威世二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：VS-ETH0806FP-M3 编号：C241896

封装：TO-220AC-2

品牌：VISHAY(威世)

超快速恢复整流器，在正向压降、超快速恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。极低的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器的过耗散。

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型号：VBPW34FAS 编号：C413453

封装：SMD,4.4x3.9mm

品牌：VISHAY(威世)

是高速、高灵敏度的PIN光电二极管。是表面贴装器件 (SMD)，包括一个具有7.5mm²敏感区域的芯片和一个与工作波长为870nm或950nm的红外发射器匹配的日光阻挡滤光片。

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型号：VS-6CWQ04FNTR-M3 编号：C506584

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：VISHAY(威世)

该表面贴装、中心抽头肖特基整流器系列专为需要低正向压降和小 PCB 板占用面积的应用而设计。典型应用包括磁盘驱动器、开关电源、转换器、续流二极管、电池充电和反接电池保护。

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型号：VS-8EWL06FNTR-M3 编号：C142567

封装：TO-252-2

品牌：VISHAY(威世)

先进的超快速恢复整流器，具有正向压降、超快速恢复时间和软恢复的优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压级或作为续流二极管。其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器的过耗散。

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型号：VS-30CPH03-N3 编号：C506441

封装：TO-247AC-3

品牌：VISHAY(威世)

300 V 系列是具有超快恢复功能的整流器，在正向压降和超快恢复时间方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。其极低的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器的过耗散。

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型号：VEMD5060X01 编号：C3211114

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

VEMD5060X01是一款高速、高灵敏度的PIN光电二极管，具有高度线性的光响应。它是一款薄型表面贴装器件（SMD），包含一个感光面积为7.5 mm²的芯片，可检测可见光和近红外辐射。

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型号：V60DM100CHM3/I 编号：C413451

封装：TO-263AC

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。非常低的外形，典型高度为1.7mm。适合自动贴装。低正向压降，低功耗。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值为260℃。应用：用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、或二极管和反向电池保护，适用于商业、工业和汽车应用。

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型号：VS-10ETS12FP-M3 编号：C17339268

封装：TO-220-2

品牌：VISHAY(威世)

高压整流器针对极低正向压降和适度泄漏进行了优化。这些器件适用于主整流（单相或三相桥）。

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型号：EDF1DS-E3/77 编号：C5264247

封装：DFS

品牌：VISHAY(威世)

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型号：1N4448TR 编号：C5358845

封装：DO-35(DO-204AH)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅外延平面二极管。应用：极快开关

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20+
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型号：TZMC7V5-GS08 编号：C2761032

封装：MiniMELF(SOD-80)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。 TZMC VZ公差±5%。 TZMB VZ公差±2%。应用：电压稳定

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￥0.2431
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型号：TZMC10GS08 编号：C506590

封装：SOD-80

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。 TZMC的Vz公差为±5%。 TZMB的Vz公差为±2%。应用：电压稳定

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20+
￥0.2501
200+
￥0.1973
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型号：BZX84C5V6-E3-08 编号：C3737658

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%，订货代码中用“C”表示；若公差为±2%，则用“B”替换“C”。可提供AEC-Q101认证。ESD能力符合AEC-Q101：人体模型>8kV，机器模型>800V。符合RoHS标准，商业级。符合RoHS标准，AEC-Q101认证

10+
￥0.3085
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￥0.246
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型号：1N4148W-HE3-18 编号：C5345076

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅外延平面二极管。快速开关二极管。符合 AEC-Q101 标准。符合 RoHS 标准，商业级。符合 RoHS 标准，AEC-Q101 认证

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1+
￥0.3248
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型号：BZM55C11-TR 编号：C3764619

封装：SOD-80

品牌：VISHAY(威世)

特性：节省空间。密封部件。电气数据与 BZT55 系列、TZM 系列器件相同。适用于 SOD-323。非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。应用：电压稳定

10+
￥0.3333
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型号：LL4150GS08 编号：C2979755

封装：SOD-80

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅外延平面二极管。低正向压降。高正向电流能力。应用：高速开关。计算机和工业应用中的通用用途

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10+
￥0.3496
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￥0.2815
300+
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型号：MMSZ5250B-E3-08 编号：C7231182

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：标准齐纳电压公差：带“B”后缀为±5%，带“C”后缀为±2%。具备AEC-Q101认证。 ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V

10+
￥0.3631
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￥0.2905
300+
￥0.2542

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型号：BZX84C2V4-E3-08 编号：C3000822

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%，订货代码中用“C”表示；若公差为±2%，则用“B”替换“C”。可提供AEC-Q101认证。ESD能力符合AEC-Q101：人体模型>8kV，机器模型>800V。符合RoHS标准，商业级。符合RoHS标准，AEC-Q101认证

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10+
￥0.3731
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300+
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型号：TZM5234B-GS08 编号：C3151697

封装：MiniMELF(SOD-80)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常尖锐的反向特性。非常高的稳定性。电气数据与器件1N5221B至1N5267B相同。低反向电流水平。标准齐纳电压容差 ±5%。应用：电压稳定

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10+
￥0.3815
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￥0.3171
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型号：MMSZ4695-E3-08 编号：C3729114

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。标准齐纳电压公差为 ±5%。符合 AEC-Q101 标准。ESD 能力（根据 AEC-Q101）：人体模型 >8kV；机器模型 >800V。RoHS 合规，商业级。RoHS 合规，符合 AEC-Q101 标准

10+
￥0.3825
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型号：TZM5231B-GS08 编号：C467000

封装：MiniMELF(SOD-80)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常尖锐的反向特性。非常高的稳定性。电气数据与1N5221B至1N5267B器件相同。低反向电流水平。标准齐纳电压容差 ±5%。 AEC-Q101认证。应用：电压稳定

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10+
￥0.3862
100+
￥0.3027
300+
￥0.2609

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型号：MMSZ4690-E3-08 编号：C241973

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。标准齐纳电压容差为±5%。保证高温焊接：260℃/4×10s 设置端子。符合 AEC-Q101 标准。 ESD 能力符合 AEC-Q101：人体模型>8kV；机器模型>800V。符合 RoHS 标准，商业级。符合 RoHS 标准，AEC-Q101 认证

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10+
￥0.3938
100+
￥0.3165
300+
￥0.2778

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型号：TZM5254B-GS08 编号：C3000821

封装：MiniMELF(SOD-80)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常尖锐的反向特性。非常高的稳定性。电气数据与器件1N5221B至1N5267B相同。低反向电流水平。标准齐纳电压容差 ±5%。应用：电压稳定

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10+
￥0.3983
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￥0.3105
300+
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型号：BZX84B2V4-E3-08 编号：C5358782

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%，订货代码中用“C”表示；若公差为±2%，则用“B”替换“C”。可提供AEC-Q101认证。ESD能力符合AEC-Q101：人体模型>8kV，机器模型>800V。符合RoHS标准，商业级。符合RoHS标准，AEC-Q101认证