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首页 > 热门关键词 > 美信二极管
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具理想二极管的浪涌抑制器
型号：LTC4364IDE-2#PBF 编号：C107964
封装：DFN-14-EP(3x4)
品牌：ADI(亚德诺)
LTC4364浪涌抑制器具有理想二极管控制器，可保护负载免遭高电压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET传输器件两端的电压降，该器件可在过压过程（例如：汽车中的负载突降）中限制和调节输出。另外，LTC4364还包括一个定时的电流限制电路断路器。在故障情况下，一个可调故障定时器必须在传输器件关断之前结束。LTC4364-1将锁断传输器件，而LTC4364-2则在一个延迟之后自动重新起动。LTC4364可精确地监视输入电源的过压（OV）和欠压（UV）情况。外部MOSFET在欠压状况下保持关断，自动重试在过压状态下停用。 一个集成型理想二极管控制器负责驱动第二个MOSFET，以替代一个用于实现反向输出保护和输出电压保持的肖特基二极管。LTC4364控制MOSFET两端的正向电压降，并最大限度地抑制电源故障、掉电或输入短路时的反向电流瞬变。
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    7A理想二极管，具备反向输入保护功能
    型号：LTC4376IDHD#PBF 编号：C580893
    封装：DFN-16-EP(4x5)
    品牌：ADI(亚德诺)
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    7A理想二极管，具备反向输入保护功能
    型号：LTC4376HDHD#PBF 编号：C688421
    封装：DFN-16-EP(4x5)
    品牌：ADI(亚德诺)
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    采用 ThinSOT 封装并内置肖特基二极管的 1.2MHz / 2.4MHz 白光 LED 驱动器
    型号：LT3465ES6#TRPBF 编号：C670584
    封装：TSOT-23-6L
    品牌：ADI(亚德诺)
    是升压 DC/DC 转换器，用于从锂离子电池驱动多达六个串联的 LED。LED 串联连接可提供相同的 LED 电流，无需镇流电阻。该设备集成了竞品设备外部所需的肖特基二极管。其他功能包括 LED 断开时的输出电压限制、单引脚关断和调光控制。以 1.2MHz 开关频率工作，允许使用小型外部组件。采用 6 引脚 SOT-23（ThinSOT）封装。
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    带理想二极管的浪涌抑制器
    型号：LTC4364HMS-1#TRPBF 编号：C688296
    封装：MSOP-16
    品牌：ADI(亚德诺)
    具理想二极管的浪涌抑制器
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    双路4A理想二极管，带可调电流限制
    型号：LTC4415IDHC#TRPBF 编号：C688493
    封装：DFN-16-EP(3x5)
    品牌：ADI(亚德诺)
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    采用 ThinSOT 封装并内置肖特基二极管的 1.2MHz / 2.4MHz 白光 LED 驱动器
    型号：LT3465AES6#TRPBF 编号：C670583
    封装：TSOT-23-6L
    品牌：ADI(亚德诺)
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    PoE 理想二极管桥控制器
    型号：LT4321HUF#TRPBF 编号：C672475
    封装：QFN-16-EP(4x4)
    品牌：ADI(亚德诺)
    是一款双理想二极管桥控制器，使以太网供电 (PoE) 受电设备 (PD) 能够从 RJ-45 数据对、备用对或两者接收任一电压极性的功率。该控制器和八个 N 沟道 MOSFET 取代了无源 PoE 整流桥中的八个二极管，简化了热设计并增加了输出功率。内部电荷泵允许使用全 NMOS 桥，消除了更大且更昂贵的 PMOS 开关。该控制器适用于 2 对和 4 对应用。高阻抗输入感测引脚可防止未使用对上的反向电流。如果电源出现故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。与分立理想桥解决方案不同，该控制器可在瞬变期间运行，而不会使未供电对上的 MOSFET 导通。
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    双低压理想二极管控制器
    型号：LTC4353IDE#PBF 编号：C107958
    封装：DFN-16-EP(3x4)
    品牌：ADI(亚德诺)
    双通道、低电压理想二极管控制器
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    低静态电流理想二极管控制器
    型号：LTC4372IDD#PBF 编号：C7455810
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：ADI(亚德诺)
    LTC4372/LTC4373 是正高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它们控制 MOSFET 两端的正向压降，即使在轻载情况下也能确保电流输送或从一条路径转移到另一条路径。5µA 的工作电流可为间歇性负载应用或始终开启的备用电源实现高效率

