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首页 > 热门关键词 > 平晶微二极管
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双向TVS 3.3V截止 峰值浪涌电流：10A@8/20us
型号：ESDB3V3BDB 编号：C22470313
封装：DFN1x0.6-2L
品牌：PJSEMI(平晶微)
ESDB3V3BDB是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）影响。它特别适用于手机、便携式媒体播放器（PMP）、移动互联网设备（MID）、个人数字助理（PDA）、数码相机和其他电子设备。ESDB3V3BDB采用DFN1x0.6-2L封装。标准产品无铅且无卤。

  • 20+

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    双向TVS 12V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
    型号：ESDB12VADB 编号：C22470308
    封装：DFN1x0.6-2L
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    ESDB12VADB是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）影响。它特别适用于手机、便携式媒体播放器（PMP）、移动互联网设备（MID）、个人数字助理（PDA）、数码相机和其他电子设备。ESDB12VADB采用DFN1x0.6-2L封装。标准产品无铅且无卤。

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    双向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：ESDB15VADB 编号：C22470309
    封装：DFN1x0.6-2L
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    ESDB15VADB是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）影响。它特别适用于手机、便携式媒体播放器（PMP）、移动互联网设备（MID）、个人数字助理（PDA）、数码相机和其他电子设备。ESDB15VADB采用DFN1x0.6-2L封装。标准产品无铅且无卤。

    • 20+

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      ￥0.0758
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    PNP 电流:500mA 电压:30V
    型号：MMBT9012H 编号：C2977365
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于开关和音频放大器应用
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1005

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    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMDT2222ASG 编号：C41413542
    封装：SOT-23-6
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    2个NPN,VCEO=40V IC=600mA,PD:1W ,放大倍数：35~300，Vce(sat）:1V(Max.)

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      ￥0.1151

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      ￥0.1124

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      ￥0.1107
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：PJM3404NSC 编号：C41348048
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道，VDS=30V ID=5.8A ,PD:1.4W RDS(ON)<31mΩ@Vgs=10V

    • 10+

      ￥0.2174

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      ￥0.2124

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    2.5V~36V
    型号：TL431LA 编号：C42405719
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    Vref:2.5V(0.5%） 输出电压范围:2.5V~36V,IKA:0.5~100mA,工作温度范围：-40℃-+125℃，IKA(MIN.)最小启动电流:85uA

    • 20+

      ￥0.2273

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    N沟道 耐压:100V 电流:2A
    型号：PJM10H02NSC 编号：C41413546
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道，VDS=100V ID=2A ,PD:1W RDS(ON)<240mΩ@Vgs=10V

    • 10+

      ￥0.2361

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    3V 300mA 8V
    型号：PJ6206AL30SA 编号：C2919620
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    是高精度、低功耗的三端正电压调节器，采用CMOS技术制造，由限流器电路、驱动晶体管、精密参考电压和误差校正电路组成，与低ESR陶瓷电容兼容。限流器的折返电路可作为短路保护和输出引脚的输出电流限制器。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2455

    • 100+

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    电流:600mA 电压:60V
    型号：PXT2907A 编号：C42388537
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    PNP,-60V/0.6A ,0.5W ,VCE(SAT):1.6V(MAX.)

    • 10+

      ￥0.2979

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      ￥0.2355

    • 300+

      ￥0.2043
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    N沟道,电流:5.8A,耐压:30V
    型号：PJM3400NSC 编号：C2683749
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：VDS = 30V，ID = 5.8A。 RDS(ON)< 45mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON)< 31mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON)< 27mΩ @ VGS = 10V。 高功率和电流处理能力。应用：负载开关和PWM应用。 电源管理
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3078

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    P沟道增强型功率MOSFET 2个P沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：PJM3415PDFA 编号：C22470333
    封装：DFN2x2A-6L
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：低栅极电荷和低RDS(on)。ESD保护(HBM)高达2KV。VDS = -20V，ID = -4A。RDS(on) < 50mΩ @ VGS = -4.5V。应用：PWM应用。负载开关

    • 5+

      ￥0.3106

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      ￥0.3034

    • 150+

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    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：2N4401SQ 编号：C42431776
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    NPN,三极管 VCEO:40V,IC:600mA,PD:0.625W

    • 10+

      ￥0.3277

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    • 300+

      ￥0.2247
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    5V 100mA 20V
    型号：PJ78L05SQ 编号：C411741
    封装：SOT-89-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：输入电压：最高30V。 输出：5V。 输出电流最高100mA。 内部热过载保护和短路限制
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3352

    • 100+

      ￥0.265

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    • 3000+

      ￥0.2036

    • 6000+

      ￥0.1825

    • 9000+

      ￥0.172
  • 有货
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    NPN 电流:2A 电压:50V
    型号：2SC2873SQ-Y 编号：C2917200
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：低饱和电压。 高速开关时间。 推荐作为 PNP 晶体管 2SA1213SQ 的互补类型
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3895

    • 100+

      ￥0.3079

    • 300+

      ￥0.2671

    • 1000+

      ￥0.2365

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      ￥0.212

    • 10000+

      ￥0.1998
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    5V 100mA 35V
    型号：PJ78L05SQ-N 编号：C2892400
    封装：SOT-89-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：输入电压：最高35V。 输出：5V。 输出电流：最高100mA。 内部热过载保护和短路限流
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4034

