威世二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：VS-6ESH06HM3/86A 编号：C17506214

封装：TO-277A

品牌：VISHAY(威世)

最先进的超快速恢复整流器，专门设计用于优化正向压降和超快速恢复时间的性能。平面结构和铂掺杂寿命控制确保了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。极低的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并降低开关元件的功耗。

1+
￥4.15
10+
￥3.38
30+
￥3
100+
￥2.5578 ￥2.61
500+
￥2.3422 ￥2.39
1500+
￥2.2246 ￥2.27

有货

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型号：VS-8ETH06FP-N3 编号：C5555997

封装：TO-220-2

品牌：VISHAY(威世)

最先进的超快速恢复整流器，在正向压降、超快速恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源交流/直流部分的PFC升压级、逆变器或作为续流二极管。其极优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器的过耗散。

1+
￥4.4
10+
￥3.87
50+
￥3.61
100+
￥3.2732 ￥3.34
500+
￥3.1262 ￥3.19
1000+
￥3.0478 ￥3.11

有货

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型号：SSC53L-E3/57T 编号：C145430

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。保护环用于过压保护。低功率损耗，高效率。极低的正向压降。高浪涌能力。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

1+
￥4.54
10+
￥3.74
30+
￥3.34
100+
￥2.94
500+
￥2.5

有货

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型号：V30200C-E3/4W 编号：C500643

封装：TO-220AB-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。低正向压降，低功率损耗。高效运行。低热阻。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值245℃（适用于TO-263AB封装）。焊锡浴温度最高275℃，持续10s，符合JESD 22-B106（适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装）。应用：高频转换器。开关电源

数据手册

1+
￥4.77
10+
￥4.27
50+
￥3.52
100+
￥3.21
500+
￥3.07

有货

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型号：VS-HFA15TB60-M3 编号：C468158

封装：TO-220AC-2

品牌：VISHAY(威世)

是一款先进的超快恢复二极管。采用最新的外延结构和先进的加工技术，具有卓越的特性组合，其性能超越以往任何整流器。基本额定值为600V和15A连续电流，特别适合作为IGBT和MOSFET的配套二极管。除了超快恢复时间外，该产品系列的峰值恢复电流(IRRM)极低，并且在恢复的tb部分不会出现“骤断”现象。这些特性为设计人员提供了一种在二极管和开关晶体管中具有更低噪声和显著更低开关损耗的整流器。这些优势有助于显著减少缓冲、元件数量和散热器尺寸。非常适合用于需要高速、高效率的电源和功率转换系统（如逆变器）、电机驱动器等应用。

数据手册

1+
￥5.62
10+
￥5.1
50+
￥4.25
100+
￥3.93
500+
￥3.78

有货

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型号：VBT3045BP-E3/8W 编号：C3758762

封装：TO-263AB(D2PAK)

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。低正向压降，低功耗。高效运行。符合J-STD-020标准的MSL 1级，LF最大峰值为245℃。太阳能旁路应用中，最大结温Tj为200℃。符合RoHS标准。应用：用于太阳能电池接线盒，作为旁路二极管进行保护，使用无反向偏置的直流正向电流

1+
￥7.12
10+
￥6.48
30+
￥6.08
100+
￥5.67

有货

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型号：V60D100CHM3/I 编号：C6310535

封装：TO-263AC

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。非常低的外形，典型高度为1.7mm。适合自动贴装。低正向压降，低功率损耗。高效运行。符合MSL 1级，LF最大峰值为260℃。应用：用于高频DC/DC转换器。开关电源

1+
￥10.18
10+
￥8.52
30+
￥7.61
100+
￥6.251 ￥6.58
500+
￥5.8235 ￥6.13
1000+
￥5.624 ￥5.92

有货

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型号：VS-C04ET07T-M3 编号：C5208854

封装：TO-220-2

品牌：VISHAY(威世)

基于宽带隙碳化硅的650V肖特基二极管，专为高性能和耐用性而设计。是高速硬开关和宽温度范围内高效运行的最佳选择，也推荐用于所有受硅超快恢复特性影响的应用。

数据手册

1+
￥10.61
10+
￥9.76
50+
￥9.24
100+
￥8.7

有货

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型号：VS-63CPQ100-N3 编号：C335785

封装：TO-247AC-3

品牌：VISHAY(威世)

中心抽头肖特基整流器系列针对高温下的低反向泄漏进行了优化。专有的势垒技术允许在高达175℃的结温下可靠运行。典型应用包括开关电源、转换器、续流二极管和反电池保护。

