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型号：LTC4413EDD#TRPBF 编号：C580898

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

采用 3mm x 3mm DFN 封装的双通道 2.6A、2.5V 至 5.5V 理想二极管

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100+
￥27.346
500+
￥26.103
1000+
￥24.89616
3000+
￥24.408

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型号：LTC4085EDE-4#PBF 编号：C687285

封装：DFN-14-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款用于便携式电池供电应用的 USB 电源管理器和锂离子/聚合物电池充电器。该器件控制 USB 外设用于操作和电池充电的总电流。总输入电流可限制为编程值的 20% 或 100%，最高可达 1.5A（通常为 100mA 或 500mA）。电池充电电流会自动降低，以使负载电流和充电电流之和不超过编程的输入电流限制

1+
￥25.71
10+
￥25.14
30+
￥24.75

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型号：LTC4415IDHC#PBF 编号：C688492

封装：DFN-16-EP(3x5)

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥51.42
10+
￥50.27
30+
￥49.5

有货

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型号：LTC4376CDHD#PBF 编号：C688419

封装：DFN-16-EP(4x5)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4376是一款7A理想二极管，在二极管“或”及大电流二极管应用中，它采用内部15mΩ N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。LTC4376可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。LTC4376控制内部MOSFET两端的正向压降，确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流且无振荡

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1+
￥69.08
10+
￥66.94
30+
￥63.59

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型号：LTC4421IG#PBF 编号：C1235987

封装：SSOP-36

品牌：ADI(亚德诺)

连接两个输入电源之一到公共输出，基于用户定义的优先级和有效性。外部电阻分压器设置欠压和过压阈值，界定有效电压窗口。强大的栅极驱动器可快速切换大型外部 N 沟道 MOSFET。快速切换电路可在切换通道时最大程度减少输出压降，同时防止反向和交叉传导。快速比较器可检测输入短路并迅速关闭 N 沟道 MOSFET，以最大程度减少干扰。外部检测电阻设置最大浪涌和限流电流。在限流期间，控制 N 沟道 MOSFET 栅极，使检测电阻两端的电压稳定在 25mV。当检测电阻电压在用户可设置的时间内稳定在 25mV 时，断开通道并设置故障。

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1+
￥81.75
10+
￥78.89

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型号：LTC4229IG#PBF 编号：C687607

封装：SSOP-24-208mil

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥103.76
10+
￥100.53

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型号：LTC4358IDE#PBF 编号：C688229

封装：DFN-14-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥104.08
10+
￥99.32
30+
￥91.07

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型号：LTC4376HDHD#TRPBF 编号：C688422

封装：DFN-16-EP(4x5)

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥104.41
10+
￥101.17

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型号：LTC4227IUFD-2#PBF 编号：C687581

封装：QFN-20(4x5)

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥114.08
10+
￥110.54

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型号：LTC4236IUFD-2#PBF 编号：C687675

封装：QFN-28(4x5)

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥142.6
10+
￥138.13

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型号：AD8304ARUZ 编号：C578683

封装：TSSOP-14

品牌：ADI(亚德诺)

160dB对数放大器，具有光电二极管接口

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100+
￥271.48
200+
￥264.076

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型号：LTC4412HVIS6#TRMPBF 编号：C580895

封装：TSOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4412HV控制一个外部P沟道MOSFET，以实现近乎理想的二极管功能，用于电源切换或负载共享。这允许对多个电源进行高效的“或”操作，以延长电池寿命并降低自发热。导通时，MOSFET两端的压降通常为20mV。对于使用墙上适配器或其他辅助电源的应用，当连接辅助电源时，负载会自动与电池断开。两个或多个LTC4412HV可以相互连接，以实现多个电池之间的负载共享，或通过单个充电器对多个电池进行充电。LTC4412HV是LTC4412的扩展电源和温度范围版本。宽电源工作范围支持由1至8节串联锂离子电池供电。低静态电流（典型值为11µA）与负载电流无关。栅极驱动器包含一个内部电压钳位，用于保护MOSFET。当检测到辅助电源时，STAT引脚可用于使能一个辅助P沟道MOSFET电源开关。该引脚还可用于向微控制器指示已连接辅助电源。控制（CTL）输入允许用户强制主MOSFET关断，并使STAT引脚置低。LTC4412HV采用低外形（1mm）SOT - 23封装。

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1+
￥22.27
10+
￥21.76
30+
￥21.41

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型号：LT8672HDDB#TRMPBF 编号：C7451281

封装：DFN-10(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

1+
￥47.95
10+
￥46.83
30+
￥46.08

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型号：LTC4421HG#PBF 编号：C7460395

