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首页 > 热门关键词 > 友台二极管
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特性:VDS(V)=60V。 RDS(ON)<15.8mΩ(VGS=10V)。 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩SOA。 增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
  • 5+

    ¥0.9367
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    ¥0.8181
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    ¥0.7672
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  • 2500+

    ¥0.6755
  • 5000+

    ¥0.6585
  • 有货
  • 这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过电压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1324
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      ¥0.1006
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      ¥0.0799
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      ¥0.0693
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      ¥0.0601
    • 51000+

      ¥0.0551
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1546
    • 200+

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      ¥0.1023
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      ¥0.0847
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      ¥0.075
    • 21000+

      ¥0.0698
  • 有货
  • 是用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品静电放电保护的瞬态电压抑制器阵列。与多层压敏电阻等其他技术相比,这些硅基二极管具有出色的钳位电压和性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1753
    • 200+

      ¥0.1396
    • 600+

      ¥0.1198
    • 3000+

      ¥0.0899
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      ¥0.0796
    • 21000+

      ¥0.0741
  • 有货
  • 是一款单线瞬态抑制二极管,专为保护便携式设备和小型电子设备中的集成电路免受静电放电 (ESD) 和电气过应力 (EOS) 瞬态过电压的影响而设计。
    • 20+

      ¥0.2019
    • 200+

      ¥0.1564
    • 600+

      ¥0.131
    • 3000+

      ¥0.1158
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      ¥0.1027
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      ¥0.0956
  • 有货
  • 特性:采用非常小的SOD323表面贴装器件(SMD)塑料封装。 对一条汽车LIN总线线路进行ESD保护。 非对称二极管配置,确保对LIN电子控制单元(ECU)的电磁干扰(EMI)进行优化保护。 最大峰值脉冲功率:在tp = 8 / 20μs时,PPP = 160 W。 低钳位电压:在IPP = 1 A时,VCL = 40 V。 超低泄漏电流:IRM < 1 nA。应用:LIN总线保护。 汽车应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2345
    • 200+

      ¥0.1796
    • 600+

      ¥0.1491
    • 3000+

      ¥0.1195
    • 9000+

      ¥0.1036
    • 21000+

      ¥0.095
  • 有货
  • 是三端可调稳压器系列,在适用温度范围内具有保证的热稳定性。输出电压可以通过两个外部电阻设置在Vref和36V之间的任何值。这些器件的典型动态输出阻抗为0.27Ω,有源输出电路提供非常尖锐的导通特性,使其在许多应用中成为齐纳二极管的优秀替代品。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2514
    • 200+

      ¥0.1899
    • 600+

      ¥0.1557
    • 3000+

      ¥0.1338
    • 9000+

      ¥0.116
    • 21000+

      ¥0.1064
  • 有货
  • UMW PC357系列产品将砷化铝镓(AlGaAs)红外发射二极管作为发射器,与塑料SOP4封装的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合。凭借坚固的共面双塑封结构,UMW PC357系列具备极其稳定的隔离特性。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3783
    • 100+

      ¥0.2981
    • 300+

      ¥0.258
    • 3000+

      ¥0.2062
    • 6000+

      ¥0.1821
    • 9000+

      ¥0.1701
  • 有货
  • PS2701是一款小型贴片光电耦合器件,适用于表面贴装生产。PS2701是由砷化镓发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器。其体积比双列直插封装(DIP)更小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6036
    • 50+

      ¥0.4762
    • 150+

      ¥0.4126
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      ¥0.3648
    • 3000+

      ¥0.2893
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      ¥0.2702
  • 有货
  • 是单电源轨到轨输入/输出放大器,具有250 mA输出驱动电流。高输出电流使其适合驱动阻性或容性负载。交流性能良好,带宽为3 MHz,压摆率为5 V/μs,失真低。保证能在3 V单电源和5 V电源下工作。极低的输入偏置电流使其可用于积分器、二极管放大等需要低输入偏置电流的应用。每个放大器在5 V时的电源电流仅为750 μA,允许低电流应用控制高电流负载。应用包括计算机、声卡和机顶盒的音频放大。该系列非常稳定,能够驱动LCD等重容性负载。能够在输入和输出端实现轨到轨摆动,使设计人员能够在单电源系统中缓冲CMOS DAC、ASIC或其他宽输出摆幅设备。
    • 5+