数据手册

1+
￥29.61
10+
￥24.62
25+
￥21.66

有货

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型号：VS-KBPC808PBF 编号：C506548

封装：D-72

品牌：VISHAY(威世)

数据手册

1+
￥32.07
10+
￥27.97
30+
￥25.54
100+
￥22.1568 ￥23.08
500+
￥21.0624 ￥21.94
1000+
￥20.5728 ￥21.43

有货

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型号：TZX14B-TAP 编号：C241996

封装：DO-35(DO-204AH)

品牌：VISHAY(威世)

14V,500mW

数据手册

10+
￥0.096002 ￥0.2087
100+
￥0.085054 ￥0.1849
300+
￥0.07958 ￥0.173
1000+
￥0.07544 ￥0.164
5000+
￥0.072174 ￥0.1569
10000+
￥0.070518 ￥0.1533

有货

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型号：1N5235B-TR 编号：C3000868

封装：DO-35(DO-204AH)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。标准齐纳电压公差：订购代码中带“B”后缀的为±5%，带“C”后缀的为±2%。该二极管也有MiniMELF封装（型号为TZM5221至TZM5267）、SOT-23封装（型号为MMBZ5225至MMBZ5267）和SOD-123封装（型号为MMSZ5225至MMSZ5267）。应用：电压稳定

数据手册

10+
￥0.22437 ￥0.277
100+
￥0.180387 ￥0.2227
300+
￥0.158436 ￥0.1956
1000+
￥0.141912 ￥0.1752
5000+
￥0.123201 ￥0.1521
10000+
￥0.116559 ￥0.1439

有货

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型号：BZX55C22-TAP 编号：C3009218

封装：DO-35(DO-204AH)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。应用：电压稳定

数据手册

20+
￥0.228
200+
￥0.175
600+
￥0.1455
2000+
￥0.1278

有货

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型号：1N4148WS-E3-18 编号：C435853

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅外延平面二极管。快速开关二极管。符合AEC-Q101标准。符合RoHS标准，商业级

数据手册

10+
￥0.2684
100+
￥0.2123
300+
￥0.1843
1000+
￥0.1632

有货

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型号：TZMC3V3-GS08 编号：C413436

封装：MiniMELF(SOD-80)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。 VZ 公差 ±5%（TZMC）。 VZ 公差 ±2%（TZMB）。应用：电压稳定

数据手册

10+
￥0.2767
100+
￥0.2211
300+
￥0.1933
2500+
￥0.1681

有货

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型号：1N5262B-TR 编号：C3000862

封装：DO-35(DO-204AH)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。标准齐纳电压公差：订购代码中带“B”后缀的为±5%，带“C”后缀的为±2%。该二极管也有MiniMELF封装（型号为TZM5221至TZM5267）、SOT-23封装（型号为MMBZ5225至MMBZ5267）和SOD-123封装（型号为MMSZ5225至MMSZ5267）。应用：电压稳定

数据手册

10+
￥0.2903
100+
￥0.2263
300+
￥0.1943
1000+
￥0.1702

有货

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型号：1N4007-E3/73 编号：C466973

封装：DO-204AL

品牌：VISHAY(威世)

特性：低正向压降。低漏电流。高正向浪涌能力。浸焊温度最高275°C，持续10秒，符合JESD22-B106标准。符合RoHS指令2002/95/EC和WEEE指令2002/96/EC。应用：用于电源、逆变器、转换器的通用整流以及续流二极管应用

数据手册

10+
￥0.304
100+
￥0.2463
300+
￥0.2175
3000+
￥0.1706

有货

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型号：1N5231B-TR 编号：C3000859

封装：DO-35(DO-204AH)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。标准齐纳电压公差：订货代码中带“B”后缀的为 ±5%，带“C”后缀的为 ±2%。该二极管也有MiniMELF封装（型号为TZM5221至TZM5267）、SOT-23封装（型号为MMBZ5225至MMBZ5267）和SOD-123封装（型号为MMSZ5225至MMSZ5267）。应用：电压稳定

数据手册

10+
￥0.3078
100+
￥0.2458
300+
￥0.2148
1000+
￥0.18384 ￥0.1915
5000+
￥0.155904 ￥0.1624
10000+
￥0.14688 ￥0.153

有货

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型号：BZX84C6V8-E3-08 编号：C3009020

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%，订货代码中用“C”表示；若公差为±2%，则用“B”替换“C”。可提供AEC-Q101认证。ESD能力符合AEC-Q101：人体模型>8kV，机器模型>800V。符合RoHS标准，商业级。符合RoHS标准，AEC-Q101认证

