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首页 > 热门关键词 > 美信二极管
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      ¥43.66
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      ¥42.91
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  • 采用 ThinSOT 封装的低损耗 PowerPath 控制器
    数据手册
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      ¥22.27
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      ¥18.8
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      ¥16.64
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      ¥13.09
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      ¥12.66
  • 有货
  • 具反向输入保护功能的理想二极管控制器
    数据手册
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      ¥33.3422 ¥38.77
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      ¥28.8702 ¥33.57
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      ¥23.8564 ¥27.74
  • 有货
  • 具反向输入保护功能的理想二极管控制器
    数据手册
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      ¥26.312 ¥28.6
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      ¥25.0792 ¥27.26
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      ¥22.3836 ¥24.33
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      ¥21.6384 ¥23.52
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      ¥21.298 ¥23.15
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      ¥21.1508 ¥22.99
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  • 是一款双理想二极管桥控制器,使以太网供电 (PoE) 受电设备 (PD) 能够从 RJ-45 数据对、备用对或两者接收任一电压极性的功率。该控制器和八个 N 沟道 MOSFET 取代了无源 PoE 整流桥中的八个二极管,简化了热设计并增加了输出功率。内部电荷泵允许使用全 NMOS 桥,消除了更大且更昂贵的 PMOS 开关。该控制器适用于 2 对和 4 对应用。高阻抗输入感测引脚可防止未使用对上的反向电流。如果电源出现故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。与分立理想桥解决方案不同,该控制器可在瞬变期间运行,而不会使未供电对上的 MOSFET 导通。
    数据手册
    • 1+

      ¥25.7703 ¥27.71
    • 10+

      ¥24.5706 ¥26.42
    • 30+

      ¥21.7155 ¥23.35
    • 100+

      ¥20.9901 ¥22.57
    • 500+

      ¥20.6553 ¥22.21
    • 1000+

      ¥20.5065 ¥22.05
  • 有货
  • 双电源二极管 “合路” 电流平衡控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥53.8
    • 10+

      ¥45.79
    • 30+

      ¥40.91
  • 有货
  • 采用 ThinSOT 封装的低损耗 PowerPath 控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥18.97
    • 10+

      ¥16.33
    • 30+

      ¥14.67
    • 100+

      ¥11.96
    • 500+

      ¥11.2
  • 有货
  • 具反向输入保护功能的理想二极管控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥35.61
    • 10+

      ¥30.79
    • 50+

      ¥27.34
  • 有货
  • 具反向输入保护功能的理想二极管控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥37
    • 10+

      ¥32.15
    • 30+

      ¥27.47
    • 100+

      ¥24.55
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥30.53
    • 10+

      ¥26
    • 30+

      ¥23.31
    • 100+

      ¥20.59
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      ¥19.33
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  • 用于大 PFET 的 36V、低损耗、双通道、PowerPath 控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥45.21
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      ¥39.21
    • 30+

      ¥35.56
    • 100+

      ¥32.49
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  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥34.66
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      ¥29.83
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      ¥26.97
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      ¥24.07
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  • 控制外部P沟道MOSFET,以实现电源切换或负载共享的近乎理想的二极管功能。这允许高效地对多个电源进行或运算,以延长电池寿命并降低自热。导通时,MOSFET两端的电压降通常为20mV。对于带有壁式适配器或其他辅助电源的应用,当连接辅助电源时,负载会自动与电池断开
    数据手册
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      ¥17.91
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      ¥15.27
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      ¥13.61
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      ¥11.91
    • 500+

      ¥11.15
  • 有货
  • 采用 ThinSOT 封装的低损耗 PowerPath 控制器
    数据手册
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      ¥19.61
    • 10+

      ¥16.88
    • 30+

      ¥15.26
  • 有货
  • LT1328是一款低噪声、高速、高增益的红外接收器,支持IrDA标准,适用于便携式计算机、PDA、台式计算机和外设的红外通信。
    数据手册
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      ¥55.43
    • 10+

      ¥47.74
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      ¥43.05
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      ¥38.7288 ¥39.12
  • 有货
  • LTC4355是一款正压理想二极管“或”控制器,可驱动两个外部N沟道MOSFET。用N沟道MOSFET而非肖特基二极管构成二极管“或”电路,可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。借助LTC4355,电源可轻松实现“或”连接,从而提高整个系统的可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥56.9
    • 10+

