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首页 > 热门关键词 > 威世二极管
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特性:低外形封装。 适合自动贴装。 有保护环用于过压保护。 低功率损耗,高效率。 极低的正向压降。 高浪涌能力。应用:低压高频逆变器。 续流
数据手册
  • 5+

    ¥1.6846
  • 50+

    ¥1.3576
  • 150+

    ¥1.2175
  • 850+

    ¥0.9549
  • 有货
    • 5+

      ¥1.7767
    • 50+

      ¥1.4138
    • 150+

      ¥1.2583
    • 1500+

      ¥1.0642
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化颗粒芯片结。 适合自动贴装。 超快反向恢复时间。 低开关损耗,高效率。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃。应用:用于消费、计算机和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用
    数据手册
    • 1+

      ¥1.8989
    • 10+

      ¥1.5111
    • 30+

      ¥1.3448
    • 100+

      ¥1.1375
    • 750+

      ¥1.0451
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 低轮廓表面贴装封装。 齐纳和浪涌电流规格。 低泄漏电流。 出色的稳定性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃。 符合JESD 201 2类晶须测试。 ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。 波峰焊和回流焊兼容。 可提供AEC-Q101认证。 基础型号E3-符合RoHS标准,商业级。 基础型号HE3-符合RoHS标准,且通过AEC-Q101认证
    数据手册
    • 1+

      ¥1.96
    • 10+

      ¥1.73
    • 30+

      ¥1.63
    • 100+

      ¥1.5
    • 500+

      ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.42
  • 有货
  • 全新的0402 ChipLED系列采用最小的贴片封装设计。这种创新的0402 ChipLED技术为打造更小、性能更高的产品开辟了道路。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.025
    • 50+

      ¥1.6328
    • 150+

      ¥1.4648
    • 500+

      ¥1.2551
    • 3000+

      ¥1.0383
  • 有货
    • 5+

      ¥2.2899
    • 50+

      ¥1.8222
    • 150+

      ¥1.6218
    • 1500+

      ¥1.3717
  • 有货
  • 特性:低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。快速开关,效率高。高正向浪涌能力。符合 J-STD-020 MSL 1 级,LP 最高峰值 260℃。应用:用于电源、逆变器、转换器的快速开关整流。用于消费、汽车和电信领域的续流二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥2.57
    • 10+

      ¥2.04
    • 30+

      ¥1.82
    • 100+

      ¥1.53
    • 500+

      ¥1.41
    • 1000+

      ¥1.33
  • 有货
  • 特性:非常低的外形。 典型高度为1.1mm。 适合自动贴装。 低正向压降,低功率损耗。 高效率。 低热阻。应用:低压高频逆变器。 续流
    数据手册
    • 5+

      ¥2.604
    • 50+

      ¥2.1089
    • 150+

      ¥1.8967
    • 1500+

      ¥1.6319
  • 有货
  • 是一款采用GaAs技术的红外发光二极管,封装在带有透镜的微型透明塑料外壳中,发射波长为950 nm。
    • 1+

      ¥3.14
    • 10+

      ¥2.5
    • 30+

      ¥2.17
    • 100+

      ¥1.85
  • 有货
    • 1+

      ¥3.68
    • 10+

      ¥2.98
    • 30+

      ¥2.63
    • 100+

      ¥2.29
    • 500+

      ¥2.08
    • 1500+

      ¥1.97
  • 有货
  • 是一款采用 GaAlAs 双异质结 (DH) 技术的 940 nm 红外发光二极管,具有高辐射功率和高速特性,采用 PLCC-2 封装用于表面贴装 (SMD)。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.76
    • 10+

      ¥3.09
    • 30+

      ¥2.8
    • 100+

      ¥2.44
    • 500+

      ¥2.12
  • 有货
  • 特性:低正向压降。 低漏电流。 高正向电流能力。 高正向浪涌能力。 浸焊温度最高275℃,持续10s,符合JESD22-B106。应用:电源、逆变器、转换器的通用整流。 续流二极管应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.78
    • 10+

      ¥3.97
    • 30+

      ¥3.56
    • 100+

      ¥3.16
  • 有货
  • 特性:沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降,低功率损耗。 高效运行。 低热阻。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值245℃(适用于TO-263AB封装)。 焊接浴温度最高275℃,持续10s,符合JESD 22-B106(适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装)。应用:用于高频转换器、开关电源、续流二极管、或二极管、DC/DC转换器和反接电池保护。
    • 1+

      ¥5.13
    • 10+

      ¥4.6
    • 30+

      ¥4.33
    • 100+

      ¥4.06
    • 500+

      ¥3.9
    • 1000+

      ¥3.82
  • 有货
  • 超快速恢复整流器,具有正向压降、超快速恢复时间和软恢复的优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制确保了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。极低的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗,并减少开关元件和缓冲器的过耗散。
    • 1+

