DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

ESD5641DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5641DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

5+
￥0.717
50+
￥0.589
150+
￥0.4962

有货

立即购买

型号：BZX884S-B10-QYL 编号：C3733469

封装：SOD-882

通用齐纳二极管，采用超小型SOD882BD (DFN1006BD-2)无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面可焊。

5+
￥0.8249
50+
￥0.8152
150+
￥0.8087
500+
￥0.8022

订货

我要订货

型号：ESD73044D-10/TR 编号：C506149

封装：DFN2510-10L

ESD73044D是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73044D集成了四对超低电容导向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73044D可提供高达±12 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达3.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73044D采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

5+
￥0.9119
50+
￥0.7208
150+
￥0.6253
500+
￥0.5537

有货

立即购买

型号：BAS16LS-QYL 编号：C5259064

封装：SOD-882

高速开关二极管，采用无铅超小DFN1006BD-2（SOD882BD）表面贴装器件（SMD）塑料封装，侧面可焊。

10000+
￥3.42
20000+
￥3.36
30000+
￥3.3

我要订货

型号：BAS21LDYL 编号：C549212

封装：SOD-882D

高压开关二极管，采用无铅超小型DFN1006D-2 (SOD882D) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，带有可见且可焊接的侧焊盘。

数据手册

10000+
￥1.254
20000+
￥1.232
30000+
￥1.21

我要订货

型号：BZX8850S-C30YL 编号：C3729394

封装：SOD-882

低电流电压调节器二极管采用超小型 SOD882BD (DFN1006BD-2) 无引脚表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，侧面可焊。

1+
￥4.88
10+
￥4.83
30+
￥4.79
100+
￥4.75

有货

立即购买

型号：PUSB3FA1Z 编号：C553554

封装：DFN2510-10

该器件旨在保护高速接口，如10 Gbps的SuperSpeed USB 3.2、高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、外部串行高级技术附件（eSATA）和低压差分信号（LVDS）接口免受静电放电（ESD）影响。该器件包含四个高级ESD保护二极管结构，用于保护超高速信号线的敏感发射器和接收器。器件采用无引脚小型DFN2510A - 10（SOT1176 - 1）塑料封装。所有信号线均采用特殊的二极管配置进行保护，线路电容超低，仅为0.29 pF。这些二极管采用回滞结构，可为下游组件提供高达±15 kV接触式ESD电压保护，超过了IEC 61000 - 4 - 2标准的4级要求。

数据手册

1+
￥5.34
10+
￥4.69
30+
￥4.36
100+
￥4.04
500+
￥3.85
1000+
￥3.75

有货

立即购买

型号：LTC4059EDC#TRMPBF 编号：C687193

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4059/LTC4059A 是用于单节锂离子电池的恒流/恒压线性充电器。其 2mm×2mm DFN 封装和少量的外部元件数量，使这些充电器特别适用于便携式应用。此外，它们设计为符合 USB 电源规格，无需外部检测电阻、MOSFET 或隔离二极管

数据手册

1+
￥39.5342 ￥45.97
10+
￥38.6484 ￥44.94
30+
￥38.055 ￥44.25
100+
￥37.4702 ￥43.57

有货

立即购买

型号：BCT1013ELT-TR 编号：C46609655

封装：DFN-6L-EP(2x2)

品牌：BROADCHIP(广芯电子)

是高效率、高频同步 DC-DC 降压转换器。100% 占空比特性提供低压差运行，可延长便携式系统中的电池寿命。内部同步开关提高效率，无需外部肖特基二极管。在关断模式下，输入电源电流小于 1μA。集成了电流限制、输出短路保护和热保护。采用绿色 SOT23-5、DFN2x2-6L 封装，工作环境温度范围为-40°C 至 +85°C。

10+
￥0.1781
100+
￥0.1738
300+
￥0.1709
1000+
￥0.168

有货

立即购买

型号：PESDU2401P1 编号：C610232

封装：DFN1006-2

品牌：PN SILICON(智晶)

PESDU2401P1是一款24V单向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESDU2401P1符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU2401P1成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

数据手册

10+
￥0.2053
100+
￥0.1813
300+
￥0.1693
1000+
￥0.1602
5000+
￥0.1413

有货

立即购买

型号：LTVS16H10T5G 编号：C383278

封装：DFN1610-2

品牌：LRC(乐山无线电)

TVS16H是一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。TVS16H符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30kV。它采用超小型1.6x1.0x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使TVS16H成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

