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首页 > 热门关键词 > 美信二极管
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160dB对数放大器,具有光电二极管接口
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  • 1+

    ¥132.97
  • 10+

    ¥118.7
  • 30+

    ¥108.72
  • 100+

    ¥100.01
  • 有货
  • 具反向输入保护功能的理想二极管控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥26.6
    • 10+

      ¥25.27
    • 30+

      ¥22.33
    • 100+

      ¥21.53
    • 500+

      ¥21.15
    • 1000+

      ¥20.99
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥32.75
    • 10+

      ¥28.07
    • 30+

      ¥25.29
    • 100+

      ¥22.48
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥31.38
    • 10+

      ¥26.85
    • 30+

      ¥24.16
    • 100+

      ¥21.43
    • 500+

      ¥20.18
  • 有货
  • 是一款双理想二极管桥控制器,使以太网供电 (PoE) 受电设备 (PD) 能够从 RJ-45 数据对、备用对或两者接收任一电压极性的功率。该控制器和八个 N 沟道 MOSFET 取代了无源 PoE 整流桥中的八个二极管,简化了热设计并增加了输出功率。内部电荷泵允许使用全 NMOS 桥,消除了更大且更昂贵的 PMOS 开关。该控制器适用于 2 对和 4 对应用。高阻抗输入感测引脚可防止未使用对上的反向电流。如果电源出现故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。与分立理想桥解决方案不同,该控制器可在瞬变期间运行,而不会使未供电对上的 MOSFET 导通。
    数据手册
    • 1+

      ¥25.6466 ¥26.17
    • 10+

      ¥24.3824 ¥24.88
    • 30+

      ¥21.3738 ¥21.81
    • 100+

      ¥20.6094 ¥21.03
    • 500+

      ¥20.2664 ¥20.68
    • 1000+

      ¥20.0998 ¥20.51
  • 有货
  • LTC4358是一款5A理想二极管,在二极管“或”和大电流二极管应用中,它使用内部20mΩ的N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。LTC4358可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。LTC4358能轻松将多个电源进行“或”操作,以提高整个系统的可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥24.8454 ¥28.89
    • 10+

      ¥23.4952 ¥27.32
  • 有货
  • 具反向输入保护功能的理想二极管控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥32.23
    • 10+

      ¥27.82
    • 30+

      ¥23.55
    • 100+

      ¥20.89
  • 有货
  • 控制外部P沟道MOSFET,以实现电源切换或负载共享的近乎理想的二极管功能。这允许高效地对多个电源进行或运算,以延长电池寿命并降低自热。导通时,MOSFET两端的电压降通常为20mV。对于带有壁式适配器或其他辅助电源的应用,当连接辅助电源时,负载会自动与电池断开
    数据手册
    • 1+

      ¥17.21
    • 10+

      ¥14.6
    • 30+

      ¥12.97
    • 100+

      ¥11.3
    • 500+

      ¥10.54
  • 有货
  • LT1328是一款低噪声、高速、高增益的红外接收器,支持IrDA标准,适用于便携式计算机、PDA、台式计算机和外设的红外通信。
    数据手册
    • 1+

      ¥52.76
    • 10+

      ¥45.07
    • 30+

      ¥40.38
    • 100+

      ¥34.992 ¥36.45
  • 有货
  • 具反向输入保护功能的理想二极管控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥32.35
    • 10+

      ¥27.81
    • 50+

      ¥24.56
    • 100+

      ¥21.83
    • 500+

      ¥20.57
    • 1000+

      ¥20.01
  • 订货
  • LTC4372/LTC4373 是正高压理想二极管控制器,可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它们控制 MOSFET 两端的正向压降,即使在轻载情况下也能确保电流输送或从一条路径转移到另一条路径。5µA 的工作电流可为间歇性负载应用或始终开启的备用电源实现高效率
    • 1+

      ¥74.95
    • 10+

      ¥71.3
    • 30+

      ¥64.99
    • 121+

      ¥58.2904 ¥59.48
  • 有货
  • 采用 3mm x 3mm DFN 封装的双通道 2.6A、2.5V 至 5.5V 快速理想二极管
    • 1+

      ¥44.83
    • 10+

      ¥38.56
    • 30+

      ¥34.74
    • 100+

      ¥30.5938 ¥31.54
  • 有货
  • 雪崩光电二极管偏置控制器和宽范围(5nA-5mA)电流监控器
    数据手册
    • 1+

      ¥54.78
    • 10+

      ¥53.57
    • 30+

      ¥47.43
    • 100+

      ¥45.6876 ¥46.62
  • 有货
  • LTC4359是一款正高压理想二极管控制器,可驱动外部N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。它控制MOSFET两端的正向压降,确保即使在轻负载情况下也能平稳输送电流且无振荡。若电源出现故障或短路,快速关断功能可将反向电流瞬变降至最低
    数据手册
    • 1+

      ¥62.28
    • 10+

      ¥53.46
    • 30+

      ¥48.08
    • 100+

      ¥42.7084 ¥43.58
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥86.45
    • 10+

