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首页 > 热门关键词 > 友台二极管
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超低压电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管,采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,旨在保护一条数据线免受 ESD 造成的损坏。
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  • 20+

    ¥0.2324
  • 200+

    ¥0.1768
  • 600+

    ¥0.1458
  • 3000+

    ¥0.1221
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    ¥0.106
  • 21000+

    ¥0.0973
  • 有货
  • TLV521 350 nA 微功耗运算放大器在德州仪器(TI)的微功耗运算放大器系列中提供了最优的性价比。TLV521 采用精心设计的 CMOS 输入级,可实现低至 1 pA 的偏置电流(Ibias),从而减少偏置电流(IBIAS)和失调电流(IOS)误差,这些误差可能会对诸如兆欧级电阻、高阻抗光电二极管和电荷感应等敏感应用产生影响。此外,内置的电磁干扰(EMI)保护功能降低了对手机和射频识别(RFID)阅读器等设备产生的有害射频信号的敏感度
    • 5+

      ¥0.7854
    • 50+

      ¥0.685
    • 150+

      ¥0.6419
    • 500+

      ¥0.5882
    • 3000+

      ¥0.5643
    • 6000+

      ¥0.55
  • 有货
  • UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 2+

      ¥1.0553
    • 20+

      ¥0.8368
    • 60+

      ¥0.7431
    • 200+

      ¥0.5742
    • 1000+

      ¥0.5222
    • 2000+

      ¥0.4909
  • 有货
  • UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.098
    • 50+

      ¥0.9671
    • 130+

      ¥0.8363
    • 520+

      ¥0.7663
    • 2470+

      ¥0.7352
    • 6500+

      ¥0.7165
  • 有货
  • 特性:漏极电流 (ID):7.5A。 导通电阻 (RDS(ON)):23mΩ (VGS = 10V)。 总栅极电荷 (Qg(tot)):28nC(典型值),VGS = 10V。 低米勒电荷。 低 Qn。 体二极管在高频下具有优化效率。应用:DC/DC 转换器和离线式 UPS。 分布式电源架构和电压调节模块
    • 5+

      ¥1.1247
    • 50+

      ¥0.8816
    • 150+

      ¥0.7774
    • 500+

      ¥0.6474
    • 3000+

      ¥0.5895
    • 6000+

      ¥0.5548
  • 有货
  • UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3192
    • 50+

      ¥1.0163
    • 150+

      ¥0.8864
    • 1000+

      ¥0.6764
    • 2000+

      ¥0.6043
    • 5000+

      ¥0.561
  • 有货
  • 超低电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管,采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,旨在保护一条数据线免受 ESD 造成的损坏。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0778
    • 500+

      ¥0.0603
    • 1500+

      ¥0.0507
    • 10000+

      ¥0.0449
    • 20000+

      ¥0.0398
    • 50000+

      ¥0.0371
  • 有货
  • 单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装,旨在保护一条传输线或数据线免受ESD(静电放电)和其他瞬态现象造成的损坏。
    • 50+

      ¥0.1192
    • 500+

      ¥0.0929
    • 3000+

      ¥0.0754
    • 6000+

      ¥0.0667
    • 24000+

      ¥0.0591
    • 51000+

      ¥0.055
  • 有货
  • 是一种单向单线瞬态抑制二极管,专为保护便携式设备和小型化电子设备中的集成电路免受EOS和ESD瞬态过电压影响而设计。
    • 20+

      ¥0.1552
    • 200+

      ¥0.1201
    • 600+

      ¥0.1006
    • 3000+

      ¥0.0889
    • 9000+

      ¥0.0788
    • 21000+

      ¥0.0733
  • 有货
  • 是双向TVS二极管,提供快速响应时间和低ESD钳位电压,是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。具有超低电容,典型值为0.3pF,可承受±25kV空气放电和±22kV接触放电。
    • 20+

