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  • M29W320EB70N6:FLASH - NOR-32Mbit-TSOP48,型号:M29W320EB70N6E
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  • 订货
  • 特性:电源电压:编程、擦除和读取时,VCC = 2.7V 至 3.6V。快速编程时(可选),VPP = 12V。访问时间:70ns、90ns。编程时间:每字节/字典型值为 10μs
    数据手册
    • 1+

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  • 特性:2Gb堆叠设备(两个1Gb裸片)。 单级单元(SLC)工艺技术。 电源电压: -VCC = 2.7-3.6V(编程、擦除、读取)。 -VCCQ = 1.65-VCC(I/O缓冲器)。 异步随机/页面读取。 页面大小:16字
    数据手册
    • 1+

      ¥398.12
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      ¥379.49
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    • 1000+

      ¥19.05
  • 订货
  • DDR3L SDRAM (1.35V) 是DDR3 (1.5V) SDRAM的低电压版本,支持1.5V兼容模式。具备8个内部bank,支持差分时钟输入和8位预取架构。
    数据手册
    • 1+

      ¥31.73
    • 10+

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    • 100+

      ¥21.53
    • 500+

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  • 订货
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      ¥15.26
    • 300+

      ¥15.12
    512Mb DDR SDRAM,具有双数据速率架构,支持高速操作。每个时钟周期传输两个数据字,在I/O引脚上实现。支持4个内部banks并发操作,提高有效带宽。
    数据手册
    • 1+

      ¥32.9
    • 10+

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      ¥25.57
    • 100+

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    • 500+

      ¥21.54
    • 1000+

      ¥20.96
  • 订货
  • MT29F4G08ABAFAWP-IT-F 是一种 4Gb x8 多路复用 NAND Flash 存储器,具有 64 页/块,每页 2,112 字节(2,048 + 64 字节)。支持 300μs 的页编程时间和 2ms 的块擦除时间,数据保留时间为 10 年。
    数据手册
    • 单价:

      ¥36.612 / 个
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      ¥26.39
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      ¥22.05
    • 1000+

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    • 1+

      ¥35.72
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      ¥24.77
    • 500+

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    • 1000+

      ¥22.76
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      ¥24.57
    • 1000+

      ¥23.96
  • 订货
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      ¥41.2
    • 10+

      ¥35.44
    • 30+

      ¥31.93
    • 100+

      ¥28.98
  • 订货
  • 特性:符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8:2176字节 (2048 + 128字节)。块大小:64页 (128K + 8K字节)。平面大小:1个平面,每个平面1024个块。设备大小:1Gb,1024个块
    • 1+

      ¥41.28
    • 10+

      ¥35.52
    • 30+

      ¥32
    • 100+

      ¥29.05
  • 订货
  • 128Mb SDRAM,4兆 x 32位,4个bank,支持PC100标准,完全同步,所有信号在系统时钟的上升沿注册。具有内部流水线操作,可编程突发长度为1、2、4、8或全页,支持自动预充电和自刷新模式。工作温度范围包括商业级(0°C至70°C)、工业级(-40°C至85°C)和汽车级(-40°C至105°C)。
    数据手册
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      ¥36.94
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      ¥33.28
    • 100+

      ¥30.22
  • 订货
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      ¥43.26
    • 10+

      ¥35.91
    • 30+

      ¥32.36
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