      ¥82.8
    • 50+

      ¥76.49
    • 100+

      ¥56.0663 ¥70.97
  • 有货
  • 用于大 PFET 的 36V、低损耗、双通道、PowerPath 控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥37.42
    • 10+

      ¥32.18
    • 30+

      ¥28.99
  • 有货
  • 具理想二极管的浪涌抑制器
    数据手册
    • 1+

      ¥55.23
    • 10+

      ¥47.41
    • 30+

      ¥42.65
  • 有货
  • 具可调电流限值的双通道 4A 理想二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥71.7876 ¥78.03
    • 10+

      ¥61.5572 ¥66.91
    • 30+

      ¥55.3196 ¥60.13
    • 100+

      ¥50.094 ¥54.45
  • 有货
  • 采用 ThinSOT™ 封装的 2.6A 低损耗理想二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥27.91
    • 10+

      ¥24.14
    • 30+

      ¥21.89
    • 100+

      ¥18.16
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥31.12
    • 10+

      ¥26.58
    • 30+

      ¥23.88
    • 100+

      ¥21.15
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥32.9313 ¥35.41
    • 10+

      ¥28.2069 ¥30.33
    • 30+

      ¥25.3332 ¥27.24
    • 100+

      ¥22.9152 ¥24.64
  • 有货
  • 是一款正向高压理想二极管控制器,可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。它控制 MOSFET 两端的正向压降,以确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供关断模式,可将负载开关的静态电流降至 9μA,理想二极管应用的静态电流降至 14μA。在大电流二极管应用中使用时,可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值,可满足汽车和电信应用的苛刻要求。还可轻松实现冗余电源系统中电源的并联。
    数据手册
    • 1+

      ¥33.39
    • 10+

      ¥28.55
    • 50+

      ¥25.66
  • 有货
  • 采用 3mm x 3mm DFN 封装的双通道 2.6A、2.5V 至 5.5V 理想二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥34.34
    • 10+

      ¥29.39
    • 30+

      ¥26.37
    • 100+

      ¥23.3632 ¥23.84
  • 有货
  • 是升压 DC/DC 转换器,用于从锂离子电池驱动多达六个串联的 LED。LED 串联连接可提供相同的 LED 电流,无需镇流电阻。该设备集成了竞品设备外部所需的肖特基二极管。其他功能包括 LED 断开时的输出电压限制、单引脚关断和调光控制。以 1.2MHz 开关频率工作,允许使用小型外部组件。采用 6 引脚 SOT-23(ThinSOT)封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥39.55
    • 10+

      ¥38.62
    • 30+

      ¥37.99
    • 100+

      ¥35.8752 ¥37.37
  • 有货
  • 160dB对数放大器,具有光电二极管接口
    数据手册
    • 1+

      ¥130.43
    • 10+

      ¥123.9
    • 30+

      ¥112.59
  • 有货
  • DS9503 设计用作 1-Wire 微局域网接口的静电放电(ESD)保护器件。与 DS9502 不同,DS9503 芯片上集成了两个 5Ω 隔离电阻。尽管在通信过程中 5Ω 电阻的影响可忽略不计,但在 ESD 事件中,相对于导通的二极管,它们呈现出高阻抗。因此,二极管吸收能量,而电阻进一步隔离并保护封装另一侧的电路。如果与 I/O 端口已有强大 ESD 保护的电路配合使用,ESD 保护等级可提升至超过 27 kV(符合 IEC 801-2 参考模型)。若遇到超出其最大额定值的异常 ESD 冲击,DS9503 最终会发生“短路”故障,从而防止进一步损坏。在正常工作时,DS9503 的特性类似于普通齐纳二极管。当电压超过触发电压时,该器件的电流-电压(I/V)特性会出现“回滞”现象,允许相同或更大的电流通过,但电压会显著降低。只要维持最小电流或电压,器件就会保持在“回滞模式”。如果电压或电流降至维持电压或维持电流以下,器件将突然切换到正常模式,仅传导很小的泄漏电流。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.11
    • 10+

      ¥10.35
    • 30+

      ¥9.24
    • 100+

      ¥7.41
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥31.47
    • 10+

      ¥26.92
    • 50+

      ¥24.22
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥32.148 ¥35.72
    • 10+

      ¥27.513 ¥30.57
    • 30+

      ¥24.759 ¥27.51
    • 100+

      ¥21.969 ¥24.41
    • 500+

      ¥20.691 ¥22.99
    • 1000+

      ¥20.106 ¥22.34
  • 有货
  • 浪涌抑制器与理想二极管控制器保护负载免受高压瞬变影响。在过压事件(如汽车负载突降)期间,它通过控制外部N沟道MOSFET传输器件的压降来限制和调节输出。浪涌抑制器还包括一个定时限流断路器。在故障条件下,必须经过一个可调的故障计时器,传输器件才会关闭
    数据手册
    • 1+

      ¥52.8172 ¥57.41
    • 10+

      ¥45.31 ¥49.25
    • 37+

      ¥40.7376 ¥44.28
    • 111+

      ¥36.9012 ¥40.11
  • 有货
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