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首页 > 热门关键词 > 平晶微二极管
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NPN 电流:1.5A 电压:430V
型号：13003SQ 编号：C42431779
封装：SOT-89
品牌：PJSEMI(平晶微)
NPN,三极管 VCEO:430V,IC:1.5A,PD:0.8W

  • 10+

    ￥0.2361

  • 100+

    ￥0.2306

  • 300+

    ￥0.2269
  • 有货
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    PNP 电流:600mA 电压:150V
    型号：2N5401SQ 编号：C42405709
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    PNP，VCEO:-150V,IC:-0.6A,PD:0.625W,VCE(SAT):0.5V(MAX.),HFE:50-240

    • 10+

      ￥0.2635

    • 100+

      ￥0.2083

    • 300+

      ￥0.1807
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:12V 电流:4.1A
    型号：PJM2305PSA 编号：C411714
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：快速开关。 低栅极电荷和低导通电阻RDS(ON)。 低反向传输电容。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2729

    • 100+

      ￥0.2177

    • 300+

      ￥0.1901

    • 3000+

      ￥0.16

    • 6000+

      ￥0.1434

    • 9000+

      ￥0.1352
  • 有货
    • 立即购买
    恒流驱动IC PJL8301SQ
    型号：PJL8301SQ 编号：C42388543
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    高压性线恒流LED驱动芯片，内置500V MOSFET,可通过外部电阻设置电流5~100mA,也可以多芯片并联增加电流输出能力，内置过温降电流功能，系统外围无需电感、变压器等磁性元件，结构简单，成本低。

    • 5+

      ￥0.2982

    • 50+

      ￥0.2913

    • 150+

      ￥0.2867
  • 有货
    • 立即购买
    2.495V~36V 串联
    型号：TL431ASC 编号：C41784037
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    Vref:2.495V.输出精度：±0.5%，工作温度范围：－40~+125℃

    • 10+

      ￥0.3093

    • 100+

      ￥0.2445

    • 300+

      ￥0.2121
  • 有货
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    NPN达林顿管 MPSA13
    型号：MPSA13 编号：C42388540
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    NPN,30V/0.3A 0.5W, hFE:10000(Min.）,fT:125MHz,VCE(sat):1.5V

    • 10+

      ￥0.3116

    • 100+

      ￥0.2463

    • 300+

      ￥0.2137
  • 有货
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    12V 100mA 35V
    型号：PJ78L12SA 编号：C45406551
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    三端稳压IC,VIN(MAX.):35V.Iout(max):100mA VOUT:12V,PD:0.3W，压差：1.7V，过温及短路保护

    • 10+

      ￥0.3139

    • 100+

      ￥0.2482

    • 300+

      ￥0.2153
  • 有货
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    3.3V 500mA 6V
    型号：PJ9500M33SA 编号：C20618178
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    是高精度、极低静态电流、低压差线性稳压器，能够提供500mA负载电流。对线电压瞬变和负载电流瞬变具有非常快速的响应，并确保在LDO启动和短路恢复期间无过冲电压。集成了短路保护、限流保护和热保护功能。通过将EN引脚置低来开启关断模式。

    • 10+

      ￥0.3437

    • 100+

      ￥0.2717

    • 300+

      ￥0.2357
  • 有货
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    3V 30mA 24V
    型号：PJ71K30SC 编号：C411738
    封装：SOT-23
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    PJ71KXXSC系列是采用CMOS技术实现的一组三端低功耗高压稳压器。它们允许的输入电压高达24V。该系列有多种固定输出电压可供选择，范围从3.0V到5.0V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.35

    • 100+

      ￥0.2766

    • 300+

      ￥0.2399

    • 3000+

      ￥0.192
  • 有货
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    12V 100mA 35V
    型号：PJ78L12SQ 编号：C3034946
    封装：SOT-89-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：输入电压：最高 35V。输出电压：12V。输出电流：最高 100mA。内部热过载保护和短路限制
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3601

