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首页 > 热门关键词 > 平晶微二极管
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描述
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N沟道增强型功率MOSFET
型号：PJM3018NSA 编号：C42431774
封装：SOT-23
品牌：PJSEMI(平晶微)
N沟道，VDS=30V ID=0.5A ,PD:0.35W RDS(ON)<3Ω@Vgs=10V,带ESD保护

  • 20+

    ￥0.1491

  • 200+

    ￥0.1161

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    ￥0.0978
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    双向TVS 3.3V截止 峰值浪涌电流：10A@8/20us
    型号：ESDB3V3BDB 编号：C22470313
    封装：DFN1x0.6-2L
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    ESDB3V3BDB是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）影响。它特别适用于手机、便携式媒体播放器（PMP）、移动互联网设备（MID）、个人数字助理（PDA）、数码相机和其他电子设备。ESDB3V3BDB采用DFN1x0.6-2L封装。标准产品无铅且无卤。

    • 20+

      ￥0.1521

    • 200+

      ￥0.1181

    • 600+

      ￥0.0992
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    双向TVS 12V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
    型号：ESDB12VADB 编号：C22470308
    封装：DFN1x0.6-2L
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    ESDB12VADB是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）影响。它特别适用于手机、便携式媒体播放器（PMP）、移动互联网设备（MID）、个人数字助理（PDA）、数码相机和其他电子设备。ESDB12VADB采用DFN1x0.6-2L封装。标准产品无铅且无卤。

    • 20+

      ￥0.1528

    • 200+

      ￥0.1187

    • 600+

      ￥0.0998
  • 有货
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    双向TVS 7V截止 峰值浪涌电流：6A@8/20us
    型号：ESDB7V0ADB 编号：C22470315
    封装：DFN1x0.6-2L
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    ESDU...ADB系列TVS是双向瞬态电压抑制器（TVS），用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）影响。它特别适用于手机、便携式媒体播放器（PMP）、移动互联网设备（MID）、个人数字助理（PDA）、数码相机和其他电子设备。ESDU...ADB系列TVS采用DFN1x0.6-2L封装。标准产品无铅且无卤。

    • 20+

      ￥0.154

    • 200+

      ￥0.1199

    • 600+

      ￥0.101
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    双向TVS 3.3V截止 峰值浪涌电流：6A@8/20us
    型号：ESDB3V3ADB 编号：C22470312
    封装：DFN1x0.6-2L
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    ESDU...ADB系列TVS是双向瞬态电压抑制器（TVS），用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）影响。它特别适用于手机、便携式媒体播放器（PMP）、移动互联网设备（MID）、个人数字助理（PDA）、数码相机和其他电子设备。ESDU...ADB系列TVS采用DFN1x0.6-2L封装。标准产品无铅且无卤。

    • 20+

      ￥0.154

    • 200+

      ￥0.1199

    • 600+

      ￥0.101
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    单向TVS 5V截止 峰值脉冲电流：10A@8/20us
    型号：ESDU5V0ADB 编号：C36493732
    封装：DFN1x0.6-2L
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    单向ESD保护，超低结电容，超低漏电流VRWM:5V,IR:0.5uA, VBR:6~7.5V,Ipp:10A,CJ:150pF(typ.)

    • 20+

      ￥0.1662

    • 200+

      ￥0.1295

    • 600+

      ￥0.1091
  • 有货
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    单向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：ESDU5V0LDB 编号：C22470318
    封装：DFN1x0.6-2L
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    ESDU5V0LDB 是一款单向瞬态电压抑制器（TVS），用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）的影响。它特别适用于手机、便携式媒体播放器（PMP）、移动互联网设备（MID）、个人数字助理（PDA）、数码相机和其他电子设备。ESDU5V0LDB 采用 DFN1x0.6-2L 封装。标准产品无铅且无卤素。

    • 20+

      ￥0.1662

    • 200+

      ￥0.1295

    • 600+

      ￥0.1091
  • 有货
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    N沟道增强型功率MOSFET
    型号：PJM139NSA 编号：C42431759
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道，VDS=50V ID=0.5A ,PD:0.35W RDS(ON)<3Ω@Vgs=10V,带ESD保护

    • 20+

      ￥0.1759

    • 200+

      ￥0.1371

    • 600+

      ￥0.1155
  • 有货
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    PNP 电流:600mA 电压:40V
    型号：2N4403SQ 编号：C42405712
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    PNP VCEO:-40V,IC:-0.6A,PD:0.625W,VCE(SAT):0.75V(MAX.)，HFE:20-300

