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描述

价格(含税)

库存

操作

毫微功耗、350nA、RRIO、CMOS 输入运算放大器

型号：TLV521DCKR(UMW) 编号：C22365305

封装：SC-70-5

品牌：UMW(友台半导体)

TLV521 350 nA 微功耗运算放大器在德州仪器（TI）的微功耗运算放大器系列中提供了最优的性价比。TLV521 采用精心设计的 CMOS 输入级，可实现低至 1 pA 的偏置电流（Ibias），从而减少偏置电流（IBIAS）和失调电流（IOS）误差，这些误差可能会对诸如兆欧级电阻、高阻抗光电二极管和电荷感应等敏感应用产生影响。此外，内置的电磁干扰（EMI）保护功能降低了对手机和射频识别（RFID）阅读器等设备产生的有害射频信号的敏感度

5+
￥0.7897
50+
￥0.6874
150+
￥0.6436
500+
￥0.589
3000+
￥0.5647
6000+
￥0.5501

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：MOC3062M(UMW) 编号：C2842966

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥1.3513
50+
￥1.0662
130+
￥0.9129
520+
￥0.7605
2470+
￥0.6926
6500+
￥0.6518

有货

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单向ESD 12V截止峰值浪涌电流：5A@8/20us

型号：PESD12VS1UB(UMW) 编号：C7436895

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装，旨在保护一条传输线或数据线免受ESD（静电放电）和其他瞬态现象造成的损坏。

50+
￥0.1063
500+
￥0.0822
3000+
￥0.0689
6000+
￥0.0608
24000+
￥0.0539
51000+
￥0.0501

有货

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单向 3V截止

型号：MMBZ5V6ALT1G 编号：C2931136

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.1763
200+
￥0.1381
600+
￥0.1169
3000+
￥0.0969
9000+
￥0.0859
21000+
￥0.08

有货

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单向TVS 10V截止峰值浪涌电流：16A@8/20us

型号：ESDA12-1K(UMW) 编号：C19723979

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

是一款单线瞬态抑制二极管，专为保护便携式设备和小型电子设备中的集成电路免受静电放电 (ESD) 和电气过应力 (EOS) 瞬态过电压的影响而设计。

20+
￥0.197
200+
￥0.1535
600+
￥0.1293
3000+
￥0.1148
9000+
￥0.1022
21000+
￥0.0954

有货

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ESD 6V截止峰值浪涌电流：4.5A@8/20us

型号：SP0504SHTG(UMW) 编号：C19723967

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

具有超低电容的轨到轨二极管，通过专有的硅雪崩技术制造了一个额外的齐纳二极管，以保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。

10+
￥0.2463
100+
￥0.1947
300+
￥0.1689
3000+
￥0.1496
6000+
￥0.1341
9000+
￥0.1264

有货

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耐压:60V 电流:43A

型号：IRFR3806TR(UMW) 编号：C5375972

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=60V。 RDS(ON)<15.8mΩ(VGS=10V)。改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

5+
￥0.9284
50+
￥0.8097
150+
￥0.7588
500+
￥0.6954
2500+
￥0.6671
5000+
￥0.6501

有货

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单向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：18A@8/20us

型号：PESD3V3S1UB(UMW) 编号：C7436896

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装，旨在保护一条传输线或数据线免受ESD（静电放电）和其他瞬态现象造成的损坏。

20+
￥0.1276
200+
￥0.0986
600+
￥0.0826
3000+
￥0.0729
9000+
￥0.0645
21000+
￥0.06

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：EL1019 编号：C695835

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：UMW(友台半导体)

UMW101X 系列将 AlGaAs 红外发射二极管作为发射器，与采用塑料 LSOP4 封装的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合。凭借坚固的共面双塑封结构，UMW101X 系列具备最稳定的隔离特性。

数据手册

10+
￥0.4326
100+
￥0.3401
300+
￥0.2938
3000+
￥0.2265
6000+
￥0.1987
9000+
￥0.1849

有货

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低成本、250 mA 输出、单电源放大器

型号：AD8531ARZ(UMW) 编号：C22373392

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

是单电源轨到轨输入/输出放大器，具有250 mA输出驱动电流。高输出电流使其适合驱动阻性或容性负载。交流性能良好，带宽为3 MHz，压摆率为5 V/μs，失真低。保证能在3 V单电源和5 V电源下工作。极低的输入偏置电流使其可用于积分器、二极管放大等需要低输入偏置电流的应用。每个放大器在5 V时的电源电流仅为750 μA，允许低电流应用控制高电流负载。应用包括计算机、声卡和机顶盒的音频放大。该系列非常稳定，能够驱动LCD等重容性负载。能够在输入和输出端实现轨到轨摆动，使设计人员能够在单电源系统中缓冲CMOS DAC、ASIC或其他宽输出摆幅设备。