    • 100+

      ￥0.2905

    • 300+

      ￥0.2557

    • 1000+

      ￥0.2017

    • 5000+

      ￥0.1809

    • 10000+

      ￥0.1704
  • 有货
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    1.2V 300mA 6.5V
    型号：PJ9193M12SE 编号：C686638
    封装：SOT-23-5
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    是高度精确、低噪声的正电压LDO稳压器，采用CMOS工艺制造。性能针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。稳压器接地电流在降压时仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间。在关断模式下功耗小于1μA，开启时间小于50μs。其他特点包括超低降压电压、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3733

    • 100+

      ￥0.3013

    • 300+

      ￥0.2653

    • 3000+

      ￥0.2087

    • 6000+

      ￥0.1871

    • 9000+

      ￥0.1763
  • 有货
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    双N通道增强模式功率MOSFET 2个N沟道 耐压:20V 电流:5A
    型号：PJM8205DNSG SOT-23-6 编号：C2917199
    封装：SOT-23-6
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：优秀的导通电阻和低栅极电荷。 先进的沟槽工艺技术。 高功率和电流处理能力。 VDS = 20V，ID = 5A，RDS(on) < 25mΩ @ VGS = 4.5V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3939

    • 100+

      ￥0.3119

    • 300+

      ￥0.2709

    • 3000+

      ￥0.2198

    • 6000+

      ￥0.1952

    • 9000+

      ￥0.1829
  • 有货
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    3.3V 400mA 8V
    型号：PJ9400L33SE 编号：C41368014
    封装：SOT-23-5
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    超低功耗，超低静态电流：0.5uA（TYP.),低压差，关断电流<1uA，短路保护及电流限制折返功能，自放电功能，带EN脚

    • 10+

      ￥0.4353

    • 100+

      ￥0.3441

    • 300+

      ￥0.2985
  • 有货
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    电压比较器
    型号：LM393 编号：C30187480
    封装：SOP-8
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    含两个独立电压比器，VCC:±16V/32V,低输出饱和电压，低功耗，低输入失调电压

    • 10+

      ￥0.4537

    • 100+

      ￥0.3586

    • 300+

      ￥0.3111
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：PJM04P30SQ 编号：C42405714
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    P沟道，VDS=-30V ID=-4.1A ,PD:1.3W RDS(ON)<65mΩ@Vgs=-10V.

    • 10+

      ￥0.4583

    • 100+

      ￥0.3623

    • 300+

      ￥0.3143
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
    型号：PJM03N10SQ 编号：C42388544
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道，VDS=100V ID=3A ,PD:1.35W RDS(ON)<178mΩ@Vgs=10V,Trench工艺

    • 5+

      ￥0.5041

    • 50+

      ￥0.3985

    • 150+

      ￥0.3457
  • 有货
    • 立即购买
    3V 30mA 24V
    型号：PJ71K30SQ 编号：C411733
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    是一组采用CMOS技术实现的三端低功耗高压稳压器。允许高达24V的输入电压，有几种固定输出电压可供选择，范围从3.0V到5.0V。CMOS技术确保了低压降和低静态电流。虽然主要设计为固定电压稳压器，但这些器件可以与外部组件一起使用，以获得可变电压和电流。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5121

    • 50+

      ￥0.4065

    • 150+

      ￥0.3537

    • 1000+

      ￥0.306

    • 2000+

      ￥0.2744

    • 5000+

      ￥0.2585
  • 有货
    • 立即购买
    3.6V 300mA 20V
    型号：PJ73AL36SC 编号：C41348027
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    低功耗，IQ仅1.5uA,低压差，低温漂

    • 5+

      ￥0.527

    • 50+

      ￥0.4166

    • 150+

      ￥0.3614

    • 500+

      ￥0.32
  • 有货
    • 立即购买
    12V 500mA 35V
    型号：PJ78M12SQ 编号：C41784045
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    VIN(MAX.):35V.Iout(max):500mA VOUT:12V,PD:0.5W过温及短路保护,三端稳压IC

    • 5+

      ￥0.5499

    • 50+

      ￥0.4347

    • 150+

      ￥0.3771
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:20V 电流:12A
    型号：PJM12P20DF 编号：C22470326
    封装：DFN2x2-6L
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：低栅极电荷和RDS(ON)。 VDS = -20V，ID = -12A。 RDS(ON) < 22mΩ @ VGS = -4.5V。应用：负载开关。 PWM应用

