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描述

价格(含税)

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP250H(F) 编号：C88151

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

数据手册

1+
￥6.52
10+
￥5.29
50+
￥4.3
100+
￥3.69
500+
￥3.33
1000+
￥3.14

有货

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TLP155E(TPL,E

型号：TLP155E(TPL,E 编号：C56499

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，适用于IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

数据手册

1+
￥3.25
10+
￥2.54
30+
￥2.23
100+
￥1.85
500+
￥1.68
1000+
￥1.57

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V 停产

型号：TLP118(TPL,E) 编号：C89721

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成。采用SO6封装，输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。

数据手册

1+
￥4.01
10+
￥3.28
30+
￥2.91
100+
￥2.55
500+
￥1.99
1000+
￥1.87

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP2345(TPL,E 编号：C99484

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用SO6封装。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110°C。具有低电源电流和低阈值输入电流，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±30kV/μs的共模瞬态抗扰度，有缓冲输出，也有反相器输出版本。

数据手册

1+
￥4.81
10+
￥4.14
30+
￥3.67
100+
￥3.29
500+
￥2.41
1000+
￥2.33

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP185(GR-TPL,SE 编号：C128776

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥0.7661
50+
￥0.6002
150+
￥0.5172
500+
￥0.455
3000+
￥0.4052
6000+
￥0.3803

有货

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AC,DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP290(GR-TP,SE 编号：C99494

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE) 由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管进行光耦合，并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE) 采用非常小巧纤薄的 SO4 封装。由于 TLP290(SE) 保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55 至 110°C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

数据手册

5+
￥1.1226
50+
￥0.862
150+
￥0.7348
500+
￥0.6214
2500+
￥0.5902
5000+
￥0.5715

有货

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AC,DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP290(GB-TP,SE 编号：C73839

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管光耦合，可通过交流输入电流直接工作。由于TLP290保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C以及较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路。

数据手册

5+
￥1.2158
50+
￥0.9515
150+
￥0.8382
500+
￥0.6969
2500+
￥0.6146
5000+
￥0.5769

有货

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AC,DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP184(GB-TPL,SE 编号：C49659

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

AC输入型光耦合器，由与两个砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于尺寸比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如混合集成电路。

数据手册

5+
￥0.9811
50+
￥0.7644
150+
￥0.6715
500+
￥0.5556
3000+
￥0.504
6000+
￥0.4731

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP5701(TP,E 编号：C74960

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5701是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由一个GaAlAs红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片通过光耦合组成。它能在高达110 °C的温度下保证性能和规格。与采用8引脚DIP封装的产品相比，TLP5701在尺寸上更小/更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准

数据手册

1+
￥3.46
10+
￥2.76
30+
￥2.42
100+
￥2.08
500+
￥1.87
1500+
￥1.77

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP3906(TPL,E 编号：C146278

封装：SOP-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3906 是一款采用 SO6 封装的光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电二极管阵列通过光耦合组成。这些光电二极管串联连接，使 TLP3906 适用于 MOS 栅极驱动应用。

数据手册

1+
￥6.36
10+
￥5.21
30+
￥4.57
100+
￥3.86
500+
￥3.54
1000+
￥3.4

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP291(GR-TP,SE 编号：C58160

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此它适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

数据手册

5+
￥0.8421
50+
￥0.6597
150+
￥0.5685
500+
￥0.5001
2500+
￥0.4454
5000+
￥0.418

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP2745(TP,E 编号：C146330

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2745由高输出GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。

数据手册

1+
￥4.28
10+
￥3.49
30+
￥3.09
100+
￥2.69
500+
￥2.15
1500+
￥2.03

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP2301(TPL,E 编号：C261927

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由基于光电晶体管的高速探测器与GaAs红外发光二极管光耦合组成，采用SO6封装。通过几个kΩ电阻实现了早期开关特性，对应20 kbps的传输速率，填补了通用晶体管耦合器和对应1 Mbps的IC耦合器之间的空白。

数据手册

5+
￥1.6482
50+
￥1.2853
150+
￥1.1298
500+
￥0.9357
3000+
￥0.8493
6000+
￥0.7975

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP2358(TPL,E 编号：C99486

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度，有反相器输出。

数据手册

1+
￥3.84
10+
￥3.07
30+
￥2.68
100+
￥2.3
500+
￥2.07
1000+
￥1.95

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP293-4(GB-TP,E 编号：C112623

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293 4由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 4光电耦合器采用超小型薄型SO16封装。由于TLP293 4保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C，且具有较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

1+
￥4.37
10+
￥3.51
30+
￥3.08
100+
￥2.65
500+
￥2.34
1000+
￥2.21

有货

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AC,DC输入隔离电压(rms):2500V

型号：TLP290-4(GB-TP,E 编号：C39031

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290 - 4由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4可在较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C内正常工作，因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

