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首页 > 热门关键词 > 东芝二极管
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DC输入 隔离电压(rms):5000V 停产
型号：TLP627(TP1,F) 编号：C30336
封装：SMD-4P
品牌：TOSHIBA(东芝)
东芝TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接的光电晶体管光耦合而成，该光电晶体管带有一个集成基极 - 发射极电阻，用于优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料DIP封装，提供两个隔离通道，而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。
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    光耦合器，GaAs红外LED与光电集成电路
    型号：TLP2398(TPL,E 编号：C5370545
    封装：SOIC-5
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP2398由两个GaAℓAs发光二极管与一个高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用SO6封装。由于采用两个LED反并联结构，因此它可以处理灌电流和拉电流输入信号
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP785(GB,F 编号：C193694
    封装：DIP-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管通过光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5 kVRMS（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V 停产
    型号：TLP627(F) 编号：C96253
    封装：DIP-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP627、TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接光电晶体管光耦合组成，该光电晶体管集成了基极 - 发射极电阻，以优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料双列直插式封装（DIP），提供两个隔离通道；而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。
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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP124(BV-TPR,F) 编号：C99475
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝小型扁平耦合器TLP124是一种小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压：80 V（最小值）
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    AC,DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP126(TPL,F) 编号：C23649
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝小型扁平耦合器TLP126是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP126由一个光电晶体管和一个反并联连接的砷化镓红外发光二极管光耦合而成，在低交流输入电流下可提供高电流传输比（CTR）。集电极 - 发射极电压：80 V（最小值）
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    1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压400V
    型号：TLP176GA(TP,F) 编号：C516859
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP176GA由一个红外发光二极管和一个光电MOSFET通过光耦合组成，采用SOP封装，适用于表面贴装组装。TLP176GA适用于需要节省空间的调制解调器应用。
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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP124(BV-TPL,F) 编号：C7083
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝小型扁平耦合器TLP124是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压：最小80 V
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP785(BL,F 编号：C115022
    封装：DIP-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管通过光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。
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    光耦合器、光继电器
    型号：TLP197A(TP,F) 编号：C5155294
    封装：SOP-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP197A由一个铝镓砷化物红外发光二极管和一个光电MOS FET光耦合组成，采用SOP封装，适用于表面贴装组装。TLP197A适用于许多需要节省空间的应用场景中，以替代机械继电器。
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    2 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压400V
    型号：TLP227GA-2(F 编号：C99481
    封装：DIP-8
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP227GA系列由一个砷化镓红外发光二极管与一个光电MOSFET光耦合而成，采用4引脚DIP或8引脚DIP封装，其峰值关态电压为400V。
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    停产 DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP781(GR-TP6,F) 编号：C58371
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP781由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP785(GR,F) 编号：C2840180
    封装：DIP-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP627-4(F) 编号：C2987290
    封装：DIP-16
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP627、TLP627 - 2和TLP627 - 4由一个红外发光二极管和一个达林顿连接的光电晶体管光耦合而成，该光电晶体管集成了基极 - 发射极电阻，以优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料DIP封装，提供两个隔离通道；而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。
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    光电耦合器，GaAs红外LED与光电IC
    型号：TLP2768A(TP,E 编号：C5362560
    封装：SO-6-300mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP2768A由一个高输出的镓铝砷（GaAlAs）发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。TLP2768A保证隔离电压为5 kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准

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    停产 DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP781(BL-TP6,F) 编号：C2840183
    封装：SMD-4P
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP781由一个硅光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。
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    停产 DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP185(GB-TPL,E 编号：C424198
    封装：SMD-4P
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝小型扁平耦合器TLP185是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP185由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。由于TLP185比双列直插式封装（DIP）更小，因此它适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
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    1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V
    型号：TLP3122A(TPL,E 编号：C2152231
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP3122A由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOSFET光耦合而成，采用4引脚SO6封装。这款光电继电器的输出电流额定值比光电晶体管型光电耦合器更高；因此，它适用于大电流的通/断控制。
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    MOSFET栅极驱动器
    型号：TLP3914(TP15,F) 编号：C5447715
    封装：SSOP-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝SSOP耦合器TLP3914是一种小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP3914由一个红外发光二极管和一个与之光耦合的串联光电二极管阵列组成，适用于MOSFET栅极驱动。

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    停产 DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP627-2(F) 编号：C845530
    封装：DIP-8
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP627、TLP627 - 2和TLP627 - 4由一个红外发光二极管和一个达林顿连接的光电晶体管光耦合而成，该光电晶体管带有一个集成的基极 - 发射极电阻，用于优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料DIP封装，提供两个隔离通道；而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。
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    1 Form A(SPSTNO) 负载DC 负载电压60V
    型号：TLP592A(F) 编号：C150136
    封装：DIP-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP592A由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOSFET光耦合组成，采用6引脚DIP封装。这款光电继电器的输出电流额定值比光电晶体管型光电耦合器更高；因此，它适用于大电流的通/断控制。
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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP291(GB-TP,SE 编号：C55144
    封装：SOP-4-1.27mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由光电晶体管组成，与砷化镓红外发射二极管光耦合。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用。
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP2362(TPL,E 编号：C37658
    封装：SO-5
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP2362由一个高输出GaAlAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。TLP2362可保证在高达125°C的温度下工作，且工作电源电压范围为2.7 V至5 V。
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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP187(TPL,E 编号：C393886
    封装：SO-4-4.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP187是一款光耦合器，由一个与达林顿晶体管进行光耦合的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管组成。它采用SO6封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压，TLP187适用于可编程控制器的100 VDC输出模块等应用场景
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      ￥1.6125

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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP109(TPL,E 编号：C406798
    封装：SO-5-4.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一款适合表面贴装的小外形耦合器，由高输出功率红外发射二极管与高速光电二极管-晶体管芯片光耦合而成。采用SO6封装，保证爬电距离≥5.0mm、电气间隙≥5.0mm和绝缘厚度≥0.4mm，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
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    • 1+

      ￥2.96

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    AC,DC输入 隔离电压(rms):2500V
    型号：TLP290-4(GB-TP,E 编号：C39031
    封装：SOP-16-4.4mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP290 - 4由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4可在较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C内正常工作，因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器
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    • 1+

      ￥3.24

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      ￥2.69

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    1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压350V
    型号：TLP172GM(TPL,E 编号：C261926
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP172GM由一个铝镓砷红外发光二极管和一个光MOSFET光耦合而成，采用4引脚SO6封装，适用于表面贴装组装。TLP172GM适用于需要节省空间的电池管理系统。
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    • 1+

      ￥3.69

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    TLP155E(TPL,E
    型号：TLP155E(TPL,E 编号：C56499
    封装：SOIC-5-4.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，适用于IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。
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    • 1+

      ￥3.06

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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP350(TP1,F) 编号：C5003
    封装：SOP-8-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一款采用DIP8封装的光电耦合器，由砷化镓红外发光二极管 (LED) 与集成高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，能保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
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      ￥5.12

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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP785(GB-TP6,F 编号：C45445
    封装：SMD-4P
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (交流：5kVRMS (最小值))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。
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    • 5+

      ￥0.637

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