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  • 特性:电源电压:编程、擦除和读取时,VCC = 2.7V 至 3.6V。快速编程时(可选),VPP = 12V。访问时间:70ns、90ns。编程时间:每字节/字典型值为 10μs
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  • 订货
  • 特性:符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8:2176字节 (2048 + 128字节)。块大小:64页 (128K + 8K字节)。平面大小:1个平面,每个平面1024个块。设备大小:1Gb,1024个块
    • 1+

      ¥41.28
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    • 30+

      ¥32
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  • 订货
  • 特性:VDD = 1.8V ± 0.1V,VDDQ = 1.8V ± 0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O(SSTL_18兼容)。 差分数据选通(DQS,DQS#)选项。 4n位预取架构。 x8的双输出选通(RDQS)选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 4个内部存储体用于并发操作。 可编程CAS延迟(CL)。 后置CAS附加延迟(AL)。 写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。 可选突发长度:4或8。 可调数据输出驱动强度。 64ms,8192周期刷新。 片上终端(ODT)。 工业温度(IT)选项。 符合RoHS标准。 支持JEDEC时钟抖动规范
    数据手册
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      ¥27.45
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      ¥23.46
    • 100+

      ¥20.82
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      ¥19.6
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      ¥19.05
  • 订货
  • DDR3L SDRAM (1.35V) 是DDR3 (1.5V) SDRAM的低电压版本,支持1.5V兼容模式。具备8个内部bank,支持差分时钟输入和8位预取架构。
    数据手册
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    • 200+

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      ¥28.12
    • 30+

      ¥24.78
    • 100+

      ¥22.38
  • 订货
  • 512Mb DDR SDRAM,具有双数据速率架构,支持高速操作。每个时钟周期传输两个数据字,在I/O引脚上实现。支持4个内部banks并发操作,提高有效带宽。
    数据手册
    • 1+

      ¥32.9
    • 10+

      ¥28.31
    • 30+

      ¥25.57
    • 100+

      ¥22.81
    • 500+

      ¥21.54
    • 1000+

      ¥20.96
  • 订货
  • MT29F4G08ABAFAWP-IT-F 是一种 4Gb x8 多路复用 NAND Flash 存储器,具有 64 页/块,每页 2,112 字节(2,048 + 64 字节)。支持 300μs 的页编程时间和 2ms 的块擦除时间,数据保留时间为 10 年。
    数据手册
    • 单价:

      ¥73.902 / 个
    • 1+

      ¥34.27
    • 10+

      ¥29.33
    • 30+

      ¥26.39
    • 100+

      ¥23.42
    • 500+

      ¥22.05
    • 1000+

      ¥21.43
  • 订货
    • 1+

      ¥35.72
    • 10+

      ¥30.73
    • 30+

      ¥27.76
    • 100+

      ¥24.77
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      ¥23.38
    • 1000+

      ¥22.76
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    • 1+

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      ¥31.83
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      ¥28.9
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      ¥25.94
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