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关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：6N136M 编号：C2995535

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容，为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距（M型）和贴片式（SMD）可选

数据手册

5+
￥1.8488
50+
￥1.4439
150+
￥1.2704
500+
￥1.054
2500+
￥0.9576
5000+
￥0.8997

有货

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N沟道耐压:100V 电流:120A

型号：IRFB4310Z(UMW) 编号：C18209202

封装：TO-220

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=100V。 ID = 120A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 4.5mΩ (VGS = 10V)。改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅。无卤

1+
￥4.82
10+
￥3.87
50+
￥3.4
100+
￥2.94
500+
￥2.66
1000+
￥2.51

有货

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：4.8A@8/20us

型号：PESD5V0V1BL 编号：C2987695

封装：SOD-882

品牌：UMW(友台半导体)

特性：单线双向静电放电保护。极低二极管电容：Cd最大11pF。最大脉冲峰值功率：Ppp = 45W。低钳位电压：VCL = 12.5V。超低泄漏电流：IRM < 1nA。静电放电保护高达30kV，符合IEC61000-4-2；4级（静电放电）。应用：计算机及外围设备。音频和视频设备

数据手册

50+
￥0.0589
500+
￥0.0457
1500+
￥0.0384
10000+
￥0.034
20000+
￥0.0302
50000+
￥0.0281

有货

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ESD 5V截止峰值浪涌电流：5A@8/20us

型号：AZC199-02S(UMW) 编号：C19626356

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

是一种包含静电放电（ESD）额定二极管阵列的设计，用于保护高速数据接口。专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感组件，使其免受静电放电（ESD）引起的过电压影响。

20+
￥0.1544
200+
￥0.1225
600+
￥0.1048
3000+
￥0.0942
9000+
￥0.0849
21000+
￥0.08

有货

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12V 17A@8/20us

型号：SM12 编号：C2833285

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌的损坏。该系列可以吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定的最大水平的重复性ESD冲击，而性能不会下降，并能以非常低的钳位电压安全地耗散高达24A的8/20μs感应浪涌电流（IEC-61000-4-5，第2版）。

数据手册

20+
￥0.1692
200+
￥0.1317
600+
￥0.1108
3000+
￥0.0967
9000+
￥0.0858
21000+
￥0.08

有货

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单向TVS 22V截止

型号：MMBZ27VALT1G 编号：C2931141

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.1758
200+
￥0.1383
600+
￥0.1175
3000+
￥0.0964
9000+
￥0.0856
21000+
￥0.0798

有货

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TVS 24V截止峰值浪涌电流：7A@8/20us

型号：SM24 编号：C2833284

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌的损坏。该系列可以吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定的最大水平的重复性ESD冲击，而性能不会下降，并能以非常低的钳位电压安全地耗散高达24A的8/20μs感应浪涌电流（IEC-61000-4-5，第2版）。

数据手册

20+
￥0.1792
200+
￥0.1408
600+
￥0.1194
3000+
￥0.099
9000+
￥0.0879
21000+
￥0.0819

有货

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双向TVS 5V截止

型号：CDSOD323-T03SC(UMW) 编号：C19270129

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

提供采用SOD-323封装尺寸格式的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和ESD保护应用。瞬态电压抑制器系列提供单向或双向配置的电压类型选择，电压范围从3V到36V。

20+
￥0.1834
200+
￥0.1434
600+
￥0.1212
3000+
￥0.1078
9000+
￥0.0963
21000+
￥0.09

有货

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DC 3.75kV

型号：LTV-356T-C 编号：C4944982

封装：SOP-4

品牌：UMW(友台半导体)

LTV-356T是一款小尺寸贴片式光电耦合器件，适用于表面贴装生产。LTV-356T是由砷化镓发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器。其体积比双列直插封装（DIP）更小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程逻辑控制器

数据手册

10+
￥0.4597
100+
￥0.3559
300+
￥0.304
3000+
￥0.2485
6000+
￥0.2174
9000+
￥0.2018

有货

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N沟道耐压:30V 电流:14.5A

型号：FDS6676AS(UMW) 编号：C7499386

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于在同步 DC-DC 电源中替代单个 SO-8 MOSFET 和肖特基二极管。这款 30V MOSFET 旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。