      ¥0.7926
    • 50+

      ¥0.6921
    • 150+

      ¥0.6491
    • 500+

      ¥0.5954
    • 2500+

      ¥0.5715
    • 5000+

      ¥0.5572
  • 有货
  • 是单电源放大器,具有 250 mA 输出驱动电流,高输出电流使其适合驱动电阻或电容负载。AC 性能良好,带宽为 3 MHz,压摆率为 5V/μs,失真低。保证在 3V 单电源和 5V 电源下工作。极低的输入偏置电流使其可用于积分器、二极管放大等需要低输入偏置电流的应用。每放大器在 5V 时的电源电流仅为 750 μA,允许低电流应用控制高电流负载。应用包括计算机、声卡和机顶盒的音频放大,能够驱动 LCD 等重容性负载。能够在输入和输出端实现轨到轨摆动,使设计人员能够在单电源系统中缓冲 CMOS DAC、ASIC 或其他宽输出摆幅设备。
    • 5+

      ¥1.306
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      ¥0.9384
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      ¥0.9145
  • 有货
  • UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    • 5+

      ¥1.3305
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    • 520+

      ¥0.7585
    • 2470+

      ¥0.6891
    • 5005+

      ¥0.6475
  • 有货
  • UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5182
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      ¥1.1564
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      ¥1.0013
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      ¥0.7217
    • 4160+

      ¥0.67
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=100V。 ID = 120A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 4.5mΩ(VGS = 10V)。 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。 无铅,符合RoHS标准,无卤
    • 1+

      ¥3.52
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      ¥2.83
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    • 100+

      ¥2.14
    • 500+

      ¥1.94
    • 1000+

      ¥1.83
  • 有货
  • 单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装,旨在保护一条传输线或数据线免受ESD(静电放电)和其他瞬态现象造成的损坏。
    • 20+

      ¥0.1278
    • 200+

      ¥0.0992
    • 600+

      ¥0.0833
    • 3000+

      ¥0.0737
    • 9000+

      ¥0.0655
    • 21000+

      ¥0.061
  • 有货
  • 具有超低电容的轨到轨二极管,通过专有的硅雪崩技术制造了一个额外的齐纳二极管,以保护每个I/O引脚,为可能遭受破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供高级别的保护。
    • 10+

      ¥0.2512
    • 100+

      ¥0.1975
    • 300+

      ¥0.1707
    • 3000+

      ¥0.1506
    • 6000+

      ¥0.1345
    • 9000+

      ¥0.1265
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V 。 ID = 12A(VGS = 10V) 。 RDS(ON)<104mΩ(VGS=5V)。 电源转换器。 功率电机控制。 桥式电路。 更严格的VSD规格。 更低的二极管反向恢复时间。 更低的反向恢复存储电荷。 更低的RDS(ON)。 更低的VDS(ON)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2771
    • 50+

      ¥1.0055
    • 150+

      ¥0.8891
    • 500+

      ¥0.7439
    • 2500+

      ¥0.6469
    • 5000+

      ¥0.608
  • 有货
  • UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.443
    • 50+

      ¥1.1463
    • 130+

      ¥0.9717
    • 520+

      ¥0.8131
    • 2470+

      ¥0.7424
    • 6500+

      ¥0.7
  • 有货
  • 单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装,旨在保护一条传输线或数据线免受ESD(静电放电)和其他瞬态现象造成的损坏。
    • 50+

      ¥0.1052
    • 500+

      ¥0.0816
    • 3000+

      ¥0.0686
    • 6000+

      ¥0.0607
    • 24000+

      ¥0.0539
    • 51000+

      ¥0.0503
  • 有货
  • 该设备是一种二极管阵列,旨在保护1条或2条线路免受ESD瞬变影响。该设备适用于既需要降低线路电容又需要节省电路板空间的应用。通过仅连接引脚1和2,它还可以用作双向抑制器。
    • 20+

