友台二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：4N35 编号：C3014310

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37、4N38 系列产品采用 AlGaAs 红外发光二极管作为发射极，该发射极与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，封装形式为塑料 DIP6 封装，引脚成型方式多样。

数据手册

5+
￥0.8119
50+
￥0.6399
130+
￥0.5539
520+
￥0.4894
2470+
￥0.4378
5005+
￥0.412

有货

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型号：MOC3053SM(UMW) 编号：C22469445

封装：SOP-6

品牌：UMW(友台半导体)

将AlGaAs红外发射二极管作为发射极，与单片硅随机相光电三极管光耦合，采用塑料DIP6封装，有不同的引脚成型选项。凭借坚固的共面双模具结构，提供最稳定的隔离特性。

5+
￥1.0256
50+
￥0.8022
150+
￥0.7064
1000+
￥0.587
2000+
￥0.5338
5000+
￥0.5019

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型号：MOC3052M(UMW) 编号：C2841484

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥1.0508
50+
￥0.8216
130+
￥0.6922
520+
￥0.5697
2470+
￥0.5151
6500+
￥0.4824

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型号：6N138M 编号：C3001991

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极，该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管，具有不同的引脚成型选项。光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容，与传统光电晶体管光耦合器相比，速度提高了几个数量级。

数据手册

5+
￥1.6598
50+
￥1.3013
160+
￥1.1477
480+
￥0.956
2400+
￥0.8707
4800+
￥0.8194

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型号：MOC3081M(UMW) 编号：C2842968

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥1.7
50+
￥1.3432
130+
￥1.1304
520+
￥0.9396
2470+
￥0.8547
6500+
￥0.8037

有货

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型号：IRFB4110(UMW) 编号：C18209200

封装：TO-220

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=100V。 ID = 120A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 4.5mΩ(VGS = 10V)。改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅，符合RoHS标准，无卤

1+
￥3.46
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￥2.78
50+
￥2.44
100+
￥2.11
500+
￥1.91
1000+
￥1.81

有货

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型号：IRFB4310Z(UMW) 编号：C18209202

封装：TO-220

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=100V。 ID = 120A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 4.5mΩ (VGS = 10V)。改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅。无卤

1+
￥4.82
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￥3.87
50+
￥3.4
100+
￥2.94
500+
￥2.66
1000+
￥2.51

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型号：PSD05-LF-T7 编号：C5199859

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比，具有出色的钳位电压和性能。

数据手册

20+
￥0.1346
200+
￥0.1055
600+
￥0.0894
3000+
￥0.0765
9000+
￥0.0681
21000+
￥0.0636

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型号：UDT26A05L05UL(UMW) 编号：C19626391

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

是浪涌额定二极管阵列，旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感组件，使其免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和雷击引起的过电压影响。

20+
￥0.145
200+
￥0.1151
600+
￥0.0984
3000+
￥0.0885
9000+
￥0.0798
21000+
￥0.0752

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型号：MMBZ27VALT1G 编号：C2931141

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.1622
200+
￥0.1271
600+
￥0.1075
3000+
￥0.0877
9000+
￥0.0775
21000+
￥0.072

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型号：PESD5V0L1UB(UMW) 编号：C19270144

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

低电容单向静电放电 (ESD) 保护二极管，采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态造成的损坏。

20+
￥0.1751
200+
￥0.1364
600+
￥0.1149
3000+
￥0.102
9000+
￥0.0908
21000+
￥0.0848

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型号：PESD5V0L2UM 编号：C3001942

封装：SOT-883

品牌：UMW(友台半导体)

低电容ESD保护二极管，采用三焊盘SOT883无铅超小型塑料封装，旨在保护多达两条传输线或数据线免受静电放电（ESD）损坏。

数据手册

20+
￥0.2166
200+
￥0.1693
600+
￥0.143
2000+
￥0.1272
10000+
￥0.1083
20000+
￥0.1009

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型号：CDSOD323-T03SC(UMW) 编号：C19270129

