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首页 > 热门关键词 > 威世二极管
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专为需要低正向压降和在印刷电路板上占用小面积的应用而设计。 典型应用包括磁盘驱动器、开关电源、转换器、续流二极管、电池充电和反向电池保护。
数据手册
  • 1+

    ¥4.49
  • 10+

    ¥3.73
  • 30+

    ¥3.35
  • 有货
  • 特性:沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降,低功率损耗。 高效运行。 低热阻。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值245℃(适用于TO-263AB封装)。 焊接浴温度最高275℃,持续10s,符合JESD 22-B106(适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装)。应用:用于高频转换器、开关电源、续流二极管、或二极管、DC/DC转换器和反接电池保护。
    • 1+

      ¥5.13
    • 10+

      ¥4.6
    • 30+

      ¥4.33
    • 100+

      ¥4.06
    • 500+

      ¥3.9
    • 1000+

      ¥3.82
  • 有货
  • 先进的超低VF软开关超快整流器,针对不连续(临界)模式(DCM)功率因数校正(PFC)进行了优化。最小化的传导损耗、优化的存储电荷和低恢复电流可最小化开关损耗,并减少开关元件和缓冲器中的过耗散。该器件还可作为电源和其他功率开关应用中的续流二极管使用。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.0122 ¥8.99
    • 10+

      ¥5.967 ¥7.65
    • 30+

      ¥5.3898 ¥6.91
    • 100+

      ¥4.7346 ¥6.07
    • 500+

      ¥4.446 ¥5.7
    • 1000+

      ¥4.3134 ¥5.53
  • 有货
  • 该中心抽头肖特基整流器系列针对高温下的低反向泄漏进行了优化。其专有势垒技术允许在高达175℃的结温下可靠运行。典型应用于开关电源、转换器、续流二极管和反电池保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.32
    • 10+

      ¥7.58
    • 30+

      ¥7.17
    • 100+

      ¥6.566 ¥6.7
    • 500+

      ¥6.076 ¥6.2
    • 800+

      ¥5.9878 ¥6.11
  • 有货
  • 该中心抽头肖特基整流器针对极低正向压降进行了优化,具有适度的泄漏电流。 专有势垒技术允许在高达125℃的结温下可靠运行。 典型应用于开关电源、转换器、续流二极管和反向电池保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.81
    • 10+

      ¥9.13
    • 30+

      ¥8.7
    • 100+

      ¥6.9065 ¥7.27
    • 500+

      ¥6.7165 ¥7.07
    • 1000+

      ¥6.631 ¥6.98
  • 有货
  • 超快速恢复整流器,在正向压降、超快速恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源AC/DC部分的PFC升压级、逆变器或作为续流二极管。极其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗,并减少开关元件和缓冲器的过耗散。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.35
    • 10+

      ¥8.76
    • 25+

      ¥7.77
    • 100+

      ¥6.4704 ¥6.74
    • 500+

      ¥6.0288 ¥6.28
    • 1000+

      ¥5.8368 ¥6.08
  • 有货
  • 特性:非常低的外形:典型高度为1.1mm。 适合自动贴装。 沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降,低功率损耗。 高效运行。 符合MSL 1级,根据J-STD-020,LF最高峰值为260°C。应用:用于低压高频DC/DC转换器、续流和极性保护应用
    数据手册
    • 1+

      ¥10.94
    • 10+

      ¥9.21
    • 30+

      ¥8.13
  • 有货
  • 这款中心抽头肖特基整流器针对高温下的低反向泄漏进行了优化。其专有的势垒技术允许在高达175°C的结温下可靠运行。典型应用于开关电源、转换器、续流二极管和电池反接保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.18
    • 10+

      ¥11.16
    • 30+

      ¥10.53
    • 100+

      ¥9.3765 ¥9.87
    • 500+

      ¥9.101 ¥9.58
    • 1000+

      ¥8.9775 ¥9.45
  • 有货
  • 特性:UL认证文件编号E54214。通用三向端子:卡扣式、绕线式或PCB安装。典型反向电流小于0.3μA。高浪涌电流能力。低热阻。浸焊温度最高275°C,持续10s,符合JESD 22-B106。应用:电源、家用电器、办公设备、工业自动化应用中的AC/DC桥式全波整流通用用途
    数据手册
    • 1+