5+
￥0.635
50+
￥0.5563
150+
￥0.517
500+
￥0.4875
3000+
￥0.464
6000+
￥0.4522

有货

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TLP621GB-1S

型号：TLP621GB-1S(UMW) 编号：C2904797

封装：SOP-4

品牌：UMW(友台半导体)

UMW TLP621 1、2 和 4 系列由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP621 2 在八引脚塑料双列直插式封装（DIP）中提供两个隔离通道，而 TLP621 4 在十六引脚塑料双列直插式封装（DIP）中提供四个隔离通道。

数据手册

5+
￥0.7529
50+
￥0.6042
150+
￥0.5299
500+
￥0.4741
2000+
￥0.3723
4000+
￥0.35

有货

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DC 5kV

型号：4N25 编号：C3014309

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37、4N38 系列产品采用 AlGaAs 红外发光二极管作为发射极，该发射极与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，封装形式为塑料 DIP6 封装，引脚成型方式多样。

数据手册

5+
￥1.0338
50+
￥0.7875
130+
￥0.6819
520+
￥0.5501
2470+
￥0.4915
6500+
￥0.4563

有货

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达林顿高速晶体管光电耦合器

型号：6N138M 编号：C3001991

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极，该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管，具有不同的引脚成型选项。光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容，与传统光电晶体管光耦合器相比，速度提高了几个数量级。

数据手册

5+
￥1.8379
50+
￥1.4375
160+
￥1.2659
480+
￥1.0519
2400+
￥0.9565
4800+
￥0.8993

有货

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单向ESD 15V截止峰值浪涌电流：5A@8/20us

型号：PESD15VS1UB(UMW) 编号：C7436898

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装，旨在保护一条传输线或数据线免受ESD（静电放电）和其他瞬态现象造成的损坏。

20+
￥0.1347
200+
￥0.1045
600+
￥0.0877
3000+
￥0.0777
9000+
￥0.069
21000+
￥0.0643

有货

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单向TVS 5V截止

型号：PSD05-LF-T7 编号：C5199859

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比，具有出色的钳位电压和性能。

数据手册

20+
￥0.1611
200+
￥0.1259
600+
￥0.1063
3000+
￥0.0907
9000+
￥0.0805
21000+
￥0.075

有货

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TVS 5V截止峰值浪涌电流：3A@8/20us

型号：ESDA6V8UW 编号：C19626381

封装：SOT-363

品牌：UMW(友台半导体)

是一款低电容 TVS（瞬态电压抑制器）阵列，用于保护高速数据接口。专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，免受 ESD（静电放电）引起的过应力影响。集成了四对低电容转向二极管和一个 TVS 二极管。

10+
￥0.2364
100+
￥0.1863
300+
￥0.1613
3000+
￥0.1425
6000+
￥0.1275
9000+
￥0.12

有货

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2.5V~36V

型号：TL432BIDBZR(UMW) 编号：C29780635

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

是一种可调式三端并联稳压器，在工作温度范围内具有出色的热稳定性。输出电压可通过外部电阻设置在Vref（约2.5V）至36V之间的任何值。它具有非常灵敏的开启特性，这使得它在许多应用中可以替代齐纳二极管。

10+
￥0.2381
100+
￥0.1873
300+
￥0.1618
3000+
￥0.1428
6000+
￥0.1275
9000+
￥0.1199

有货

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2.5V~36V 并联

型号：TL432AIDBZR(UMW) 编号：C29780636

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

是一种可调式三端并联稳压器，在工作温度范围内具有出色的热稳定性。输出电压可通过外部电阻设置在Vref（约2.5V）至36V之间的任何值。它具有非常灵敏的开启特性，这使得它在许多应用中可以替代齐纳二极管。

10+
￥0.2386
100+
￥0.1876
300+
￥0.1622
3000+
￥0.1431
6000+
￥0.1278
9000+
￥0.1202

有货

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ESD 5V截止峰值浪涌电流：2.5A@8/20us

型号：PESD5V0L2UM 编号：C3001942

封装：SOT-883

品牌：UMW(友台半导体)

