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首页 > 热门关键词 > 士兰微二极管
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  • SDH8635 是用于开关电源的内置高压 MOSFET 及高压启动恒流源、外置采样电阻的电流模式 PWM+PFM 控制器。 SDH8635 内置高压启动恒流源,低待机功耗 < 30mW 。有多种控制模式:在重载时,工作在 PWM 模式;在轻载时,工作在 PFM 模式,以提高转换效率;在空载时,进入打嗝模式,以降低待机功耗。
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  • 24W开关电源芯片
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  • SVF18N50F/T/PN/FJ 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器
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  • SVF20N50F/PN 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用专有的 F - Cell 结构 VDMOS 技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器中
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  • SVF20N60F是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
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  • VF23N50PN是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC - DC电源、DC - DC转换器和H桥PWM电机驱动器
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  • SD15M60AC是一款高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动器,适用于空调、洗碗机和工业缝纫机等低功率逆变器驱动。它内置了六个低损耗IGBT和三个高压高速半桥栅极驱动器。集成的欠压、短路和过温保护功能使电路能在较宽范围内安全工作
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  • SVF4N90F/MJJ/T/D是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F - CellTM高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件广泛应用于AC - DC电源、DC - DC转换器和H桥PWM电机驱动器
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  • SVF20NE50PN是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
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  • N沟道,600V,5A,2.15Ω@10V
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  • 有货
  • N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用士兰微专有的F- Cell高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计,可最大限度降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC - DC电源、DC - DC转换器和H桥PWM电机驱动器
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