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    理想二极管电桥控制器，支持直流至600Hz电压整流，9V至72V工作电压范围
    型号：LT4320IN8#PBF 编号：C672468
    封装：PDIP-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器，可驱动四个N沟道MOSFET，支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗，理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本，尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计，从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流，而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流，也可以实现更高的工作频率。
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    160 dB对数放大器，具有光电二极管接口
    型号：AD8304ARUZ-RL7 编号：C494991
    封装：TSSOP-14
    品牌：ADI(亚德诺)
    160dB对数放大器，具有光电二极管接口
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    理想二极管控制器，具备反向输入保护功能
    型号：LTC4359HMS8#WTRPBF 编号：C688240
    封装：MSOP-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    具反向输入保护功能的理想二极管控制器
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    具理想二极管的浪涌抑制器
    型号：LTC4364IMS-2#PBF 编号：C580878
    封装：MSOP-16
    品牌：ADI(亚德诺)
    浪涌抑制器与理想二极管控制器保护负载免受高压瞬变影响。在过压事件（如汽车负载突降）期间，它通过控制外部N沟道MOSFET传输器件的压降来限制和调节输出。浪涌抑制器还包括一个定时限流断路器。在故障条件下，必须经过一个可调的故障计时器，传输器件才会关闭
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    双电源二极管或电流平衡控制器
    型号：LTC4370IDE#TRPBF 编号：C688408
    封装：DFN-16-EP(3x4)
    品牌：ADI(亚德诺)
    LTC4370是一款双电源均流控制器，集成了MOSFET理想二极管。这些二极管可在启动和故障情况下阻断反向电流和直通电流。其正向电压经过调整，可实现电源之间的负载电流共享
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    线性超级电容充电器带限流理想二极管和V/I监测器
    型号：LTC4425EDD#TRPBF 编号：C688534
    封装：DFN-12-EP(3x3)
    品牌：ADI(亚德诺)
    具电流限制理想二极管和电压 / 电流 (V/I) 监视器的线性超级电容器充电器
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    40V 7A理想二极管
    型号：LTC4451AV#TRPBF 编号：C3216388
    封装：LQFN-16(2x3)
    品牌：ADI(亚德诺)
    LTC4451 是一款高性能肖特基二极管替代产品，采用集成 N 沟道功率 MOSFET。它能轻松实现电源“或”功能，提高系统可靠性并防止反向导通。与肖特基二极管相比，LTC4451 将正向电压调节在 15mV，以最大限度降低功率损耗

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    采用 ThinSOT 封装的低损耗 PowerPath 控制器
    型号：LTC4412HS6#TRPBF 编号：C688481
    封装：TSOT-23-6L
    品牌：ADI(亚德诺)
    控制外部P沟道MOSFET，创建近乎理想的二极管功能，用于电源切换或负载共享。可实现多个电源的高效OR连接，延长电池寿命并降低自发热。导通时，MOSFET两端的电压降通常为20mV。对于带有壁式适配器或其他辅助电源的应用，当连接辅助电源时，负载会自动与电池断开
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      ￥18.86

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    2.6A低损耗理想二极管
    型号：LTC4411ES5#TRMPBF 编号：C462651
    封装：TSOT-23-5
    品牌：ADI(亚德诺)
    LTC4411是一款理想的二极管IC，能够在2.6V至5.5V的输入电压下提供高达2.6A的电流。LTC4411采用5引脚、1mm薄型SOT - 23封装。LTC4411包含一个140mΩ的P沟道MOSFET，用于连接IN和OUT。在正常正向工作期间，MOSFET两端的压降可调节至低至28mV。对于高达100mA的负载电流，静态电流小于40µA。如果输出电压超过输入电压，MOSFET将关闭，从OUT到IN的反向电流小于1µA。最大正向电流限制为恒定的2.6A（典型值），内部热限制电路可在故障条件下保护该器件。漏极开路的STAT引脚指示导通状态。当LTC4411不导通正向电流时，STAT引脚可用于驱动一个辅助P沟道MOSFET电源开关，连接备用电源。高电平有效的控制引脚可关闭LTC4411，并将电流消耗降低至小于25µA。关闭时，LTC4411通过状态信号上的低电压指示此状态。

