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首页 > 热门关键词 > 东芝二极管
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AC,DC输入 隔离电压(rms):3750V
型号：TLP292-4(GB-TP,E 编号：C95713
封装：SOP-16-4.4mm
品牌：TOSHIBA(东芝)
TLP292 4由光电晶体管组成，这些光电晶体管与两个反向并联的InGaAs红外发光二极管进行光耦合，可通过交流输入电流直接工作。TLP292 4采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP292 4保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C以及较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
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  • 1+

    ￥6.03

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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):2500V 停产
    型号：TLP250(TP1,F) 编号：C2802426
    封装：SMD-8P
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由GaAlAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路。
    数据手册

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      ￥15.41

    • 10+

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      ￥9.63

    • 1500+

      ￥9.35
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    CCD线性图像传感器
    型号：TCD1209DG(8Z,K) 编号：C5179035
    封装：DIP-22
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TCD1209DG是一款高灵敏度、低暗电流的2048像元CCD线性图像传感器。该器件包含一排2048像元的光电二极管，在B4尺寸纸张上可实现每毫米8线的分辨率。该器件由5个（此处原文未完整说明5个什么，可能是引脚、电源等，需结合完整原文确定）进行操作
    数据手册

    • 1+

      ￥165.11

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      ￥149.51
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    ESD 5.5V截止 峰值浪涌电流：2A@8/20us
    型号：DF2S6M4CT,L3F 编号：C1976256
    封装：CST-2
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    DF2S6M4CT是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2S6M4CT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容性能使其非常适合高速信号应用。DF2S6M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mmx0.6 mm），可满足对占用空间要求较小的应用需求。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4788

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      ￥0.3732

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      ￥0.2332
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:650mA
    型号：SSM3K357R,LF 编号：C7369997
    封装：SOT-23F
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101合格。 3.0V栅极驱动电压。 内置齐纳二极管和电阻。应用：继电器驱动器

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      ￥1.035

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      ￥0.8985

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      ￥0.7345

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      ￥0.715
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    AC,DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP292(GB-TPL,E 编号：C74225
    封装：SOP-4-1.27mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP292 是一款高隔离、交流输入型低电平光耦合器，在 SO4 封装中，由光电晶体管与两个反并联的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55 至 125 °C），因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册

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      ￥1.4583

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    • 500+

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      ￥0.6821
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    光电耦合器，GaAs红外LED与光电IC
    型号：TLP5702(D4-TP,E 编号：C2929223
    封装：SOP-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小的占用空间解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。非常适合中小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

    • 1+

      ￥3.17

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      ￥2.83

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      ￥2.05

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      ￥2
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP2704(TP,E 编号：C393893
    封装：SOP-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由砷化镓发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器光耦合组成，采用SO6L封装。支持高达125℃的工作温度，SO6L封装符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。保证了传播延迟时间和脉冲宽度失真的最小值和最大值，适用于电机控制应用中IPM和控制IC电路之间的隔离接口。
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      ￥5.3

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      ￥4.2

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      ￥2.4
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    3.75kV
    型号：TLP293-4(TP,E 编号：C3002262
    封装：SOP-16-4.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。
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    • 1+

      ￥7.91

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      ￥6.51

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    1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V
    型号：TLP3122(TP,F) 编号：C393898
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP3122由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOS FET光耦合组成，采用塑料SOP封装。TLP3122是一种双向开关，在许多应用中可替代机械继电器。其较高的导通电流最大额定值适用于控制电源线
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    • 1+

      ￥14.31

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    DC输入 隔离电压(rms):2500V
    型号：TLP190B(TPR,U,C,F) 编号：C141614
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    适用于表面贴装组装，由与串联光电二极管阵列光耦合的GaAs红外发光二极管组成，适用于MOSFET栅极驱动器。
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      ￥28.72

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      ￥17.59
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    8通道源型DMOS晶体管阵列
    型号：TBD62783AFWG,EL 编号：C146353
    封装：SOIC-18-300mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是DMOS晶体管阵列，具有8个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。
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      ￥5.18

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      ￥4.14

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      ￥3.63

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      ￥2.64
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP2309(V4-TPL,E 编号：C2840187
    封装：SO-5-4.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。采用 SO6 封装，保证在高达 110℃ 的温度下工作，电源电压为 3.3V 和 5V。此外，由于保证爬电/电气间隙距离 ≥ 5.0mm，内部隔离厚度 ≥ 0.4mm，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级。
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    • 1+

      ￥3.61

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      ￥1.76

    • 1000+

      ￥1.66
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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：TLP161J(TPL,U,C,F) 编号：C48237
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组件。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光控三端双向可控硅开关组成。零电压交叉导通，峰值关态电压：600 V (min)，触发LED电流：10 mA (max)，导通状态电流：70 mA (max)，隔离电压：2500 Vrms (min)，UL认证：UL1577，文件编号E67349
    数据手册