      ¥30.47
    • 10+

      ¥26.41
    • 30+

      ¥23.99
    • 100+

      ¥20.4725 ¥21.55
    • 500+

      ¥19.399 ¥20.42
    • 1000+

      ¥18.9145 ¥19.91
  • 有货
  • 软恢复整流器系列针对短反向恢复时间和低正向压降进行了优化。玻璃钝化确保在最严苛的温度和功率循环条件下稳定可靠运行。
    数据手册
    • 1+

      ¥47.71
    • 10+

      ¥45.38
    • 30+

      ¥43.96
    • 100+

      ¥41.9146 ¥42.77
  • 有货
  • 特性:硅外延平面二极管。 电气数据分别与器件 1N4148 和 1N4448 相同。 通过 AEC-Q101 认证。应用:极快速开关
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1307
    • 500+

      ¥0.1054
    • 1500+

      ¥0.0913
    • 10000+

      ¥0.07049 ¥0.0742
    • 20000+

      ¥0.06346 ¥0.0668
    • 50000+

      ¥0.059755 ¥0.0629
  • 有货
  • 特性:硅外延平面二极管。 电气等效二极管。应用:极快速开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1417
    • 200+

      ¥0.1118
    • 600+

      ¥0.0952
  • 有货
  • 特性:硅外延平面二极管。 电气等效二极管。应用:极快开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1483
    • 200+

      ¥0.1138
    • 600+

      ¥0.0946
    • 2000+

      ¥0.0831
  • 有货
  • 特性:非常低的外形-典型高度为 0.65 mm。 适合自动贴装。 氧化物平面芯片结。 低正向压降,低漏电流。 具备 ESD 能力。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260℃。应用:消费和汽车应用中的通用、极性保护和轨到轨保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.2765
    • 2500+

      ¥0.2413
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管,超小超薄MicroSMF (DO-219AC)封装。 低漏电流。 出色的稳定性。 高温焊接:端子处260℃ / 10 s。 可进行波峰焊和回流焊(回流焊符合JPC / JEDEC J-STD 020,双波峰焊符合IEC 61760-1)。 可提供AEC-Q101认证。 基础型号G3-符合RoHS标准,环保,工业级。 基础型号HG3-符合RoHS标准,环保,通过AEC-Q101认证。 静电放电抗扰度符合IEC 61000-4-2(根据部件表)。 浪涌性能符合部件表
    • 10+

      ¥0.2997
    • 100+

      ¥0.2348
    • 300+

      ¥0.2023
    • 1000+

      ¥0.178
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 低正向压降。 低漏电流。 高正向浪涌能力。应用:用于消费、汽车和电信领域的电源、逆变器、转换器的通用整流以及续流二极管
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3049
    • 100+

      ¥0.2376
    • 300+

      ¥0.204
    • 1000+

      ¥0.1788
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压按照国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%;将“C”替换为“B”可实现±2%公差。AEC-Q101认证可用。符合AEC-Q101的ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。RoHS合规,商业级。RoHS合规,AEC-Q101认证
    • 10+

      ¥0.3734
    • 100+

      ¥0.2958
    • 300+

      ¥0.257
  • 有货
  • 特性:极低的导通电压和快速开关。 由PN结保护环保护,防止过电压,如静电放电。 可提供AEC-Q101认证。 符合RoHS标准,商业级。 符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3736
    • 100+

      ¥0.2968
    • 300+

      ¥0.2585
    • 3000+

      ¥0.2089
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化台面芯片结。 超快速反向恢复时间。 低开关损耗,高效率。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值260℃。应用:用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用
    数据手册
    • 1+

      ¥0.4118
    • 10+

      ¥0.3208
    • 30+

      ¥0.2753
    • 100+

      ¥0.236376 ¥0.2412
    • 500+

      ¥0.209622 ¥0.2139
    • 1000+

      ¥0.196294 ¥0.2003
  • 有货
  • 12V,500mW
    数据手册
    • 10+

      ¥0.425
    • 100+

      ¥0.3401
    • 300+

      ¥0.2976
  • 有货
  • 特性:节省空间。 密封部件。 电气数据与 BZT55 系列、TZM 系列器件相同。 适用于 SOD-323。 非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。应用:电压稳定
    • 10+