    • 10+

      ￥0.1802

    • 100+

      ￥0.176

    • 300+

      ￥0.1732

    • 1000+

      ￥0.1704
  • 有货
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    PNP 电流:600mA 电压:60V
    型号：MMDT2907ASG 编号：C3000396
    封装：SOT-23-6
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于开关和放大器应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2418

    • 200+

      ￥0.1921

    • 600+

      ￥0.1645

    • 3000+

      ￥0.1424

    • 9000+

      ￥0.1281

    • 21000+

      ￥0.1204
  • 有货
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    3V 300mA 8V
    型号：PJ6206AL30SA 编号：C2919620
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    是高精度、低功耗的三端正电压调节器，采用CMOS技术制造，由限流器电路、驱动晶体管、精密参考电压和误差校正电路组成，与低ESR陶瓷电容兼容。限流器的折返电路可作为短路保护和输出引脚的输出电流限制器。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2455

    • 100+

      ￥0.1956

    • 300+

      ￥0.1706

    • 3000+

      ￥0.1357

    • 6000+

      ￥0.1208

    • 9000+

      ￥0.1133
  • 有货
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    PNP 电流:600mA 电压:150V
    型号：2N5401SQ 编号：C42405709
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    PNP，VCEO:-150V,IC:-0.6A,PD:0.625W,VCE(SAT):0.5V(MAX.),HFE:50-240

    • 10+

      ￥0.2635

    • 100+

      ￥0.2083

    • 300+

      ￥0.1807
  • 有货
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    P沟道增强型功率MOSFET
    型号：PJM03P40SA 编号：C42431758
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    P沟道，VDS=-40V ID=-3A ,PD:0.7W RDS(ON)<138mΩ@Vgs=-10V

    • 10+

      ￥0.2818

    • 100+

      ￥0.2228

    • 300+

      ￥0.1933
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    单节锂离子/聚合物电池保护IC
    型号：DW03C 编号：C41367942
    封装：SOT-23-5
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    单节保护，内置MOSFET,过充检测电压：4.3V(±25mV)，过充释放电压：4.1V(±50mV),过放检测电压：2.4V(±100mV)，过放释放电压：3V(±100mV)，OV充电功能：允充

    • 10+

      ￥0.3211

    • 100+

      ￥0.2525

    • 300+

      ￥0.2182
  • 有货
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    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：2N4401SQ 编号：C42431776
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    NPN,三极管 VCEO:40V,IC:600mA,PD:0.625W

    • 10+

      ￥0.3277

    • 100+

      ￥0.259

    • 300+

      ￥0.2247
  • 有货
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    5V 100mA 20V
    型号：PJ78L05SQ 编号：C411741
    封装：SOT-89-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：输入电压：最高30V。 输出：5V。 输出电流最高100mA。 内部热过载保护和短路限制
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3352

    • 100+

      ￥0.265

    • 300+

      ￥0.2299

    • 3000+

      ￥0.2036

    • 6000+

      ￥0.1825

    • 9000+

      ￥0.172
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:4A
    型号：PJM2310NSC 编号：C41784033
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道，VDS=60V ID=3A ,PD:1W RDS(ON)<105mΩ@Vgs=10V

    • 10+

      ￥0.3437

    • 100+

      ￥0.2717

    • 300+

      ￥0.2357
  • 有货
    • 立即购买
    3.3V 30mA 24V
    型号：PJ71K33SC 编号：C411739
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    是一组采用CMOS技术实现的三端低功耗高压稳压器。允许高达24V的输入电压，有几种固定输出电压可供选择，范围从3.0V到5.0V。CMOS技术确保了低压降和低静态电流。虽然主要设计为固定电压稳压器，但这些器件可与外部组件一起使用，以获得可变电压和电流。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3474

    • 100+

      ￥0.2802

    • 300+

      ￥0.2466

    • 3000+

      ￥0.1948

    • 6000+

      ￥0.1746

    • 9000+

      ￥0.1646
  • 有货
    • 立即购买
    5V 30mA 24V
    型号：PJ71K50SC 编号：C411740
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    是一组采用CMOS技术实现的三端低功耗高压稳压器。它们允许高达24V的输入电压。有几种固定输出电压可供选择，范围从3.0V到5.0V。CMOS技术确保了低电压降和低静态电流。虽然主要设计为固定电压稳压器，但这些器件可与外部组件一起使用，以获得可变电压和电流。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3556