数据手册

10+
￥0.381
100+
￥0.311
300+
￥0.276
1000+
￥0.2497

有货

立即购买

型号：ESDA6V8UD-10/TR 编号：C506148

封装：DFN2510-10L

ESDA6V8UD是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESDA6V8UD集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESDA6V8UD可提供高达±20KV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESDA6V8UD采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.4311
100+
￥0.3366
300+
￥0.2893

有货

立即购买

型号：CN3166 编号：C7435233

封装：DFN-8

品牌：CONSONANCE(上海如韵)

CN3166是可以用太阳能供电的单节锂电池充电管理芯片。该器件内部包括功率晶体管，不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。内部的充电电流自适应模块能够根据输入电源的电流输出能力自动调整充电电流，用户不需要考虑最坏情况，可最大限度地利用输入电源的电流输出能力，非常适合利用太阳能板等电流输出能力有限的电源供电的锂电池充电应用。CN3166只需要极少的外围元器件，非常适合便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度调制在132°C左右以避免芯片温度过高。内部固定的恒压充电电压为4.2V，也可以通过一个外部的电阻向上调节。充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电压掉电时，CN3166自动进入低功耗的睡眠模式，此时电池电流小于3微安。其它功能包括输入电压过低锁存，自动再充电，符合JEITA标准的电池温度监测，充电电流过流保护以及充电状态/充电结束状态指示等功能。CN3166采用2mm×3mm的8管脚DFN封装。

5+
￥1.8051
50+
￥1.4271
150+
￥1.2651
500+
￥1.0178
3000+
￥0.9278
6000+
￥0.8738

有货

立即购买

型号：MCP2021AT-500E/MD 编号：C623163

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP2021A/2A 符合 LIN 总线规范版本 1.3 和 2.1 以及 SAE J2602-2。它们支持最高 20 kBaud 的波特率，并具有 43V 负载瞬变保护。最大连续输入电压为 30V，供电电压范围为 6.0 至 18.0V。扩展温度范围为 -40 至 +125°C。这些设备可以与 MCU EUSART 和标准 USART 接口，并且可以通过 LIN 总线活动或本地唤醒输入唤醒。LIN 总线引脚包括内部上拉终止电阻和用于从节点的二极管，并且受到 VBAT 短路、接地丢失和高电流驱动的保护。TXD 和 LIN 总线具有显性超时功能。这些设备有两种低功耗模式：发送器关闭（典型值 90 µA）和掉电（典型值 4.5 µA）。一个输出指示内部复位状态（POR 或睡眠唤醒）。MCP2021A/2A 片上电压调节器在温度范围内提供 ±3% 容差的 5.0V 或 3.3V 70 mA 输出，并具有内部短路电流限制。外部组件仅限于滤波电容和负载电容。这些设备具有自动热关断、高电磁抗扰度（EMI）和低电磁辐射（EME）。它们还具有稳健的 ESD 性能（LBUS 和 VBB 引脚为 ±15 kV），并在汽车环境中为 LBUS 和 VBB 引脚提供瞬态保护（ISO7637）。MCP2021A/2A 满足严格的汽车设计要求，包括“汽车应用中的 LIN、CAN 和 FlexRay 接口 OEM 硬件要求”，版本 1.2，2011 年 3 月。提供多种封装选项，包括小型 4x4 mm DFN 封装。MCP2021A/2A 提供双向半双工通信物理接口，以满足 LIN 总线规范修订版 2.1 和 SAE J2602-2。这些设备集成了 5V 或 3.3V 70 mA 稳压电源输出的电压调节器。它们设计用于满足汽车行业严格的静态电流要求，并能够承受 +43V 负载瞬变和双电池跳变。

