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首页 > 热门关键词 > 美信二极管
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驱动四个N沟道MOSFET,支持典型的直流至600Hz的电压整流。通过最大化可用电压和降低功耗,简化了电源设计并降低了电源成本,特别是在低电压应用中。消除了热设计问题、昂贵的散热器,并大大减少了印刷电路板面积。内部电荷泵支持全NMOS设计,消除了更大、更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路,快速关断可将反向电流瞬变降至最低。适用于典型的直流至60Hz的电压整流,另一个型号适用于典型的直流至600Hz的电压整流,更高的工作频率取决于MOSFET尺寸和工作负载电流。
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  • 1+

    ¥53.06
  • 10+

    ¥46.03
  • 30+

    ¥41.74
  • 有货
  • 具理想二极管的浪涌抑制器
    • 100+

      ¥110
    • 200+

      ¥107
    具理想二极管的浪涌抑制器
    数据手册
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    • 30+

      ¥43.5
  • 有货
  • 具可调电流限值的双通道 4A 理想二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥58.46
    • 10+

      ¥50.61
    • 30+

      ¥45.83
  • 有货
  • 固定频率升压式 DC/DC 转换器,用于驱动 LED。 具有内部 45V、750mA 低端开关和肖特基二极管。 结合传统电压反馈和独特的轨到轨电流感应反馈,可作为恒压源或恒流源工作。 内部补偿简化了应用。 具有轨到轨 LED 电流感应引脚,在选择驱动 LED 的转换器配置时提供最大灵活性。 LED 电流可通过检测电阻进行外部编程。 外部 PWM 提供高达 3000:1 的 PWM 调光,CTRL 输入提供模拟调光。
    数据手册
    • 1+

      ¥58.86
    • 10+

      ¥51.804 ¥57.56
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      ¥45.36 ¥56.7
    • 100+

      ¥44.664 ¥55.83
  • 有货
  • 固定频率升压式 DC/DC 转换器,用于驱动 LED。 具有内部 45V、750mA 低端开关和肖特基二极管。 结合传统电压反馈和独特的轨到轨电流感应反馈,可作为恒压源或恒流源工作。 内部补偿简化了应用。 具有轨到轨 LED 电流感应引脚,在选择驱动 LED 的转换器配置时提供最大灵活性。 LED 电流可通过检测电阻进行外部编程。 外部 PWM 提供高达 3000:1 的 PWM 调光,CTRL 输入提供模拟调光。
    数据手册
    • 1+

      ¥62.7
    • 10+

      ¥55.8012 ¥61.32
    • 30+

      ¥48.924 ¥60.4
    • 100+

      ¥48.1788 ¥59.48
  • 有货
  • LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器,可驱动四个N沟道MOSFET,支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗,理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本,尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器,并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计,从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路,快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流,而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流,也可以实现更高的工作频率。
    数据手册
    • 1+

      ¥65.704 ¥76.4
    • 10+

      ¥56.7686 ¥66.01
    • 30+

      ¥51.3334 ¥59.69
    • 100+

      ¥46.7668 ¥54.38
  • 有货
  • 具理想二极管的浪涌抑制器
    • 1+

      ¥68
    • 10+

      ¥58.87
    • 30+

      ¥53.31
  • 有货
  • LTC4364浪涌抑制器与理想二极管控制器可保护负载免受高压瞬变影响。在过压事件(如汽车负载突降)期间,它通过控制外部N沟道MOSFET传输器件两端的压降来限制和调节输出。LTC4364还包含一个定时、限流断路器
    数据手册
    • 1+

      ¥68
    • 10+

      ¥58.87
    • 30+

      ¥53.31
  • 有货
  • 具输入电源和熔丝监视器的正高电压理想二极管“或”控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥73.93
    • 10+

      ¥64.01
    • 30+

      ¥57.96
  • 有货
  • 正向高压理想二极管控制器驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。控制MOSFET两端的正向压降,以确保即使在轻负载下也能实现电流传输或从一条路径到另一条路径的电流转移。5µA的工作电流可为间歇性负载应用或始终开启的备用电源实现高效率。如果电源发生故障或短路,快速关断可将反向电流瞬变降至最低。控制背对背N沟道MOSFET以实现浪涌电流控制和负载切换。SHDN引脚可使MOSFET保持关断状态,并将静态电流降至3.5µA。具有UV引脚用于欠压监测,而UVOUT引脚提供迟滞调整和状态信息。在欠压期间,背对背MOSFET会被切断,静态电流降至0.5µA。
    • 1+