5+
￥0.7855
50+
￥0.6851
150+
￥0.642
500+
￥0.5883
2500+
￥0.5644
5000+
￥0.5501

有货

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60V N沟道MOSFET

型号：NTD20N06LT4G(UMW) 编号：C5159783

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=60V 。 ID = 12A(VGS = 10V) 。 RDS(ON)<104mΩ(VGS=5V)。电源转换器。功率电机控制。桥式电路。更严格的VSD规格。更低的二极管反向恢复时间。更低的反向恢复存储电荷。更低的RDS(ON)。更低的VDS(ON)

数据手册

5+
￥0.9033
50+
￥0.7919
150+
￥0.7441
500+
￥0.6846
2500+
￥0.6262
5000+
￥0.6103

有货

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MOC3052SM

型号：MOC3052SM(UMW) 编号：C3014301

封装：SOP-6-6.5mm

品牌：UMW(友台半导体)

UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥1.1456
50+
￥0.8888
150+
￥0.7788
1000+
￥0.6219
2000+
￥0.5608
5000+
￥0.5241

有货

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低功耗、250 mA 输出、单电源供电放大器

型号：AD8532ARUZ(UMW) 编号：C22368270

封装：TSSOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

是单电源放大器，具有 250 mA 输出驱动电流，高输出电流使其适合驱动电阻或电容负载。AC 性能良好，带宽为 3 MHz，压摆率为 5V/μs，失真低。保证在 3V 单电源和 5V 电源下工作。极低的输入偏置电流使其可用于积分器、二极管放大等需要低输入偏置电流的应用。每放大器在 5V 时的电源电流仅为 750 μA，允许低电流应用控制高电流负载。应用包括计算机、声卡和机顶盒的音频放大，能够驱动 LCD 等重容性负载。能够在输入和输出端实现轨到轨摆动，使设计人员能够在单电源系统中缓冲 CMOS DAC、ASIC 或其他宽输出摆幅设备。

5+
￥1.3427
50+
￥1.16
150+
￥1.0817
500+
￥0.9841
2500+
￥0.9406
4000+
￥0.9145

有货

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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：8A@8/20us

型号：AU3321D5 编号：C19626351

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

是一款3.3V双向ESD保护二极管，采用领先的单晶硅技术，提供快速响应时间和超低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。采用超小型1.0x0.6x0.5mm DFN无铅封装。

50+
￥0.0778
500+
￥0.0616
3000+
￥0.0526
6000+
￥0.0472
24000+
￥0.0425
51000+
￥0.04

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单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：15A@8/20us

型号：PESD5V0S1UB(UMW) 编号：C7436897

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装，旨在保护一条传输线或数据线免受ESD（静电放电）和其他瞬态现象造成的损坏。

50+
￥0.1052
500+
￥0.0816
3000+
￥0.0686
6000+
￥0.0607
24000+
￥0.0539
51000+
￥0.0503

有货

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单向ESD 36V截止峰值浪涌电流：6.3A@8/20us

型号：ESDA37L(UMW) 编号：C19724002

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

该设备是一种二极管阵列，旨在保护1条或2条线路免受ESD瞬变影响。该设备适用于既需要降低线路电容又需要节省电路板空间的应用。通过仅连接引脚1和2，它还可以用作双向抑制器。

20+
￥0.1751
200+
￥0.1364
600+
￥0.1149
3000+
￥0.102
9000+
￥0.0908
21000+
￥0.0848

有货

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单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：2.5A@8/20us

型号：PESD5V0L5UY 编号：C2831528

封装：SOT-363

品牌：UMW(友台半导体)

特性：低电容单向五重静电放电（ESD）保护二极管阵列，采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护多达五条单向信号线免受 ESD 和其他瞬态损坏。多达五条线路的 ESD 保护。低二极管电容。最大脉冲峰值功率：Pₚₚ = 25W。低钳位电压：V₍C₁₎ = 12V。超低泄漏电流：I₍RM₎ = 5nA。应用：计算机及外围设备。通信系统

数据手册

10+
￥0.2792
100+
￥0.229
300+
￥0.2039
3000+
￥0.1678
6000+
￥0.1528
9000+
￥0.1452

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：LTV-1008 编号：C695832

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：UMW(友台半导体)

UMW100X 系列产品将一个铝镓砷（AlGaAs）红外发射二极管作为发射器，该发射器与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用塑料 LSOP4 封装。凭借坚固的共面双塑封结构，UMW100X 系列具备最稳定的隔离特性。

数据手册

5+
￥0.5487
50+
￥0.4276
150+
￥0.367
500+
￥0.3216
3000+
￥0.2433
6000+
￥0.2251

有货

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TVS 12V截止峰值浪涌电流：12A@8/20us

型号：SM12T1G 编号：C5199856

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过电压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.1832
200+
￥0.1443
600+
￥0.1227
3000+
￥0.1023
9000+
￥0.0911
21000+
￥0.085

有货

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2.495V~36V 并联 50ppm/℃

型号：TL431S 编号：C4944984

封装：SOT-89-3

品牌：UMW(友台半导体)