数据手册

1+
￥11.0628 ￥17.56
10+
￥9.1001 ￥17.17
30+
￥7.2713 ￥16.91
100+
￥7.1595 ￥16.65

有货

立即购买

型号：MCP2021A-500E/MD 编号：C637684

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP2021A/2A 符合 LIN 总线规范版本 1.3 和 2.1 以及 SAE J2602-2。它们支持最高 20 kBaud 的波特率，并具有 43V 负载瞬变保护。最大连续输入电压为 30V，供电电压范围为 6.0 至 18.0V。扩展温度范围为 -40 至 +125°C。这些设备可以与 MCU EUSART 和标准 USART 接口，并且可以通过 LIN 总线活动或本地唤醒输入唤醒。LIN 总线引脚包括内部上拉终止电阻和用于从节点的二极管，并且受到 VBAT 短路、接地丢失和高电流驱动的保护。TXD 和 LIN 总线具有显性超时功能。这些设备有两种低功耗模式：发送器关闭（典型值 90 µA）和掉电（典型值 4.5 µA）。一个输出指示内部复位状态（POR 或睡眠唤醒）。MCP2021A/2A 片上电压调节器在温度范围内提供 ±3% 容差的 5.0V 或 3.3V 70 mA 输出，并具有内部短路电流限制。外部组件仅限于滤波电容和负载电容。这些设备具有自动热关断、高电磁抗扰度（EMI）和低电磁辐射（EME）。它们还具有稳健的 ESD 性能（LBUS 和 VBB 引脚为 ±15 kV），并在汽车环境中为 LBUS 和 VBB 引脚提供瞬态保护（ISO7637）。MCP2021A/2A 满足严格的汽车设计要求，包括“汽车应用中的 LIN、CAN 和 FlexRay 接口 OEM 硬件要求”，版本 1.2，2011 年 3 月。提供多种封装选项，包括小型 4x4 mm DFN 封装。MCP2021A/2A 提供双向半双工通信物理接口，以满足 LIN 总线规范修订版 2.1 和 SAE J2602-2。这些设备集成了 5V 或 3.3V 70 mA 稳压电源输出的电压调节器。它们设计用于满足汽车行业严格的静态电流要求，并能够承受 +43V 负载瞬变和双电池跳变。

数据手册

1+
￥11.2654 ￥18.17
10+
￥9.2404 ￥17.77
30+
￥7.35 ￥17.5
100+
￥7.2324 ￥17.22

有货

立即购买

型号：TBU-DT065-200-WH 编号：C2649815

封装：DFN-4(5x5)

品牌：BOURNS

TBU（瞬态阻断单元）产品的TBU-DT系列是超低电容双单向高速浪涌保护组件，旨在防止由短路、交流电源串扰、感应和雷击浪涌引起的故障。TBU-DT系列是单向TBU⊥器件；仅当电流在一个方向达到最大值时，即引脚1相对于引脚2电压为正，引脚4相对于引脚3电压为正时，TBU⊥保护器将在小于1 μs的时间内触发。在相反极性下不存在限流，TBU⊥器件本质上呈电阻性。反向电流不应超过TBU器件的最大触发电流水平。在直流偏置应用中，可使用外部二极管来防止反向电流。TBU⊥保护器可阻断浪涌，并提供有效的隔离，在浪涌事件期间，敏感电子设备不会暴露在高电压或大电流下。浪涌过后，当TBU器件两端的电压降至Vreset水平时，TBU器件会复位。TBU器件将在无直流偏置或直流偏置低于Vreset的线路（如未通电的信号线）上自动复位。TBU⊥器件采用表面贴装DFN封装，符合RoHS和无铅焊料回流曲线等行业标准要求。

数据手册

1+
￥17.16
10+
￥14.36
30+
￥12.6

有货

立即购买

型号：HESDNC3V3B1AF-A 编号：C3033476

封装：DFN1006-2L

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于3.3V系统，提供单通道高效防护。具备9A峰值脉冲电流IPP能力，能有效吸收和抑制双向瞬态ESD事件，保护电路不受损害。仅15pF结电容确保高速数据线路上信号完整性良好，是现代便携式与高集成度电子设备的理想低电容ESD解决方案。

数据手册

50+
￥0.0831
500+
￥0.0648
1500+
￥0.0546
10000+
￥0.0484
20000+
￥0.0431
50000+
￥0.0403

订货

我要订货

型号：HESDUC5VB1GF-A 编号：C3033478

封装：DFN0603-2L

这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为单通道应用设计，具有5V工作电压耐受值VRWM，有效防止过电压损害。器件能承受瞬态峰值电流IPP高达4A，并且拥有超低结电容CJ仅为0.35pF，确保在提供卓越ESD保护的同时保持高速信号线路的绝佳完整性，是小型化、高性能接口的理想防静电组件。

数据手册

20+
￥0.1153
200+
￥0.091
600+
￥0.0775
2000+
￥0.0694
15000+
￥0.0587
30000+
￥0.0549

订货

我要订货

型号：PESDU3361P1 编号：C610237

封装：DFN1006-2L

品牌：PN SILICON(智晶)

