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特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压根据国际E24标准分级。 标准齐纳电压公差为 ±5%;用 “B” 代替 “C” 可实现 ±2% 公差。 有符合AEC-Q101标准的产品。 根据AEC-Q101标准的ESD能力:人体模型 >8kV,机器模型 >800V。 基础型号E3:符合RoHS标准,商业级。 基础型号HE3:符合RoHS标准,符合AEC-Q101标准
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    ¥0.3328
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    ¥0.2615
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    ¥0.2259
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 非常高的稳定性。 电气数据与器件1N5221B至1N5267B相同。 低反向电流水平。 标准齐纳电压容差 ±5%。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3497
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  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%,订货代码中用“C”表示;若公差为±2%,则用“B”替换“C”。可提供AEC-Q101认证。ESD能力符合AEC-Q101:人体模型>8kV,机器模型>800V。符合RoHS标准,商业级。符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    • 10+

      ¥0.3506
    • 100+

      ¥0.2755
    • 300+

      ¥0.238
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 低正向压降。 低漏电流。 高正向浪涌能力。应用:用于电源、逆变器、转换器的通用整流,以及消费、汽车和电信领域的续流二极管
    数据手册
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      ¥0.2894
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      ¥0.2513
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      ¥0.2227
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。标准齐纳电压公差为 ±5%。符合 AEC-Q101 标准。ESD 能力(根据 AEC-Q101):人体模型 >8kV;机器模型 >800V。RoHS 合规,商业级。RoHS 合规,符合 AEC-Q101 标准
    • 10+

      ¥0.3825
    • 100+

      ¥0.3006
    • 300+

      ¥0.2596
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 标准齐纳电压容差为 ±5%。 保证高温焊接:260℃/4×10s 固定端子。 符合 AEC-Q101 标准。 ESD 能力符合 AEC-Q101:人体模型 >8kV,机器模型 >800V。 符合 RoHS 标准,商业级。 符合 RoHS 标准,AEC-Q101 认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3902
    • 100+

      ¥0.28566 ¥0.3105
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      ¥0.221974 ¥0.2707
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    • 6000+

      ¥0.177858 ¥0.2169
    • 9000+

      ¥0.1681 ¥0.205
  • 有货
  • 特性:快速开关,实现高效率。 低正向压降。 低漏电流。 高正向浪涌能力。 最高275℃浸焊10s,符合JESD 22-B106标准。应用:用于电源、逆变器、转换器的快速开关整流。 用于消费和电信领域的续流二极管
    • 5+

      ¥0.3944
    • 50+

      ¥0.3082
    • 150+

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    • 500+

      ¥0.228144 ¥0.2328
    • 2500+

      ¥0.20286 ¥0.207
    • 5500+

      ¥0.19012 ¥0.194
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%,订货代码中用“C”表示;若公差为±2%,则用“B”替换“C”。可提供AEC-Q101认证。ESD能力符合AEC-Q101:人体模型>8kV,机器模型>800V。符合RoHS标准,商业级。符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    • 10+

      ¥0.4077
    • 100+

      ¥0.3245
    • 300+

      ¥0.2828
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。标准齐纳电压公差为 ±5%。符合 AEC-Q101 标准。ESD 能力(根据 AEC-Q101):人体模型 >8kV;机器模型 >800V。RoHS 合规,商业级。RoHS 合规,符合 AEC-Q101 标准
    • 10+

      ¥0.4098
    • 100+

      ¥0.3196
    • 300+

      ¥0.2745
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压按照国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%;将“C”替换为“B”可实现±2%公差。AEC-Q101认证可用。符合AEC-Q101的ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。RoHS合规,商业级。RoHS合规,AEC-Q101认证
    • 10+

      ¥0.4232
    • 100+

      ¥0.3324
    • 300+

      ¥0.287
    • 3000+

      ¥0.240255 ¥0.2529
    • 6000+

      ¥0.214415 ¥0.2257
    • 9000+

      ¥0.2014 ¥0.212
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 非常高的稳定性。 电气数据与1N5221B至1N5267B器件相同。 低反向电流水平。 标准齐纳电压容差 ±5%。应用:电压稳定
    • 10+

      ¥0.4291
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      ¥0.2951
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  • 特性:硅外延平面二极管。 快速开关二极管。 可提供AEC-Q101认证(需咨询具体型号)。 基础型号为G3-绿色,商业级
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      ¥0.4292
    • 100+

      ¥0.3365
    • 300+

      ¥0.2902
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 设有过压保护保护环。 低功率损耗,高效率。 低正向压降。 高浪涌能力。 符合MSL 1级,根据J-STD-020标准,LF最高峰值260℃。应用:低压、高频逆变器。 续流
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4298
    • 100+

      ¥0.3384
    • 300+

      ¥0.2927
    • 1800+

      ¥0.245575 ¥0.2585
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      ¥0.219545 ¥0.2311
    • 10800+

      ¥0.20653 ¥0.2174
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压根据国际E24标准分级。 提供AEC-Q101认证。 ESD能力符合AEC-Q101:人体模型> 8kV,机器模型> 800V。 基础型号-E3,符合RoHS标准,商业级。 基础型号-HE3_A,符合RoHS标准,通过AEC-Q101认证
    • 10+

      ¥0.4427
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      ¥0.3491
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      ¥0.3023
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 标准齐纳电压容差为 ±5%。 可提供AEC-Q101认证。 根据AEC-Q101的ESD能力:人体模型 >8kV,机器模型 >800V。 符合RoHS标准,商业级。 符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    • 10+

      ¥0.4495
    • 100+

      ¥0.3578
    • 300+

      ¥0.312
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 超快恢复时间,效率高。 低正向电压,低功耗。 高正向浪涌能力。 符合MSL 1级,按照J-STD-020标准,LF最大峰值为260℃。应用:用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4592
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      ¥0.3704
    • 300+

