士兰微二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SD8512CTR 编号：C42459719

封装：SOP-8-225mil-1.27mm

品牌：SILAN(士兰微)

5+
￥0.7127
50+
￥0.6224
150+
￥0.5837
500+
￥0.5354
2500+
￥0.5139

有货

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型号：SVF4N60CAD 编号：C467746

封装：TO-252

品牌：SILAN(士兰微)

N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微专有的F- Cell高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC - DC电源、DC - DC转换器和H桥PWM电机驱动器

5+
￥1.013931 ￥1.9881
50+
￥0.645709 ￥1.5749
150+
￥0.433287 ￥1.3977
500+
￥0.364777 ￥1.1767
2500+
￥0.334273 ￥1.0783
5000+
￥0.315983 ￥1.0193

有货

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型号：SVF6N60D 编号：C68778

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：SILAN(士兰微)

N沟道,600V,6A,1.5Ω@10V

数据手册

1+
￥2.73
10+
￥2.11
30+
￥1.85
100+
￥1.52
500+
￥1.38

有货

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型号：SVF740T 编号：C414166

封装：TO-220

品牌：SILAN(士兰微)

N沟道 400V 10A

数据手册

1+
￥2.94
10+
￥2.31
50+
￥2.04
100+
￥1.7

有货

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型号：SDH8635 编号：C250751

封装：DIP-8

品牌：SILAN(士兰微)

SDH8635 是用于开关电源的内置高压 MOSFET 及高压启动恒流源、外置采样电阻的电流模式 PWM+PFM 控制器。 SDH8635 内置高压启动恒流源，低待机功耗 < 30mW 。有多种控制模式：在重载时，工作在 PWM 模式；在轻载时，工作在 PFM 模式，以提高转换效率；在空载时，进入打嗝模式，以降低待机功耗。

数据手册

1+
￥3.1
10+
￥2.51
50+
￥2.17
100+
￥1.86
500+
￥1.72
1000+
￥1.64

有货

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型号：SVF12N65F 编号：C18781

封装：TO-220F

品牌：SILAN(士兰微)

N沟道,650V,12A,680mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.35
10+
￥2.69
50+
￥2.18
100+
￥1.83

有货

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型号：SVT085R5NT 编号：C2897720

封装：TO-220

品牌：SILAN(士兰微)

SVT085R5NT/S/L5/KL 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用的 LVMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供出色的开关性能。该器件广泛应用于不间断电源和逆变器系统电源管理领域

数据手册

1+
￥3.75
10+
￥3.35
50+
￥2.88
100+
￥2.69

有货

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型号：SVF23N50PN 编号：C601647

封装：TO-3P-3

品牌：SILAN(士兰微)

VF23N50PN是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC - DC电源、DC - DC转换器和H桥PWM电机驱动器

数据手册

1+
￥6.84
10+
￥5.76
30+
￥4.93
90+
￥4.26
510+
￥3.96
1200+
￥3.82

有货

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型号：SVF28N50PN 编号：C3011231

封装：TO-3P-3

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥12.12
10+
￥10.31
30+
￥8.82
90+
￥7.66

有货

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型号：SD4943 编号：C2961143

封装：SOP-8-150mil

品牌：SILAN(士兰微)

SD4943 是开关降压型DC-DC 转换芯片，用于20V~150Vdc 输入，持续输出电流0.5A，输出瞬间的峰值电流可达0.8A。 SD4943 最小开关频率2KHz，最大开关频率120KHz，具有降频功能，进一步优化轻载条件下的转换效率。具有软启动功能，能够减小器件的应力，防止电感饱和。

5+
￥1.0726
50+
￥0.9298
150+
￥0.8686
500+
￥0.7922

有货

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型号：SVD9Z24NT 编号：C2761788

封装：TO-220

品牌：SILAN(士兰微)

SVD9Z24NT是一款P沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰平面VDMOS工艺制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。该器件广泛应用于推挽放大器、高端开关电路、CMOS功率放大器

数据手册

5+
￥1.6726
50+
￥1.2857
150+
￥1.1474
500+
￥0.9748

有货

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型号：SAP2844SATR 编号：C7464930

封装：SOP-8

品牌：SILAN(士兰微)

5+
￥1.71
50+
￥1.5
150+
￥1.41
500+
￥1.35

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型号：SVDZ24NT 编号：C2761789

封装：TO-220

品牌：SILAN(士兰微)

SVDZ24NT是一款采用矽力杰新型平面VDMOS工艺制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。该器件广泛应用于电子镇流器、低功率开关电源

数据手册

5+
￥1.7671
50+
￥1.4074
150+
￥1.2325
500+
￥1.0142

有货

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型号：SVF7N65F 编号：C467752

封装：TO-220F-3

品牌：SILAN(士兰微)