是一个三端可调稳压器系列，在适用的温度范围内具有有保证的热稳定性。输出电压可以通过两个外部电阻设置在参考电压和36V之间的任何值。具有典型的动态输出阻抗0.27Ω，有源输出电路提供非常尖锐的导通特性，使其在许多应用中是齐纳二极管的优秀替代品。

数据手册

20+
￥0.2123
200+
￥0.1668
1000+
￥0.1322
2000+
￥0.1171
10000+
￥0.1039
20000+
￥0.0969

有货

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双向TVS 24V截止

型号：PSD24C-LF-T7 编号：C5199857

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比，具有出色的钳位电压和性能。

数据手册

20+
￥0.2199
200+
￥0.1709
600+
￥0.1436
3000+
￥0.1218
9000+
￥0.1077
21000+
￥0.1

有货

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ESD 5V截止

型号：AQ3522-01FTG(UMW) 编号：C19626362

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

集成超低电容二极管，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。该组件能安全吸收高于IEC 61000-4-2国际标准（4级，±8kV接触放电）规定的最大水平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。

20+
￥0.2223
200+
￥0.1742
600+
￥0.1475
3000+
￥0.1314
9000+
￥0.1175
21000+
￥0.1101

有货

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双向ESD 5V截止

型号：PESD5V0U1BA 编号：C5199862

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

超低压电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管,采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,旨在保护一条数据线免受 ESD 造成的损坏。

数据手册

20+
￥0.2342
200+
￥0.1785
600+
￥0.1475
3000+
￥0.1238
9000+
￥0.1077
21000+
￥0.099

有货

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SOP4封装，直流输入光电晶体管耦合器

型号：PC357C 编号：C4944985

封装：SOP-4

品牌：UMW(友台半导体)

UMW PC357系列产品将砷化铝镓（AlGaAs）红外发射二极管作为发射器，与塑料SOP4封装的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合。凭借坚固的共面双塑封结构，UMW PC357系列具备极其稳定的隔离特性。

数据手册

10+
￥0.3545
100+
￥0.2791
300+
￥0.2414
3000+
￥0.194
6000+
￥0.1714
9000+
￥0.1601

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP785GB(UMW) 编号：C364146

封装：DIP-4

品牌：UMW(友台半导体)

由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压（交流：5kVRMS (最小值)）。

数据手册

10+
￥0.4556
100+
￥0.35
300+
￥0.3095
1000+
￥0.2791
5000+
￥0.2547
10000+
￥0.2426

有货

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DC 5kV

型号：4N25 编号：C3014309

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37、4N38 系列产品采用 AlGaAs 红外发光二极管作为发射极，该发射极与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，封装形式为塑料 DIP6 封装，引脚成型方式多样。

数据手册

5+
￥0.6012
50+
￥0.5152
150+
￥0.4722
500+
￥0.44
2500+
￥0.4142
6500+
￥0.4013

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP621GB-1(UMW) 编号：C388376

封装：DIP-4

品牌：UMW(友台半导体)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP621-2 在八引脚塑料双列直插式封装中提供两个隔离通道，TLP621-4 在十六引脚塑料双列直插式封装中提供四个隔离通道。

数据手册

5+
￥0.7686
50+
￥0.5886
200+
￥0.4986
500+
￥0.4311
2500+
￥0.3771
5000+
￥0.3501

有货

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N沟道耐压:30V 电流:55A

型号：FDD6680AS(UMW) 编号：C18214408

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于在同步 DC:DC 电源中替代单个 MOSFET 和肖特基二极管。这款 30V MOSFET 旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。作为同步整流器中的低端开关，其性能与并联肖特基二极管的产品性能无差异。

5+
￥0.7899
50+
￥0.6226
150+
￥0.539
500+
￥0.4762
2500+
￥0.426
5000+
￥0.4009

有货

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耐压:100V 电流:7.5A

型号：FDS3672(UMW) 编号：C7394010

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：漏极电流 (ID)：7.5A。导通电阻 (RDS(ON))：23mΩ (VGS = 10V)。总栅极电荷 (Qg(tot))：28nC（典型值），VGS = 10V。低米勒电荷。低 Qn。体二极管在高频下具有优化效率。应用：DC/DC 转换器和离线式 UPS。分布式电源架构和电压调节模块

5+
￥0.7924
50+
￥0.6911
150+
￥0.6477
500+
￥0.5935
3000+
￥0.5694
6000+
￥0.5549

有货

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型号：MOC3020M(UMW) 编号：C5158042

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极，该发射极通过光学方式与塑料DIP6封装中的单片硅随机相光电可控硅耦合，具有不同的引脚成型选项。凭借坚固的共面双模具结构，提供最稳定的隔离特性。

数据手册

5+
￥1.0649
50+
￥0.8434
130+
￥0.7094
520+
￥0.5909
2470+
￥0.5382
6500+
￥0.5065

有货

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海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

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