      ¥82.71
    • 10+

      ¥71.28
    • 30+

      ¥64.31
  • 有货
  • 该产品是一个双电源电流共享控制器,集成了MOSFET理想二极管。在启动和故障条件下,二极管可阻止反向和直通电流。通过调整其正向电压,可在电源之间共享负载电流。与其他共享方法不同,既不需要共享总线,也不需要电源上的微调引脚
    数据手册
    • 1+

      ¥101.88
    • 10+

      ¥97.17
    • 30+

      ¥89
    • 100+

      ¥76.9578 ¥81.87
  • 有货
  • 是一款正向高压理想二极管控制器,可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它控制 MOSFET 两端的正向压降,确保即使在轻负载下也能平稳输送电流而无振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供关断模式,可将负载开关的静态电流降至 9μA,理想二极管应用的静态电流降至 14μA。在大电流二极管应用中使用时,可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值,可满足汽车和电信应用的苛刻要求。还能轻松在具有冗余电源的系统中实现电源并联。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.1045 ¥20.11
    • 10+

      ¥18.639 ¥19.62
    • 30+

      ¥18.3255 ¥19.29
    • 100+

      ¥18.0215 ¥18.97
  • 有货
  • LT4351利用外部单个或背对背N沟道MOSFET构建了近乎理想的二极管。这种理想二极管功能可实现多个电源的低损耗“或”操作。多个电源可以轻松地进行“或”连接,以增加系统总功率和可靠性,同时对电源电压或效率的影响降至最低
    数据手册
    • 1+

      ¥30.9225 ¥33.25
    • 10+

      ¥30.1692 ¥32.44
    • 30+

      ¥29.667 ¥31.9
    • 100+

      ¥29.1648 ¥31.36
  • 有货
  • 采用 3mm x 3mm DFN 封装的双通道 2.6A、2.5V 至 5.5V 快速理想二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥30.9858 ¥36.03
    • 10+

      ¥26.7804 ¥31.14
    • 30+

      ¥24.209 ¥28.15
    • 100+

      ¥22.059 ¥25.65
  • 有货
  • 具监视功能的低电压理想二极管控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥33.61
    • 10+

      ¥32.91
    • 30+

      ¥29.73
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥40.8844 ¥47.54
    • 10+

      ¥35.3288 ¥41.08
    • 30+

      ¥31.9404 ¥37.14
    • 100+

      ¥29.1024 ¥33.84
  • 有货
  • 具理想二极管的浪涌抑制器
    数据手册
    • 1+

      ¥42.7959 ¥67.93
    • 10+

      ¥31.164 ¥58.8
    • 30+

      ¥22.8932 ¥53.24
    • 100+

      ¥20.8894 ¥48.58
  • 有货
  • LTC4364浪涌抑制器与理想二极管控制器可保护负载免受高压瞬变影响。在过压事件(如汽车负载突降)期间,它通过控制外部N沟道MOSFET传输器件两端的压降来限制和调节输出。LTC4364还包含一个定时、限流断路器
    数据手册
    • 1+

      ¥44.9283 ¥48.31
    • 10+

      ¥39.2092 ¥47.24
    • 30+

      ¥33.9596 ¥46.52
    • 100+

      ¥33.434 ¥45.8
  • 有货
  • 具理想二极管的浪涌抑制器
    数据手册
    • 1+

      ¥46.58
    • 10+

      ¥45.55
    • 30+

      ¥43.78
  • 有货
  • 该产品是一款光学传感器,用于测量入射红外光的角度。在±35°的视角范围内,测量角度的线性度可达±5°。该产品的辐射敏感面积为0.31平方毫米,低结电容和低暗电流特性使其能够与ADPD1080光度前端实现优化集成。该产品可与发光二极管(LED)等同步红外光源配合使用,以检测用户手部动作,实现手势识别功能。该产品采用小型透明封装,尺寸为2mm×3mm,8引脚LFCSP封装,工作温度范围为-40°C至+85°C。
    数据手册
    • 1+

