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首页 > 热门关键词 > 友台二极管
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是双向TVS二极管,提供快速响应时间和低ESD钳位电压,是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。具有超低电容,典型值为0.3pF,可承受±25kV空气放电和±22kV接触放电。
  • 20+

    ¥0.1296
  • 200+

    ¥0.1005
  • 600+

    ¥0.0844
  • 3000+

    ¥0.0747
  • 9000+

    ¥0.0664
  • 21000+

    ¥0.0619
  • 有货
  • 是一种单向单线瞬态抑制二极管,专为保护便携式设备和小型化电子设备中的集成电路免受EOS和ESD瞬态过电压影响而设计。
    • 20+

      ¥0.1516
    • 200+

      ¥0.1167
    • 600+

      ¥0.0973
    • 3000+

      ¥0.0857
    • 9000+

      ¥0.0756
    • 21000+

      ¥0.0701
  • 有货
  • 是一种基于四通道单向瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管,具有超低电容。该器件的 ESD 冲击耗散值高于 IEC 61000-4-2 国际标准规定的最高水平。
    • 20+

      ¥0.1573
    • 200+

      ¥0.1221
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      ¥0.1025
    • 3000+

      ¥0.0908
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      ¥0.0806
    • 21000+

      ¥0.0752
  • 有货
  • 特性:单向ESD保护。 低二极管电容:Cd = 25pF。 低钳位电压:VCL = 12V。 极低泄漏电流:IRM = 10nA。 ESD保护高达26kV。 IEC 61000-4-2;4级(ESD)。应用:计算机及周边设备。 音频和视频设备
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1591
    • 200+

      ¥0.1241
    • 600+

      ¥0.1046
    • 3000+

      ¥0.0903
    • 9000+

      ¥0.0802
    • 21000+

      ¥0.0747
  • 有货
  • 双片式硅齐纳二极管专为需要瞬态过电压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1708
    • 200+

      ¥0.1326
    • 600+

      ¥0.1114
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      ¥0.097
    • 9000+

      ¥0.0859
    • 21000+

      ¥0.08
  • 有货
  • 集成超低电容二极管,为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供保护。该强大组件能够安全吸收高于 IEC61000-4-2 国际标准(4 级,±8kV 接触放电)规定的最大水平的重复 ESD 冲击,且性能不会下降。
    • 10+

      ¥0.3931
    • 100+

      ¥0.3099
    • 300+

      ¥0.2683
    • 3000+

      ¥0.2371
    • 6000+

      ¥0.2122
    • 9000+

      ¥0.1997
  • 有货
  • UMW101X 系列将 AlGaAs 红外发射二极管作为发射器,与采用塑料 LSOP4 封装的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合。凭借坚固的共面双塑封结构,UMW101X 系列具备最稳定的隔离特性。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4058
    • 100+

      ¥0.328
    • 300+

      ¥0.2892
    • 3000+

      ¥0.2182
    • 6000+

      ¥0.1948
    • 9000+

      ¥0.1832
  • 有货
  • UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7851
    • 50+

      ¥0.6891
    • 130+

      ¥0.593
    • 520+

      ¥0.5416
    • 2470+

      ¥0.5188
    • 6500+

      ¥0.505
  • 有货
  • 特性:单线双向静电放电保护。 极低二极管电容:Cd最大11pF。 最大脉冲峰值功率:Ppp = 45W。 低钳位电压:VCL = 12.5V。 超低泄漏电流:IRM < 1nA。 静电放电保护高达30kV,符合IEC61000-4-2;4级(静电放电)。应用:计算机及外围设备。 音频和视频设备
    数据手册
    • 50+

      ¥0.059
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      ¥0.0457
    • 1500+

      ¥0.0383
    • 10000+

      ¥0.0338
    • 20000+

      ¥0.03
    • 50000+

      ¥0.0279
  • 订货
  • 单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装,旨在保护一条传输线或数据线免受ESD(静电放电)和其他瞬态现象造成的损坏。
    • 50+

      ¥0.0949
    • 500+

      ¥0.0745
    • 3000+

      ¥0.0609
    • 6000+

      ¥0.0541
    • 24000+

      ¥0.0482
    • 51000+

      ¥0.045
  • 订货
  • 设计用于保护连接到数据和传输线路的组件,免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的电压浪涌影响。TVS二极管具有高浪涌能力、低工作和钳位电压以及快速响应时间的特点。
    • 20+

      ¥0.1532
    • 200+

      ¥0.1194
    • 600+

      ¥0.1006
    • 3000+

      ¥0.0893
    • 9000+

      ¥0.0795
    • 21000+

      ¥0.0742
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1771
    • 200+

      ¥0.1389
    • 600+

      ¥0.1177
    • 3000+

      ¥0.097
    • 9000+

      ¥0.0859
    • 21000+

      ¥0.08
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1868
    • 200+

      ¥0.1444
    • 600+

      ¥0.1209
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      ¥0.1068
    • 9000+

      ¥0.0946
    • 21000+

      ¥0.088
  • 有货
  • 瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比,具有出色的钳位电压和性能。
    • 20+

      ¥0.1943
    • 200+

      ¥0.1508
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    • 9000+

      ¥0.0995
    • 21000+

      ¥0.0927
  • 有货
  • 是一种可调式三端并联稳压器,在工作温度范围内具有出色的热稳定性。输出电压可通过外部电阻设置在Vref(约2.5V)至36V之间的任何值。它具有非常灵敏的开启特性,这使得它在许多应用中可以替代齐纳二极管
    • 10+

