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首页 > 热门关键词 > 友台二极管
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由与砷化镓红外发光二极管光学耦合的光电晶体管组成。TLP521-2在八引脚塑料双列直插式封装中提供两个隔离通道,而TLP521-4在十六引脚塑料双列直插式封装中提供四个隔离通道。
数据手册
  • 5+

    ¥0.8836
  • 50+

    ¥0.6978
  • 200+

    ¥0.5509
  • 500+

    ¥0.4813
  • 2500+

    ¥0.4255
  • 5000+

    ¥0.3977
  • 有货
  • UMW TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓(GaAs)红外发光二极管光耦合而成,采用四引脚塑料双列直插式封装(DIP4),具有高隔离电压(交流:5kVRMS(最小值))。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4358
    • 100+

      ¥0.3415
    • 300+

      ¥0.2944
    • 2000+

      ¥0.2537
    • 4000+

      ¥0.2254
    • 10000+

      ¥0.2113
  • 有货
  • PS2501-1、-2、-4 是光耦合隔离器,包含一个砷化镓(GaAs)发光二极管和一个 NPN 硅光电晶体管。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4682
    • 50+

      ¥0.3695
    • 150+

      ¥0.3201
    • 1000+

      ¥0.2538
    • 2000+

      ¥0.2242
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      ¥0.2094
  • 有货
  • AP1511 是一款专为IR-Cut Removable (ICR)设计的驱动IC 用来开关红外线滤光片. AP1511 具有一个低饱和电压双向的H-bridge 驱动电路. 内建保护二极管疏通ICR 所产生的反馈电流, 以及防止ESD 的破坏. AP1511 内的双向H-bridge 驱动电路其内阻小于3Ω, 所以ICR 模块所需的电流决定于其线圈的阻抗. 以工作电源5 伏特为例, 当ICR 内部线圈流过300mA 电流时, AP1511 内的H-bridge 驱动电路会产生0.73V 的压降. AP1511A 提供单线控制与双线控制, 而AP1511B以单线控制并且提供单步操作( One-Shot )的功能.。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.61
    • 50+

      ¥0.4773
    • 150+

      ¥0.4109
    • 500+

      ¥0.3611
    • 3000+

      ¥0.3016
    • 6000+

      ¥0.2817
  • 有货
  • UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1838
    • 50+

      ¥0.9164
    • 150+

      ¥0.8019
    • 1000+

      ¥0.642
    • 2000+

      ¥0.5783
    • 5000+

      ¥0.5401
  • 有货
  • 双向 TVS 二极管,采用领先的单晶硅技术,提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压,是保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1167
    • 500+

      ¥0.0881
    • 1500+

      ¥0.0722
    • 10000+

      ¥0.0627
    • 20000+

      ¥0.0544
    • 50000+

      ¥0.05
  • 有货
  • 瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比,具有出色的钳位电压和性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2069
    • 200+

      ¥0.1575
    • 600+

      ¥0.13
    • 3000+

      ¥0.1074
    • 9000+

      ¥0.0931
    • 21000+

      ¥0.0855
  • 有货
  • 该系列交流输入光耦合器由一个光电晶体管和两个砷化镓红外发射二极管组成,采用4引脚迷你扁平封装。
    • 5+

      ¥0.6159
    • 50+

      ¥0.4716
    • 150+

      ¥0.3995
    • 500+

      ¥0.3454
    • 3000+

      ¥0.3021
    • 6000+

      ¥0.2804
  • 有货
  • 双路和四路轨到轨输出、单电源放大器,具有低功耗、宽带宽和低噪声的特点。ADA4692-4 是无关断功能的四路版本。这些放大器适用于各种应用。音频、滤波器、光电二极管放大器和电荷放大器都受益于这种性能和特性的组合。这些放大器的其他应用包括低噪声和低失真的便携式消费音频播放器,可在低功耗下在音频频段提供高增益和压摆率响应。具有高阻抗传感器(如热释电和红外传感器)的工业应用受益于高阻抗和低 0.5 pA 输入偏置、低失调漂移,以及足够的带宽和低增益应用响应。
    • 5+

      ¥1.63
    • 50+

      ¥1.42
    • 150+

      ¥1.33
    • 500+

      ¥1.22
    • 2500+

      ¥1.17
    • 4000+

      ¥1.14
  • 有货
  • UwW 6N137 光耦合器由一个 850 nm 的铝镓砷(AlGaAS)发光二极管(LED)组成,该 LED 与一个带选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门进行光耦合。此输出采用集电极开路结构,因此允许进行线或输出。在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内,可保证耦合参数
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9623
    • 50+