      ¥0.326
  • 有货
  • 特性:硅外延平面二极管。 快速开关二极管。 可通过AEC-Q101认证。 绿色环保,通过AEC-Q101认证。 绿色环保,商业级
    • 10+

      ¥0.4604
    • 100+

      ¥0.3692
    • 300+

      ¥0.3235
  • 有货
  • 特性:双硅平面齐纳二极管,共阳极。 齐纳电压根据国际E24标准分级,标准齐纳电压公差为±5%(订货代码中用“C”表示),用“B”替换“C”可实现2%的公差。 封装内两个二极管的参数均有效,封装内两个二极管的ΔVz和ΔRzj ≤ 5%。 可提供符合AEC-Q101标准的产品(需咨询具体型号)。 根据AEC-Q101标准的ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4875
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      ¥0.3811
    • 150+

      ¥0.3278
    • 500+

      ¥0.2879
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压根据国际E24标准分级。 标准齐纳电压公差为±5%;将“C”替换为“B”可实现±2%公差。 符合AEC-Q101标准。 根据AEC-Q101的ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。 基本型号E3:符合RoHS标准,商业级。 基本型号HE3:符合RoHS标准,符合AEC-Q101标准
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5188
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      ¥0.4117
    • 150+

      ¥0.3582
    • 500+

      ¥0.3181
  • 有货
  • 特性:非常低的外形。 典型高度为 0.65mm。 适合自动贴装。 低正向压降,低功耗。 高效率。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LE 最大峰值为 260℃。应用:低压高频逆变器。 续流
    • 5+

      ¥0.5258
    • 50+

      ¥0.4209
    • 150+

      ¥0.3685
    • 500+

      ¥0.322616 ¥0.3292
    • 2500+

      ¥0.257544 ¥0.2628
    • 4500+

      ¥0.24206 ¥0.247
  • 有货
  • 特性:非常低的外形。 典型高度为0.65mm,适合自动贴装。 低正向压降,低功率损耗。 高效率。 符合J-STD-020的MSL 1级,最高峰值温度为260℃。 可提供AEC-Q101认证。应用:用于低压高频逆变器。 续流
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5387
    • 50+

      ¥0.4288
    • 150+

      ¥0.3738
    • 500+

      ¥0.3192 ¥0.3325
    • 2500+

      ¥0.28752 ¥0.2995
    • 4500+

      ¥0.27168 ¥0.283
  • 有货
  • 特性:节省空间。 密封部件。 电气数据与BZT55系列、TZM系列器件相同。 适合SOD-323封装。 非常陡峭的反向特性。 低反向电流水平。应用:电压稳定
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5491
    • 50+

      ¥0.4437
    • 150+

      ¥0.391
    • 500+

      ¥0.3514
  • 有货
  • 特性:适用于通用应用。 是金属硅肖特基势垒器件,由PN结保护环保护。 低正向压降和快速开关特性,适用于MOS器件保护、快速开关和低逻辑电平应用中的转向、偏置和耦合二极管。 集成静电放电保护环。 低电容。 低泄漏电流。应用:高频探测器。 保护电路
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5558
    • 50+

      ¥0.4429
    • 150+

      ¥0.3865
    • 500+

      ¥0.3441
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 超快恢复时间,高效率。 低正向电压,低功率损耗。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃。应用:用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5584
    • 50+

      ¥0.4361
    • 150+

      ¥0.3749
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。 高可靠性。应用:电压稳定
    • 5+

      ¥0.5626
    • 50+

      ¥0.4502
    • 150+

      ¥0.394
    • 500+

      ¥0.3518
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于高功率额定值的稳压和限幅电路。 齐纳电压根据国际E24标准分级。 用“B”替换后缀“C”可实现±2%的公差。 通过AEC-Q101认证。 符合RoHS标准且无卤。应用:电压稳定
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5851
    • 50+

      ¥0.4862
    • 150+

      ¥0.4367
    • 500+

      ¥0.3996
  • 有货
  • 特性:用于通用应用。 是金属硅肖特基势垒器件,由PN结保护。 低正向压降和快速开关,适用于MOS器件保护、快速开关和低逻辑电平应用中的转向、偏置和耦合二极管。 可提供AEC-Q101认证。 符合RoHS标准,商业级。 符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥0.6083
    • 50+

      ¥0.4779
    • 150+

      ¥0.4127
    • 500+

      ¥0.3638
    • 2500+

      ¥0.3246
  • 有货
  • 特性:标准齐纳电压公差:带“B”后缀为±5%,后缀“C”为±2%公差。 具备AEC-Q101认证选项。 ESD能力(根据AEC-Q101):人体模型>8kV,机器模型>800V
    • 5+

      ¥0.6332
    • 50+

      ¥0.5069
    • 150+

      ¥0.4438
    • 500+

      ¥0.3965
  • 有货
  • 特性:快速开关,实现高效率。 低正向压降。 低漏电流。 高正向浪涌能力。 最高浸焊温度275℃,持续10s。应用:用于电源、逆变器、转换器的快速开关整流。 用于消费和电信领域的续流二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6411
    • 50+

      ¥0.5043
    • 150+

      ¥0.4359
    • 500+

      ¥0.376908 ¥0.3846
    • 2500+

      ¥0.336728 ¥0.3436
    • 5500+

      ¥0.31654 ¥0.323
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 有保护环用于过压保护。 低功率损耗,高效率。 低正向压降。 高浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃。应用:低压、高频逆变器。 续流
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6509
    • 50+

      ¥0.5203
    • 150+

      ¥0.4551
    • 500+

      ¥0.4061
  • 有货
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