      ¥0.1885
    • 200+

      ¥0.1463
    • 600+

      ¥0.1228
    • 3000+

      ¥0.1087
    • 9000+

      ¥0.0965
    • 21000+

      ¥0.09
  • 有货
  • 特性:低电容单向五重静电放电(ESD)保护二极管阵列,采用小型表面贴装器件(SMD)塑料封装,旨在保护多达五条单向信号线免受 ESD 和其他瞬态损坏。 多达五条线路的 ESD 保护。 低二极管电容。 最大脉冲峰值功率:Pₚₚ = 25W。 低钳位电压:V₍C₁₎ = 12V。 超低泄漏电流:I₍RM₎ = 5nA。应用:计算机及外围设备。 通信系统
    数据手册
    • 10+

      ¥0.289
    • 100+

      ¥0.237
    • 300+

      ¥0.2109
    • 3000+

      ¥0.1735
    • 6000+

      ¥0.1579
    • 9000+

      ¥0.15
  • 有货
  • 由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装,具有高隔离电压(交流:5kVRMS (最小值))。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4454
    • 100+

      ¥0.3212
    • 300+

      ¥0.2787
    • 1000+

      ¥0.2468
    • 5000+

      ¥0.2213
    • 10000+

      ¥0.2086
  • 有货
  • 是光耦合隔离器,包含一个砷化镓发光二极管和一个 NPN 硅光电晶体管。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5814
    • 50+

      ¥0.458
    • 200+

      ¥0.3418
    • 500+

      ¥0.2956
    • 2500+

      ¥0.2586
    • 5000+

      ¥0.24
  • 有货
  • 由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP621-2 在八引脚塑料双列直插式封装中提供两个隔离通道,TLP621-4 在十六引脚塑料双列直插式封装中提供四个隔离通道。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7688
    • 50+

      ¥0.5887
    • 200+

      ¥0.4987
    • 500+

      ¥0.4312
    • 2500+

      ¥0.3772
    • 5000+

      ¥0.3502
  • 有货
  • 设计用于在同步 DC:DC 电源中替代单个 MOSFET 和肖特基二极管。这款 30V MOSFET 旨在最大限度地提高功率转换效率,提供低导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。作为同步整流器中的低端开关,其性能与并联肖特基二极管的产品性能无差异。
    • 5+

      ¥0.896
    • 50+

      ¥0.7047
    • 150+

      ¥0.6091
    • 500+

      ¥0.5373
    • 2500+

      ¥0.4799
    • 5000+

      ¥0.4512
  • 有货
  • 特性:双向TVS二极管,采用领先的单片硅技术,响应时间快,ESD钳位电压低。 超小封装:1.0×0.6×0.5mm。 超低电容:典型值0.3pF。 超低泄漏:nA级别。 工作电压:5V。 低钳位电压。应用:手机及配件。 显示端口
    • 50+

      ¥0.0837
    • 500+

      ¥0.065
    • 1500+

      ¥0.0546
    • 10000+

      ¥0.0484
    • 20000+

      ¥0.043
    • 50000+

      ¥0.04
  • 有货
  • 单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装,旨在保护一条传输线或数据线免受ESD(静电放电)和其他瞬态现象造成的损坏。
    • 50+

      ¥0.1058
    • 500+

      ¥0.0819
    • 3000+

      ¥0.0686
    • 6000+

      ¥0.0607
    • 24000+

      ¥0.0538
    • 51000+

      ¥0.0501
  • 有货
  • 双片式硅齐纳二极管专为需要瞬态过电压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1873
    • 200+

      ¥0.1445
    • 600+

      ¥0.1207
    • 3000+

      ¥0.1046
    • 9000+

      ¥0.0922
    • 21000+

      ¥0.0856
  • 有货
  • 低电容单向静电放电 (ESD) 保护二极管,采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态造成的损坏。
    • 20+

      ¥0.1905
    • 200+

      ¥0.1475
    • 600+

      ¥0.1236
    • 3000+

      ¥0.1093
    • 9000+

      ¥0.0968
    • 21000+

      ¥0.0902
  • 有货
  • TPD 4E1U06是一款基于四通道单向瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管,具有超低电容。该器件的ESD冲击耗散值高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最高水平。其0.8 pF的线路电容使其广泛适用于各种应用的输出电流检测电阻器和运算放大器。典型应用领域包括HDMI、USB 2.0、MHL和DisplayPort。
    • 20+

      ¥0.2231
    • 200+

      ¥0.1725
    • 600+

      ¥0.1444
    • 3000+

      ¥0.1275
    • 9000+

      ¥0.1129
    • 21000+

      ¥0.105
  • 有货
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