      ¥47.64
    • 10+

      ¥46.53
    • 30+

      ¥45.79
    • 100+

      ¥44.149 ¥45.05
  • 有货
  • LTC4415包含两个单片式PowerPath理想二极管,每个二极管能够提供高达4A的电流,典型正向导通电阻为50mΩ。在低电流正向导通期间,二极管压降被调节至15mV,这扩展了电源工作范围,并确保在电源切换期间不会出现振荡。从输出端(OUT)到输入端(IN)的反向电流小于1A,这使得该器件非常适合用于电源“或”应用
    数据手册
    • 1+

      ¥52.5976 ¥61.16
    • 10+

      ¥45.451 ¥52.85
    • 30+

      ¥41.0994 ¥47.79
    • 100+

      ¥37.4444 ¥43.54
  • 有货
  • LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器,可驱动四个N沟道MOSFET,支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗,理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本,尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器,并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计,从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路,快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流,而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流,也可以实现更高的工作频率。
    数据手册
    • 1+

      ¥52.77
    • 10+

      ¥51.54
    • 30+

      ¥50.71
    • 100+

      ¥48.8824 ¥49.88
  • 有货
  • 双负电压理想二极管“或”控制器和监视器
    数据手册
    • 1+

      ¥56.11
    • 10+

      ¥50.871 ¥54.7
    • 30+

      ¥44.6208 ¥53.76
    • 100+

      ¥43.8406 ¥52.82
  • 有货
  • 提供理想二极管和热插拔功能,通过控制两个外部N沟道MOSFET实现。MOSFET作为理想二极管取代高功率肖特基二极管及其相关散热器,节省功率和电路板面积。热插拔MOSFET控制允许通过限制浪涌电流将电路板安全地插入和移除带电背板。电源输出还通过快速作用的折返电流限制和电子断路器来防止短路故障。调节外部MOSFET上的正向电压降,以确保在二极管或应用中实现平稳的电流传输。理想二极管快速导通,以减少电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供可调启动延迟、欠压和过压保护,并报告电源的故障和电源良好状态。可以配置为故障后锁存关闭或自动重试。
    数据手册
    • 1+

      ¥56.1442 ¥57.29
    • 10+

      ¥54.1744 ¥55.28
  • 有货
  • 带有理想二极管控制器的浪涌抑制器可保护负载免受高压瞬变影响。在过压事件(如汽车负载突降)期间,它通过控制外部N沟道MOSFET传输器件两端的电压降来限制和调节输出。浪涌抑制器还包括一个定时、限流断路器
    • 1+

      ¥57.65
    • 10+

      ¥49.81
    • 30+

      ¥45.04
  • 有货
  • 是一款理想的 1.9V 至 28V 二极管,集成 P 沟道 MOSFET。启用时,15mV 正向电压调节可最大限度地降低功耗,同时与肖特基二极管相比,可增加工作裕量和效率。能轻松将电源并联以提高系统可靠性并防止反向传导。未启用时可在输出端阻断高达 28V 的电压,同时漏电流小于 1μA(典型值),比典型的肖特基二极管有显著改善,可延长电池寿命。快速的 OUT 到 IN 反向偏置检测可最大限度地减少反向电流,防止输入电池意外充电。当处于关断或反向偏置状态时,开漏 STATUS 输出会拉低。
    • 1+

      ¥60.35
    • 10+

      ¥58.98
    • 30+

      ¥58.06
  • 有货
  • LTC4364浪涌抑制器与理想二极管控制器可保护负载免受高压瞬变影响。在过压事件(如汽车负载突降)期间,它通过控制外部N沟道MOSFET传输器件两端的压降来限制和调节输出。LTC4364还包含一个定时、限流断路器
    数据手册
    • 1+

      ¥61.08
    • 10+

      ¥52.69
    • 30+

      ¥47.58
    • 100+

      ¥41.568 ¥43.3
  • 有货
    • 1+

      ¥64.9
    • 10+

      ¥56.04
    • 30+

      ¥50.64
  • 有货
  • 双通道、低电压理想二极管控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥65.9878 ¥76.73
    • 10+

      ¥57.0266 ¥66.31
    • 30+

      ¥51.557 ¥59.95
    • 100+

      ¥46.9732 ¥54.62
  • 有货
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