    • 100+

      ￥0.3261

    • 300+

      ￥0.2875

    • 3000+

      ￥0.2273

    • 6000+

      ￥0.2041

    • 9000+

      ￥0.1925
  • 有货
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    5V 200mA 30V
    型号：PJ78S05SQ 编号：C411747
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：输入电压：最高35V。输出电压：5V。输出电流：最高200mA。内部热过载保护和短路电流限制
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4064

    • 100+

      ￥0.3219

    • 300+

      ￥0.2797
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    3.3V 200mA 30V
    型号：PJ72AL33SC 编号：C41348026
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    宽电压输入范围，低功耗，IQ仅3uA,PSRR=60dB@10KHz，低压差，集成短路保护及热关断功能

    • 10+

      ￥0.4124

    • 100+

      ￥0.326

    • 300+

      ￥0.2828
  • 有货
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    3V 400mA 8V
    型号：PJ9400L30SC 编号：C41348036
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    超低功耗，超低静态电流：0.5uA（TYP.),低压差，关断电流<1uA，短路保护及电流限制折返功能

    • 10+

      ￥0.417

    • 100+

      ￥0.3297

    • 300+

      ￥0.286
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:20V 电流:5A 停产
    型号：PJ8205 编号：C469391
    封装：SOT-23-6
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 高功率和电流处理能力
    数据手册

    • 1+

      ￥0.4198

    • 10+

      ￥0.3287

    • 30+

      ￥0.2832

    • 100+

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    • 500+

      ￥0.2217

    • 1000+

      ￥0.208
  • 有货
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    线性锂离子电池充电器
    型号：PJ4055A20SG 编号：C41413543
    封装：SOT-23-6
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    耐压12V,VFLOAT:4.2V,最大充电电流：600mA,6.2V输入过压保护，带反接保护，双指示灯

    • 10+

      ￥0.4353

    • 100+

      ￥0.3441

    • 300+

      ￥0.2985
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:9A
    型号：PJM3400NSQ 编号：C42388596
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道，VDS=30V ID=6A ,PD:1.4W RDS(ON)<28mΩ@Vgs=10V,Trench工艺

    • 10+

      ￥0.4353

    • 100+

      ￥0.3441

    • 300+

      ￥0.2985
  • 有货
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    电流:1A 电压:100V
    型号：FCX493 编号：C42388539
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    NPN,100V/1A ,0.5W ,VCE(SAT):0.6V(MAX.),大电流 低饱和VCE,

    • 10+

      ￥0.4468

    • 100+

      ￥0.3532

    • 300+

      ￥0.3064
  • 有货
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    电流:200mA 电压:400V
    型号：MPSA44SQ 编号：C42388536
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    NPN,高压三极管，400V/0.2A ,0.5W ,VCE(SAT):0.75V(MAX.)

    • 5+

      ￥0.4812

    • 50+

      ￥0.3804

    • 150+

      ￥0.33
  • 有货
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    PJM20DN30DL
    型号：PJM20DN30DL 编号：C52117970
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    2个N沟道合封增强型MOSFET，Trench（沟槽型），VDS=30V,ID=18A ,RDS(ON)<13mΩ@Vgs=10V，通过 100% 雪崩测试，应用场景：负载开关，电池保护，UPS等

    • 5+

      ￥0.5084

    • 50+

      ￥0.4972

    • 150+

      ￥0.4898
  • 有货
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    工业标准双路运算放大器
    型号：LM2904V 编号：C30187479
    封装：SOP-8
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    双路运算放大器，工作电压范围：3~32V,低功耗：350uA/Single,增益带宽积：1MHz,转换速率：0.3V/uS,输入失调电压：3mV(TYP.)

    • 5+

      ￥0.5237

    • 50+

      ￥0.5115

    • 150+

      ￥0.5033
  • 有货
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    3.3V 300mA 20V
    型号：PJ73AL33SQ 编号：C411727
    封装：SOT-89-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    VIN(MAX.):20V VOUT:3.3V IOUT(MAX.):300mA, VDIF:195mV@IOUT=100mA 低功耗，IQ(TYP.):1.5uA 低温飘: 100PPM/℃
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5653

    • 50+

      ￥0.4509

    • 150+

      ￥0.3936

    • 500+

      ￥0.3507

    • 3000+

      ￥0.27

    • 6000+

      ￥0.2528
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    高亮度降压型 LED 驱动器
    型号：PJL3315SR 编号：C2944131
    封装：SOT-89-5
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    降压型恒流LED驱动，输入电压范围:8-30V,输出电流：1.5A(Max) ， 仅支持DIM模拟调光
    数据手册

    • 1+

      ￥1.0462

    • 10+

      ￥0.8345

    • 30+

      ￥0.7438

    • 100+

      ￥0.6306

    • 500+

      ￥0.5802

    • 1000+

      ￥0.4965
  • 有货
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    12V 1.5A 35V
    型号：PJ7812TE 编号：C469395
    封装：TO-252
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    PJ78XXTE 系列三端正电压调节器采用 TO - 252 封装。每种型号均采用内部限流、热关断和安全区保护，使其基本不会损坏。

    • 5+

      ￥1.1264

    • 50+

      ￥0.8845

    • 150+

      ￥0.7808
  • 有货
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    N沟道增强型功率MOSFET
    型号：PJMG10H100HNDN 编号：C51625754
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道增强型，SGT（屏蔽栅沟槽型）,VDS=100V ID=100A RDS(ON)<8.4mΩ@Vgs=10V, 通过 100% 雪崩测试

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