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

提供采用SOD-323封装尺寸格式的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和ESD保护应用。瞬态电压抑制器系列提供单向或双向配置的电压类型选择，电压范围从3V到36V。

10+
￥0.2309
100+
￥0.182
300+
￥0.1575
3000+
￥0.1392
6000+
￥0.1245
9000+
￥0.1172

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型号：MOC3023M(UMW) 编号：C2842959

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥1.0257
50+
￥0.8129
130+
￥0.6689
520+
￥0.5551
2470+
￥0.5045
6500+
￥0.4741

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型号：MOC3063M(UMW) 编号：C6171203

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

5+
￥1.0963
50+
￥0.8595
150+
￥0.758
500+
￥0.6314
2500+
￥0.5751
5000+
￥0.5412

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型号：MOC3021M(UMW) 编号：C2842957

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥1.1007
50+
￥0.8745
130+
￥0.7236
520+
￥0.6026
2080+
￥0.5487
4160+
￥0.5164

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型号：MOC3083M(UMW) 编号：C2842970

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥1.2087
50+
￥0.9634
130+
￥0.7756
520+
￥0.6444
2470+
￥0.586
6500+
￥0.551

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型号：6N136M 编号：C2995535

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容，为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距（M型）和贴片式（SMD）可选

数据手册

5+
￥1.7247
50+
￥1.3522
150+
￥1.1925
500+
￥0.9934
2500+
￥0.9047
5000+
￥0.8515

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型号：IRFR1018ETR(UMW) 编号：C18295974

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=60V。 ID = 47A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 8.4mΩ (VGS = 10V)。改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力

5+
￥1.756
50+
￥1.3617
150+
￥1.1928
500+
￥0.982
2500+
￥0.8881
5000+
￥0.8318

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型号：IRF100B201(UMW) 编号：C18209201

封装：TO-220

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=100V。 Ip=192A。 RDS(ON)<4.2mΩ(VGS=10V)。无铅，符合RoHS标准，无卤。增强型体二极管dV/dt和dI/dt能力。改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性。全特性化电容和雪崩安全工作区

1+
￥3.3
10+
￥2.65
50+
￥2.32
100+
￥2
500+
￥1.8
1000+
￥1.7

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型号：SM24 编号：C2833284

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌的损坏。该系列可以吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定的最大水平的重复性ESD冲击，而性能不会下降，并能以非常低的钳位电压安全地耗散高达24A的8/20μs感应浪涌电流（IEC-61000-4-5，第2版）。

数据手册

20+
￥0.1336
200+
￥0.1045
600+
￥0.0884
3000+
￥0.073
9000+
￥0.0646
21000+
￥0.06

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型号：TL431BIDR(UMW) 编号：C19725462

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

是三端可调式稳压器系列，在适用温度范围内具有保证的热稳定性。输出电压可以通过两个外部电阻设置在Vref和36V之间的任何值。这些器件的典型动态输出阻抗为0.27Ω，有源输出电路提供非常尖锐的导通特性，使其在许多应用中是齐纳二极管的优秀替代品。

10+
￥0.2587
100+
￥0.2035
300+
￥0.1759
2500+
￥0.1552
5000+
￥0.1386
10000+
￥0.1303

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型号：TLP621GB-1S(UMW) 编号：C2904797

封装：SOP-4

品牌：UMW(友台半导体)

UMW TLP621 1、2 和 4 系列由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP621 2 在八引脚塑料双列直插式封装（DIP）中提供两个隔离通道，而 TLP621 4 在十六引脚塑料双列直插式封装（DIP）中提供四个隔离通道。

数据手册

5+
￥0.7489
50+
￥0.6
150+
￥0.5255
500+
￥0.4696
2000+
￥0.3784
4000+
￥0.356

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型号：MOC3043SM(UMW) 编号：C3014304

封装：SOP-6-6.5mm

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥1.2109
50+
￥0.9515
150+
￥0.8404
1000+
￥0.6813
2000+
￥0.6196
5000+
￥0.5825

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型号：6N136S(UMW) 编号：C7436894

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容，为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距（M型）和贴片式（SMD）可选