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      ￥36.7

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    5A理想二极管
    型号：LTC4358CDE#PBF 编号：C688225
    封装：DFN-14-EP(3x4)
    品牌：ADI(亚德诺)
    LTC4358是一款5A理想二极管，在二极管“或”和大电流二极管应用中，它使用内部20mΩ的N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。LTC4358可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。LTC4358能轻松将多个电源进行“或”操作，以提高整个系统的可靠性
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    • 1+

      ￥40.33

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      ￥38.35
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    采用 ThinSOT 封装并内置肖特基二极管的 1.2MHz / 2.4MHz 白光 LED 驱动器
    型号：LT3465AES6#TRMPBF 编号：C670582
    封装：TSOT-23-6L
    品牌：ADI(亚德诺)
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      ￥43.68

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    负电压二极管“或”控制器和监视器
    型号：LTC4354IS8#PBF 编号：C688200
    封装：SO-8
    品牌：ADI(亚德诺)
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      ￥44.94

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      ￥43.81

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      ￥43.06
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    具输入电源和熔丝监视器的正高电压理想二极管“或”控制器
    型号：LTC4355CMS#PBF 编号：C688204
    封装：MSOP-16
    品牌：ADI(亚德诺)
    LTC4355是一款正压理想二极管“或”控制器，可驱动两个外部N沟道MOSFET。用N沟道MOSFET而非肖特基二极管构成二极管“或”电路，可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。借助LTC4355，电源可轻松实现“或”连接，从而提高整个系统的可靠性
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      ￥45

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    双2.6A、2.5V至5.5V快速理想二极管
    型号：LTC4413EDD-1#PBF 编号：C580899
    封装：DFN-10-EP(3x3)
    品牌：ADI(亚德诺)
    采用 3mm x 3mm DFN 封装的双通道 2.6A、2.5V 至 5.5V 快速理想二极管

    • 1+

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    低静态电流理想二极管控制器
    型号：LTC4372HDD#PBF 编号：C3229231
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：ADI(亚德诺)
    LTC4372/LTC4373 是正高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它们控制 MOSFET 两端的正向压降，即使在轻载情况下也能确保电流输送或从一条路径转移到另一条路径。5µA 的工作电流可为间歇性负载应用或始终开启的备用电源实现高效率

    • 1+

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    具监视功能的低电压理想二极管控制器
    型号：LTC4352HMS#PBF 编号：C688180
    封装：MSOP-12-0.65mm
    品牌：ADI(亚德诺)
    创建接近理想的二极管，使用外部 N 沟道 MOSFET。取代高功率肖特基二极管和相关散热器，节省功率和电路板面积。理想二极管功能允许低损耗功率 OR 操作和电源保持应用。调节 MOSFET 两端的正向压降，确保在二极管 OR 应用中实现平滑的电流转移
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    具电流限制理想二极管和电压 / 电流 (V/I) 监视器的线性超级电容器充电器
    型号：LTC4425IDD#PBF 编号：C688536
    封装：DFN-12-EP(3x3)
    品牌：ADI(亚德诺)
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      ￥60.57
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    低静态电流理想二极管控制器
    型号：LTC4372CDD#TRPBF 编号：C3229230
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：ADI(亚德诺)

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    7A理想二极管，具备反向输入保护功能
    型号：LTC4376IDHD#TRPBF 编号：C688423
    封装：DFN-16-EP(4x5)
    品牌：ADI(亚德诺)
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    理想二极管控制器，具备反向输入保护功能
    型号：LTC4359HDCB#TRMPBF 编号：C580867
    封装：DFN-6-EP(2x3)
    品牌：ADI(亚德诺)
    具反向输入保护功能的理想二极管控制器
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