数据手册

1+
￥3.52
10+
￥2.95
30+
￥2.55
100+
￥2.22
500+
￥2.13
1000+
￥2.06

有货

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8通道源型DMOS晶体管阵列

型号：TBD62783AFNG(Z,EL) 编号：C4153829

封装：SSOP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。

1+
￥4.71
10+
￥3.77
30+
￥3.3
100+
￥2.83
500+
￥2.55
1000+
￥2.4

有货

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AC,DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP5214A(TP,E 编号：C396025

封装：SOP-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高度集成的 4.0 A 输出电流 IGBT 栅极驱动光耦合器，采用长爬电距离和电气间隙的 SO16L 封装。智能栅极驱动光耦合器，具备 IGBT 欠饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT 软关断、有源米勒钳位和欠压锁定 (UVLO) 功能。此外，该光耦合器具有欠饱和前沿消隐时间、滤波时间，并优化了软关断性能，以确保应用的安全运行。适用于驱动逆变器应用中使用的 IGBT 和功率 MOSFET。由两个 GaAtAs 红外发光二极管 (LED) 和两个高增益、高速 IC 组成，可实现大电流、高速输出控制和输出故障状态反馈。

数据手册

1+
￥14.03
10+
￥11.96
30+
￥10.66
100+
￥9.33
500+
￥8.73
1500+
￥8.47

有货

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TLP2761(TP,E(T

型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153768

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

1+
￥2.85
10+
￥2.51
30+
￥2.35
100+
￥2.18
500+
￥2.08
1500+
￥2.02

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：TLP267J(TPL,E 编号：C393892

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个非过零光控可控硅和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证爬电距离最小为5.0mm，电气间隙最小为5.0mm，内部隔离厚度最小为0.4mm。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥3.0888 ￥7.02
10+
￥1.9924 ￥5.86
30+
￥1.2528 ￥5.22
100+
￥1.08 ￥4.5
500+
￥1.0032 ￥4.18
1000+
￥0.9696 ￥4.04

有货

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光耦合器，红外LED与光电达林顿晶体管

型号：TLP627M(TP1,E 编号：C39286670

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP627M是一款光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高，TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用

1+
￥4.21
10+
￥3.36
30+
￥2.94
100+
￥2.52
500+
￥2.27
1500+
￥2.14

有货

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8通道灌电流型DMoS晶体管阵列

型号：TBD62083AFNG(Z,EL) 编号：C4153827

封装：SSOP-18-225mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB62083A 系列和 TB62084A 系列是 8 路 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

1+
￥4.36
10+
￥3.49
30+
￥3.06
100+
￥2.63
500+
￥2.38
1000+
￥2.25

有货

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600V 50A

型号：GT50JR22(S1WLD,E,S 编号：C2880445

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。增强模式。高速开关。 -IGBT：tf = 0.05 μs（典型值）(IC = 50A)。 -FWD：trr = 0.35 μs（典型值）(IF = 15A)。应用：电流谐振逆变器开关应用

1+
￥10.27
10+
￥8.58
25+
￥6.52
100+
￥5.48
500+
￥5.01
1000+
￥4.8

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP291(GRL-TP,SE 编号：C248929

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

数据手册

5+
￥1.2161
50+
￥0.9691
150+
￥0.8633
500+
￥0.6331
2500+
￥0.5743
5000+
￥0.539

有货

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AC,DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP182(GB-TPL,E 编号：C96457

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP182是一款低交流输入型光电耦合器，采用SO6封装，由光电晶体管与两个反并联的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合而成。由于TLP182保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.5566
50+
￥1.1836
150+
￥1.0238
500+
￥0.8243
3000+
￥0.7355
6000+
￥0.6822

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V 停产

型号：TLP104(TPL,E 编号：C48236

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装，输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，保证了传播延迟时间、开关速度分散性的最小和最大值以及高共模瞬态抗扰度，适用于电机控制应用中IPM（智能功率模块）之间的隔离接口。

数据手册

1+
￥4.69
10+
￥3.83
30+
￥3.4
100+
￥2.97
500+
￥2.34
1000+
￥2.2

有货

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光电耦合器（GaAs红外LED与光电IC）

型号：TLP350(F) 编号：C50232

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

1+
￥6.76
10+
￥5.68
50+
￥4.31
100+
￥3.64
500+
￥3.34
1000+
￥3.2

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP250H(TP1,F) 编号：C3002258

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

数据手册

1+
￥7.29
10+
￥6
30+
￥5.29
100+
￥4.48
500+
￥4.13
1500+
￥3.96

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V

型号：TLP172A(TP,F) 编号：C99477

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP172A由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOSFET光耦合组成，采用4引脚SOP封装。这款光电继电器的输出电流额定值比光电晶体管型光电耦合器更高；因此，它适用于大电流的通/断控制。

数据手册

1+
￥11.02
10+
￥9.25
30+
￥8.14
100+
￥7
500+
￥6.48
1000+
￥6.26

有货

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无 1

型号：TLP265J(TPL,E 编号：C5798515

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

1+
￥2.49
10+
￥1.94
30+
￥1.7
100+
￥1.4
500+
￥1.27
1000+
￥1.19

有货

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海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

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