封装：SSOP-36

品牌：ADI(亚德诺)

1+
￥151.03
10+
￥146.52

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型号：LTC4411ES5#TRPBF 编号：C459901

封装：TSOT-23-5

品牌：ADI(亚德诺)

采用 ThinSOT™ 封装的 2.6A 低损耗理想二极管

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15+
￥25.358891
100+
￥21.878259
1000+
￥20.137942

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型号：LTC4425EMSE#TRPBF 编号：C688535

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

具电流限制理想二极管和电压 / 电流 (V/I) 监视器的线性超级电容器充电器

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1+
￥49.73
10+
￥42.8
30+
￥38.59
100+
￥35.05

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型号：LTC4352IMS#TRPBF 编号：C688185

封装：MSOP-12-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

具监视功能的低电压理想二极管控制器

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1+
￥39.69
10+
￥34.47
30+
￥29.98
100+
￥27.31

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型号：LTC4373CDD#PBF 编号：C3229225

封装：DFN-8(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4372/LTC4373 是正高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它们控制 MOSFET 两端的正向压降，即使在轻载情况下也能确保电流输送或从一条路径转移到另一条路径。5µA 的工作电流可为间歇性负载应用或始终开启的备用电源实现高效率

单价：
￥34.2468 / 个

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型号：LTC4451AV#TRMPBF 编号：C3216387

封装：LQFN-16-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

40V、7A理想二极管

1+
￥55.03
10+
￥53.79
30+
￥52.96
100+
￥52.13

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型号：LTC4355CS#PBF 编号：C688206

封装：SO-16

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4355是一款正压理想二极管“或”控制器，可驱动两个外部N沟道MOSFET。用N沟道MOSFET而非肖特基二极管构成二极管“或”电路，可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。借助LTC4355，电源可轻松实现“或”连接，从而提高整个系统的可靠性

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1+
￥57.59
10+
￥56.15
30+
￥55.2

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型号：LT4320HDD#PBF 编号：C672451

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器，可驱动四个N沟道MOSFET，支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗，理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本，尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计，从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流，而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流，也可以实现更高的工作频率。

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1+
￥90.18
10+
￥86
30+
￥78.77
100+
￥72.46

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型号：LTC4421IUHE#PBF 编号：C1235988

封装：TQFN-36-EP(5x6)

品牌：ADI(亚德诺)

大功率优先化PowerPath控制器

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1+
￥111.1
10+
￥105.82
30+
￥96.65
100+
￥88.66

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型号：LTC4425IMSE#TRPBF 编号：C688539

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥20.62
10+
￥17.87
30+
￥16.23
100+
￥14.57
500+
￥13.81
1000+
￥13.46

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型号：LTC4353CMS#PBF 编号：C688188

封装：MSOP-16

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥29.47
10+
￥25.53
30+
￥23.19
100+
￥20.82
500+
￥19.73
1000+
￥19.24

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型号：LTC4421HUHE#PBF 编号：C688531

封装：QFN-36-EP(5x6)

品牌：ADI(亚德诺)

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单价：
￥76.6584 / 个

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型号：LTC4359CS8#TRPBF 编号：C688237

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

具反向输入保护功能的理想二极管控制器

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1+
￥57.41
10+
￥56.11
30+
￥55.25
100+
￥54.38

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型号：LTC4352IDD#PBF 编号：C107957

封装：DFN-12-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥68.04
10+
￥66.1

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型号：LTC4352CDD#PBF 编号：C117380

封装：DFN-12(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥70.19
10+
￥60.76
30+
￥55.01
100+
￥50.2

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型号：LT4320IDD-1#TRPBF 编号：C672464

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥72.93
10+
￥62.78
30+
￥56.59
100+
￥51.41

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型号：LTC4364HS-1#PBF 编号：C688298

封装：SO-16

品牌：ADI(亚德诺)

浪涌抑制器与理想二极管控制器可保护负载免受高压瞬变影响。在过压事件（如汽车负载突降）期间，通过控制外部N沟道MOSFET传输器件两端的电压降来限制和调节输出。还包括一个定时限流断路器。在故障条件下，可调故障定时器必须到期后传输器件才会关闭。有自动重启和锁定关闭两种模式。精确监控输入电源的过压（OV）和欠压（UV）情况。在欠压时外部MOSFET关闭，过压时自动重试功能禁用。集成理想二极管控制器驱动第二个MOSFET，以取代肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持。控制MOSFET两端的正向电压降，并在电源故障、欠压或输入短路时最小化反向电流瞬变。

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￥99.59
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