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首页 > 热门关键词 > 东芝二极管
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DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
型号：TLP5701(TP,E 编号：C74960
封装：SOIC-6-300mil
品牌：TOSHIBA(东芝)
TLP5701是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由一个GaAlAs红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片通过光耦合组成。它能在高达110 °C的温度下保证性能和规格。与采用8引脚DIP封装的产品相比，TLP5701在尺寸上更小/更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准
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    1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V
    型号：TLP240A(TP1,F 编号：C146360
    封装：SMD-4P
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP240A和TLP240AF光电继电器由与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP2345(TPL,E 编号：C99484
    封装：SO-5
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用SO6封装。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110°C。具有低电源电流和低阈值输入电流，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±30kV/μs的共模瞬态抗扰度，有缓冲输出，也有反相器输出版本。
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    AC,DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP290(GR-TP,SE 编号：C99494
    封装：SOP-4-1.27mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP290(SE) 由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管进行光耦合，并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE) 采用非常小巧纤薄的 SO4 封装。由于 TLP290(SE) 保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55 至 110°C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路
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    DC输入 2通道 隔离电压(rms):2500V
    型号：TLP2160(TP,F) 编号：C393887
    封装：SOP-8
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO8封装，具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。有两个LED-感光器对，有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽可保证20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
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    1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V
    型号：TLP175A(TPL,E 编号：C141522
    封装：SMD-4P
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP175A光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用4引脚SO6封装。这款光电继电器需要1mA的LED电流才能导通
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    AC,DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP290(GB-TP,SE 编号：C73839
    封装：SOP-4-1.27mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP290由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管光耦合，可通过交流输入电流直接工作。由于TLP290保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C以及较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路。
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V 停产
    型号：TLP118(TPL,E) 编号：C89721
    封装：SOIC-5-4.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成。采用SO6封装，输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。
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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP293-4(GB-TP,E 编号：C112623
    封装：SOP-16-4.4mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP293 4由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 4光电耦合器采用超小型薄型SO16封装。由于TLP293 4保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C，且具有较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
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    AC,DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP184(GB-TPL,SE 编号：C49659
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    AC输入型光耦合器，由与两个砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于尺寸比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如混合集成电路。
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP2745(TP,E 编号：C146330
    封装：SOIC-6-300mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP2745由高输出GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP250H(TP1,F) 编号：C3002258
    封装：SOP-8-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP2361(V4-TPL,E 编号：C123773
    封装：SOIC-5-4.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，TLP2361具有内部法拉第屏蔽，可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。
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    • 1+

      ￥3.89

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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP350H(TP1,F) 编号：C261928
    封装：SOP-8-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一款DIP8封装的光耦合器，由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
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    CCD线性图像传感器
    型号：TCD1209DG(8Z,K) 编号：C5179035
    封装：DIP-22
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TCD1209DG是一款高灵敏度、低暗电流的2048像元CCD线性图像传感器。该器件包含一排2048像元的光电二极管，在B4尺寸纸张上可实现每毫米8线的分辨率。该器件由5个（此处原文未完整说明5个什么，可能是引脚、电源等，需结合完整原文确定）进行操作
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      ￥165.1

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      ￥149.51
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    光电耦合器，GaAs红外LED与光电IC
    型号：TLP5702(D4-TP,E 编号：C2929223
    封装：SOP-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小的占用空间解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。非常适合中小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

    • 1+

      ￥3.17

    • 10+

      ￥2.83

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    8通道灌电流型DMoS晶体管阵列
    型号：TBD62083AFNG(Z,EL) 编号：C4153827
    封装：SSOP-18-225mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TB62083A 系列和 TB62084A 系列是 8 路 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

    • 1+

      ￥4.33

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      ￥3.46

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      ￥2.21
  • 有货
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    1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V
    型号：TLP172A(TP,F) 编号：C99477
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP172A由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOSFET光耦合组成，采用4引脚SOP封装。这款光电继电器的输出电流额定值比光电晶体管型光电耦合器更高；因此，它适用于大电流的通/断控制。
    数据手册

    • 1+

      ￥11.52

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      ￥5.5
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:650mA
    型号：SSM3K357R,LF 编号：C7369997
    封装：SOT-23F
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101合格。 3.0V栅极驱动电压。 内置齐纳二极管和电阻。应用：继电器驱动器

    • 5+

      ￥1.483

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      ￥1.1554

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      ￥0.715
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    TLP2761(TP,E(T
    型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153768
    封装：SOP-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

    • 1+

      ￥2.85

    • 10+

      ￥2.51

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      ￥2.35

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      ￥2.02
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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：TLP267J(TPL,E 编号：C393892
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由一个非过零光控可控硅和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证爬电距离最小为5.0mm，电气间隙最小为5.0mm，内部隔离厚度最小为0.4mm。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
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      ￥3.51 ￥7.02

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      ￥2.344 ￥5.86

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      ￥1.35 ￥4.5

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      ￥1.254 ￥4.18

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      ￥1.212 ￥4.04
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    AC,DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP292-4(GB-TP,E 编号：C95713
    封装：SOP-16-4.4mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP292 4由光电晶体管组成，这些光电晶体管与两个反向并联的InGaAs红外发光二极管进行光耦合，可通过交流输入电流直接工作。TLP292 4采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP292 4保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C以及较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP2704(TP,E 编号：C393893
    封装：SOP-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由砷化镓发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器光耦合组成，采用SO6L封装。支持高达125℃的工作温度，SO6L封装符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。保证了传播延迟时间和脉冲宽度失真的最小值和最大值，适用于电机控制应用中IPM和控制IC电路之间的隔离接口。
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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP3906(TPL,E 编号：C146278
    封装：SOP-4-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP3906 是一款采用 SO6 封装的光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电二极管阵列通过光耦合组成。这些光电二极管串联连接，使 TLP3906 适用于 MOS 栅极驱动应用。
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    光耦合器，红外LED与光电达林顿晶体管
    型号：TLP627M(TP1,E 编号：C39286670
    封装：SMD-4P
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP627M是一款光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高，TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用

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    AC,DC 3.75kV
    型号：TLP292-4(TP,E 编号：C5349740
    封装：SOIC-16-4.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度Ta = -55至125℃和高隔离电压(3750Vrms)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。
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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP185(GR-TPL,SE 编号：C128776
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP785(GR-TP6,F 编号：C146376
    封装：SMD-4P
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由与砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (AC:5 kVRMS (min))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP2301(TPL,E 编号：C261927
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由基于光电晶体管的高速探测器与GaAs红外发光二极管光耦合组成，采用SO6封装。通过几个kΩ电阻实现了早期开关特性，对应20 kbps的传输速率，填补了通用晶体管耦合器和对应1 Mbps的IC耦合器之间的空白。
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    4通道高电流DMOS晶体管阵列
    型号：TBD62064AFG,EL 编号：C141521
    封装：HSOP-16-EP-6.4mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TBD62064A系列是四通道DMOS晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。
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