      ¥0.1572
    • 200+

      ¥0.122
    • 600+

      ¥0.1024
    • 3000+

      ¥0.0907
    • 9000+

      ¥0.0805
    • 21000+

      ¥0.075
  • 有货
  • 特性:单向ESD保护。 低二极管电容:Cd = 25pF。 低钳位电压:VCL = 12V。 极低泄漏电流:IRM = 10nA。 ESD保护高达26kV。 IEC 61000-4-2;4级(ESD)。应用:计算机及周边设备。 音频和视频设备
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1623
    • 200+

      ¥0.1262
    • 600+

      ¥0.1062
    • 3000+

      ¥0.0915
    • 9000+

      ¥0.0811
    • 21000+

      ¥0.0755
  • 有货
  • TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷电感应浪涌的损坏。该系列可以吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定的最大水平的重复性ESD冲击,而性能不会下降,并能以非常低的钳位电压安全地耗散高达24A的8/20μs感应浪涌电流(IEC-61000-4-5,第2版)。
    • 20+

      ¥0.1971
    • 200+

      ¥0.153
    • 600+

      ¥0.1285
    • 3000+

      ¥0.1137
    • 9000+

      ¥0.101
    • 21000+

      ¥0.0941
  • 有货
  • 瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比,具有出色的钳位电压和性能。
    • 20+

      ¥0.201
    • 200+

      ¥0.1556
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      ¥0.1304
    • 3000+

      ¥0.1153
    • 9000+

      ¥0.1022
    • 21000+

      ¥0.0951
  • 有货
  • 瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比,具有出色的钳位电压和性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2206
    • 200+

      ¥0.1715
    • 600+

      ¥0.1443
    • 3000+

      ¥0.1246
    • 9000+

      ¥0.1104
    • 21000+

      ¥0.1028
  • 有货
  • 是一个三端可调稳压器系列,在适用的温度范围内具有有保证的热稳定性。输出电压可以通过两个外部电阻设置在参考电压和36V之间的任何值。具有典型的动态输出阻抗0.27Ω,有源输出电路提供非常尖锐的导通特性,使其在许多应用中是齐纳二极管的优秀替代品。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2376
    • 200+

      ¥0.1871
    • 1000+

      ¥0.1443
    • 2000+

      ¥0.1274
    • 10000+

      ¥0.1128
    • 20000+

      ¥0.1049
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2408
    • 200+

      ¥0.1883
    • 600+

      ¥0.1591
    • 3000+

      ¥0.1336
    • 9000+

      ¥0.1184
    • 21000+

      ¥0.1102
  • 有货
  • 单向二极管为可能暴露于静电放电 (ESD) 的电子设备提供高级别的保护。该组件可以安全地吸收高于 IEC 61000-4-2 国际标准(4 级,±80V 接触放电)规定的最大水平的重复 ESD 冲击,而不会导致性能下降。
    • 10+

      ¥0.3141
    • 100+

      ¥0.247
    • 300+

      ¥0.2135
    • 3000+

      ¥0.1884
    • 6000+

      ¥0.1683
    • 9000+

      ¥0.1582
  • 有货
  • UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 2+

      ¥0.95
    • 20+

      ¥0.8356
    • 60+

      ¥0.7866
    • 200+

      ¥0.6601
    • 1000+

      ¥0.6329
    • 2000+

      ¥0.6165
  • 有货
  • 由砷化镓红外发光二极管和单晶硅芯片随机相光电双向晶闸管组成的光耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1646
    • 50+

      ¥0.9061
    • 150+

      ¥0.7954
    • 1000+

      ¥0.6206
    • 2000+

      ¥0.5591
    • 5000+

      ¥0.5222
  • 有货
  • 是一款双片式电压抑制器,旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受 ESD 影响。对于正瞬变,它将电压钳位在逻辑电平电源之上;对于负瞬变,将电压钳位到低于地电位一个二极管压降的位置。它还可以通过仅连接引脚 1 和 2 作为双向抑制器工作。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1152
    • 500+