    • 5+

      ￥0.6415

    • 50+

      ￥0.5071

    • 150+

      ￥0.4399

    • 500+

      ￥0.3895
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:5A
    型号：PJM05P60SC 编号：C41784031
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    P沟道，VDS=-60V ID=-5A ,PD:1.5W RDS(ON)<75mΩ@Vgs=-10V

    • 5+

      ￥0.6874

    • 50+

      ￥0.5434

    • 150+

      ￥0.4714

    • 500+

      ￥0.4174
  • 有货
    • 立即购买
    3V 350mA 45V
    型号：PJ54M30SC 编号：C23376659
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    耐压55V,1Q:2.1uA,VOUT:3V ,IOUT(MAX):350mA ,PSRR:85dB@1KHZ

    • 5+

      ￥0.7446

    • 50+

      ￥0.5886

    • 150+

      ￥0.5106

    • 500+

      ￥0.4521
  • 有货
    • 立即购买
    5V 350mA 45V
    型号：PJ54M50SE 编号：C41784039
    封装：SOT-23-5
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    耐压55V,1Q:2.1uA,VOUT:5V ,IOUT(MAX):350mA ,PSRR:85dB@1KHZ,带EN脚，热保护，电流限制

    • 5+

      ￥0.7446

    • 50+

      ￥0.5886

    • 150+

      ￥0.5106

    • 500+

      ￥0.4521
  • 有货
    • 立即购买
    3.3V 350mA 45V
    型号：PJ54M33SC 编号：C23376660
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    耐压55V,1Q:2.1uA,VOUT:3.3V ,IOUT(MAX):350mA ,PSRR:85dB@1KHZ

    • 5+

      ￥0.7446

    • 50+

      ￥0.5886

    • 150+

      ￥0.5106

    • 500+

      ￥0.4521
  • 有货
    • 立即购买
    3.3V 350mA 45V
    型号：PJ54DM33SE 编号：C41367945
    封装：SOT-23-5
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    耐压55V,1Q:2.1uA,VOUT:3.3V ,IOUT(MAX):350mA ,PSRR:85dB@1KHZ,压差：350mV@100mA.

    • 5+

      ￥0.8248

    • 50+

      ￥0.652

    • 150+

      ￥0.5656

    • 500+

      ￥0.5008
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:10A
    型号：PJM10N60SQ 编号：C42388535
    封装：SOT-89
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道，VDS=60V ID=10A ,PD:1.35W RDS(ON)<30mΩ@Vgs=10V,Trench工艺

    • 5+

      ￥0.8363

    • 50+

      ￥0.6611

    • 150+

      ￥0.5735
  • 有货
    • 立即购买
    高亮度降压型 LED 驱动器
    型号：PJL4115SR 编号：C3000399
    封装：SOT-89-5
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    降压型恒流LED驱动，输入电压范围:8-30V,输出电流：1.5A(Max) ， 支持PWM及模拟调光
    数据手册

    • 5+

      ￥0.885

    • 50+

      ￥0.7026

    • 150+

      ￥0.6114

    • 1000+

      ￥0.5286

    • 2000+

      ￥0.4739

    • 5000+

      ￥0.4465
  • 有货
    • 立即购买
    8.65V~9.35V 500mA 35V
    型号：PJ78M09TE 编号：C469393
    封装：TO-252
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：输入电压高达35V。 输出电压：9V。 输出电流：0.5A（最大）。 过载保护和短路限制
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9073

    • 50+

      ￥0.7345

    • 150+

      ￥0.6481

    • 500+

      ￥0.5833

    • 2500+

      ￥0.449

    • 5000+

      ￥0.423
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:200V 电流:2A
    型号：PJM20H02ANSC 编号：C41348045
    封装：SOT-23-3
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    N沟道，VDS=200V ID=1.5A ,PD:1.25W RDS(ON)<700mΩ@Vgs=10V

    • 5+

      ￥1.1

    • 50+

      ￥0.8581

    • 150+

      ￥0.7544

    • 500+

      ￥0.625
  • 有货
    • 立即购买
    N和P沟道互补功率MOSFET
    型号：PJM50C30DN 编号：C50466292
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：PJSEMI(平晶微)
    特性：先进的沟槽技术。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准。 无卤素和锑。 防潮等级3。应用：锂电池保护。 无线冲击

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