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描述

价格(含税)

库存

操作

型号：PJM50P40DL 编号：C50387329

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=30V ID=28A RDS(ON)<25mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<38mΩ@Vgs=4.5V，通过 100% 雪崩测试

5+
￥1.4547
50+
￥1.1523
150+
￥1.0227

有货

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型号：PJMG10H35PDN 编号：C51625749

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道增强型，SGT（屏蔽栅沟槽型）,VDS=-100V ID=-35A RDS(ON)<46.3mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<58.3mΩ@Vgs=-4.5V, 通过 100% 雪崩测试

1+
￥2.62
10+
￥2.08
30+
￥1.85
100+
￥1.55

有货

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型号：MMBTRC116SS 编号：C2911336

封装：SOT-23

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：内置偏置电阻。简化电路设计。减少零件数量和制造工艺

数据手册

20+
￥0.1868
200+
￥0.1463
600+
￥0.1238
3000+
￥0.0968
9000+
￥0.0851
21000+
￥0.0788

有货

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型号：2SA3906SQ 编号：C42431783

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

PNP,三极管 VCEO:-40V,IC:-200mA,PD:0.5W, VCE(SAT):-0.4V(MAX) ,HFE:30~300

20+
￥0.237
200+
￥0.1846
1000+
￥0.1555

有货

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型号：PJM2312JNSA 编号：C42431770

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=20V ID=6A ,PD:1W RDS(ON)<25mΩ@Vgs=4.5V

10+
￥0.2521
100+
￥0.1993
300+
￥0.1729

有货

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型号：2SB1198SC-R 编号：C23376657

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

PNP -80V/-0.5A 0.2W ,HFE:180~390

10+
￥0.2521
100+
￥0.1993
300+
￥0.1729

有货

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型号：PJM2306NSA 编号：C42431772

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=30V ID=3.5A ,PD:0.7W RDS(ON)<47mΩ@Vgs=10V

10+
￥0.2566
100+
￥0.2029
300+
￥0.176

有货

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型号：PJM2303PSA 编号：C42431760

封装：SOT-23

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道，VDS=-30V ID=-2.5A ,PD:0.9W RDS(ON)<78mΩ@Vgs=-10V

10+
￥0.2589
100+
￥0.2047
300+
￥0.1776

有货

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型号：PJM2302NSC 编号：C41413545

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=20V ID=4A ,PD:1.25W RDS(ON)<40mΩ@Vgs=4.5V

10+
￥0.2635
100+
￥0.2083
300+
￥0.1807

有货

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型号：PJM3401JPSC 编号：C41348047

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道，VDS=-30V ID=-4.1A ,PD:1.4W RDS(ON)<60mΩ@Vgs=-10V

10+
￥0.2635
100+
￥0.2083
300+
￥0.1807

有货

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型号：PJM2304NSA 编号：C42431771

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=30V ID=3.6A ,PD:0.9W RDS(ON)<58mΩ@Vgs=10V

10+
￥0.2635
100+
￥0.2083
300+
￥0.1807

有货

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型号：BC807SG-25 编号：C41398499

封装：SOT-23-6

品牌：PJSEMI(平晶微)

两个PNP,Vceo=45V,Ic:500mA,HFE:160-400,PD:950mW

10+
￥0.2681
100+
￥0.2119
300+
￥0.1839

有货

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型号：PJM8205JDNSG-S 编号：C41413536

封装：SOT-23-6

品牌：PJSEMI(平晶微)

2个N沟道，VDS=20V ID=4A ,PD:1W RDS(ON)<30mΩ@Vgs=4.5V

10+
￥0.2704
100+
￥0.2137
300+
￥0.1854

有货

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型号：PJM3402NSC 编号：C41413547

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=30V ID=4A ,PD:1.3W RDS(ON)<45mΩ@Vgs=10V

10+
￥0.2979
100+
￥0.2355
300+
￥0.2043

有货

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型号：PJ9193BM15SC 编号：C41348034

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

PSRR:75dB@1KHz ,静态电流：40uA, 压差600mV(TYP.)@IOUT=300mA ,超快的瞬态反应及超低输出Noise,关断电流0.01uA(TYP.)

10+
￥0.2979
100+
￥0.2355
300+
￥0.2043

有货

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型号：TL431ASC 编号：C41784037

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

Vref:2.495V.输出精度：±0.5%，工作温度范围：－40~+125℃

10+
￥0.3093
100+
￥0.2445
300+
￥0.2121

有货

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型号：PJM2321PSA 编号：C42431757

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道，VDS=-20V ID=-2.9A ,PD:1.4W RDS(ON)<57mΩ@Vgs=-4.5V

10+
￥0.3116
100+
￥0.2463
300+
￥0.2137

有货

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型号：PJM2307PSA 编号：C42431773

封装：SOT-23

品牌：PJSEMI(平晶微)

P沟道，VDS=-30V ID=-2.7A ,PD:0.9W RDS(ON)<88mΩ@Vgs=-10V

10+
￥0.3208
100+
￥0.2536
300+
￥0.22

有货

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型号：PJ9193BM28SE 编号：C41413558

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

PSRR:75dB@1KHz ,静态电流：40uA, 压差250mV(TYP.)@IOUT=300mA ,超快的瞬态反应及超低输出Noise,关断电流0.01uA(TYP.),带EN脚

10+
￥0.3277
100+
￥0.259
300+
￥0.2247
3000+
￥0.199

有货

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型号：ESD4U5V0ASG 编号：C41398502

封装：SOT-23-6

品牌：PJSEMI(平晶微)

VRWM:5V,VC:16V@IPP=5A,IEC61000-4-2(ESD),±15KV(空隙放电）±10KV(接触放电），

10+
￥0.3302
100+
￥0.2587
300+
￥0.223

有货

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型号：PJ9500M25SA 编号：C20618177

封装：SOT-23

品牌：PJSEMI(平晶微)

是高精度、极低静态电流、低压差线性稳压器，能够提供500mA负载电流。对线电压瞬变和负载电流瞬变具有非常快速的响应，并确保在LDO启动和短路恢复期间无过冲电压。集成了短路保护、限流保护和热保护功能。通过将EN引脚置低来开启关断模式。

10+
￥0.3437
100+
￥0.2717
300+
￥0.2357

有货

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型号：PJ9193M25SE 编号：C686641

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

是高度精确、低噪声的正电压LDO稳压器，采用CMOS工艺制造。性能针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。稳压器接地电流在降压时仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间。在关断模式下功耗小于1μA，开启时间小于50μs。其他特点包括超低降压电压、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

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