东芝二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP3122(TP,F) 编号：C393898

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3122由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOS FET光耦合组成，采用塑料SOP封装。TLP3122是一种双向开关，在许多应用中可替代机械继电器。其较高的导通电流最大额定值适用于控制电源线

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1+
￥13.96
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￥11.69
30+
￥10.28
100+
￥8.83
500+
￥8.17
1000+
￥7.89

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型号：DF2B7AFS,L3M 编号：C1972965

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B7AFS是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，防止静电和噪声干扰。DF2B7AFS利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，它采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用场景。

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10+
￥0.2881
100+
￥0.2257
300+
￥0.1945
1000+
￥0.1711
5000+
￥0.1524

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型号：DF2S6M4CT,L3F 编号：C1976256

封装：CST-2

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2S6M4CT是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2S6M4CT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容性能使其非常适合高速信号应用。DF2S6M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mmx0.6 mm），可满足对占用空间要求较小的应用需求。

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5+
￥0.4877
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￥0.3821
150+
￥0.3292
500+
￥0.2896
2500+
￥0.258
5000+
￥0.2421

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型号：TLP291(GRL-TP,SE 编号：C248929

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

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5+
￥1.207
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￥0.96
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￥0.8542
500+
￥0.6241
2500+
￥0.5653
5000+
￥0.53

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型号：TLP292(GB-TPL,E 编号：C74225

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流输入型低电平光耦合器，在 SO4 封装中，由光电晶体管与两个反并联的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55 至 125 °C），因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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5+
￥1.4463
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￥1.1338
150+
￥0.9999
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￥0.8328
2500+
￥0.7147
5000+
￥0.6701

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型号：TBD62783AFNG(Z,EL) 编号：C4153829

封装：SSOP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。

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￥4.43
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￥3.53
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￥3.08
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￥2.63
500+
￥2.36
1000+
￥2.22

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型号：TLP161J(TPL,U,C,F) 编号：C48237

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组件。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光控三端双向可控硅开关组成。零电压交叉导通，峰值关态电压：600 V (min)，触发LED电流：10 mA (max)，导通状态电流：70 mA (max)，隔离电压：2500 Vrms (min)，UL认证：UL1577，文件编号E67349

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￥4.47
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￥3.56
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￥3.11
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￥2.66
500+
￥2.39
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￥2.25

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型号：TBD62083AFG(Z,EL) 编号：C4153828

封装：SOP-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

DMOS晶体管阵列有8个电路。每个输出端内置了用于切换感性负载的钳位二极管。使用时请注意热条件。

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￥5.35
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￥4.27
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￥3.73
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￥3.2
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￥2.88
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￥2.72

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型号：DF2B5M4SL,L3F 编号：C1973305

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B5M4SL是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，可防止静电和噪声干扰。DF2B5M4SL利用回滞特性，具有低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容性能使其非常适合高速信号应用。DF2B5M4SL采用超紧凑型封装（0.32 mm×0.62 mm），可满足对占用空间要求较小的应用需求。

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5+
￥0.6219
50+
￥0.4847
150+
￥0.4161
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￥0.3647
2500+
￥0.3235
5000+
￥0.303

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型号：TLP183(GR-TPL,E 编号：C80194

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

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5+
￥1.998656 ￥2.2712
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￥1.378494 ￥1.7673
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￥1.054884 ￥1.5513
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￥0.871692 ￥1.2819
3000+
￥0.790092 ￥1.1619
6000+
￥0.741132 ￥1.0899

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型号：TLP185(GR-TPR,E 编号：C393884

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组装。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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1+
￥4.55
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￥3.72
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￥3.3
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￥2.89
500+
￥2.64
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￥2.51

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型号：TLP351H(TP1,F) 编号：C695254

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP351H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125°C 的温度下保证性能和规格。TLP351H 内置法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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1+
￥5.93
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￥4.85
30+
￥4.26
100+
￥3.59
500+
￥3.29
1500+
￥3.15

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型号：GT50JR22(S1WLD,E,S 编号：C2880445

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。增强模式。高速开关。 -IGBT：tf = 0.05 μs（典型值）(IC = 50A)。 -FWD：trr = 0.35 μs（典型值）(IF = 15A)。应用：电流谐振逆变器开关应用

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￥10.21
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￥8.53
25+
￥6.48
100+
￥5.44
500+
￥4.98

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型号：TLP190B(TPR,U,C,F) 编号：C141614

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于表面贴装组装，由与串联光电二极管阵列光耦合的GaAs红外发光二极管组成，适用于MOSFET栅极驱动器。

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1+
￥17.89
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￥15.21
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￥13.61
100+
￥12
500+
￥11.25
1000+
￥10.92

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型号：2SD2719(TE85L,F) 编号：C5331493

封装：TSM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 2000（最小值）(VCE = 2V, IC = 1A)。集电极和基极之间包含齐纳二极管。应用：电磁阀驱动应用。电机驱动应用

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￥1.1481
50+
￥1.0158
150+
￥0.9591
500+
￥0.8883
3000+
￥0.8568
6000+
￥0.8379

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型号：TLP290(V4GBTP,SE 编号：C603060

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合，可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO4封装，保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合IC。