SVF7N65T/F/S 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器

数据手册

5+
￥1.9141
50+
￥1.5547
150+
￥1.3626

有货

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型号：SVF7N65CDTR 编号：C2930957

封装：TO-252-2

品牌：SILAN(士兰微)

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5+
￥2.2143
50+
￥1.7804
150+
￥1.5944

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型号：SVG103R0NSTR 编号：C5258899

封装：TO-263-2L

品牌：SILAN(士兰微)

SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

1+
￥5.06
10+
￥4.57
30+
￥4.31
100+
￥4.01

有货

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型号：SVF20N60F 编号：C601619

封装：TO-220

品牌：SILAN(士兰微)

SVF20N60F是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器

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1+
￥6.38
10+
￥5.3
50+
￥4.57
100+
￥3.9

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型号：SGT40N60FD2PN 编号：C2761786

封装：TO-3P-3

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥8.77
10+
￥7.4
30+
￥5.8
90+
￥4.95
510+
￥4.58
1200+
￥4.41

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型号：SD20A60FA 编号：C254537

封装：DIP-27H

品牌：SILAN(士兰微)

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1+
￥50.83
10+
￥43.45
30+
￥38.95

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型号：SD20M60AC 编号：C254536

封装：DIP-27

品牌：SILAN(士兰微)

SD20M60AC 是高度集成、高可靠性的3 相无刷直流电机驱动电路，主要应用于较低功率的变频驱动，如空调、洗碗机、工业缝纫机等。其内置了6 个低损耗的IGBT 管和3 个高速半桥高压栅极驱动电路。SD20M60AC 内部集成了欠压、短路、过温等各种电路，提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。SD20M60AC 采用了高绝缘、易导热的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合要求紧凑安装的应用场合。

数据手册

1+
￥51.5
10+
￥45.08
30+
￥40.58

有货

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型号：SGM100HF12A1TFD 编号：C2761778

封装：-

品牌：SILAN(士兰微)

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1+
￥137.04
10+
￥123.49

有货

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型号：SD6822STR 编号：C601587

封装：SOP-7-225-1.27

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥0.658515 ￥1.6885
10+
￥0.387353 ￥1.3357
30+
￥0.225055 ￥1.1845
100+
￥0.189221 ￥0.9959
500+
￥0.173261 ￥0.9119
1000+
￥0.163685 ￥0.8615

有货

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型号：SDH7711SHTR 编号：C601120

封装：SOP-7

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥0.66576 ￥2.2192
10+
￥0.3511 ￥1.7555
30+
￥0.15568 ￥1.5568
100+
￥0.13088 ￥1.3088
500+
￥0.11984 ￥1.1984
1000+
￥0.11322 ￥1.1322

有货

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型号：SDH7711ASFTR 编号：C601111

封装：SOP-7

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

5+
￥0.72366 ￥1.2061
50+
￥0.47705 ￥0.9541
150+
￥0.33844 ￥0.8461
500+
￥0.28452 ￥0.7113
2500+
￥0.26052 ￥0.6513
4000+
￥0.24612 ￥0.6153

有货

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型号：SD6922S 编号：C414155

封装：SOP-7

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

5+
￥0.7649
50+
￥0.6065
150+
￥0.5273
500+
￥0.4679

有货

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型号：SDH8595AE 编号：C20606462

封装：DIP-8-300mil

品牌：SILAN(士兰微)

5+
￥1.296
50+
￥1.1318
150+
￥1.0614
500+
￥0.9736

有货

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型号：SVF840F 编号：C601613

封装：TO-220

品牌：SILAN(士兰微)

SVF840F/D/S/MJ/FD是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F-Cell高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器

数据手册

1+
￥2.73
10+
￥2.18
50+
￥1.94
100+
￥1.65

有货

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型号：SVF10N65F 编号：C467743

封装：TO-220F-3

品牌：SILAN(士兰微)

SVF10N65T/F/K/S是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器

1+
￥3.19
10+
￥2.52
50+
￥2.34
100+
￥1.98

有货

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型号：SVT044R5NT 编号：C2761793

封装：TO-220

品牌：SILAN(士兰微)

SVT044R5NT/D/L5是一款采用低电压MOS（LVMOS）技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供卓越的开关性能。该器件广泛应用于不间断电源（UPS）和逆变器系统的电源管理领域

数据手册

1+
￥3.63
10+
￥2.94
50+
￥2.48
100+
￥2.14
500+
￥1.94
1000+
￥1.83

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型号：SVF18N50F 编号：C601617

封装：TO-220

品牌：SILAN(士兰微)

SVF18N50F/T/PN/FJ 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器

数据手册

1+
￥7.19
10+
￥6.16
50+
￥5.6
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