      ¥1.5271
    • 150+

      ¥1.3406
    • 1000+

      ¥1.0451
    • 2000+

      ¥0.9414
    • 5000+

      ¥0.8793
  • 有货
  • 包括采用专有硅雪崩技术制造的背对背 TVS 二极管,可为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供保护。这些坚固的二极管可以安全地吸收高达 IEC61000-4-2 国际标准规定的最大水平的重复 ESD 冲击,而不会降低性能。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0687
    • 500+

      ¥0.0581
    • 1500+

      ¥0.0522
    • 10000+

      ¥0.0487
    • 20000+

      ¥0.0456
    • 50000+

      ¥0.044
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1332
    • 200+

      ¥0.116
    • 600+

      ¥0.1064
    • 3000+

      ¥0.0934
    • 9000+

      ¥0.0884
    • 21000+

      ¥0.0857
  • 有货
  • UwW 6N137 光耦合器由一个 850 nm 的铝镓砷(AlGaAS)发光二极管(LED)组成,该 LED 与一个带选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门进行光耦合。此输出采用集电极开路结构,因此允许进行线或输出。在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内,可保证耦合参数
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9948
    • 50+

      ¥1.5099
    • 135+

      ¥1.3021
    • 495+

      ¥1.0428
    • 2880+

      ¥0.9273
    • 4320+

      ¥0.858
  • 有货
  • 特性:单向ESD保护。 低二极管电容:Cd = 25pF。 低钳位电压:VCL = 12V。 极低泄漏电流:IRM = 10nA。 ESD保护高达26kV。 IEC 61000-4-2;4级(ESD)。应用:计算机及外围设备。 音频和视频设备
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1457
    • 200+

      ¥0.1137
    • 600+

      ¥0.096
    • 2000+

      ¥0.0853
    • 10000+

      ¥0.0725
    • 20000+

      ¥0.0675
  • 有货
  • UMW101X 系列将 AlGaAs 红外发射二极管作为发射器,与采用塑料 LSOP4 封装的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合。凭借坚固的共面双塑封结构,UMW101X 系列具备最稳定的隔离特性。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4275
    • 100+

      ¥0.346
    • 300+

      ¥0.3053
    • 3000+

      ¥0.2269
    • 6000+

      ¥0.2024
    • 9000+

      ¥0.1902
  • 有货
  • UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4556
    • 50+

      ¥1.1306
    • 150+

      ¥0.9913
    • 1000+

      ¥0.7258
    • 2000+

      ¥0.6484
    • 5000+

      ¥0.6019
  • 有货
  • 是双路和四路轨到轨输出、单电源放大器,具有低功耗、宽带宽和低噪声的特点。适用于各种应用。音频、滤波器、光电二极管放大器和电荷放大器都受益于这种性能和特性的结合。这些放大器的其他应用包括低噪声和低失真的便携式消费音频播放器,可在低功耗下在音频频段提供高增益和压摆率响应。具有高阻抗传感器(如热释电和红外传感器)的工业应用受益于高阻抗和低 0.5 pA 输入偏置、低失调漂移,以及足够的带宽和低增益应用响应。
    • 10+

      ¥0.2698
    • 100+

      ¥0.2366
    • 300+

      ¥0.2199
    • 2500+

      ¥0.2075
    • 5000+

      ¥0.1975
    • 10000+

      ¥0.1925
  • 有货
  • ULN2002D 是一款单片集成的高耐压、大电流达林顿阵列集成电路,电路内部有五个独立的达林顿驱动通道。电路内部设计有续流二极管,可用于驱动继电器和步进电机等感性负载。单个达林顿管集电极可输出 500 mA 电流,多个通道可并联以实现更高的电流输出能力
    • 5+

      ¥0.6388
    • 50+

      ¥0.5017
    • 150+

      ¥0.4331
    • 500+

      ¥0.3817
    • 2500+

      ¥0.3406
    • 5000+

      ¥0.32
  • 有货
  • 特性:单向ESD保护。 低二极管电容:Cd = 34 μF。 低钳位电压:VCL = 11 V。 极低泄漏电流:IRM = 100 nA。 ESD保护高达30 kV。 IEC 61000-4-2;4级(ESD)。应用:计算机及周边设备。 音频和视频设备
    数据手册
    • 50+

