 SO6L 封装，保证高隔离电压（5000 Vrms）。由于与标准 DIP 封装相比，具有体积小、薄的特点，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥1.282
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￥1.019
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￥0.9063
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￥0.5923
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￥0.5547

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型号：TLP292(BL-TPL,E 编号：C17569086

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥2.2416
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￥1.2521
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￥1.1321
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￥1.06

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型号：TLP351(F) 编号：C150126

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路，尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。

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￥5.38
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￥3.05
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￥2.9

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型号：TLP351H(TP1,F) 编号：C695254

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP351H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125°C 的温度下保证性能和规格。TLP351H 内置法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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￥5.93
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￥3.15

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型号：TLPN137(TP1,F) 编号：C99492

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥3.4

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型号：TLP292-4(V4GBTPE 编号：C17466350

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥7.09
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￥5.48
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￥5.4

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型号：TLP715(D4-TP,F) 编号：C914619

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外发射二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，为6引脚SDIP，比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。探测器有图腾柱输出级，提供源极和漏极驱动，探测器IC有内部屏蔽，保证共模瞬态抗扰度，为缓冲逻辑类型。

数据手册

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￥7.13
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￥4.16

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型号：TLP715(TP,F) 编号：C45216

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，是一款6引脚SDIP。比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。探测器具有图腾柱输出级，可提供源极和漏极驱动。探测器IC有一个内部屏蔽层，可保证10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

数据手册

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￥7.13
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￥5.87
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￥5.18
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￥4.39
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￥3.89

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型号：TLP293-4(V4GBTPE 编号：C2983151

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

数据手册

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￥9.95
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￥8.22
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￥7.26
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￥6.19
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￥5.2

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型号：TLP383(GR-TPL,E 编号：C150115

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器，由光电晶体管与InGaAs红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压（5000 Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55至125℃）。与标准DIP封装相比，TLP383的封装小巧轻薄，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

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￥1.2775
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￥0.9953
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￥0.8743
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￥0.7234
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￥0.6563

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型号：TLP185(V4GBTL,SE 编号：C2848500

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

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￥1.9595
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￥1.5556
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￥1.3825
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￥0.4666 ￥1.1665
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￥0.42816 ￥1.0704
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￥0.40504 ￥1.0126

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型号：TLP620(GB,F) 编号：C96252

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP620, -2 和 -1 由一个光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管光耦合组成。TLP620-2 在八引脚塑料 DIP 中提供两个隔离通道，而 TLP620-4 在十六引脚塑料 DIP 中提供四个隔离通道。

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￥3.09
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￥2.44
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￥2.16
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￥1.63
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￥1.48
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￥1.38

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型号：TLP2748(D4-TP,E 编号：C725711

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用厚度为2.3mm（最大值）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA，低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，适用于低输入电流。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs。采用反相器输出，另有缓冲输出版本。

数据手册

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￥4.7
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￥3.75
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￥2.81
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￥2.38

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型号：TBD62783AFNG,EL 编号：C2653777

封装：SSOP-18-225mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。

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￥4.86
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￥3.91
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￥2.54

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型号：TLP3109(TP,F 编号：C393897

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3109光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用2.54SOP6封装。

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￥22.25
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￥19.09
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￥17.2
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￥15.44

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型号：TLP197G(TP,F) 编号：C5985834

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

迷你扁平光继电器TLP197G是一种小型表面贴装光继电器，适用于表面贴装组装。TLP197G由一个红外发光二极管和一个光电MOSFET在六引脚2.1毫米高度的封装中光学耦合而成，这使其能够应用于卡片调制解调器。它是一个双向开关，可以替代传真机和调制解调器等设备中的机械继电器。 SOP 6引脚(2.54SOP6): 1-形式-A 最大关断状态电压: 350 V (最小) 触发LED电流: 3 mA (最大) 导通状态电流: 120 mA (最大) (A连接) 导通状态电阻: 35 Ω (最大) 绝缘电压: 1500 Vrms (最小) UL认证: UL 1577, 文件号E67349 cUL认证: CSA组件接受服务编号5A, 文件号E67349重量: 0.13g (典型值)