      ¥48.94
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      ¥44.09
    • 100+

      ¥39.2196 ¥40.02
  • 有货
  • DS9503 设计用作 1-Wire 微局域网接口的静电放电(ESD)保护器件。与 DS9502 不同,DS9503 芯片上集成了两个 5Ω 隔离电阻。尽管在通信过程中 5Ω 电阻的影响可忽略不计,但在 ESD 事件中,相对于导通的二极管,它们呈现出高阻抗。因此,二极管吸收能量,而电阻进一步隔离并保护封装另一侧的电路。如果与 I/O 端口已有强大 ESD 保护的电路配合使用,ESD 保护等级可提升至超过 27 kV(符合 IEC 801-2 参考模型)。若遇到超出其最大额定值的异常 ESD 冲击,DS9503 最终会发生“短路”故障,从而防止进一步损坏。在正常工作时,DS9503 的特性类似于普通齐纳二极管。当电压超过触发电压时,该器件的电流-电压(I/V)特性会出现“回滞”现象,允许相同或更大的电流通过,但电压会显著降低。只要维持最小电流或电压,器件就会保持在“回滞模式”。如果电压或电流降至维持电压或维持电流以下,器件将突然切换到正常模式,仅传导很小的泄漏电流。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.4
    • 10+

      ¥10.64
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      ¥9.54
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      ¥7.469 ¥7.7
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      ¥6.9743 ¥7.19
    • 1000+

      ¥6.7609 ¥6.97
  • 有货
  • LTC4358是一款5A理想二极管,在二极管“或”和大电流二极管应用中,它使用内部20mΩ的N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。LTC4358可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。LTC4358能轻松将多个电源进行“或”操作,以提高整个系统的可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥24.9166 ¥30.02
    • 10+

      ¥23.6135 ¥28.45
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥34.66
    • 10+

      ¥29.84
    • 30+

      ¥26.97
  • 有货
  • 是一款正向高压理想二极管控制器,可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。它控制 MOSFET 两端的正向压降,以确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供关断模式,可将负载开关的静态电流降至 9μA,理想二极管应用的静态电流降至 14μA。在大电流二极管应用中使用时,可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值,可满足汽车和电信应用的苛刻要求。还可轻松实现冗余电源系统中电源的并联。
    数据手册
    • 1+

      ¥35.36
    • 10+

      ¥30.7
    • 50+

      ¥27.85
  • 有货
  • 是一种正高压理想二极管控制器,驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 板面积。还能轻松实现电源并联,提高系统整体可靠性。在二极管或应用中,控制 MOSFET 两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。若电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥40.05
    • 10+

      ¥33.28
    • 30+

      ¥29.26
    • 100+

      ¥25.19
  • 有货
  • 具监视功能的低电压理想二极管控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥27.5088 ¥31.26
    • 10+

      ¥26.8752 ¥30.54
    • 30+

      ¥26.4616 ¥30.07
    • 100+

      ¥26.0392 ¥29.59
  • 有货
  • 具可调电流限值的双通道 4A 理想二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥55.449 ¥61.61
    • 10+

      ¥52.947 ¥58.83
    • 30+

      ¥51.426 ¥57.14
    • 100+

      ¥50.148 ¥55.72
  • 有货
  • LTC4359是一款正高压理想二极管控制器,可驱动外部N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。它控制MOSFET两端的正向压降,确保即使在轻负载情况下也能平稳输送电流且无振荡。若电源出现故障或短路,快速关断功能可将反向电流瞬变降至最低
    数据手册
    • 1+

      ¥64.19
    • 10+

      ¥55.37
    • 30+

      ¥49.99
    • 100+

      ¥43.6704 ¥45.49
  • 有货
  • 具理想二极管的浪涌抑制器
    • 1+

      ¥64.62
    • 10+

      ¥55.8
    • 30+

      ¥50.42
  • 有货
  • 具理想二极管的浪涌抑制器
    数据手册
    • 1+

      ¥66.44
    • 10+

      ¥57.37
    • 30+

      ¥51.84
  • 有货
  • 具理想二极管的浪涌抑制器
    数据手册
    • 1+

      ¥66.81
    • 10+

      ¥57.69
    • 30+

      ¥52.13
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥69.4467 ¥78.03
    • 10+

      ¥66.2071 ¥74.39
    • 50+

      ¥60.5823 ¥68.07
    • 100+

      ¥55.6784 ¥62.56
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