    • 100+

      ￥0.2822

    • 300+

      ￥0.2454

    • 3000+

      ￥0.1976
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:12V 电流:9A
    型号：PJM2333PSC 编号：C41784035
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    P沟道，VDS=-12V ID=-6A ,PD:1.25W RDS(ON)<30mΩ@Vgs=-4.5V

    • 10+

      ￥0.3781

    • 100+

      ￥0.2989

    • 300+

      ￥0.2593
  • 有货
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    单节锂离子/聚合物电池保护IC
    型号：DW01A 编号：C41398501
    封装：SOT-23-6
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    单节保护，过充检测电压：4.28V(±50mV)，过充释放电压：4.08V(±50mV),过放检测电压：2.4V(±100mV)，过放释放电压：3V(±100mV)，OV充电功能：允充

    • 10+

      ￥0.3834

    • 100+

      ￥0.3018

    • 300+

      ￥0.261
  • 有货
    • 立即购买
    单节锂电池保护IC
    型号：PJP1103ASE 编号：C41368017
    封装：SOT-23-5
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    单节保护，内置MOSFET，过充检测电压：4.3V(±25mV)，过充释放电压：4.1V(±50mV),过放检测电压：2.72V(±100mV)，过放释放电压：3V(±100mV)，过放检测电流：2A,短路检测电流：4A,OV充电功能：允充

    • 10+

      ￥0.401

    • 100+

      ￥0.317

    • 300+

      ￥0.275
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：PJM3404NSC 编号：C41348048
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道，VDS=30V ID=5.8A ,PD:1.4W RDS(ON)<31mΩ@Vgs=10V

    • 10+

      ￥0.401

    • 100+

      ￥0.317

    • 300+

      ￥0.275
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1A 电压:80V
    型号：BCX56SQ-16 编号：C411783
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：适用于AF驱动器和输出级。 高集电极电流。 低集电极-发射极饱和电压
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4011

    • 100+

      ￥0.3262

    • 300+

      ￥0.2888

    • 1000+

      ￥0.2607

    • 5000+

      ￥0.1946

    • 10000+

      ￥0.1833
  • 有货
    • 立即购买
    5V 100mA 35V
    型号：PJ78L05SQ-N 编号：C2892400
    封装：SOT-89-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：输入电压：最高35V。 输出：5V。 输出电流：最高100mA。 内部热过载保护和短路限流
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4034

    • 100+

      ￥0.3261

    • 300+

      ￥0.2875

    • 3000+

      ￥0.2273

    • 6000+

      ￥0.2041

    • 9000+

      ￥0.1925
  • 有货
    • 立即购买
    9V 100mA 30V
    型号：PJ78L09SQ 编号：C2987901
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：输入电压：最高30V。输出电压：9V。输出电流：最高100mA。内部热过载保护和短路电流限制
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4115

    • 100+

      ￥0.3275

    • 300+

      ￥0.2855

    • 3000+

      ￥0.2435

    • 6000+

      ￥0.2183

    • 9000+

      ￥0.2057
  • 有货
    • 立即购买
    3.3V 200mA 30V
    型号：PJ72AL33SC 编号：C41348026
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    宽电压输入范围，低功耗，IQ仅3uA,PSRR=60dB@10KHz，低压差，集成短路保护及热关断功能

    • 10+

      ￥0.4124

    • 100+

      ￥0.326

    • 300+

      ￥0.2828
  • 有货
    • 立即购买
    3.6V 500mA 6V
    型号：PJ9500M36SE 编号：C20618185
    封装：SOT-23-5
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    宽电压输入范围1.8~6V，超低功耗，IQ仅800nA,PSRR=60dB@10KHz，低压差，短路保护，电流限制保护，过温保护，带使能脚

    • 10+

      ￥0.4124

    • 100+

      ￥0.326

    • 300+

      ￥0.2828
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:20V 电流:5A 停产
    型号：PJ8205 编号：C469391
    封装：SOT-23-6
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 高功率和电流处理能力
    数据手册

    • 1+

      ￥0.4198

    • 10+

      ￥0.3287

    • 30+

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    NPN 电流:5A 电压:30V
    型号：2SD965ASQ-R 编号：C411782
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：低饱和电压。 大集电极功耗和电流
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