数据手册

10+
￥0.38
100+
￥0.3041
300+
￥0.2661
3000+
￥0.144936 ￥0.2376
6000+
￥0.131089 ￥0.2149
9000+
￥0.124135 ￥0.2035

有货

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型号：BZT52B15-E3-18 编号：C7223724

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压按照国际E24标准分级。可提供AEC-Q101认证。 ESD能力：根据AEC-Q101，人体模型 >8kV，机器模型 >800V。基础型号E3，符合RoHS标准，商业级。基础型号HE3_A，符合RoHS标准，通过AEC-Q101认证

10+
￥0.4347
100+
￥0.3488
300+
￥0.3058
1000+
￥0.2736

有货

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型号：LL103A-GS08 编号：C2979792

封装：SOD-80

品牌：VISHAY(威世)

特性：集成静电放电保护环。低电容。低泄漏电流。低正向压降。通过AEC-Q101认证。应用：HF探测器。保护电路

数据手册

10+
￥0.4785
100+
￥0.3857
300+
￥0.3394

有货

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型号：BZT52B22-E3-08 编号：C3738730

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

5+
￥0.582
50+
￥0.569
150+
￥0.5604
500+
￥0.5518

有货

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型号：BZT52B9V1-E3-08 编号：C6756042

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

5+
￥0.609
50+
￥0.596
150+
￥0.5874
500+
￥0.5788

有货

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型号：BZX384C5V6-HE3-08 编号：C6133059

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

5+
￥0.6606
50+
￥0.5286
150+
￥0.4626
500+
￥0.4131

有货

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型号：SSA24-E3/61T 编号：C540970

封装：DO-214AC

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。过压保护保护环。低功率损耗，高效率。低正向压降。高浪涌能力。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

5+
￥0.708
50+
￥0.565
150+
￥0.4935
500+
￥0.4399
1800+
￥0.3373

有货

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型号：BZX85C15-TAP 编号：C467533

封装：DO-41 (DO-204AL)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳压和限幅电路。齐纳电压根据国际E24标准分级。用“B”替换后缀“C”可实现±2%的公差。通过AEC-Q101认证。符合RoHS标准且无卤。应用：电压稳定

数据手册

5+
￥0.7112
50+
￥0.5695
150+
￥0.4986
500+
￥0.423225 ￥0.4455
2500+
￥0.343235 ￥0.3613
5000+
￥0.323 ￥0.34

有货

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型号：UF4006-E3/54 编号：C110647

封装：DO-41

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化芯片结。超快反向恢复时间。低正向压降。低开关损耗，高效率。高正向浪涌能力。最高浸焊温度275℃，持续10秒，符合JESD22-B106标准。应用：用于消费、计算机和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用

数据手册

5+
￥0.782337 ￥0.9903
50+
￥0.69441 ￥0.879
150+
￥0.656727 ￥0.8313
500+
￥0.609722 ￥0.7718
2500+
￥0.552684 ￥0.6996
5500+
￥0.540123 ￥0.6837

有货

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型号：1N5819-E3/54 编号：C145202

封装：DO-41

品牌：VISHAY(威世)

特性：保护环用于过压保护。极低的传导损耗。极快的开关速度。低正向压降。高频操作。最高浸焊温度275℃，每次10s（符合JESD22-B106）。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

5+
￥0.9528
50+
￥0.7757
150+
￥0.6872
500+
￥0.602176 ￥0.6208
2500+
￥0.482672 ￥0.4976
5500+
￥0.45687 ￥0.471

有货

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型号：MURS120-E3/52T 编号：C146450

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化颗粒芯片结。适合自动贴装。超快反向恢复时间。低开关损耗，高效率。高正向浪涌能力。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级，LF 最大峰值为 260℃。应用：用于消费、计算机和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用

数据手册

5+
￥1.0785
50+
￥0.9089
150+
￥0.824
750+
￥0.6968

有货

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型号：BZD27C36P-E3-08 编号：C3764767

封装：SMF(DO-219AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。低外形表面贴装封装。齐纳和浪涌电流规格。低泄漏电流。出色的稳定性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。符合JESD 201 2类晶须测试。根据AEC-Q101的ESD能力：人体模型 >8kV，机器模型 >800V。波峰焊和回流焊。可提供AEC-Q101认证。基础产品编号-E3-符合RoHS标准，商业级。基础产品编号-HE3-符合RoHS标准，且通过AEC-Q101认证。与SOD-123W封装外形或SOD-123F和SOD-123FL兼容

5+
￥1.1009
50+
￥0.8813
150+
￥0.7872
500+
￥0.63631 ￥0.6698
3000+
￥0.586625 ￥0.6175
6000+
￥0.556795 ￥0.5861

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