      ¥0.0894
    • 3000+

      ¥0.0751
    • 6000+

      ¥0.0665
    • 24000+

      ¥0.059
    • 51000+

      ¥0.055
  • 有货
  • 设计用于保护连接到数据和传输线路的组件,免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的电压浪涌影响。TVS二极管具有高浪涌能力、低工作和钳位电压以及快速响应时间的特点。
    • 20+

      ¥0.1555
    • 200+

      ¥0.1207
    • 600+

      ¥0.1013
    • 3000+

      ¥0.0897
    • 9000+

      ¥0.0796
    • 21000+

      ¥0.0742
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1757
    • 200+

      ¥0.1369
    • 600+

      ¥0.1154
    • 3000+

      ¥0.0947
    • 9000+

      ¥0.0835
    • 21000+

      ¥0.0775
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1906
    • 200+

      ¥0.1476
    • 600+

      ¥0.1237
    • 3000+

      ¥0.1094
    • 9000+

      ¥0.0969
    • 21000+

      ¥0.0902
  • 有货
  • 是基于四通道单向瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管,具有超低电容。该器件的 ESD 冲击耗散值高于 IEC 61000-4-2 国际标准规定的最高水平。
    • 20+

      ¥0.2043
    • 200+

      ¥0.1575
    • 600+

      ¥0.1315
    • 3000+

      ¥0.1159
    • 9000+

      ¥0.1023
    • 21000+

      ¥0.095
  • 有货
  • 特性:单向两线ESD保护。 ESD保护高达30 kV。 低二极管电容:Cd = 17 pF。 IEC 61000-4-2;4级(ESD)。 最大峰值脉冲功率:Ppp = 160 W。 IEC 61000-4-5(浪涌);Ipp = 2.5 A。应用:计算机及周边设备。 音频和视频设备
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2119
    • 200+

      ¥0.1677
    • 600+

      ¥0.1431
    • 3000+

      ¥0.125
    • 9000+

      ¥0.1122
    • 21000+

      ¥0.1053
  • 有货
  • 集成超低电容二极管,为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供保护。该强大组件能够安全吸收高于 IEC61000-4-2 国际标准(4 级,±8kV 接触放电)规定的最大水平的重复 ESD 冲击,且性能不会下降。
    • 10+

      ¥0.3964
    • 100+

      ¥0.3117
    • 300+

      ¥0.2694
    • 3000+

      ¥0.2377
    • 6000+

      ¥0.2123
    • 9000+

      ¥0.1996
  • 有货
  • UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7318
    • 50+

      ¥0.644
    • 130+

      ¥0.5539
    • 520+

      ¥0.507
    • 2470+

      ¥0.4861
    • 6500+

      ¥0.4735
  • 有货
  • 结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极,该发射极通过光学方式与塑料DIP6封装中的单片硅随机相光电可控硅耦合,具有不同的引脚成型选项。凭借坚固的共面双模具结构,提供最稳定的隔离特性。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1081
    • 50+

      ¥0.8774
    • 130+

      ¥0.7379
    • 520+

      ¥0.6145
    • 2470+

      ¥0.5595
    • 6500+

      ¥0.5266
  • 有货
  • UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1527
    • 50+

      ¥0.8954
    • 150+

      ¥0.7851
    • 1000+

      ¥0.6179
    • 2000+

      ¥0.5567
    • 5000+

      ¥0.5199
  • 有货
  • 设计用于保护低电压 CMOS 半导体免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬变影响。低电容补偿二极管集成到 TVS 中,使每条线路的典型电容降至 6pF。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6675
    • 50+

      ¥1.2882
    • 150+

      ¥1.1257
    • 500+

      ¥0.8658
    • 2500+

      ¥0.7755
    • 5000+

      ¥0.7213
  • 有货
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