      ¥5.54
    • 10+

      ¥4.51
    • 50+

      ¥3.99
    • 100+

      ¥3.48
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 有过压保护的保护环。 低功率损耗,高效率。 极低的正向压降。 高浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃。应用:低压高频逆变器。 续流
    • 1+

      ¥5.96
    • 10+

      ¥4.88
    • 30+

      ¥4.34
    • 100+

      ¥3.8
    • 500+

      ¥3.48
  • 有货
  • 具有前沿技术的超快速恢复整流器,在正向压降、超快速恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制确保了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。其极优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗,并减少开关元件和缓冲器的过耗散。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.46
    • 10+

      ¥7.25
    • 30+

      ¥6.58
    • 100+

      ¥5.28
  • 有货
  • 具有低传导和开关损耗的独特组合,适用于软开关和谐振转换器,以及中频硬开关转换器。该器件专门设计用于提高电动汽车/混合动力汽车电池充电站的高速 LLC 输出整流级和 UPS 应用的高频级的效率。
    • 1+

      ¥9.08
    • 10+

      ¥8.88
    • 30+

      ¥8.75
    • 100+

      ¥8.62
  • 有货
    • 1+

      ¥37.37
    • 10+

      ¥32.58
    • 25+

      ¥29.66
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 标准齐纳电压公差为±5%。 保证高温焊接:260℃/4×10s设置端子。 可提供AEC-Q101认证。 根据AEC-Q101的ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。 基础型号E3:符合RoHS标准,商业级。 基础型号HE3:符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2334
    • 100+

      ¥0.228
    • 300+

      ¥0.2244
    • 1000+

      ¥0.2208
  • 有货
    • 5+

      ¥0.3182
    • 50+

      ¥0.311
    • 150+

      ¥0.3062
    • 500+

      ¥0.3014
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3208
    • 100+

      ¥0.2549
    • 300+

      ¥0.2219
    • 1000+

      ¥0.1972
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。标准齐纳电压公差:后缀为“B”时为 ±5%,后缀为“C”时为 ±2%。可提供 AEC-Q101 认证。ESD 能力(根据 AEC-Q101):人体模型 >8kV,机器模型 >800V。基础产品编号-E3:符合 RoHS 标准,商业级。基础产品编号-HE3:符合 RoHS 标准,AEC-Q101 认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3455
    • 100+

      ¥0.2764
    • 300+

      ¥0.2419
    • 3000+

      ¥0.2159
  • 有货
  • 7.5V,500mW
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3735
    • 100+

      ¥0.3038
    • 300+

      ¥0.2689
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 标准齐纳电压公差:订货代码中带“B”后缀的为 ±5%,带“C”后缀的为 ±2%。 该二极管也有MiniMELF封装(型号为TZM5221至TZM5267)、SOT-23封装(型号为MMBZ5225至MMBZ5267)和SOD-123封装(型号为MMSZ5225至MMSZ5267)。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3764
    • 100+

      ¥0.3143
    • 300+

      ¥0.2833
    • 1000+

      ¥0.2601
  • 有货
  • 特性:硅外延平面二极管。 低正向压降。 高正向电流能力。 材料分类:有关合规性定义,请参阅相关文档。应用:高速开关。 计算机和工业应用中的通用用途
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4054
    • 100+

      ¥0.3228
    • 300+

      ¥0.2815
    • 1000+

      ¥0.2505
  • 有货
  • 特性:齐纳电压指定为50 μA。 从10 μA到100 μA给出最大ΔVz。 非常高的稳定性。 低噪声。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4286
    • 100+

      ¥0.3342
    • 300+

      ¥0.287
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。TZMC:Vz 容差 ±5%。TZMB:Vz 容差 ±2%。应用:电压稳定
    • 10+

      ¥0.4454
    • 100+

      ¥0.3618
    • 300+

      ¥0.3201
  • 有货
    • 10+

      ¥0.4567
    • 100+

      ¥0.3631
    • 300+

      ¥0.3163
  • 有货
  • 6.2V,200mW
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5063
    • 50+

      ¥0.4018
    • 150+

      ¥0.3495
    • 500+

      ¥0.3103
  • 有货
  • 特性:非常低的外形。 典型高度为 0.65mm。 适合自动贴装。 低正向压降,低功耗。 高效率。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,最高峰值温度为 260℃。应用:用于低压高频逆变器。 续流
    • 10+

      ¥0.5132
    • 100+

      ¥0.4173
    • 300+

      ¥0.3694
    • 1000+

      ¥0.3334
  • 有货
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