      ¥0.2809
    • 100+

      ¥0.2214
    • 300+

      ¥0.1917
    • 3000+

      ¥0.1694
    • 6000+

      ¥0.1515
    • 9000+

      ¥0.1426
  • 有货
  • 特性:单向两线ESD保护。 ESD保护高达30 kV。 低二极管电容:Cd = 17 pF。 IEC 61000-4-2;4级(ESD)。 最大峰值脉冲功率:Ppp = 160 W。 IEC 61000-4-5(浪涌);Ipp = 2.5 A。应用:计算机及周边设备。 音频和视频设备
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4035
    • 100+

      ¥0.3205
    • 300+

      ¥0.279
    • 3000+

      ¥0.2407
    • 6000+

      ¥0.2158
    • 9000+

      ¥0.2033
  • 有货
  • PS2701是一款小型贴片光电耦合器件,适用于表面贴装生产。PS2701是由砷化镓发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器。其体积比双列直插封装(DIP)更小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5824
    • 50+

      ¥0.4591
    • 150+

      ¥0.3975
    • 500+

      ¥0.3513
    • 3000+

      ¥0.2836
    • 6000+

      ¥0.2651
  • 有货
  • UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    • 5+

      ¥1.1428
    • 50+

      ¥0.8929
    • 130+

      ¥0.7858
    • 520+

      ¥0.6521
    • 2470+

      ¥0.5926
    • 5005+

      ¥0.5569
  • 有货
  • UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    • 5+

      ¥1.3596
    • 50+

      ¥1.0659
    • 130+

      ¥0.9401
    • 520+

      ¥0.7831
    • 2470+

      ¥0.7132
    • 6500+

      ¥0.6712
  • 有货
  • UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4031
    • 50+

      ¥1.0687
    • 130+

      ¥0.9254
    • 520+

      ¥0.7466
    • 2080+

      ¥0.667
    • 4160+

      ¥0.6193
  • 有货
  • 设计用于保护低电压 CMOS 半导体免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬变影响。低电容补偿二极管集成到 TVS 中,使每条线路的典型电容降至 6pF。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6194
    • 50+

      ¥1.2513
    • 150+

      ¥1.0936
    • 500+

      ¥0.8414
    • 2500+

      ¥0.7537
    • 5000+

      ¥0.7012
  • 有货
  • UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 2+

      ¥1.7222
    • 20+

      ¥1.3656
    • 60+

      ¥1.2127
    • 200+

      ¥0.937
    • 1000+

      ¥0.8521
    • 2000+

      ¥0.8011
  • 有货
  • 单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装,旨在保护一条传输线或数据线免受ESD(静电放电)和其他瞬态现象造成的损坏。
    • 20+

      ¥0.1369
    • 200+

      ¥0.1063
    • 600+

      ¥0.0893
    • 3000+

      ¥0.079
    • 9000+

      ¥0.0702
    • 21000+

      ¥0.0654
  • 有货
  • 099 - 04AT1G是一款四通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列。每个通道由一对ESD二极管组成,可将正或负ESD电流导向正或负轨。在正负电源轨之间的阵列中集成了一个齐纳二极管
    • 20+

      ¥0.1677
    • 200+

      ¥0.1302
    • 600+

      ¥0.1093
    • 3000+

      ¥0.0968
    • 9000+

      ¥0.086
    • 21000+

      ¥0.0801
  • 有货
  • 是基于四通道单向瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管,具有超低电容。该器件的 ESD 冲击耗散值高于 IEC 61000-4-2 国际标准规定的最高水平。
    • 20+

      ¥0.1887
    • 200+

      ¥0.1464
    • 600+

      ¥0.123
    • 3000+

      ¥0.1089
    • 9000+

      ¥0.0967
    • 21000+

      ¥0.0901
  • 有货
  • TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷电感应浪涌的损坏。该系列可以吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定的最大水平的重复性ESD冲击,而性能不会下降,并能以非常低的钳位电压安全地耗散高达24A的8/20μs感应浪涌电流(IEC-61000-4-5,第2版)。
    • 20+

      ¥0.1957
    • 200+

      ¥0.1519
    • 600+

      ¥0.1275
    • 3000+

      ¥0.1129
    • 9000+

      ¥0.1002
    • 21000+

      ¥0.0934
  • 有货
  • 是一款低电容 TVS(瞬态电压抑制器)阵列,用于保护高速数据接口。专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,免受 ESD(静电放电)引起的过应力影响。集成了四对低电容转向二极管和一个 TVS 二极管
    • 20+

      ¥0.2203
    • 200+

      ¥0.171
    • 600+

      ¥0.1436
    • 3000+

      ¥0.1271
    • 9000+

      ¥0.1129
    • 21000+

      ¥0.1052
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2233
    • 200+

      ¥0.175
    • 600+

      ¥0.1481
    • 3000+

      ¥0.1246
    • 9000+

      ¥0.1106
    • 21000+

      ¥0.1031
  • 有货
  • LTV-356T是一款小尺寸贴片式光电耦合器件,适用于表面贴装生产。LTV-356T是由砷化镓发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器。其体积比双列直插封装(DIP)更小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程逻辑控制器
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3853
    • 100+

      ¥0.2979
    • 300+

      ¥0.2542
    • 3000+

      ¥0.2096
    • 6000+

      ¥0.1834
    • 9000+

      ¥0.1702
  • 有货
  • 设计用于在同步 DC-DC 电源中替代单个 SO-8 MOSFET 和肖特基二极管。这款 30V MOSFET 旨在最大限度地提高功率转换效率,提供低导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。
    • 5+

      ¥0.6351
    • 50+

      ¥0.5565
    • 150+

      ¥0.5172
    • 500+

      ¥0.4877
    • 3000+

      ¥0.4641
    • 6000+

      ¥0.4523
  • 有货
  • 立创商城为您提供友台二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买友台二极管提供详细信息
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