低电容ESD保护二极管，采用三焊盘SOT883无铅超小型塑料封装，旨在保护多达两条传输线或数据线免受静电放电（ESD）损坏。

数据手册

20+
￥0.2435
200+
￥0.1903
600+
￥0.1607
2000+
￥0.143
10000+
￥0.1217
20000+
￥0.1134

有货

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DC 5kV

型号：4N35 编号：C3014310

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37、4N38 系列产品采用 AlGaAs 红外发光二极管作为发射极，该发射极与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，封装形式为塑料 DIP6 封装，引脚成型方式多样。

数据手册

5+
￥1.0851
50+
￥0.8487
130+
￥0.7474
520+
￥0.621
2470+
￥0.5647
5005+
￥0.531

有货

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型号：MOC3053SM(UMW) 编号：C22469445

封装：SOP-6

品牌：UMW(友台半导体)

将AlGaAs红外发射二极管作为发射极，与单片硅随机相光电三极管光耦合，采用塑料DIP6封装，有不同的引脚成型选项。凭借坚固的共面双模具结构，提供最稳定的隔离特性。

5+
￥1.1045
50+
￥0.8637
150+
￥0.7605
1000+
￥0.6317
2000+
￥0.5744
5000+
￥0.54

有货

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MOC3043SM

型号：MOC3043SM(UMW) 编号：C3014304

封装：SOP-6-6.5mm

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥1.2075
50+
￥0.9485
150+
￥0.8375
1000+
￥0.6787
2000+
￥0.617
5000+
￥0.58

有货

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MOC3083M

型号：MOC3083M(UMW) 编号：C6171201

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

5+
￥1.3409
50+
￥1.0488
130+
￥0.9236
520+
￥0.7674
2470+
￥0.6979
5005+
￥0.6561

有货

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MOC3043M

型号：MOC3043M(UMW) 编号：C6171202

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

5+
￥1.5336
50+
￥1.1995
130+
￥1.0563
520+
￥0.8777
2470+
￥0.7981
6500+
￥0.7504

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：MOC3082M(UMW) 编号：C2842969

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

2+
￥1.7008
20+
￥1.3486
60+
￥1.1976
200+
￥0.9254
1000+
￥0.8415
2000+
￥0.7912

有货

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单向ESD 5.5V截止峰值浪涌电流：3A@8/20us

型号：TPD4E1U06DBVR(UMW) 编号：C19626382

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

是一种基于四通道单向瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管，具有超低电容。该器件的 ESD 冲击耗散值高于 IEC 61000-4-2 国际标准规定的最高水平。

20+
￥0.1586
200+
￥0.1228
600+
￥0.1029
3000+
￥0.091
9000+
￥0.0807
21000+
￥0.0751

有货

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ESD 5V截止峰值浪涌电流：5A@8/20us

型号：099-04AT1G 编号：C19723968

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

099 - 04AT1G是一款四通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列。每个通道由一对ESD二极管组成，可将正或负ESD电流导向正或负轨。在正负电源轨之间的阵列中集成了一个齐纳二极管

20+
￥0.1885
200+
￥0.1463
600+
￥0.1228
3000+
￥0.1087
9000+
￥0.0965
21000+
￥0.09

有货

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2.495V~36V 并联 50ppm/℃

型号：TL431BIDR(UMW) 编号：C19725462

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

是三端可调式稳压器系列，在适用温度范围内具有保证的热稳定性。输出电压可以通过两个外部电阻设置在Vref和36V之间的任何值。这些器件的典型动态输出阻抗为0.27Ω，有源输出电路提供非常尖锐的导通特性，使其在许多应用中是齐纳二极管的优秀替代品。

10+
￥0.2975
100+
￥0.234
300+
￥0.2023
2500+
￥0.1784
5000+
￥0.1594
10000+
￥0.1499

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：MOC3052M(UMW) 编号：C2841484

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥1.049
50+
￥0.8287
130+
￥0.7044
520+
￥0.5866
2470+
￥0.5342
6500+
￥0.5027

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：MOC3021M(UMW) 编号：C2842957

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥1.0795
50+
￥0.856
130+
￥0.7069
520+
￥0.5873
2080+
￥0.5341
4160+
￥0.5022

有货

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最快4小时发货
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正品有保障

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降低成本

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