      ¥0.131
    • 500+

      ¥0.0993
    • 3000+

      ¥0.0796
    • 6000+

      ¥0.069
    • 24000+

      ¥0.0599
    • 51000+

      ¥0.0549
  • 有货
  • 是三端可调稳压器系列,在适用温度范围内具有保证的热稳定性。输出电压可以通过两个外部电阻设置在Vref和36V之间的任何值。这些器件的典型动态输出阻抗为0.27Ω,有源输出电路提供非常尖锐的导通特性,使其在许多应用中成为齐纳二极管的优秀替代品。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2843
    • 100+

      ¥0.2226
    • 300+

      ¥0.1918
    • 2000+

      ¥0.1586
    • 4000+

      ¥0.1401
    • 10000+

      ¥0.1309
  • 有货
  • UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7784
    • 50+

      ¥0.6873
    • 130+

      ¥0.5745
    • 520+

      ¥0.5258
    • 2470+

      ¥0.5041
    • 6500+

      ¥0.4911
  • 有货
  • 这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过电压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1876
    • 200+

      ¥0.1468
    • 600+

      ¥0.1241
    • 3000+

      ¥0.1028
    • 9000+

      ¥0.091
    • 21000+

      ¥0.0847
  • 有货
  • 是一款3.3V双向ESD保护二极管,采用领先的单晶硅技术,提供快速响应时间和超低ESD钳位电压,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。采用超小型1.0x0.6x0.5mm DFN无铅封装。
    • 50+

      ¥0.0882
    • 500+

      ¥0.0699
    • 3000+

      ¥0.0592
    • 6000+

      ¥0.0531
    • 24000+

      ¥0.0479
    • 51000+

      ¥0.045
  • 有货
  • UMW100X 系列产品将一个铝镓砷(AlGaAs)红外发射二极管作为发射器,该发射器与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用塑料 LSOP4 封装。凭借坚固的共面双塑封结构,UMW100X 系列具备最稳定的隔离特性。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.451
    • 100+

      ¥0.3533
    • 300+

      ¥0.3044
    • 3000+

      ¥0.234
    • 6000+

      ¥0.2047
    • 9000+

      ¥0.19
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V。 ID = 47A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 8.4mΩ (VGS = 10V)。 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力
    • 5+

      ¥1.8381
    • 50+

      ¥1.4433
    • 150+

      ¥1.2741
    • 500+

      ¥1.063
    • 2500+

      ¥0.969
    • 5000+

      ¥0.9126
  • 有货
  • 是一款单通道 ESD TVS 二极管,采用小型 0402 封装,适用于空间受限的应用,也有行业标准 SOD-523 封装。该 TVS 保护产品提供 ±30 kV 接触 ESD、±30 kV IEC 气隙保护,并有一个带背对背 TVS 二极管的 ESD 钳位电路,支持双极或双向信号。该 ESD 保护二极管的 12 pF 线路电容适用于支持高达 400 Mbps 数据速率的广泛应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.099
    • 500+

      ¥0.0774
    • 1500+

      ¥0.0654
    • 10000+

      ¥0.0545
    • 20000+

      ¥0.0483
    • 50000+

      ¥0.0449
  • 有货
  • 瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比,具有出色的钳位电压和性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.184
    • 200+

      ¥0.1443
    • 600+

      ¥0.1223
    • 3000+

      ¥0.0999
    • 9000+

      ¥0.0885
    • 21000+

      ¥0.0823
  • 有货
  • 超低电容单向静电放电(ESD)保护二极管,采用小型表面贴装器件(SMD)塑料封装,旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态损坏。
    • 20+

      ¥0.2039
    • 200+

      ¥0.1586
    • 600+

      ¥0.1334
    • 3000+

      ¥0.1153
    • 9000+

      ¥0.1022
    • 21000+

      ¥0.0952
  • 有货
  • 瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比,具有出色的钳位电压和性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2238
    • 200+

      ¥0.174
    • 600+

      ¥0.1464
    • 3000+

      ¥0.116
    • 9000+

      ¥0.1016
    • 21000+

      ¥0.0939
  • 有货
  • UMW101X 系列将 AlGaAs 红外发射二极管作为发射器,与采用塑料 LSOP4 封装的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合。凭借坚固的共面双塑封结构,UMW101X 系列具备最稳定的隔离特性。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4515
    • 100+

      ¥0.3538
    • 300+

      ¥0.305
    • 3000+

      ¥0.234
    • 6000+

      ¥0.2047
    • 9000+

      ¥0.19
  • 有货
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