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5+
￥1.9729
50+
￥1.5157
150+
￥1.3197
500+
￥1.0262
2500+
￥0.9174

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型号：TLP184(V4GBTL,SE 编号：C2929221

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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￥3.058 ￥6.95
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￥2.1488 ￥6.32
30+
￥1.4328 ￥5.97
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￥1.3368 ￥5.57
500+
￥1.296 ￥5.4
1000+
￥1.2768 ￥5.32

有货

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型号：TBD62783AFWG,EL 编号：C146353

封装：SOIC-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是DMOS晶体管阵列，具有8个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。

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1+
￥5.18
10+
￥4.14
30+
￥3.63
100+
￥3.11
500+
￥2.8
1000+
￥2.64

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型号：TBD62064AFAG(Z,EHZ) 编号：C5370554

封装：P-SSOP24

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62064AFAG 是一款四通道 DMOS 晶体管阵列。其每个输出端都内置了用于切换感性负载的钳位二极管。

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1+
￥9.34
10+
￥7.84
30+
￥6.9
100+
￥5.93
500+
￥5.49
1000+
￥5.3

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型号：TLP291(GR-TP,SE 编号：C58160

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此它适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

数据手册

5+
￥0.8341
50+
￥0.6517
150+
￥0.5605
500+
￥0.4921
2500+
￥0.4374
5000+
￥0.41

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型号：TLP2358(TPL,E 编号：C99486

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度，有反相器输出。

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1+
￥3.78
10+
￥3.01
30+
￥2.63
100+
￥2.24
500+
￥2.01
1000+
￥1.9

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型号：TLP560J(C,F) 编号：C516862

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光控三端双向可控硅与红外发光二极管光耦合，采用六引脚塑料DIP封装。

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1+
￥3.86
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￥3.08
50+
￥2.69
100+
￥2.31
500+
￥2.08
1000+
￥1.96

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型号：TLP2161(TP,F) 编号：C516860

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2161由一个高输出红外LED与一个高速光电二极管 - 晶体管芯片耦合而成。它采用SO8封装。单个SO8封装内集成了两个电路，可减小安装面积

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1+
￥6.66
10+
￥5.46
30+
￥4.8
100+
￥4.06
500+
￥3.73
1000+
￥3.58

有货

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型号：TLP350(F) 编号：C50232

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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1+
￥7.11
10+
￥5.9
50+
￥4.35
100+
￥3.59
500+
￥3.26
1000+
￥3.1

有货

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型号：TLP748J(D4,F) 编号：C150192

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP748J由一个光电晶闸管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用六引脚塑料DIP封装。

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1+
￥9.8
10+
￥8.23
30+
￥7.25
100+
￥6.24
500+
￥5.79
1000+
￥5.59

有货

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型号：TLP5214A(TP,E 编号：C396025

封装：SOP-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高度集成的 4.0 A 输出电流 IGBT 栅极驱动光耦合器，采用长爬电距离和电气间隙的 SO16L 封装。智能栅极驱动光耦合器，具备 IGBT 欠饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT 软关断、有源米勒钳位和欠压锁定 (UVLO) 功能。此外，该光耦合器具有欠饱和前沿消隐时间、滤波时间，并优化了软关断性能，以确保应用的安全运行。适用于驱动逆变器应用中使用的 IGBT 和功率 MOSFET。由两个 GaAtAs 红外发光二极管 (LED) 和两个高增益、高速 IC 组成，可实现大电流、高速输出控制和输出故障状态反馈。

数据手册

1+
￥16.8
10+
￥14.31
30+
￥12.76
100+
￥11.16
500+
￥10.44

有货

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型号：DF2B20M4SL,L3F 编号：C1973643

封装：0201

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B20M4SL是一款具有高反向工作电压（VRWM为18.5V）的双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护高速线路或差分信号线免受静电放电（ESD）和其他瞬态电压的损害。该TVS二极管凭借低动态电阻可很好地保护后端电路，凭借高静电放电抗扰度（VESD）性能提升系统可靠性。因其低电容特性，非常适合用于近场通信（NFC）等天线应用。此外，其小封装尺寸（0.62mm×0.32mm）适用于高密度贴装。

数据手册

5+
￥0.341
50+
￥0.297
150+
￥0.275
500+
￥0.2585
2500+
￥0.2453
5000+
￥0.2387

有货

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型号：TLP265J(TPL,E 编号：C5798515

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

5+
￥1.4284
50+
￥1.2352
150+
￥1.1524
500+
￥1.0491
3000+
￥1.0031

有货

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型号：TLP2309(V4-TPL,E 编号：C2840187

封装：SO-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。采用 SO6 封装，保证在高达 110℃ 的温度下工作，电源电压为 3.3V 和 5V。此外，由于保证爬电/电气间隙距离 ≥ 5.0mm，内部隔离厚度 ≥ 0.4mm，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级。

数据手册

1+
￥3.61
10+
￥2.94
30+
￥2.6
100+
￥2.27
500+
￥1.76
1000+
￥1.66

有货

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型号：TLP292-4(V4GBTPE 编号：C17466350

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

1+
￥7.09
10+
￥6.46
30+
￥6.07
100+
￥5.67
500+
￥5.48
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