      ¥0.4319
    • 100+

      ¥0.3455
    • 300+

      ¥0.3023
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 低齐纳阻抗和低泄漏电流。 在亚洲设计中很受欢迎。 紧凑型表面贴装器件。 适合自动安装。 可提供AEC-Q101认证。 ESD能力符合AEC-Q101:人体模型>8kV,机器模型>800V。 RoHS合规,商业级。 RoHS合规,AEC-Q101认证
    • 10+

      ¥0.449
    • 100+

      ¥0.3631
    • 300+

      ¥0.3202
    • 3000+

      ¥0.2736 ¥0.288
    • 6000+

      ¥0.24909 ¥0.2622
    • 9000+

      ¥0.236835 ¥0.2493
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。低外形表面贴装封装。齐纳和浪涌电流规格。低泄漏电流。出色的稳定性。符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃。符合JESD 201 2类晶须测试。根据AEC-Q101的ESD能力:人体模型 >8kV,机器模型 >800V。波峰焊和回流焊。可提供AEC-Q101认证。基础产品编号-E3-符合RoHS标准,商业级。基础产品编号-HE3-符合RoHS标准,且通过AEC-Q101认证。与SOD-123W封装外形或SOD-123F和SOD-123FL兼容
    • 5+

      ¥0.4695
    • 50+

      ¥0.3733
    • 150+

      ¥0.3252
    • 500+

      ¥0.2891
    • 3000+

      ¥0.2602
  • 有货
  • 特性:节省空间。 密封部件。 电气数据与BZT55系列、TZM系列设备相同。 适用于SOD-323。 非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。应用:电压稳定
    • 10+

      ¥0.4777
    • 100+

      ¥0.3822
    • 300+

      ¥0.3344
  • 有货
  • 6.2V,200mW
    数据手册
    • 5+

      ¥0.479
    • 50+

      ¥0.3744
    • 150+

      ¥0.3221
    • 500+

      ¥0.2829
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压按照国际 E24 标准分级。标准齐纳电压公差为 ±5%,订货代码中用 “C” 表示;用 “B” 替代 “C” 可实现 ±2% 公差。可提供 AEC-Q101 认证。根据 AEC-Q101,静电放电能力:人体模型 > 8kV,机器模型 > 800V。符合 RoHS 标准,商业级。符合 RoHS 标准,AEC-Q101 认证
    • 10+

      ¥0.4821
    • 100+

      ¥0.3887
    • 300+

      ¥0.342
    • 3000+

      ¥0.270284 ¥0.2758
    • 6000+

      ¥0.242746 ¥0.2477
    • 9000+

      ¥0.229026 ¥0.2337
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。标准齐纳电压公差:带“B”后缀为±5%,带“C”后缀为±2%。可提供 AEC-Q101 认证。ESD 能力:人体模型 > 8kV,机器模型 > 800V。符合 RoHS 标准,商业级。符合 RoHS 标准,AEC-Q101 认证
    • 5+

      ¥0.5447
    • 50+

      ¥0.4257
    • 150+

      ¥0.3662
    • 500+

      ¥0.3216
  • 有货
  • 特性:硅外延平面二极管。 用于通用目的。 可提供AEC-Q101认证。 RoHS合规,商业级。 RoHS合规,AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥0.5758
    • 50+

      ¥0.4606
    • 150+

      ¥0.403
    • 500+

      ¥0.3598
  • 有货
  • 特性:节省空间。 密封部件。 电气数据与 BZT55 系列、TZM 系列器件相同。 适用于 SOD-323。 非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。应用:电压稳定
    • 5+

      ¥0.6129
    • 50+

      ¥0.4789
    • 150+

      ¥0.412
    • 500+

      ¥0.3617
  • 有货
  • 为需要低正向压降和在 PC 板上占用非常小空间的应用而设计。典型应用包括磁盘驱动器、开关电源、转换器、续流二极管、电池充电和反向电池保护。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6223
    • 50+

      ¥0.5052
    • 150+

      ¥0.4466
    • 500+

      ¥0.36234 ¥0.4026
    • 2500+

      ¥0.33075 ¥0.3675
    • 7500+

      ¥0.31491 ¥0.3499
  • 有货
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