PESDU3361P1是双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，响应速度快、电容极低且静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容极低，是保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口及其他众多便携式应用的理想之选。

数据手册

20+
￥0.1679
200+
￥0.1317
600+
￥0.1116
2000+
￥0.0995

有货

立即购买

型号：LESD8LL5.0CT5G-HXY 编号：C18198396

封装：DFN1006-2L

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供高级别的单通道保护。具备4A峰值脉冲电流IPP能力，有效吸收与钳位双向瞬态ESD冲击，确保电路不受损坏。超低结电容仅0.35pF，特别适合高速数据传输接口，实现卓越信号完整性和最小干扰，是现代精密电子设备的理想ESD防护方案。

20+
￥0.1687
200+
￥0.1299
600+
￥0.1083
2000+
￥0.0953
10000+
￥0.0841
20000+
￥0.078

订货

我要订货

型号：PESD3V3V1BLYL 编号：C5199764

封装：DFN1006-2

低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。该器件采用无引脚超小型SOD882（DFN1006 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

20+
￥0.2253
200+
￥0.191
600+
￥0.172
2000+
￥0.1606
10000+
￥0.1468
20000+
￥0.1415

订货

我要订货

型号：BCT1810ELT-TR 编号：C46609547

封装：DFN-6L-EP(1.6x1.6)

品牌：BROADCHIP(广芯电子)

该产品是高效、高频同步 DC-DC 降压转换器。100% 占空比特性可实现低压差运行，延长便携式系统中的电池寿命。内部同步开关提高了效率，无需外部肖特基二极管。在关断模式下，输入电源电流小于 1μA。该产品集成了电流限制、输出短路保护和热保护功能。采用绿色 SOT23-5、DFN1.6×1.6-6L 封装，使用最少的外部组件即可提供紧凑的解决方案。

20+
￥0.2297
200+
￥0.1817
600+
￥0.1577

有货

立即购买

型号：ESD56241D22-3/TR 编号：C506141

封装：DFN2x2-3L

ESD56241DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56241DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD56241DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

5+
￥0.869
50+
￥0.6793
150+
￥0.5845

有货

立即购买

型号：NSR01L30NXT5G 编号：C154565

封装：0201

品牌：onsemi(安森美)

这些肖特基势垒二极管针对低正向压降和低漏电流进行了优化。DSN2（双硅无引脚）封装是一种芯片级封装，在封装下方使用可焊接金属触点，类似于DFN封装。与塑料模塑封装产品相比，DSN封装能够100%利用封装面积来布置有源硅，在单位电路板面积性能方面具有显著优势

数据手册

5+
￥0.989
50+
￥0.9687
150+
￥0.9552

有货

立即购买

型号：LT3473EDD#PBF 编号：C107840

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT3473/LT3473A是采用扁平DFN封装、具有集成肖特基二极管和输出断接电路的微功率升压型DC/DC转换器。内部1A开关允许器件在高达80mA的电流条件下从单节锂离子电池输送25V输出,而自动突发模式操作则可在轻负载条件下保持效率。

数据手册

1+
￥57.07
10+
￥49.45
30+
￥44.81

有货

立即购买

型号：AU0521P0 编号：C393857

封装：DFN0603-2

品牌：Applied Power(应能微)

AU0521P0是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU0521P0符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3 mm无铅DFN封装。超小尺寸和高ESD浪涌保护能力，使AU0521P0成为替代0201尺寸多层压敏电阻（MLV）的理想选择，可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式应用设备。

数据手册

1+
￥0.06306 ￥0.1051
10+
￥0.05484 ￥0.0914
30+
￥0.05028 ￥0.0838
100+
￥0.04758 ￥0.0793
500+
￥0.03996 ￥0.0666
1000+
￥0.0387 ￥0.0645

有货

立即购买

型号：AU0771P1 编号：C393864

封装：DFN1006-2

品牌：Applied Power(应能微)

AU0771P1是一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想选择。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。它采用超小型1.0×0.6×0.5 mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力，使AU0771P1成为保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式应用的理想之选。

数据手册

1+
￥0.09354 ￥0.1559
10+
￥0.08172 ￥0.1362
30+
￥0.07512 ￥0.1252
100+
￥0.07116 ￥0.1186
500+
￥0.05772 ￥0.0962
1000+
￥0.05586 ￥0.0931

有货

立即购买

型号：ESD8D7.0C-HXY 编号：C4748770

封装：DFN1006-2L