    • 1+

      ￥4.91

    • 10+

      ￥4

    • 30+

      ￥3.55

    • 100+

      ￥3.1

    • 500+

      ￥2.83

    • 1000+

      ￥2.69
  • 有货
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    ESD 5.5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：DF2B7AFS,L3M 编号：C1972965
    封装：SOD-923
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    DF2B7AFS是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，防止静电和噪声干扰。DF2B7AFS利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，它采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用场景。
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    • 10+

      ￥0.2919

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      ￥0.1561
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    7通道达林顿灌电流驱动器
    型号：ULN2003AFWG(C,NEHZA) 编号：C5331613
    封装：SOL-16
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是高电压、高电流达林顿驱动器，由七个 NPN 达林顿对组成。所有单元都具有用于开关感性负载的集成钳位二极管。
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    • 1+

      ￥3.3

    • 10+

      ￥2.57

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    8通道灌电流型DMoS晶体管阵列
    型号：TBD62083AFG(Z,EL) 编号：C4153828
    封装：SOP-18-300mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    DMOS晶体管阵列有8个电路。每个输出端内置了用于切换感性负载的钳位二极管。使用时请注意热条件。
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    • 1+

      ￥5.43

    • 10+

      ￥4.35

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      ￥2.95

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      ￥2.78
  • 有货
    • 立即购买
    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP350H(TP1,F) 编号：C261928
    封装：SOP-8-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一款DIP8封装的光耦合器，由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.72

    • 10+

      ￥5.46

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      ￥4.83

    • 100+

      ￥4.2

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      ￥3.11
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    4通道高电流DMOS晶体管阵列
    型号：TBD62064AFG,EL 编号：C141521
    封装：HSOP-16-EP-6.4mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TBD62064A系列是四通道DMOS晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.83

    • 10+

      ￥5.64

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      ￥3.79
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    DC输入 隔离电压(rms):2500V
    型号：TLP191B(U,C,F) 编号：C150137
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    小型扁平耦合器适用于表面贴装组装，由砷化镓红外发光二极管和与分流电阻串联的光电二极管阵列光耦合而成，适用于MOS FET栅极驱动。
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    • 1+

      ￥38.09

    • 10+

      ￥32.54

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    • 150+

      ￥26.33
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    DC输入 2通道 隔离电压(rms):2500V
    型号：TLP2161(TP,F) 编号：C516860
    封装：SO-8
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP2161由一个高输出红外LED与一个高速光电二极管 - 晶体管芯片耦合而成。它采用SO8封装。单个SO8封装内集成了两个电路，可减小安装面积
    数据手册

    • 1+

      ￥6.78

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      ￥5.59

    • 30+

      ￥4.94

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    • 500+

      ￥3.87

    • 1000+

      ￥3.72
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    AC,DC 3.75kV
    型号：TLP292-4(TP,E 编号：C5349740
    封装：SOIC-16-4.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度Ta = -55至125℃和高隔离电压(3750Vrms)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。
    数据手册

    • 1+

      ￥7.6

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      ￥6.25

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      ￥5.51

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      ￥4.3

    • 1000+

      ￥4.13
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    4通道高电流灌电流型DMos晶体管阵列
    型号：TBD62064AFAG(Z,EHZ) 编号：C5370554
    封装：P-SSOP24
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TBD62064AFAG 是一款四通道 DMOS 晶体管阵列。其每个输出端都内置了用于切换感性负载的钳位二极管。
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      ￥9.34

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      ￥7.84

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      ￥5.49

    • 1000+

      ￥5.3
  • 有货
    • 立即购买
    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP785(GR-TP6,F 编号：C146376
    封装：SMD-4P
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由与砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (AC:5 kVRMS (min))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。
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    硅NPN外延型达林顿功率晶体管
    型号：2SD2719(TE85L,F) 编号：C5331493
    封装：TSM
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：高直流电流增益：hFE = 2000（最小值）(VCE = 2V, IC = 1A)。 集电极和基极之间包含齐纳二极管。应用：电磁阀驱动应用。 电机驱动应用
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    AC,DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP290(V4GBTP,SE 编号：C603060
    封装：SO-4-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由光电晶体管组成，与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合，可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO4封装，保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合IC。
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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP183(GR-TPL,E 编号：C80194
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。
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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP184(V4GBTL,SE 编号：C2929221
    封装：SOP-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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    AC,DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP2395(TPL,E 编号：C99488
    封装：SO-5
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反并联，因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级，具备拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑缓冲输出，也有反相器输出版本。
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    双向ESD 5.5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：DF2B7ASL,L3F 编号：C5668383
    封装：0201
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    DF2B7ASL是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，防止静电和噪声干扰。DF2B7ASL利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，DF2B7ASL采用超紧凑型封装（0.62 mm×0.32 mm），适用于对占用空间要求较小的应用。

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